电工学第七版(下)电子技术第14章
电工电子技术(2)习题册参考答案
第二部分
模拟电子电路的分析与计算 （教材第15章）
1、解：（1）作直流通路
IB U CC U BE U CC 12 0.05 mA 50 A ， RB RB 240
I C I B 40 50 2000 A 2 mA U CE U CC I C RC 12 2 3 6 V
CB结正偏。 （3）解：
U BB 3 V
I B 0 IC 0
所以此时晶体管处于截止状态。 BE结电压： U BE U BB 3 V ，反偏 CB结电压： U CB U CE U BE 15 (3) 18 V ，正偏 5、电路如图所示, 试分析晶体三极管的工作状态。
4、如图所示电路，在给出的三组条件下，分别求出晶体管两个P-N结的电压 U BE 、 U CB 之值，并说明晶体管工作在何种状态。 （1） U CC 15 V, U BB 5 V, R B 10 k, RC 5 k, U BE 0.7 V, 60 ； （2） U CC 15 V, U BB 5 V, R B 300 k, RC 3 k, U BE 0.7 V, 60 ； （3） U CC 15 V, U BB 3 V, RB 300 k, RC 5 k, 60 。 解：（1） IB + RB UBB IC R
（2）作微变等效电路
ib
RS
ic
b ¦ iÂ
+ ui RB _ rbe
RC RL
+ es _
+ uo _
（3）根据微变等效电路，且有
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电工学（第7版）下册-电子技术习题册参考解答—西华大学电气信息学院电工电子教学部版权所有
电工学第七版下册第14章半导体课件下
= 5mA
DZ
+ UZ=12V
_ +
IZM=18mA
因：IZ < IZM 故：限流电阻 R 的阻值合适
P14：例 14.(41.41-4)
例2：稳压管的技术参数:
i
UZW10V, IZmax 20mA,
IZmin 5mA
ui
负载电阻： RL2k
iL
R
DZ
iZRL uo
要求：ui 发生20%波动时，负载电压基本不变。 试求：限流电阻 R 和输入电压 ui 的正常值。
RB
EB
E IE
I CE
I BE
IB = IBE – ICBO IBE
(14-16)
直流电流放大倍数：ICE 与 IBE之比
ICEICICBO IC
IBE IBICBOIB
ICIB(1)ICBOIBICEO IB
要使晶体管能放大电流，必须使发射结 正Байду номын сангаас，集电结反偏。
(14-17)
晶体管起放大作用的条件：
(14-21)
IBf(UBE )UCE 常 数
特点:非线性
IB(A)
80
工作压降 硅管UBE0.6~0.7V 锗管UBE0.2~0.3V
60
UCE1V
40
死区电压 20
硅管0.5V 锗管0.1V
0.4 0.8 UBE(V)
(14-22)
二、输出特性曲线 ICf(UCE )IB常数
IC(mA) 4
1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好
的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线
(14-19)
电工学习题2014_下册
第 14 章半导体器件一、选择题1、对半导体而言，其正确的说法是( )。
(1) P 型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电。
(2) N 型半导体中由于多数载流子为自由电子，所以它带负电。
(3) P 型半导体和 N 型半导体本身都不带电。
2、在图 14-1 所示电路中，Uo 为 ( ) 。
(1) -12V (2) -9V (3) -3VR- 0V D Z11V 3kΩ-9VUo DZ2U o + + R- -图14-1 图14-2 图14-33、在图 14-2 所示电路中，二极管 D1、D2、D3 的工作状态为( ) 。
(1) D1、D2 截止， D3 导通 (2) D1 截至， D2、D3 导通 (3) D1、D2、D3 均导通4、在图 14-3 所示电路中，稳压二极管 Dz1 和 Dz2 的稳定电压分别为 5V 和 7V，其正向压降可忽略不计，则 Uo 为( ) 。
(1) 5V (2) 7V (3) 0V5、在放大电路中，若测得某晶体管的三个极的电位分别为 6V，1.2V 和 1V，则该管为( )。
(1) NPN 型硅管 (2) PNP 型锗管 (3) NPN 型锗管6、对某电路的一个 NPN 型的硅管进行测试，测得 UBE>0，UBC>0，UCE>0，则此管工作在 ( ) 。
(1)放大区 (2)饱和区 (3) 截至区7、晶体管的控制方式为( ) 。
