电子技术基础第一章测试题
电子技术基础与技能题库
第一章：直流稳压电路第一节：整流滤波电路一、填空题1、整流是将交流电压转换为_________电压，但整流后的电压是脉动直流电压，含有交流成分。
2、全波整流电路负载两端的电压大约是变压器二次电压的_____倍。
3、滤波是从脉动直流电压中滤除交流分量，使之成为___________电压。
4、电容滤波即将电容器________连接于负载两端，滤除交流分量。
5、电感滤波即将电感器与________串联，以限制交流分量通过负载。
6、二极管最主要的特性是___________二、判断题1、二极管的正向电阻比反向电阻大。
（）2、二极管两端加上正向电压就能导通。
（）3、全波整流电路电容滤波负载上电压是二次电压的倍。
（）4、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。
（）5、整流输出电压加电容滤波后，电压脉动减小了，输出电压也下降了。
（）6、在半波整流电路中，接入滤波电容时的输出电压平均值约等于变压器二次电压（）7、整流电路是直流电源的核心部分，它是利用二极管的单向导电性，将输入的交流电压转换为脉动的直流电压。
（）8、整流电路是直流电源的核心部分，它是利用二极管的单向导电性。
（）9、常用的整流电路有半波整流电路和桥式整流电路。
（）10、半波整流电路二极管流过的电流为负载上电流的一半。
（）11、电容滤波电路是利用电容两端电压不能突变，在电容充、放电过程中使输出电压趋于平滑。
（）12、电容滤波电路通常选电容比较大，效果越好。
（）13、稳压二极管稳压电路输出电流不受稳压二极管最大稳定电流的限制。
（）三、选择题1、二极管具有（ )A、信号放大作用B、单向导电性C、双向导电性2、用万用表测得二极管的正、反向电阻都很大，则二极管（）A、特性良好B、已被击穿C、内部开路3、在用万用表测量二极管过程中，对于同一种二极管，用万用表不同的档位测出的正向电阻值不同，主要原因是（）A、万用表在不同的档位，其内阻不同B、二极管有非线性的伏安特性C、被测二极管质量差4、关于电容滤波，下列说法错误的是（）A、输出电压高B、在大电流是滤波效果好C、带负载能力差D、电源接通瞬间整流管要承受较大的浪涌电流5、关于电感滤波，下列说法错误的是（）A、体积小B、对变动的负载滤波效果好C、带负载能力好D、整流管不会受到浪涌电流的损害四、计算题1、有一直流负载，电阻为Ω，要求工作电流为10mA，如果采用半波整流电路，试求电源变压器二次电压为多少？2、有一直流负载需直流电压6V，直流电流，如果采用单相桥式整流电路，试求电源变压器二次电压为多少？流过二极管的平均电流为多少？第二节：直流稳压电源一、选择题1、用一只直流电压表测量一只接在电路中的稳压二极管（2CW13）的电压，读数只有，这种情况表明该稳压二极管（）A、工作正常B、接反C、已经击穿2、硅稳压二极管稳压电路中，硅稳压二极管必须与限流电阻串接，此限流电阻的作用是（）A、提供偏流B、仅是限制电流C、限流和调压3、一个稳压二极管稳压值为8V，另一个稳压二极管稳压值为，若把两个二极管的正极并接，再将负极并接，组成一个稳压电路该稳压值为（）A、8VB、C、二、填空题1、直流稳压电源是一种交流电网电压发生变化时，或负载变动时，能保持___________电压基本稳定的直流电源。
电子技术基础试卷及答案
《电子技术基础》第一章半导体二极管试卷一、单项选择题1.测量二极管(小功率)的管脚极性时,万用表的电阻档应选( )。
(2 分)A.R×1B.R×10C.R×100或R×1kD.R×10k2.测量二极管反向电阻时,若用两手将两管脚捏紧,其电阻值会( )。
(2 分)A.变大B.先变大后变小C.变小D.不变3.二极管正反向电阻相差( )。
(2 分)A.越小越好B.越大越好C.无差别最好D.无要求4.用万用表R×100Ω挡来测试二极管,其中( )说明管子是好的。
(2 分)A.正、反向电阻都为零B.正、反向电阻都为无穷大C.正向电阻为几百欧,反向电阻为几百千欧D.反向电阻为几百欧,正向电阻为几百欧5.变容二极管工作时,应加( )。
(2 分)A.反向电压B.正向电压C.正向电压或反向电压6.把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管( )。
(2 分)A.基本正常B.击穿C.烧坏D.电流为零7.在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V与10V,判断二极管应是( )。
(2 分)A.正偏B.反偏C.零偏8.2AP9表示( )。
(2 分)A.N型材料整流管B.N型材料稳压管C.N型材料普通管D.N型材料开关管9.变容二极管常用在( )电路中。
(2 分)A.高频B.低频C.直流10.用于整流的二极管型号是( )。
(2 分)A.2AP9B.2CW14CC.2CZ52BD.2CK84A二、判断题11.( )发光二极管可以接收可见光线。
(2 分)12.( ) 二极管加反向电压时一定截止。
(2 分)13.( )当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿电压后,其反向电流迅速增加。
(2 分)14.( )PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。
(2 分)15.( )有两个电极的元件都叫二极管。
电子技术基础题库(I_II类题)[1]
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第一章 半导体二极管I 类题一、简答题1． 杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？答杂质半导体有P 型半导体和N 半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。
2．什么是PN 结？PN 结最基本的特性是什么？ 答；P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。
PN 结最基本的特性是单向导电性。
