自旋电子学的综述
自旋电子学与自旋器件
自旋电子学与自旋器件自旋电子学是一门研究自旋电子在材料中运动和相互作用的学科，自旋器件则是通过利用自旋电子在材料中的特性设计和制造的电子器件。
本文将探讨自旋电子学的基本概念、自旋器件的分类以及其在现代科技领域的应用。
一、自旋电子学的基本概念自旋是电子的一种属性，类似于地球上物体的旋转。
电子的自旋可以看作是围绕其自身轴心旋转产生的磁矩。
自旋电子学研究的重点在于如何控制和利用电子的自旋，以实现信息的存储和传输。
在自旋电子学中，自旋电子可以被视为一种具有两个自旋态的粒子，即自旋“上”和自旋“下”。
通过施加磁场或利用特殊材料的相互作用，可以使电子在两种自旋态之间进行转换，这就是自旋翻转。
二、自旋器件的分类根据自旋器件的功能和工作原理，可以将其分为自旋阀、自旋场效应器件和自旋传感器。
1. 自旋阀自旋阀是利用自旋选择性的非磁性材料与磁性材料之间的界面耦合效应，实现电子自旋的注入和控制。
自旋阀可以用于构建自旋电子学器件中的自旋输运和调控单元。
2. 自旋场效应器件自旋场效应器件是一种利用电场调控电子自旋输运的器件。
它通过在材料中引入外加电场，调节自旋电子在材料中的能级分布，从而控制电子的自旋转变和输运。
3. 自旋传感器自旋传感器是一种利用自旋电子特性感测外部物理量或环境变化的器件。
通过监测自旋电子在材料中的状态变化，可以实现对温度、磁场、电压等物理量的测量和监测。
三、自旋电子学在现代科技领域的应用1. 自旋磁电子学自旋磁电子学是自旋电子学的一个重要研究方向。
它利用自旋自旋转变和磁性材料的相互作用，实现磁性存储器件和磁性传感器的控制与调节。
自旋磁电子学在信息存储、计算和通信等领域具有广泛的应用前景。
2. 自旋输运与量子计算自旋输运是自旋电子学的核心内容之一，其目标是实现自旋信息的传输与控制。
自旋电子学中的自旋传输和调控单元可以用于构建量子比特和量子电路，用于实现量子计算和量子通信。
3. 自旋电子学与磁效应材料自旋电子学与磁效应材料的研究相互关联，相互促进。
材料物理学中的自旋电子学研究
材料物理学中的自旋电子学研究自旋电子学是材料物理学的一个重要领域，研究的是自旋在电子输运和磁性行为中的角色。
自旋电子学研究旨在探索和利用电子自旋在材料中的属性和交互作用，以开发出新颖的器件和技术。
在本文中，我将介绍自旋电子学的背景、研究领域和一些典型的研究成果。
自旋是电子的量子性质之一，类似于旋转角动量。
自旋电子学的关注点在于电子自旋的控制和操纵。
传统的电子学中，主要研究电子的荷电性质，而忽视了自旋对电子行为的影响。
然而，近年来的研究表明，自旋在电子材料中起着重要的角色，可以用来控制和传输信息。
自旋电子学的研究目标之一是实现自旋转换器件，将自旋作为信息的载体，而不是仅仅利用电荷。
在自旋电子学中，研究的一个重要问题是自旋注入。
自旋注入是将自旋极化的电子注入到材料中的过程。
通过调节外部磁场或电流，可以实现自旋电子的注入，并在材料中传输和操纵自旋。
自旋注入技术为自旋电子学研究提供了基础，并在实现自旋器件和自旋存储器方面取得了重要进展。
另一个研究方向是自旋霍尔效应。
自旋霍尔效应是一种自旋依赖的电荷输运现象，它在材料中产生横向自旋极化和电荷分离。
自旋霍尔材料可以实现自旋电流的导向和控制，并且在自旋电子学应用中具有重要意义。