(1)输入电流控制输出电压 (2)输入电流控制输出电流 (3)输入电压控制输出电压二、判断题1、晶体管处于放大区，其 PN 结一定正偏。
( )2、三极管由二极管构成的，三极管具有放大作用，故二极管也具有放大作用。
( )3、二极管正向导通，反向截止，当反向电压等于反向击穿电压时，二极管失效了，故所有的二极管都不可能工作在反向击穿区。
( )三、填空题1、若本征半导体中掺入某 5 价杂质元素，可成为，其多数载流子为。
若在本征半导体中掺入某 3 价杂质元素，可成为，其少数载流子为。
电工学第七版下试题及答案
电工学第七版下试题及答案[题一]题目：在电力系统中运行，电工学是一门非常重要的学科。
电工学的理论和应用都直接影响着电力系统的稳定性和效率。
为了帮助学习电工学的同学更好地掌握知识，本文提供了电工学第七版下的试题及答案。
[第一章：电磁场与电磁波]1. 简述电磁场的概念及其分类。
答案：电磁场是由电荷、电流产生的物理场。
根据场的性质，可将电磁场分为静止场和时间变化场。
2. 电磁波的概念及特性有哪些？答案：电磁波是电场和磁场以空间平移和时间变化的形式传播的物理现象。
其特性包括具有振荡性、传播速度为光速、能量传播而无物质传播等。
3. 描述电磁波在真空中的传播特性。
答案：电磁波在真空中以光速传播，传播方向垂直于电场和磁场的方向，并且电场、磁场和传播方向两两垂直。
[第二章：电力系统的基本概念]1. 简述电力系统的组成。
答案：电力系统主要由电源、输电线路、变电所和用户组成。
其中，电源负责发电，输电线路负责电能的输送，变电所进行电压和频率的转换，用户则是电力系统的用电对象。
2. 什么是配电系统？答案：配电系统是将输电系统的电能进行分配和供应给各个用户的系统。
其主要包括配电变压器、配电网和用户终端。
3. 电力系统中的故障对系统运行有何影响？答案：电力系统中的故障可能导致电流过大，造成输电线路的过载而引起短路事故。
同时，故障还可能引起电压的异常，影响用户的正常用电。
[第三章：电力系统的短路和过电压]1. 什么是电力系统的短路？答案：电力系统的短路是指电路中发生了相互之间电势差为零的异常连接，造成电流异常增大的现象。
2. 如何计算电力系统的短路电流？答案：计算电力系统的短路电流需要考虑各个元件的电阻、电抗和互阻等参数。
通常可以使用短路电流计算软件进行计算。
3. 过电压是如何形成的？答案：过电压是因为电力系统中出现了电压升高的异常现象。
常见的过电压形成原因包括感应过电压、操作过电压和雷电过电压等。
[第四章：电力系统的保护与自动化]1. 什么是电力系统的保护与自动化？答案：电力系统的保护与自动化是指通过各种保护设备和自动化系统来保护电力系统正常运行、防止故障扩大以及提高系统的安全性和稳定性。
电工学14和15章教案概要
电工学第七版第14、15章教案
教案
新课和新上课的教师要求写详案。
4．要求教师每学期上交教案。
教案
新课和新上课的教师要求写详案。
4．要求教师每学期上交教案。
教案
五、用图解法确定静态值
1．优点：直观地分析和了解静态值的变化对放大电路的影响。
2．步骤：
(1) 用估算法确定I B
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电工学电子技术课后答案第七版
电工学电子技术课后答案第七版【篇一：电工学(电子技术)课后答案秦曾煌】大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。
晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。
2．晶体管的电流分配关系晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下：ic??ibie?ib?ic?(1??)ib?icib???ic?ib3．晶体管的特性曲线和三个工作区域（1）晶体管的输入特性曲线：晶体管的输入特性曲线反映了当uce等于某个电压时，ib和ube之间的关系。
晶体管的输入特性也存在一个死区电压。
当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现ib，且ib随ube线性变化。
（2）晶体管的输出特性曲线：ic随uce变化的关系曲线。
晶体管的输出特性曲线反映当ib为某个值时，在不同的ib下，输出特性曲线是一组曲线。
ib=0以下区域为截止区，当uce比较小的区域为饱和区。
输出特性曲线近于水平部分为放大区。
（3）晶体管的三个区域：晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。
此时，ic=?ib，ic与ib成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。
晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性曲线的截止区。
此时，ib=0，ic=iceo。
晶体管发射结和集电结都处于正向偏置，即uce很小时，晶体管工作在饱和区。
此时，ic虽然很大，但ic??ib。
即晶体管处于失控状态，集电极电流ic不受输入基极电流ib的控制。
14．3 典型例题例14．1 二极管电路如例14．1图所示，试判断二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压值。
设二极管导通电压ud=0.7v。
25610v(a)(b)d1(c)(d)例14.1图1图（a）电路中的二极管所加正偏压为2v，大于u=0.7v，二极管处于导通状态，解：○d则输出电压u0=ua—ud=2v—0.7v=1.3v。
2图（b）电路中的二极管所加反偏压为-5v,小于u，二极管处于截止状态，电路中电○d流为零，电阻r上的压降为零,则输出电压u0=-5v。
电工学电子技术课后答案第七版
电工学电子技术课后答案第七版电工学电子技术课后答案第七版【篇一：电工学(电子技术)课后答案秦曾煌】大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。
晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。
2．晶体管的电流分配关系晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下：ic??ibie?ib?ic?(1??)ibicibic?ib3．晶体管的特性曲线和三个工作区域（1）晶体管的输入特性曲线：晶体管的输入特性曲线反映了当uce等于某个电压时，ib和ube 之间的关系。
晶体管的输入特性也存在一个死区电压。
当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现ib，且ib随ube线性变化。
（2）晶体管的输出特性曲线：ic随uce变化的关系曲线。
晶体管的输出特性曲线反映当ib为某个值时，在不同的ib下，输出特性曲线是一组曲线。
ib=0以下区域为截止区，当uce比较小的区域为饱和区。
输出特性曲线近于水平部分为放大区。
（3）晶体管的三个区域：晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。
此时，ic=?ib，ic与ib成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。
晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性曲线的截止区。
此时，ib=0，ic=iceo。
晶体管发射结和集电结都处于正向偏置，即uce很小时，晶体管工作在饱和区。
此时，ic虽然很大，但ic??ib。
即晶体管处于失控状态，集电极电流ic不受输入基极电流ib的控制。
14．3 典型例题例14．1 二极管电路如例14．1图所示，试判断二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压值。
设二极管导通电压ud=0.7v。
25610v(a)(b)d1(c)(d)例14.1图1图（a）电路中的二极管所加正偏压为2v，大于u=0.7v，二极管处于导通状态，解：○d则输出电压u0=ua—ud=2v—0.7v=1.3v。
《电工学》秦曾煌下册电子技术详解PPT教学课件
+4
+4
+4
+4
共价键共 用电子对
(14-6)
+4
+4
+4
+4
共价键形成后，每个原子 最外层电子是八个，构成比 较稳定的结构。
共价键有很强的结合力， 使原子规则排列，形成晶体。
共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称 为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为 自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所 以本征半导体的导电能力很弱。
• 当受外界热和光的作用时，它的导电能 力明显变化 -- 热敏特性、光敏特性。
• 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显改变 -- 掺杂特性。
(14-3)
14.1.1 本征半导体
一、本征半导体的结构
现代电子学中，用的最多的半导体是硅(Si)和锗 (Ge)，它们的最外层电子（价电子）都是四个。
导体、半导体和绝缘体
导 体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金 属一般都是导体。
绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡 皮、陶瓷、塑料和石英。
半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘 体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓 和一些硫化物、氧化物等。
(14-2)
半导体的导电机理不同于其它物质，所以它 具有不同于其它物质的特点。例如：
(14-14)
二、P 型半导体
在硅或锗晶体中掺入少量三价元素硼（或铟），
晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的
最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键
时，产生一个空位。
这个空位可能吸引束 缚电子来填补，使得
空位
+4
电工学第七版第14章半导体课件上
半导体: 另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘 体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓 和一些硫化物、氧化物等。
(14-1)
半导体的导电机理不同于其它物质，所以它 具有不同于其它物质的特点。例如:
• 当受外界热和光的作用时, 它的导电能 • 力明显变化 -- 热敏特性、光敏特性。 • 往纯净的半导体中掺入某些杂质, 会使 • 它的导电能力明显改变 -- 掺杂特性。
以上均是二极管的直流参数, 二极管的应用主要 是利用它的单向导电性, 它可应用于整流、检波、限 幅、保护等等。
(14-31)
二极管电路分析
定性分析: 判二极管的工作状态 ---- 导通、截止 I
导通压降
U
死区电压
实际二极管: 正向导通 ---- 硅 0.6~0.8V 锗 0.2~0.3V 死区电压 ---- 硅 0.5V 锗 0.1V
PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是: P 区加正电压、N 区加负电压。
PN 结加上反向电压、反向偏置的意思都是: P区加负电压、N 区加正电压。
(14-22)
一、PN 结加正向电压 变薄
内电场被削弱, 多 子扩散加强, 能够形 成较大的正向电流。
+ P
－+ －+ －+ －+
_ N
外电场
R
内电场
(14-32)
理想二极管: 正向导通 ---- 管压降为零 反向截止 ---- 相当于断开 I
导通压降
U
硅0.7V 锗0.2V
(14-33)
二极管电路分析
分析方法: 1. 断开二极管
2. a) 分析其两端电位高低, b) 或其两端所加电压 UD 的正负。
电工学 电子技术( 第七版 秦增煌)课件共16页
模拟电 子技术
数字电 子技术
被 测
传 感 器
模拟 信号 处理
模数 数字 转换 接口
微
控
对 象
伺服 机构
功率 放大
数模 转换
数字 接口
机
电机
计算机检测控制系统原理框图
绪 课程 的 目的、任务和学习方法
论
••• ••
《 试 理 按电 课 解 要工 ） 基 求学 本 参概 加》念实课、验程基是本必培理修养论课良和（好分学的析校实方规验法定素为质考 大 学 注学 用 重工 结 实科 合 践各 ， 技专举能业一的的反培技三养术，基融础会课贯通
• 1892年马可尼和波波夫分别进行了无线电 通讯实验
• 1883年爱迪生发现电子的热效应及1904年 佛莱明制成了电子二极管
• 1906年德福雷斯发明了电子三极管 • 1948年美国贝尔实验室发明了晶体三极管 • 1958子技术 的 发展概况
论 • 现状:
• 容量大型化
绪
论•••••
•
工械机加束测力交电地第…、业工加、械量通子促二采…—电长汽广••••金生矿、工流加与与技进次—镀度车播农医军国属产、超 等 量工 控 通 术 了 工电、 、 与 、业 疗 事 防冷中冶动声、…工制讯的社业电速火电加电金机波照…艺发会革焊度车视工力、加度展生命机、、、、机轧…………工和和产对—械械电温飞电钢…………、色机—广力社的、炉度机影床动电度电泛的会锻冶、、及等力造子等加应提生金时轮电设和束…工用 高产、间船话备铸和…技极力电、……造离术大的蚀压……机子
•
器件小型化
•
设计自动化
电子计算机 的 发展概况 绪 论
• 1943年英国制造了一台电子计算机
电工学_第七版_下册a_秦曾煌_高等教育出版社_课后答案
电工学_第七版_下册a_秦曾煌_高等教育出版社_课后答案电工学是一门研究电子元器件、电子设备、电路和电磁场等相关知识的学科。
在电工学的学习过程中，应对课后习题进行解答和总结是很重要的一环。
本文将对《电工学_第七版_下册a_秦曾煌_高等教育出版社》的课后答案进行详细解析和讨论。