3． 什么是半导体？半导体有哪些特性？答：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。
具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。
二、计算题1． 在下图所示电路中，哪一个灯泡不亮？答：b 不亮2．如图所示的电路中，试求下列两种情况下输出端Y 的电位U Y 及各元件（R ，VD A ，VD B ）中通过的电流；（1）U A =U B =0V ；（2）U A =+3V ，U B =0V ；答：（1）V Y =0VmA 33.9K Ω12V ≈=R I mA5.1232R DB DA ≈===I I I （2）D B 导通，D A 截止 V Y =0VmA39.312≈=R I V 0DA =I mA 3DB =I 3． 在下图所示电路中，设二极管是理想二极管，判断各二极管是导通还是截止？并求U AO =？答：a）图中，二极管导通，U AO=-6V；b）图，二极管截止，U AO=-12V；c）图V1导通，V2截止，U AO=0V。
II类题一、简答题1．从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。
2．光电二极管和发光二极管有什么区别？答：发光二极管将电信号转化成光信号，工作时加正向电压；光电二极管将光信号转化成电信号，工作时加反向电压。
3．为什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大？答：因二极管的非线性。
电子技术基础模拟部分
电子技术基础模拟部分 第一章 绪论1、写出下列正弦电压信号的表达式（设初始相角为零）： （1）峰-峰值10V ，频率10 kHz; （2）有效值220 V ，频率50 Hz; （3）峰-峰值100 mV ，周期1 ms ； （4）峰-峰值0.25 V ，角频率1000 rad/s;解:正弦波电压表达式为 )t sin(V = (t)m θω+v ，由于0=θ，于是得到： （1） V )105sin(2 = (t)4t v π⨯； （2） V 001sin 2220 = (t)t v π； （3） V 00020.05sin = (t)t v π；（4） V 00010.125sin= (t)t v ；2、电压放大电路模型如图( 主教材图 1.4. 2a ) 所示，设输出开路电压增益10=vo A 。
试分别计算下列条件下的源电压增益s vs A υυο=:( 1 ) si i R R 10= ，οR R L 10=； ( 2) si i R R = ，οR R i =； ( 3) 10si i R R = ，10οR R L =； ( 4 ) si i R R 10= ，10οR R L =。
电压放大电路模型解：由图可知，)(i si i i s R R R v v +=，i v LLA R R R v νοοο⋅+=，所以可得以下结果: （1）si i R R 10=，οR R L 10=时，i i si i i s v R R R v v 1011)(=+=，i i v L L v A R R R v 101110⨯=⋅+=νοοο，则源电压增益为26.8101111100≈==i i s vs v v v v A ο。
同理可得： （2）5.225===ii s vs v v v v A ο （3）0826.0111110≈==i i s vs v v v v A ο （4）826.010111110≈==i i s vs v v v v A ο3、在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰-峰值分别为5μA 和5mV ，输出端接2k Ω电阻负载，测量到正弦电压信号峰-峰值为1V 。
智慧树答案电子技术基础Ⅰ(模拟部分)知到课后答案章节测试2022年
第一章1.对PN结电击穿描述不正确的是（）。
答案:齐纳击穿原理与雪崩击穿原理近似相同，都是在外加反向电压下实现的2.2AP9表示的是（）。
答案:18世纪30年代到18世纪末3.对二极管模型的描述不正确的是（）。
答案:二极管小信号模型中的等效电阻值与二极管工作的Q点无关4.如图所示，设二极管为理想二极管，则A端的输出电压为（）。
答案:0V第二章1.晶体三极管形成原理描述不正确的是（）。
答案:由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较高2.对晶体三极管放大电路的工程常识描述不正确的是（）。
答案:放大电路的输出功率一般是瓦特级3.对共基极放大电路特性描述不正确的是（）。
答案:输入电阻小，对前一级放大电路或信号源的带负载能力要求不高4.对多级放大电路性能描述不正确的是（）。
答案:多级放大电路的电压增益等于各级放大电路电压增益分贝值之积5.已知b = 100，RS= 1 kW，RB1= 62 kW，RB2= 20 kW, RC= 3 kW，RE = 1.5kW，RL= 5.6 kW，VCC = 15 V。
则静态工作点分别为：（）。
答案:20μA，2mA,6V第三章1.测量某MOSFET的漏源电压为-3V,栅源电压为-2V，其开启电压或夹断电压为-1V，该管工作在（）。
答案:饱和区2.对N沟道增强型场效应管工作原理描述不正确的是（）。
答案:当漏极和源极之间加正向电压超过预夹断电压时，漏极电流减少3.在使用MOSFET时，下列描述不正确的是（）。
答案:由于FET的结构对称性，其漏极和源极在任何情况下都可以任意互换，其伏安特性几乎无变化4.如图所示耗尽型 N 沟道 MOS 管，RG = 1 MW，RS = 2 kW，RD= 12 kW ，VDD = 20 V。
IDSS = 4 mA，UGS(off) = – 4 V，则 ID是（）。
答案:1mA5.采用二阶低通滤波器进行滤波时，设截止频率为，则10 处的增益与处的相差：（）。
数字电子技术基础第一章练习题及参考答案
第一章数字电路基础第一部分基础知识一、选择题1.以下代码中为无权码的为。
A. 8421BCD码B. 5421BCD码C.余三码D.格雷码2.以下代码中为恒权码的为。