自旋霍尔效应的研究成果也为自旋电子学提供了许多新的材料和器件设计思路。
还有一些其他重要的自旋电子学研究方向，如自旋电流激发的磁性行为、磁性材料中的自旋输运和磁矩动力学等。
这些研究方向都涉及到电子自旋在材料中的相互作用和传输，以及其对材料性质的影响。
通过研究这些现象，可以深入理解自旋电子学的基本原理，并开发出一系列具有潜在应用的新材料和器件。
在自旋电子学领域已经取得了一些重要的研究成果。
例如，利用自旋注入技术，已经实现了自旋转换器件，用于传输和操纵自旋信息。
另外，利用自旋霍尔效应，实现了自旋电流的控制和导向，为自旋电子学应用提供了新的途径。
此外，还有一些研究成果表明，通过控制材料结构和界面，可以实现自旋相关现象的调控和增强。
磁性材料的自旋电子学
磁性材料的自旋电子学自旋电子学是一门研究自旋与电子相互作用的学科，它在磁性材料的研究中扮演着重要的角色。
磁性材料是一类具有自发磁化特性的材料，它们可以通过外加磁场使其自旋有序排列，从而改变其电子的输运性质。
本文将从自旋电子学的基本概念入手，探讨磁性材料在该领域中的应用和研究进展。
一、自旋电子学的基本概念自旋电子学是自旋和电子之间相互作用的研究领域，在该领域中，自旋被认为是电子的一个内禀属性，类似于电荷。
自旋可以理解为电子围绕自身轴心旋转而产生的磁矩，它决定着电子在磁场中的相互作用和运动方式。
在自旋电子学中，通过调控自旋的状态，可以控制电子的自旋输运和磁性行为，从而实现新型电子器件的设计和应用。
二、磁性材料由于其自发磁化的特性，成为自旋电子学研究中的重要对象。
这些材料中的电子自旋可以通过外加磁场、电场或光激发等方式进行控制。
其中一种常见的磁性材料是铁磁体，它具有较高的自旋极化率和磁滞回线特性。
通过调控铁磁体中的自旋，可以实现快速的磁性翻转，从而提高数据存储和处理的速度和密度。
除了铁磁体，自旋电子学还涉及到其他类型的磁性材料，例如反铁磁体和拓扑绝缘体。
反铁磁体具有相邻原子自旋方向相反的特点，对电子自旋的调控有着独特的应用。
拓扑绝缘体则是一种特殊的材料，其表面存在特殊的拓扑结构，导致自旋与电子的耦合产生新奇的现象，例如自旋电荷分离和自旋霍尔效应。
三、自旋电子学的应用自旋电子学的研究不仅仅局限于基础物理理论，还涉及到许多重要应用。
其中之一是自旋电子学器件的设计与制备。
通过结合磁性材料和半导体材料的特性，可以制备出自旋二极管、自旋场效应晶体管等新型电子器件，这些器件具有快速响应和低功耗的特点，可以在信息存储、传感器等领域得到广泛应用。
另外，磁性材料在磁存储领域中也起着重要作用。
自旋电子学的发展使得磁存储器件的存储密度不断提高，并且能够实现单个磁位的读写操作。
这为大容量、高速度的数据存储提供了可能，为信息技术的进一步发展提供了强有力的支持。
自旋电子学的发展及其应用
自旋电子学的发展及其应用自旋电子学是一种新兴的研究领域，它涉及到自旋在电子学中的应用。
自旋电子学的发展可以追溯到20世纪60年代，当时科学家发现自旋可以在半导体中传递电信号。
然而，这个领域的真正飞跃是在21世纪初，随着新型材料和技术的发展，自旋电子学开始迎来了蓬勃的发展。
本文将从自旋电子学的基础原理、材料和技术发展、以及自旋电子学在实际应用中的优势等方面，详细介绍自旋电子学的发展及其应用。
一、自旋电子学的基础原理自旋电子学是基于自旋的量子属性，研究自旋在材料中的行为和特性，包括自旋的产生、传输、控制和检测。