第一章电工学基础知识1.1 电工学的基本概念和分支学科在电工学中，我们首先需要了解电工学的基本概念和分支学科。
电工学是研究电能的生产、传输、分配和利用的科学。
它包括电磁场、电路和电子器件等分支学科，涉及到电流、电压、电阻、电感、电容等基本概念。
1.2 电路基本定律和分析方法电路基本定律是电工学中的基础，包括欧姆定律、基尔霍夫定律和电路等效原理。
分析电路时，可以应用节点电压法和支路电流法等方法。
1.3 电工学中的信号和系统信号是电工学中的重要概念，可以分为连续时间信号和离散时间信号。
对信号进行系统分析时，可以采用传递函数、频率响应等工具。
第二章电源和电力系统2.1 电源的分类和特性电源是电工学中的重要组成部分，常见的电源有直流电源和交流电源。
电源的特性主要包括电压、电流、功率和效率等指标。
2.2 电力系统的组成和主要设备电力系统由电源、输电线路、配电变压器和用户终端设备等组成。
其中，输电线路承载着电力的传输和分配。
2.3 电力系统的稳定性和短路计算电力系统的稳定性是指系统在受到外界扰动时，恢复到稳定工作状态的能力。
短路计算是评估电力系统中电流短路情况，并确定保护装置参数的重要方法。
第三章电机与传动系统3.1 电机的基本概念和分类电机是将电能转化为机械能的设备，根据工作原理和结构特点，可以分为直流电机和交流电机。
其中，交流电机又可分为异步电机和同步电机。
3.2 电机的性能和特性电机的性能主要包括转速、转矩、效率和功率因数等指标。
电机的特性曲线是描述电机运行状态的重要依据。
3.3 电机控制和传动系统电机控制是控制电机运行状态的过程，可以采用电阻切换、PWM调制等方式。
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+++ +++ +++
P
内电场 外电场
N
–+
动画
14.2.2 PN结的单向导电性
2.PN 结加反向电压（反向偏置） P接负、N接正
PN 结变宽
－－－ － －－ + + + + + + －－－ － －－ + + + + + + －－－－ － － + + + + + +
P
IR
内电场 外电场
(b)面接触型
结面积大、 正向电流大、结 电容大，用于工 频大电流整流电 路。
(c) 平面型 用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可小，用
变为负离子
动画
14.1.2N型半导体和 P 型半导体
1.在杂质半导体中多子的数量与（ a ） （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
2.在杂质半导体中少子的数量与（ b ） （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
3.当温度升高时，少子的数量（ c ） （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。 4.在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流 主要是（ b ），N 型半导体中的电流主要是（ a ） 。 （a. 电子电流、b.空穴电流）
动画
14.1.2 N型半导体和 P 型半导体
杂质半导体：在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）。 掺入五价元素
Si pS+i 失去一个电子 变为正离子
Si Si 磷原子
在常温下即可 变为自由电子
多余 掺杂后自由电子数目大量增 电子 加，自由电子导电成为这种
半导体的主要导电方式，称 为电子半导体或N型半导体。 在N 型半导体中自由电子是多 数载流子，空穴是少数载流子。
器件是非线性的、特性有分ห้องสมุดไป่ตู้性、RC 的值有误差、工程上
允许一定的误差、采用合理估算的方法。
动画
14.1 半导体的导电特性
半导体的导电特性： 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强
(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做
成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。
扩散和漂移这一 对相反的运动最 终达到动态平衡， 空间电荷区的厚 度固定不变。
形成空间电荷区
浓度差 多子的扩散运动
扩散的结果使空 间电荷区变宽。
动画
14.2.2 PN结的单向导电性
1.PN 结加正向电压（正向偏置） P接正、N接负
PN 结变窄
－－－－ － － + + + + + + －－－－ － － + + + + + +
➢会分析含有二极管的电路。
动画