A .8421BCD码B. 5421BCD码C.余三码D.格雷码3. 一位十六进制数可以用位二进制数来表示。
A. 1B.2C. 4D.164.十进制数25用8421BCD码表示为。
A .10 101B .0010 0101 C. 100101 D .101015.在一个8位的存储单元中，能够存储的最大无符号整数是。
A. (256) 10B. (127) 10C. (FF) 16D. (255) 106.与十进制数(53.5) 10等值的数或代码为。
A.(0101 0011. 0101)8421BCDB.(35. 8)16C.(110101. 1)2D.(65. 4)87.矩形脉冲信号的参数有。
A.周期B.占空比C.脉宽D.扫描期8.与八进制数(47. 3) 8等值的数为：A. (100111 . 011 )2B. (27. 6)16C. (27. 3 )16D. (1 00111 . 11 )29. 常用的BCD码有。
A.奇偶校验码B.格雷码C. 8421码D.余三码10 .与模拟电路相比，数字电路主要的优点有。
A.容易设计B.通用性强C.保密性好D.抗干扰能力强二、判断题(正确打，，错误的打X)1.方波的占空比为0. 5。
()2. 8421 码1001 比0001 大。
( )3.数字电路中用“ 1”和“ 0”分别表示两种状态，二者无大小之分。
()4.格雷码具有任何相邻码只有一位码元不同的特性。
()5.八进制数(18) 8比十进制数(18) 10小。
()6.当传送十进制数5时，在8421奇校验码的校验位上值应为1。
( )7.在时间和幅度上都断续变化的信号是数字信号，语音信号不是数字信号。
()8.占空比的公式为：q = t w / T,则周期T越大占空比q越小。
中国大学mooc《电子技术实验基础(一：电路分析)(电子科技大学) 》满分章节测试答案
title电子技术实验基础（一：电路分析)（电子科技大学）中国大学mooc答案100分最新版content实验1-1 常用电子测量仪器的使用——数字示波器的使用数字示波器的使用单元测试题1、如图所示示波器的面板旋钮中，标出哪个按键是垂直通道的菜单按键A:AB:BC:CD:D答案: A2、如图所示示波器的面板旋钮中，标出哪个旋钮是水平通道的位移旋钮A:AB:BC:CD:D答案: C3、若被测试的信号是交直流叠加信号，示波器的垂直耦合方式应该选择哪一挡A:AC耦合B:DC耦合C:接低耦合D:AC、DC均可答案: DC耦合4、如图所示示波器的探头，测试信号时，探头应该与测试端应如何连接A:探勾接信号端钮，黑色鳄鱼夹接地B: 探勾接地，黑色鳄鱼夹接信号端钮C: 可以任意连接D:以上均不正确答案: 探勾接信号端钮，黑色鳄鱼夹接地5、如下图所示第四个菜单栏中，如果测量时发现该菜单栏显示不是电压1X，而是电压10X，应该调节哪个按键或旋钮使其为电压1XA:旁边的按键切换选择B:VARIABLE旋钮C:AUTOSETD:关机重启答案: VARIABLE旋钮6、下图是所示是示波器探头的手柄阻抗拨动开关细节图，若手柄放在1X端，垂直菜单栏中第四栏应怎么调节？若手柄放在10X端，又该怎样调节？A:电压1X、电压10XB:电压10X、电压1XC:电压1X、电压1XD:任意选择不影响结果答案: 电压1X、电压10X7、如图所示示波器的显示屏上，哪个标示的是通道1的零基线位置A:AB:BC:CD:D答案: C实验1-2 常用电子测量仪器的使用——函数发生器和晶体管毫伏表的使用函数发生器和晶体管毫伏表单元测验1、信号源输出周期信号时频率显示如图所示，当前输出信号的频率是多少？A:1HzB:10HzC:1KHzD:10KHz答案: 1KHz2、信号源给后级网络提供正弦信号，如果信号源幅度显示窗口显示如图所示，表明现在后级网络得到的信号电压大小是？A:不确定B:电压峰值是111mVC:电压峰峰值是111mVD:电压有效值是答案: 不确定3、下列说法正确的是？A: 数字万用表可以测量函数发生器输出信号中的直流分量B: 函数发生器只用“输出幅度调节”旋钮进行幅度调节C:函数发生器可用“直流偏移”旋钮输出直流电压信号D:函数发生器输出信号电压的最大值和最小值之间相差60dB答案: 数字万用表可以测量函数发生器输出信号中的直流分量4、列说法正确的是？A:毫伏表是用来测量包括直流电压在内的电压值的仪表B:使用毫伏表测量正弦信号的有效值时需要考虑正弦信号的频率C:毫伏表和万用表作为交流电压表都可以测量正弦信号的有效值，在没有毫伏表时，可以临时用万用表替代D:三角波信号和方波信号不能送入毫伏表测量答案: 使用毫伏表测量正弦信号的有效值时需要考虑正弦信号的频率5、某个正弦交流信号的有效值是0.8V，毫伏表应选择哪一档进行测量？A:10VB:3VC:1VD:300mV答案: 1V实验2 正弦稳态时RLC元件电压电流相位关系的测试正弦稳态时RLC元件电压电流相位关系的测试1、采用课程实验方案测量电感元件的电压电流相位关系时，为了获得近似90°的电压、电流波形相位差，信号源的频率应：A:适当增大信号源的频率；B:适当减小信号源的频率；C:调节信号源的频率不会影响相位差的测试；D:以上措施都不会改善测量结果答案: 适当增大信号源的频率；2、采用课程实验方案测量电容元件的电压电流相位关系时，示波器测量波形如图所示，下面哪种说法正确：A:CH1通道为取样电阻的电压信号， CH2通道为信号源信号；B:CH1通道为信号源信号， CH2通道为取样电阻的电压信号；C:CH2通道为电容元件的电压信号， CH1通道为取样电阻的电压信号；D:无法判断答案: CH1通道为信号源信号， CH2通道为取样电阻的电压信号；3、测量示波器相位差时显示的两路波形如图所示，为了能正确测量，应适当调节面板中哪个旋钮:A:A;B:B;C:C;D:D答案: A;4、测量示波器相位差时显示的两路波形如图所示，为了减小读数误差，需要适当应适当调节面板中哪个旋钮 :A:A;B:B;C:C;D:D答案: D5、采用课程实验方案正确测量元件的电压电流相位关系时，示波器测量波形如图所示，由此可以判断当前测试的是哪种元件:A:电感；B:电容；C:电阻；D:无法判断答案: 电阻；实验3 一阶RC电路频率特性研究一阶RC电路频率特性研究1、关于一阶RC低通滤波器的截止频率fc，如下描述中哪一项是正确的？