自旋是电子的一种固有属性，可以看作是电子围绕自身旋转的一种特殊运动状态。
自旋有两种可能的取向，即上自旋和下自旋。
在外磁场的作用下，上自旋和下自旋的能量不同，因此可以通过磁场来控制自旋的取向。
二、自旋电子学的材料和技术发展随着自旋电子学的不断发展，研究人员已经发现了一些材料，这些材料具有优异的自旋特性，例如：铁磁性材料、半导体材料、自旋霍尔效应材料等。
在技术方面，研究人员已经发明了一些新的技术，例如：磁隧道结构技术、磁电阻技术、磁性记忆技术等，这些技术为自旋电子学的发展提供了有力的支持。
三、自旋电子学的应用自旋电子学已经被广泛应用于电子学和信息技术领域，具有广泛的应用前景。
下面列举了一些自旋电子学的应用：磁性存储器：磁性存储器是自旋电子学应用的一种重要形式，它可以实现高速读写、高密度存储和低功耗等优点。
自旋电子器件：自旋电子器件是利用自旋电子学的原理设计的器件，它具有高速、低功耗、稳定性好等特点，可以应用于处理器、存储器和通信设备等领域。
自旋电子输运：自旋电子输运是指利用自旋电子学的原理，设计实现一些新型的电子器件和传感器，用于探测、测量和传输电信号，例如自旋电荷泵、自旋输运晶体管等。
自旋电子学在量子计算中的应用：量子计算是一种全新的计算方式，自旋电子学中的自旋量子位可以用来存储量子信息，实现量子计算。
自旋电子学与自旋电子器件
自旋电子学与自旋电子器件自旋电子学是一门研究将电子的自旋运动作为信息的载体进行存储、传输和操作的学科。
自旋电子器件则是应用自旋电子学原理开发的电子器件。
自旋电子学与自旋电子器件的发展具有重要的科学意义和应用价值，本文将从理论原理、器件分类以及未来发展方向等方面进行阐述。
一、理论原理自旋电子学是基于电子的自旋运动而建立的一种新型电子学理论。
电子除了具有电荷属性外，还具有自旋属性，自旋可以理解为电子围绕自身轴的旋转运动。
在经典物理学中，自旋可以类比为地球绕自转轴旋转。
自旋的特点在于它具有两种取向，分别为上旋（spin up）和下旋（spin down）。
这两种取向可以表示为"1"和"0"，即可以用来储存和传输信息。
二、器件分类根据实际应用需求，自旋电子器件可以分为几个不同的分类。
常见的自旋电子器件包括自旋电子存储器、自旋场效应晶体管（spin field-effect transistor, Spin-FET）以及自旋逻辑门等。
1. 自旋电子存储器自旋电子存储器是一种利用自旋自由度实现信息存储的设备。
其中最典型的是自旋隧穿磁阻（spin-tunneling magnetoresistance, STT-MRAM）存储器。
其原理是通过调控自旋电子在磁隧道结构中的隧穿电流，实现对存储信息的读写操作。
STT-MRAM存储器具有非易失性、高速写入和低功耗等优势，被广泛应用于电子产品的存储领域。
2. 自旋场效应晶体管自旋场效应晶体管是一种利用自旋转移效应进行电子输运的器件。
通过在半导体材料中引入磁性材料，在电场调控下实现自旋电子流的控制。
自旋场效应晶体管具有高速、低功耗和可控性强等特点，被广泛应用于自旋逻辑电路和自旋电子通信等领域。
3. 自旋逻辑门自旋逻辑门是一种基于自旋操控实现逻辑运算的器件。
传统的电子逻辑门是基于电荷操控的，而自旋逻辑门则是利用自旋电子的上旋和下旋状态作为输入和输出。