讨论器件的目的在于应用：重点放在特性、参数、技术 指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。
用工程观点分析问题：根据实际情况，对器件的数学模型 和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法 获得具有实际意义的结果。
对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过 分追究精确的数值。
+–
N
内电场被加强，少 子的漂移加强，由 于少子数量很少， 形成很小的反向电 流。
PN 结加反向电压 时，PN结变宽，反 向电流较小，反向 电阻较大，PN结处 于截止状态。
温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。
动画
14.3 半导体二极管
15.3.1 基本结构
(a) 点接触型
结面积小、 结电容小、正向 电流小。用于检 波和变频等高频 电路。
动画
14.1.1 本征半导体
本征半导体：完全纯净的、具有晶体结构的半导体。
价电子
Si
Si
共价健
Si
Si
晶体中原子的排列方式
硅单晶中的共价健结构
价电子：共价键中的两个电子。
动画
14.1.1 本征半导体
一、本征半导体的导电机理 自由电子
Si
Si
Si 空穴
Si 价电子
价电子在获得一定能量可挣脱 原子核的束缚，成为自由电子 （带负电）； 共价键中留下一个空位，称为 空穴（带正电）----本征激发。
动画
14.1.2N型半导体和 P 型半导体
掺入三价元素
掺杂后空穴数目大量增加，空穴导 电成为这种半导体的主要导电方式 --------空穴半导体或 P型半导体
Si
Si
空穴
在 P 型半导体中空穴是多数载流 子，自由电子是少数载流子。
无论N型或P型半导体都是中性的，对 外不显电性。
BS–i
Si
硼原子 接受一个电子
动画
14.2 PN 结
15.2.1 PN结的形成
空间电荷区--------- PN 结
P型半导体
少子的漂移运动
内电场 N型半导体
－－－－－－ + + + + + + －－－－－－ + + + + + +
－－－－－－ + + + + + + －－－－－－ + + + + + +
内电场越强，漂移 运动越强，而漂移 使空间电荷区变薄。
内电场被削弱，多 子的扩散加强，形 成较大的扩散电流。
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P IF
内电场 N
外电场
+–
PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较 小，PN结处于导通状态。
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14.2.2 PN结的单向导电性
2.PN 结加反向电压（反向偏置） P接负、N接正
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自由电子和空穴都称为载流子。
有外电场作用时：空穴吸引相 邻原子的价电子来填补，在该 原子中出现一个空穴，其结果 相当于空穴的运动（相当于正 电荷的移动）。
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14.1.1 本征半导体
一、本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时： (1)自由电子作定向运动 电子电流； (2)价电子递补空穴 空穴电流； 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一 定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体 中载流子便维持一定的数目。 温度对半导体器件性能影响很大： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能 也就愈好。
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第14章 半导体二极管和三极管
14.1 半导体的导电特性 14.2 PN结 14.3 半导体二极管 14.4 稳压二极管 14.5 半导体三极管
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第14章 半导体二极管和三极管
本章知识点
➢理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和电流 放大作用；
➢了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工作原理 和特性曲线，理解主要参数的意义；