A:电阻保持不变，减小电容值， fc降低B:电阻保持不变，增大电容值， fc降低C:截止频率处的输出电压是最大输出电压的50%D:低通滤波器的带宽是fc ~∞答案: 电阻保持不变，增大电容值， fc降低2、根据一阶RC低通滤波器的相频特性公式，随着频率从低到高，相位差的正确变化规律是：A:从0°~ -90°B:从0°~90°C:从-45°~+45°D:从0°~-180°答案: 从0°~ -90°3、测试低通滤波器的幅频特性曲线时，此处假设截止频率是大于500Hz的，如下哪种说法不正确：A: 测试过程中保持电路的输入信号幅度一致B:在大于20Hz的较低频率处找到最大输出电压后，再以此为参照开始测试C: 以输入电压为参照，调节频率至输出电压下降3dB就是截止频率D:在各个频率点测试时，应当保证测试输出电压的毫伏表的指针偏转超过刻度线的⅓答案: 以输入电压为参照，调节频率至输出电压下降3dB就是截止频率。
电子技术基础试题
电子技术基础试题库（第四版）第一章:半导体二极管一、填空题1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。
导体、绝缘体、半导体2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。
单向导电特性、导通、截止3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。
0.7、0.34、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。
最大整流电流、最高反向工作电压5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________小、好6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为 _______ 、_________和__________三类。
导体，绝缘体，半导体7、PN结具有 _____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结_________。
单向导电性，导通，截止二，判断题１、半导体随温度的升高，电阻会增大。
（）N２、二极管是线性元件。
（）N３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。
（）N４、二极管具有单向导电性。
（）Y５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。
（）N６、二极管加正向压时一定导通（）N7、晶体二极管是线性元件。
（）N8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。
（）Y三、选择题１、ＰＮ结的最大特点是具有（）CＡ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）CＡ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）AＡ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小4、半导体中传导电流的载流子是（）。
电子技术基础(上习题)(附答案)
电子技术基础一、 填空第一章 直流电路分析基础１．电路一般由 电源 、 负载 和 中间环 三部分组成。
２.电源是将 其他形式的能转换成电能 的装置。
3.负载是将 电能转换为其他形式的能 的设备。
4．电路的作用包括 能源转换 和 信号处理 两个方面。
５.交流电是指 大小和方向随时间变换而变化 的电压或电流。
6．数字信号是指 大小和方向不随时间变化而变化 的电压或电流信号。
7．模拟信号是指 大小和方向随时间连续变化 的电压或电流信号。
８.电路中的元件分为有源元件和无源元件，其中无源元件包括 电阻 、电感 和 电容 三种。
9.在电路中起激励作用的是独立电源，包括理想独立电流源 和 非理想电压源 。
10.电路中有两种电源，其中起激励作用的是独立电源，不起激励作用的是 受控 电源。
11. 一般来说,电流分为 直流 、 交流 和 随机电流 三种类型。
1２.求出的功率如果大于０，表示该元件吸收功率 ；如果功率小于0,表示该元件 发出功率 。
13.一般来说,电压分为 直流电压 、 交流电压 和 随机电压 三种类型。
14.对于一个二端元件,在关联参考方向的时，该元件功率的计算公式习惯表示为 P=UI ;与此相反,在非关联参考方向的时，其功率计算公式习惯表示为 P= －UI 。
15．根据是否提供激励，电源分为 独立 和 受控 两种。
第二章 一阶过渡电路1.一阶过渡电路的全响应分析通常用三要素法,三要素分别指 初始值f (0) 、 稳态值f (∞) 和 时间常数τ 。
2.ＲＣ过渡电路中的时间常数的表达式为 τ=RC ；RL 过渡电路中的时间常数的表达式为τ=lR 。
3.根据是否有信号输入，一阶过渡电路分为 零输入 响应和 零状态 响应。
４.一阶电路的全响应既可以用零输入响应和零状态响应表示，也可用 多个暂态 和 多个稳态 表示。
第三章 正弦交流电1.正弦交流电源的三要素是指 振幅 、 频率 和 出相位 。
智慧树知到答案 电力电子技术基础章节测试答案
绪论单元测试1、多选题：以下哪些电力电子电路类型是正确的（）选项：A:逆变电路B:直流变换电路C:交流变换电路D:整流电路答案: 【逆变电路;直流变换电路;交流变换电路;整流电路】第一章单元测试1、单选题：以下哪个不是全控型器件（）。
选项：A:GTRB:晶闸管C:功率MOSFETD:IGBT答案: 【晶闸管】2、单选题：以下哪个不是少数载流子参与工作的器件（）。
选项：A:晶闸管B:GTRC:功率MOSFETD:IGBT答案: 【功率MOSFET】3、多选题：以下哪些是功率MOSFET特点（）选项：A:电流型驱动B:开关速度快C:所需驱动功率小D:导通时呈阻性答案: 【开关速度快;所需驱动功率小;导通时呈阻性】4、判断题：肖特基功率二极管比PN结功率二极管的导通电压高。