磁性材料的自旋电子学性质研究
磁性材料的自旋电子学性质研究自旋电子学是一门研究物质中自旋自由度的学科，对于磁性材料的研究具有重要意义。
自旋是电子的旋转运动，具有磁矩，因此可以操控磁性材料的性质。
本文将探讨磁性材料的自旋电子学性质研究的相关内容。
一、自旋电子学概述自旋电子学是一种将自旋作为信息传输和处理的载体的新概念。
在传统电子学中，主要利用电荷载流子来传递信息，而在自旋电子学中，不仅利用电荷，还利用了电子的自旋。
自旋电子学将自旋与磁性材料的磁性相结合，可以实现更低功耗、更高速度、更高存储密度的信息传输和处理。
二、自旋电子学中的自旋运动自旋电子学研究中关键的问题是如何操控电子的自旋。
在磁性材料中，由于自旋磁矩的存在，可以通过外加磁场或者电场来操控电子的自旋。
磁性材料中的自旋通常会在外加磁场的作用下发生进动，这种进动被称为Larmor进动。
通过调控外磁场的大小和方向，可以控制自旋的取向，从而实现自旋的操控。
三、自旋电子学在磁存储中的应用自旋电子学在磁存储领域有着广泛的应用。
传统的磁存储器件利用磁化方向的改变来储存信息，但是写入和读出信息需要外加磁场，存在能耗大、速度慢等问题。
而自旋电子学提供了一种新的思路，可以通过调控电子的自旋来实现磁存储。
自旋转换器件（spintronic device）可以将电荷转化为自旋，实现电流对磁化的直接控制。
自旋转换器件的应用可以提高磁存储的速度和能耗等方面的性能。
四、磁性材料的自旋电子学性质的研究方法磁性材料的自旋电子学性质的研究需要使用到一系列的实验技术和理论方法。
实验上，通过基于光子学、霍尔效应和傅里叶变换等方法来研究自旋电子学性质。
理论上，利用自旋动力学方程、自旋输运理论、自旋波理论等方法来研究磁性材料的自旋电子学性质。
这些方法可以帮助我们深入了解磁性材料中自旋自由度的行为规律，为磁性材料的应用提供理论指导。
五、展望磁性材料的自旋电子学性质在信息存储、传输和处理方面具有广泛的应用前景。
随着自旋电子学研究的不断深入，我们对磁性材料中自旋自由度的理解也将不断加深。
磁性材料中的自旋电子学及其应用
磁性材料中的自旋电子学及其应用自旋电子学是一门利用自旋来操纵和控制电子行为的研究领域。
随着科技的进步和对电子器件性能的不断追求，自旋电子学在材料科学和器件工程中扮演着重要的角色。
磁性材料作为自旋电子学的基础材料，具有自旋自发极化、磁矩和磁力耦合等特性，为自旋电子学的研究和应用提供了理想的平台。
本文将从自旋电子学的基本概念、磁性材料的特性和自旋电子学的应用等方面，介绍磁性材料中的自旋电子学及其应用。
一、自旋电子学的基本概念自旋电子学是研究自旋自发极化和自旋操控的学科，其概念来源于基本粒子的自旋。
自旋是微观粒子的固有属性，类似于旋转角动量，是描述粒子自旋状态的物理量。
自旋的朝向可以取上、下两个方向，分别表示向上自旋和向下自旋。
自旋电子学的基本思想是利用自旋来操控电子行为。
传统电子学主要通过控制电子的电荷来实现电子器件的功能，而自旋电子学则通过控制和利用电子的自旋来达到更高的性能和功能。
自旋电子学有望在存储器、传感器、计算和通信等方面发挥重要作用。
二、磁性材料的特性磁性材料是自旋电子学的基础材料。
磁性材料具有自旋自发极化和磁矩的特性，能够产生和响应磁场，从而实现自旋电子学的操控和探测。
磁性材料的特性包括饱和磁化强度、剩余磁化强度、矫顽力、磁导率等。
磁性材料能够通过外加磁场或电流来调控其磁矩大小和方向。
通过调控磁矩，可以实现自旋的操控和植入，为自旋电子学的应用提供了基础。
同时，磁性材料还具有自旋与电荷的耦合效应，可以实现磁场调控电阻、自旋谐振和磁光调制等功能。
三、自旋电子学的应用1. 磁存储器磁存储器是自旋电子学最重要的应用之一。
传统的硬盘和磁带都是利用磁性材料的磁性和自旋特性来实现数据的存储和读取。
而基于自旋电子学的新型磁存储器，则通过调控自旋来实现更高的存储密度和读写速度。
磁存储器的发展，将极大地促进计算机和移动设备的性能和功能的提升。
2. 自旋电子学器件自旋电子学器件是一类利用自旋来实现电信号处理和信息传输的器件。
自旋电子学概述
自旋电子学概述自旋电子学是一门研究电子自旋运动和相关现象的学科领域。
自旋电子学在物理学、材料科学和电子工程等领域具有重要的理论和实际应用价值。
本文将简要介绍自旋电子学的起源、基本概念以及应用前景。
一、起源自旋电子学最早可以追溯到20世纪初。
美国物理学家斯特恩在1922年的实验中首次观测到电子的自旋。
自旋被认为是电子的基本属性之一，其类似于物体的自旋，但又有所不同。
自旋除了带有磁矩，还具有量子性质，如量子态叠加和纠缠等。
二、基本概念1. 自旋电子学中的自旋：自旋是描述电子旋转角动量的量子性质。
常见的自旋取值有“上自旋”和“下自旋”，分别对应自旋向上和向下。
2. 自旋电子学中的磁性：自旋和磁性密切相关，自旋带有磁矩。
通过利用电子自旋来操控和感知材料的磁性，可以实现磁存储、磁传输和磁传感等应用。
3. 自旋电子学中的自旋轨道耦合：自旋轨道耦合是指自旋和电子轨道运动之间的耦合效应。
它可以通过磁场、电场和材料的对称性等因素来调控。
自旋轨道耦合是实现自旋电子学功能的重要基础。
三、应用前景自旋电子学具有广阔的应用前景，以下列举几个重要的研究方向和应用领域：1. 自旋电子学器件：利用自旋来实现信息的存储、传输和处理是自旋电子学的重要应用之一。
例如，自旋晶体管、自旋场效应晶体管等器件可以用于高效的信息存储和处理。
2. 磁存储技术：自旋电子学在磁存储领域具有广泛的应用。
通过调控电子自旋来实现高密度、高速度的磁性存储，可以有效解决传统磁存储技术面临的挑战。
3. 自旋电子学材料：自旋电子学的发展离不开新型的自旋电子学材料。
例如，具有自旋劈裂特性的材料可以用于自旋传输和自旋滤波器件。
4. 量子自旋系统：自旋电子学与量子信息领域的交叉也是一个研究热点。
利用电子自旋来实现量子比特的存储和操作，有望实现量子计算和量子通信的突破。
四、总结自旋电子学作为一门新兴的学科领域，对于未来信息技术的发展具有重要意义。
随着研究的深入和技术的不断突破，自旋电子学有望在信息存储、传输和处理等领域发挥重要作用。
电子工程中的自旋电子学理论
电子工程中的自旋电子学理论自旋电子学理论是电子工程中的一个重要研究领域，其研究对象是电子的自旋，而不是电子的电荷。
随着磁性存储技术的快速发展，自旋电子学理论已被广泛应用于电子器件和计算机技术等领域。
本文将重点探讨自旋电子学理论的定义、原理及其在电子工程中的应用。
一、自旋电子学理论的定义自旋电子学理论是描述自旋与磁性相互作用的一种物理理论，主要应用于磁性材料的研究与应用，以及磁性存储设备的制造与优化。
在自旋电子学理论中，电子不仅具有电荷，而且具有自旋。