（）选项：A:错B:对答案: 【错】5、判断题：IGBT比功率MOSFET的开关速度慢。
（）选项：A:对B:错答案: 【对】第二章单元测试1、单选题：以下电路中只有升压能力的是（）。
选项：A:Buck-Boost电路B:Boost电路C:Cuk电路D:Buck电路答案: 【Boost电路】2、单选题：以下电路中能够输出负极性电压的是（）。
选项：A:Buck电路B:Boost电路C:Buck-Boost电路D:Zeta电路答案: 【Buck-Boost电路】3、多选题：以下电路中兼具升降压能力的是（）选项：A:Cuk电路B:Buck-Boost电路C:Zeta电路D:Buck电路答案: 【Cuk电路;Buck-Boost电路;Zeta电路】4、判断题：正激变换器只能降压，不能升压。
（）选项：A:对B:错答案: 【错】5、判断题：Buck电路，相同的占空比控制时，电感电流不连续模式的输出电压比连续模式的输出电压高。
（）选项：A:对B:错答案: 【对】第三章单元测试1、单选题：单相交流调压电路，阻性负载，输出电流的谐波中，下面哪次谐波不包含在内（）选项：A:5B:3C:2D:7答案: 【2】2、判断题：晶闸管交流调压电路可以改变交流电的频率。
电子技术基础与技能训练试题
电子技术基础(模拟篇)第一章 半导体二极管一、单选题1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。
A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。
A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于3. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（ ）A. U I e SB. T U U I e SC. )1e (S －T U U ID. 1e S －T U U I4. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。
A B C D5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。
A. I D = 0B. I D < I Z 且I D > I ZMC. I Z > I D > I ZMD. I Z < I D < I ZM6. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。
A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。
A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷9. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。
A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。
A B C D11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。
A. 直流，相同，相同B. 交流，相同，相同C. 直流，不同，不同D. 交流，不同，不同12.在25ºC时，某二极管的死区电压U th≈，反向饱和电流I S≈，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：（）。
电子技术基础与技能第一章检测题
电子技术基础与技能 检测题（一） （本套试题共120分，考试用时120分钟） 一、选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） 1.以下不属于半导体的基本特性的是( ) A.热敏性 B.光敏性 C.杂敏性 D.电敏性 2.万用表测得二极管的正、反向电阻几乎趋于无穷大，则二极管( ) A.正 常 B.开 路 C.短 路 D.性能低劣 3. P 型半导体是( ) A.带正电 B.电中性 C.带负电 D.自由电子为多数载流子 4.本征半导体又叫( ) A.普通半导体 B.P 型半导体 C.掺杂半导体 D.纯净半导体 5. 将PN 结的N 区接电源的正极，P 区接电源的负极，则PN 结( ) A.正 偏 B.反 偏 C.烧 坏 D.短 路 6．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于( ) A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺 7. 工作在反向偏置状态的二极管有( ) ①稳压二极管 ②发光二极管 ③光电二极管 ④变容二极管 A.①②③④ B.①②③ C.②③④ D.①③④ 8. 理想二极管的正向电阻为 ，反向电阻为 ，这两种状态相当于一个 （ ） A.0，∞，开关 B.∞，0，开关 C.0，0，开关 D.∞，∞，开关 9. 用万用表R*1K 挡测试二极管，若所测得电阻较大时，则黑表笔接触的是二极管的 极，与红表笔接触的是二极管的 极。
（ ） A.正，负 B.负，正 C.负，负 D.正，正 10. 下列说法不正确的是 （ ） A.滤波的主要目的是将交直流混合量中的交流成分去掉B.整流的主要目的是将交流电压变换成脉动的直流电压C.电容滤波电路适用于大负载电流，而电感滤波电路适用于小负载电流D.滤波是利用电容两端电压不能突变或电感中电流不能突变的特性来实现的11. 若U2为电源变压器二次电压的有效值，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时的输出电压各为（）A.U2，U2B.2U2 ，U2C.U2 ，2U2D.2U2 ，2U212. 在变压器二次电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的倍，因此，他们的整流管的平均电流比值为。
电子技术基础智慧树知到答案章节测试2023年中山大学