自旋指的是电子固有的自旋磁矩，是电子运动方向的磁场。
通过控制电子自旋，可以控制材料的磁性。
二、自旋电子学理论的原理首先要了解自旋的基础概念：自旋是电子的内禀属性，类似于固定轨道运动和角动量。
自旋有两个可能的方向，即“上”和“下”，可以用“+1/2”和“-1/2”表示。
在一个磁场中，电子会受到与自己自旋方向相反的力，这个力被称为磁场作用力。
因此，在一个磁场中，自旋方向相同的电子会向磁场区域集中，而相反的电子会分散在区域中。
自旋电子学理论还包括两个重要的概念：自旋极化和自旋电流。
自旋极化是指电子自旋朝向相同的概率比自旋朝向相反的概率更高。
自旋电流是指在一个导体中存在自旋向一侧的电子流。
自旋电子学理论在这两个概念的基础上，发现了一些有用的现象。
三、自旋电子学在电子工程中的应用1. 磁性存储器自旋电子学在磁性存储器中应用非常广泛。
在传统的硬盘驱动器中，数据是存储在一个矩形磁区中，每个磁区代表一个比特。
在新型的自旋电子学硬盘中，数据被存储在一个小型磁区中，即自旋填充层(Spintronic layer)。
自旋填充层包括两个分离的层，可以分别控制电子的自旋方向和运动方向。
这种技术比传统磁性存储器更加紧密和容量更大。
2. 自旋电流器件自旋电流器件是自旋电子学的一种应用，其原理是利用自旋电流控制磁性材料的自旋方向。
一个自旋电流器件由两个磁层隔着一个绝缘层组成，自旋电流会从一个层流入另一个层。
《自旋电子学》课件
探索自旋电子学在信息科学、纳米电子学和量子计算等领域的广泛应用。
自旋电子学的优势
详细阐述自旋电子学相较于传统电子学的优势和潜在价值。
自旋传输
1
自旋运输和操控
2
探索自旋如何在材料和器件中进行传输
和操控，为自旋电子学的应用提供支持。
3
自旋注入和探测
研究自旋如何被注入和探测，为后续自 旋运输和操控奠定基础。
自旋电场效应晶体管
介绍自旋电场效应晶体管的原理与设计， 展示其在信息处理中的潜力。
自旋器件
自旋触发器
介绍自旋触发器的原理与应用，探讨其在信息存储 和处理中的潜力。
自旋滤波器
详细阐述自旋滤波器的工作原理和应用场景，探讨 其在信息筛选中的优势。
自旋管
探索自旋管的原理与构建方法，展示其在自旋电子 学中的应用前景。
自旋电子学的未来
1 自旋电子学的发展趋 2 自旋电子学与量子计 3 自旋电子学在信息处
势
算的结合
理领域的应用
分析自旋电子学发展的趋 势和前景，展望未来的发 展方向。
探讨自旋电子学与量子计 算的结合，展示其在信息 处理领域的潜力。
详细介绍自旋电子学在信 息处理领域的具体应用， 展示其在实际应用中的优 势和挑战。
总结
自旋电子学的意义
总结自旋电子学的意义和重要性，强调其在信息科学领域的研究和应用价值。
自旋电子学的挑战
概述自旋电子学面临的挑战和难题，讨论未来的发展方向。
未来的方向
展望自旋电子学未来的发展方向，并提出进一步研究的建议。
自旋量子点
介绍自旋量子点的结构与特性，探讨其在量子计算 与信息处理中的潜力。
自旋电路与系统
自旋电子学
后来,人们设计出一种三明治结构,使相邻铁磁层的磁矩 不存在(或只存在很小的)交换耦合,则在较低的外磁场 下相邻铁磁层的磁矩能够在平行与反平行排列之间变 换,从而引起磁电阻的变化,这就是所谓的自旋阀结构 (spin valve).自旋阀结构的出现,使得巨磁电阻效应的应 用很快变为现实.
12-318出品
自旋电子学涉及的典型课题 a)如何有效地极化一个自旋系统，即如何获得自 旋极化相干态（包括自旋注入） b)系统的自旋极化相干态在输运过程中能保持多 长时间 c)如何有效地探测和操纵自旋状态以及自旋状态 的改变
12-318出品
理论部分 非对易量子力学
[xi , x j ]
i ijk
12-318出品
如果有磁通Φ穿过介观环 ,电子流过环时将发生干涉效应。 控制透射电子的自旋极化方向有两种方法 ,一科种方法是施加一定 大小的切向磁场 B,改变附加磁通的大小;另一种方法是选定附加磁 通的大小 ,调节切向磁场 B的大小。
既可以通过调节磁通也可以通过调节切向磁场来控制透射电子 的自旋极化方向 ,适当的调节可以使电子的自旋发生翻转。对于不 同的入射自旋态 ,这种装置可以用来控制极化自旋流或者充当自旋 开关
12-318出品
1995年,人们以绝缘层Al2O3代替导体Cr,在 Fe/Al2O3/Fe三明治结构中观察到很大的隧道磁 电阻(Tunneling Magnetoresis-tance,TMR)现象, 从而开辟了自旋电子学研究的又一个新方向.
12-318出品
12-318出品
•电子拥有自旋和电荷 •电子的逻辑装置采用电子的 带电性质 •电荷相互作用的能量在eV 级，而自旋相互作用在meV 级别 •基于电子的自旋性质的逻辑 运算的功率损耗要远小于基 于电荷性质的
自旋电子学器件实现信息处理的新方法
自旋电子学器件实现信息处理的新方法信息处理是现代社会中不可或缺的一部分，而随着科技的不断进步，人们对于信息处理技术的要求也日益增加。
自旋电子学作为一种新型的信息处理技术，正在逐渐引起人们的关注。
本文将探讨自旋电子学器件如何实现信息处理的新方法。
一、自旋电子学简介自旋电子学是指利用电子自旋这一自由度来实现信息处理的技术。
与传统的电子学相比，自旋电子学具有独特的优势，例如低功耗、快速开关速度和稳定的自旋态等。
这使得自旋电子学在信息存储、传输和计算等领域有广泛的应用前景。
二、自旋电子学器件实现自旋电子学的关键在于开发出适合的器件。
目前已经有多种自旋电子学器件被研发出来，其中最为常见的包括磁隧道结构、自旋霍尔效应器件和自旋转移比特器件等。
1. 磁隧道结构磁隧道结构是一种利用自旋极化电流控制磁性层的自旋电子学器件。
其原理是通过磁层之间的隧道效应来控制自旋电子的传输。
这种结构的优势在于控制电流较小、开关速度快，适合用于信息存储和传输。
2. 自旋霍尔效应器件自旋霍尔效应器件是利用自旋霍尔效应来实现自旋电子传输的器件。
自旋霍尔效应是指在材料中存在差异自旋态的时候，电子会受到横向电场的偏转。
这种器件具有自旋电流控制的优势，适合用于信息传输和逻辑门等。
3. 自旋转移比特器件自旋转移比特器件是一种利用自旋电子之间耦合作用来实现信息传输和处理的器件。
其原理是通过控制自旋电子间的耦合强度来实现自旋态的转移和操作。
这种器件可用于构建自旋Qubit，适合用于量子计算。
三、自旋电子学的应用自旋电子学作为一种新兴的信息处理技术，不仅具有巨大的潜力，而且在多个领域有着广泛的应用。
1. 信息存储自旋电子学具有较大的磁阻比、低功耗和高速度等优势，可以在信息存储领域发挥重要作用。
例如，利用自旋隧道结构制造的磁性随机存储器（MRAM）可以实现非易失性存储，且具有快速读写速度和较长的寿命。
2. 信息传输自旋电子学器件可以实现自旋电子的控制和传输，可以在信息传输领域提供新的解决方案。