绪论单元测试1.电路基础是电学相关技术分析和定量计算的基础理论。
（）A:对B:错答案:A第一章测试1.两个阻值相同的电阻器串联后的等效电阻与并联后的等效电阻之比是（）。
A:2:1B:4:1C:l:2D:l:4答案:B2.有一段160Ω的导线，把它们对折起来作为一条导线用，其电阻是（）。
A:320B:80C:169D:40答案:D3.电路中两点间的电压高，则（）。
A:两点间的电位差大B:两点的电位高C:两点的电位一定为负D:两点的电位一定为正答案:A4.图示电路中，A、B端电压U=（）。
A:3VB:-2VC:2VD:-1V答案:B5.下图中电流I为（）。
A:-2AB:-1AC:2A.D:1A答案:D6.图a)所示电路的戴维南等效电路为图b)中的（）。
A:B:C:D:答案:A7.3kΩ的电阻中通过2mA的电流，试问电阻两端的电压是（）。
A:6VB:6mVC:1.5VD:10V答案:A第二章测试1.一个电热器，接在10V的直流电源上，产生的功率为P。
把它改接在正弦交流电源上，使其产生的功率为P/2，则正弦交流电源电压的最大值为（）。
A:7.07VB:10VC:5VD:14V答案:B2.我国交流电的周期为（）秒。
A:0.01B:0.02C:0.212D:0.1答案:B3.通过电感L的电流为iL=6√2sin(200t+ 30°)A，则电源的频率约等于（）。
A:628HzB:100HzC:31.8HzD:200Hz答案:C4.在电感性负载两端并联一定值的电容，以提高功率因素，下列说法正确的是（）。
A:减少线路的功率损耗B:减少负载的工作电流C:减少负载的有功功率D:减少负载的无功功率答案:A5.在三相四线制供电系统中，相电压为线电压的（）。
A:1/√3倍B:1/√2倍C:√3倍D:√2倍答案:A第三章测试1.在一个由电源、电阻、电感、开关组成的电路中，在开关闭合瞬间，电感上最可能出现的现象是（）。
电子技术基础模拟部分PDF.pdf
电子技术基础模拟部分 第一章 绪论1、写出下列正弦电压信号的表达式（设初始相角为零）： （1）峰-峰值10V ，频率10 kHz; （2）有效值220 V ，频率50 Hz; （3）峰-峰值100 mV ，周期1 ms ； （4）峰-峰值0.25 V ，角频率1000 rad/s;解:正弦波电压表达式为 )t sin(V = (t)m θω+v ，由于0=θ，于是得到： （1） V )105sin(2 = (t)4t v π⨯； （2） V 001sin 2220 = (t)t v π； （3） V 00020.05sin = (t)t v π； （4） V 00010.125sin = (t)t v ；2、电压放大电路模型如图( 主教材图 1.4. 2a ) 所示，设输出开路电压增益10=vo A 。
试分别计算下列条件下的源电压增益s vs A υυο=:( 1 ) si i R R 10= ，οR R L 10=； ( 2) si i R R = ，οR R i =； ( 3) 10si i R R = ，10οR R L =； ( 4 ) si i R R 10= ，10οR R L =。
电压放大电路模型解：由图可知，)(i si i i s R R R v v +=，i v LLA R R R v νοοο⋅+=，所以可得以下结果: （1）si i R R 10=，οR R L 10=时，i i si i i s v R R R v v 1011)(=+=，i i v L L v A R R R v 101110⨯=⋅+=νοοο，则源电压增益为26.8101111100≈==i i s vs v v v v A ο。
同理可得： （2）5.225===iis vs v v v v A ο （3）0826.0111110≈==i i s vs v v v v A ο （4）826.010111110≈==i i s vs v v v v A ο3、在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰-峰值分别为5μA 和5mV ，输出端接2k Ω电阻负载，测量到正弦电压信号峰-峰值为1V 。
电路与电子技术——电路基础知到章节答案智慧树2023年中国石油大学(华东)
电路与电子技术——电路基础知到章节测试答案智慧树2023年最新中国石油大学（华东）第一章测试1.在图示电路中，器件A两端的电压和电流参考方向属于（）。
参考答案:关联参考方向2.使用理想独立电压源的定义判断下列那个选项的电压源连接是被允许（）。
参考答案:3.图中流过电阻的电流I=( )A。
参考答案:24.某电阻R两端的电压u与流过该电阻的电流i为非关联参考方向时，令u=-10V，消耗功率为0.5W，则电阻R为（）。
参考答案:200Ω5.电路如图所示，流过受控源两端的电流I=( )A。
参考答案:26.图示电路中Ｉ = 0 A 时，电位ＵA=（）。
参考答案:60 V7.沿顺时针和逆时针列写KVL方程，其结果是相同的。
（）参考答案:对8.电路如图所示，已知U s＝3V，I s＝2A，则U AB=( )V；I=( )A。
参考答案:1；59.图示电路中，正确的电压方程是（）。
参考答案:U S1-R1I1-U S2-R2I2=010.已知图中的I=3A，I2=1A，R1=2Ω，则R2=（）Ω。
参考答案:4第二章测试1.下列说法中错误的是（）。
参考答案:两个电路N1、N2等效时，电路内部的同一元件的功率一定相同2.ab端口的等效电阻为（）Ω。
参考答案:103.对称Y形和对称Δ形纯电阻网络等效变换的公式为R Y=3RΔ。
参考答案:错4.ab在下图电路中，电流源与1欧姆电阻的串联电路等效为（）。
参考答案:4A电流源5.图示电路中，对负载R而言，虚线框中的电路可以等效为（）。
参考答案:10V电压源6.理想电压源和理想电流源间（）。
参考答案:没有等效变换关系7.图示两个电路是等效的。
（）参考答案:错8.若图示两电路等效，则U s=（）V，R s=（）Ω。
参考答案:8；29.一个含独立源的电阻性线性二端网络（可以含受控源）总可以等效为一个电压源与一个电阻串联或一个电流源与一个电阻并联。
（）参考答案:错10.如图所示电路的等效电阻为参考答案:对第三章测试1.现用支路电流法求解图示电路，下面描述正确的是（）。
模拟电子技术基础试卷-第一章复习模板
1
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3
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(4 分)[31]在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.22mA、 0.02mA、1.2mA。由此可判断电极①是____，电极②是____，电极③是____（A、发射极，B、 基极， C、集电极） ；该晶体管的类型是____（A、PNP 型 ，B、NPN 型） ；该晶体管的共射 电流放大系数约为____ （A、40 ， B、60 ， C、100） (4 分)[32]在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA、 －0.03mA、1.23mA。由此可判断电极①是____，电极②是____，电极③是____ （A、发射极， B、基极， C、集电极） ；该晶体管的类型是____（A、PNP 型， B、NPN 型； ）该晶体管的共射电流放大系数约为____ （A、40 ， B、100， C、400） (1 分)[33]对于同一个晶体管来说， ICBO ____ ICEO ； U (BR)CBO _____ U (BR)CEO 。 A、小于， B、大于， C、等于 (1 分)[34]随着温度升高，晶体管的电流放大系数β ____，穿透电流 ICEO ____，在 IB 不变的情 况下 b-e 结电压 UBE____。 A、增大， B、减小， C、不变 (2 分)[35]随着温度升高，晶体管的共射正向输入特性曲线将_______________，输出特性曲
R I V VD
(4 分)[25]已知图中二极管的反向击穿电压为 100V，测得 I＝1μA 。 1．当 R 从 10 k 减小至 5 k 时，I 将____。 A、为 2μA 左右， B、为 0.5μA 左右， C、变化不大， D、远大于 2μA 2．保持 V 和 R 不变，温度下降 10℃，I 将____。 A、为 2μA 左右， B、为 0.5μA 左右， C、变化不大， D、远大于 2μA
电工与电子技术基础题库
电工与电子技术基础题库第一章 直流电路和电容器一、填空题（每空1分）★1、沿电压的真实方向电位逐点（降低 ）。
★2、求如图所示电路中的未知电流I=（—7A ）★3、已知U=10V ，I=2A ，则P=( 20W )★4、如图电路，已知：I1=2A ，I2=3A ，则I3=( 5A )★5、如图电路，已知U1=5V ，U2=3V ，则U=( 8V )★ 6、电流的方向,规定为 正电荷 电荷移动的方向，在金属导体中电流的方向与电子的运动方向 相反 。
★7、电路中某两点的电压等于 两点电位之差 。
★8、单位换算：6mA=____0.006__A ；0.08A=__0.8X10-7____A ；0.05V=__0.00005__mV ；10V=_0.001___kV★★9、电阻大，说明导体导电导电能力 弱 ，电阻小，说明导体导电能力 强 。
★★★ 10、任何电路都是由 开关 、 电源 、 导线 和 用电器 等I 1 I 2 I 3 ― ― + U 1 + U 2电路设备组成的★11、已知Ω=Ω=Ω=2,3,6321R R R ，把它们串联起来后的总电阻R= 11 Ω ★12、在并联电路中，等效电阻的倒数等于各电阻倒数 之和 。
并联的的电阻越多，等效电阻值越 小★13、欧姆定律一般可分为（ 部分电路 ）的欧姆定律和（全电路 ）的欧姆定律 ★14、全电路欧姆定律，说明了回路中电流Ⅰ与电源电动势的代数和成（ 正 ）比，而与回路中的（ 内阻 ）及（ 外阻 ）之和成反比。
★★★15、已知 R1>R2，在它们的串联电路中R1比R2取得的功率（大 ），在它们的并联电路中R1比R2取得的功率（ 小 ）。
★16、已知V U AB 10=，若选B 点为参考点，则A V = 10 V ，B V = 0 V 。
★17、导体的电阻为4Ω，在2min 内通过导体横截面的电荷量为240C ，则该导体两端的电压为 8V 。
★★18、一个“220V/100W ”的灯泡正常发光20小时消耗的电能为 2 度电。
《电子技术基础》第01-07章在线测试000
A BC D结加适当的反向电压，则空间电荷区将（A BC D、理想二极管的正向电阻为A BC D、理想二极管的正向电阻为（A BC D、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为A BC DA、自由电子B、空穴C、磷原子D、硼原子3、PN结正向偏置时A、P区接电源正极，N区接电源负极B、N区接电源正极， P区接电源负极C、正向电流较大D、正向电流较小4、PN结反向偏置时A、P区接电源正极，N区接电源负极B、N区接电源正极， P区接电源负极C、反向电流较大D、反向电流较小5、晶体管的工作状态有A、截止状态B、放大状态C、饱和状态第三题、判断题（每题1分，5道题共5分）1、理想二极管的反向电阻为无穷大。
正确错误2、二极管导通的条件是加在二极管两端的电压是正向电压小于PN结的死区电压。
正确错误3、N型半导体中的多数载流子是自由电子。
正确错误正确错误、晶体管工作在饱和区时，基极电流为零。
正确错误A BC D、就放大作用而言，射极输出器是一种A BC D、微变等效电路法适用于A BC D、分压式偏置的共射放大电路中，阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善失真，正确的做法是（A BC D、固定偏置的共设放大电路中，设晶体管工作在放大状态，欲使静态电流ICA BC D1、射极输出器A、没有电压放大作用B、输入电阻高C、输出电阻低D、没有电流放大作用2、用放大电路的微变等效电路可以计算A、静态值B、电压放大倍数C、输入电阻D、输出电阻3、放大电路静态分析可以用A、微变等效电路法B、图解法C、估算法4、基本放大电路中的非线性失是指A、交越失真B、截止失真C、饱和失真5、在多级放大电路中，射极输出器可以作为A、前级B、末级C、中间级第三题、判断题（每题1分，5道题共5分）1、直接耦合放大电路产生零点漂移的最主要原因是电源电压的波动。
正确错误正确错误、对放大电路进行静态分析的主要任务是确定静态工作点正确错误、射极输出器电路中，输出电压与输入电压之间的关系是两者反相，输出电压大于输出电压。
电子技术基础第1到6章复习习题
模电复习习题一、选择题1.测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是A 。
A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化2.大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是A 。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适3.当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的B。
A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降A 。
A.3dBB.4dBC.5dB4. 多级直接耦合放大电路中，（A）的零点漂移占主要地位。
A) 第一级B) 中间级C) 输出级5. 一个三级放大电路，测得第一级的电压增益为0dB，第二级的电压增益为40dB，第三级的电压增益为20dB，则总的电压增益为（B）A) 0dB B) 60dB C) 80dB D) 800dB6.在相同条件下，多级阻容耦合放大电路在输出端的零点漂移（B ）。
A）比直接耦合电路大B）比直接耦合电路小C）与直接耦合电路基本相同7.要求静态时负载两端不含直流成分，应选( D )耦合方式。
A）阻容B）直接C）变压器D）阻容或变压器8.差动放大电路是为了（C）而设置的。
A) 稳定增益B) 提高输入电阻C）克服温漂D) 扩展频带9. 差动放大电路抑制零点漂移的能力，双端输出时比单端输出时（A ）A) 强B) 弱C）相同10. 在射极耦合长尾式差动放大电路中，eR 的主要作用是（B ）A) 提高差模增益 B ）提高共模抑制比C) 增大差动放大电路的输入电阻 D) 减小差动放大电路的输出电阻11. 差动放大电路用恒流源代替发射极电阻是为了（ A ）。
A ）提高共模抑制比 B ）提高共模放大倍数 C ）提高差模放大倍数 12. 集成运放的输出级一般采用（C ）。
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第一章测试题
《模拟电子技术基础》90分钟
姓名：班级：分数：
一、判断题（对的打“√”，错的打“×”，每小题2分，共20分）
1、N型半导体的多数载流子是空穴（）
2、P型半导体的多数载流子是空穴（）
3、二极管只要加上正偏电压就能导通（）
4、二极管击穿后会立即烧坏（）
5、二极管具有单向导电性（）
6、一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（）
7、二极管加正向电压导通，加反向电压时截止（）
8、从二极管的伏安特性曲线可知，它的电压电流关系满足欧姆定律（）
9、稳压二极管正常工作区域为反向击穿区（）
10、物质按其导电能力可分为导体和绝缘体（）
二、填空题（每空1分，共20分）
1、二极管按使用的材料可分为和两类。
2、锗二极管的正向偏置电压必须达到才能导通，硅二极管的正向偏置电压必须达到才能导通。
3、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象为二极管的现象。
4、半导体具有两种载流子：和
5、P型半导体，又称为，是在纯净半导体中掺入微量的
制成的，P型半导体中是多数载流子，是少数载流子
6、PN结具有，即当电源接P区，接N区时，称为给PN结加正向电压或正向偏置，当电源正极接N区，负极接P区时，称为给PN结加或
7、二极管负极电压为3.7V,正极电压为3V，表明该二极管工作于状态
8、滤波电路的作用是向电路提供
9、整流电路是指：将电转换为电的电路
三、选择题（每题2分，共26分）
1、如果二极管的正，反向电阻都很大，则该二极管（）。
A正常； B.已经击穿； C. 内部断路；
2、如果二极管的正，反向电阻都很小，则该二极管（）。
A正常； B.已经击穿； C. 内部断路；
3、稳压管通常工作于（）
A.截止区
B.正向导通区
C.反向击穿区
4、不属于半导体属性的是（）
A、热敏性
B、光敏性
C、掺杂性
D、综合性
5、交流电通过整流电路后，得到的输出电压是（）
A、交流电压
B、脉动直流电压
C、平滑的直流电压
6、在单相桥式整流电路中，若变压器次级电压的有效值U2=10V,则输出电压U0为（）。
A、4.5V
B、9V
C、10V
7、二极管两端加上正向电压时（）。
A、一定导通
B、超过死区电压
C、超过0.7V才导通
8、在单相桥式整流电路中，如果一直整流管接反了，将造成（）
A、引起电源短路
B、成为半波整流
C、失去整流作用
9、半导体中传导电流的载流子是（）
A、空穴
B、电子
C、空穴和电子
10、下面可以导通的二极管为（）
11、二极管导通时，则二极管两端所加的是（）电压。
A、正向偏置
B、反向偏置
C、无偏置
12、当二极管两端正向偏置电压大于（）电压时，二极管才能导通。
A、击穿
B、饱和
C、死区
13、在下面电路中,( )图的小指示灯不会亮。
四、问答题（共15分）
1、试述PN结的单向导电性（4分）
2、什么是N型半导体，什么是P型半导体，什么是本征半导体（6分）
3、将以下器件串联，使二极管导通。
（共5分）
五、计算与分析题（共19分）
1、如图所示的电路中，V1V2都是理想二极管（即正向导通时其正向电阻和管压降为0 ，反向截止时其正向电阻和管压降为无穷大）判断（a）(b)两图中的二极管是导通还是截止以及V AB和V CD（每题5分，共10分）
2、如图所示，
1）若将VD1反接，试分析会出现什么情况？（4分）2）画出带有滤波电路的单向桥式整流电路（5分）。