自旋电子学的原理及应用
自旋电子学的原理及应用自旋电子学是一种新型电子学，它有着非常独特的原理和应用。
与传统电子学不同，自旋电子学可以通过控制电子的自旋来实现信息的存储和传输，同时还可以用于磁性材料的设计和制造。
本文将从自旋电子学的原理和应用两个方面进行阐述。
一、自旋电子学的原理自旋电子学是通过对电子自旋的控制实现信息传递和存储的一种新型电子学。
自旋是电子的一种基本性质，类似于电子的电荷和质量，但与电荷和质量不同的是，自旋是一个量子数，它表示电子的自旋角动量。
自旋有两个方向，分别为“上自旋”和“下自旋”。
自旋电子学的基本原理是，通过控制电子的自旋，可以实现信息的存储和传输。
自旋的控制是通过磁场实现的。
在磁场的作用下，电子的自旋会发生偏转，进而产生一个“自旋极化”的效应，即自旋向上的电子和自旋向下的电子在数量上不再相等，这就为信息存储和传输提供了可能。
自旋电子学的另一个重要原理是磁性材料中的自旋极化。
磁性材料中的自旋由于磁相互作用而定向，进而导致自旋极化现象的产生。
这个现象可以被用于磁性材料的设计和制造。
二、自旋电子学的应用自旋电子学的应用广泛，涵盖了信息技术、材料科学和物理学等领域。
以下是自旋电子学的几个常见应用。
1. 磁存储器磁存储器是自旋电子学最为广泛的应用之一。
磁存储器的工作原理是基于磁性材料中的自旋极化现象。
利用磁场可以将磁性材料中的自旋定向，这就实现了信息的存储。
磁存储器具有容量大、读写速度快、耐久性强等优点，被广泛应用于计算机、移动设备等电子产品中。
2. 自旋电荷分离器自旋电荷分离器是一种能够将电子的自旋和电荷分离的器件，也是自旋电子学中的重要应用之一。
它的工作原理是通过一定的材料结构和电场作用，将自旋极化的电子在材料中运动时，自旋和电荷的运动方向不同，进而发生分离。
自旋电荷分离器具有快速响应、高效率、低功耗等优点，被广泛用于传感器、运算器等领域。
3. 磁电隔离磁电隔离是利用自旋电子学中的自旋-轨道耦合现象实现的一种隔离效应。
物理学中的自旋电子学研究现状
物理学中的自旋电子学研究现状自旋电子学是近年来物理学研究中的一个热门领域，它主要研究电子自旋与物质在磁场作用下的相互作用，涉及到广泛的应用前景和基础学科研究。
本文将从自旋电子学的基础知识、研究现状、应用前景等角度展开论述。
一、自旋电子学的基础知识自旋电子学的基础在于电子的自旋，自旋是电子固有的属性，类似于电子的电荷。
电子自旋的特点是具有磁性，因此可以与外加的磁场相互作用。
当电子在材料中运动时，其自旋与晶格和自旋的相互作用会产生新的物理现象，如磁化、磁电阻和磁隧穿等。
这些现象对于理解材料的磁性和电子运动机制以及物理学中的量子现象有着重要的意义。
二、自旋电子学的研究现状自旋电子学在近几十年有了较大的发展，特别是在新的材料的发现和研究方法的进步下，自旋电子学的研究领域得到了拓宽和深入。
以下是一些自旋电子学的研究现状：1.自旋极化电子显微镜技术自旋极化电子显微镜是一种重要的实验工具，它可以通过探测自旋电子在材料中的分布情况来研究材料的自旋性质和磁性质。
自旋极化电子显微镜有着高分辨率、灵敏度和速度等优点，被广泛应用于材料科学、物理学以及半导体行业等领域的研究中。
2.自旋输运理论研究自旋输运是研究电子在材料中的输运过程中自旋的运动规律，它关注电子自旋与材料自旋的耦合、自旋翻转等现象。
自旋输运理论的研究对于进行材料表面的自旋电子学研究有着重要的意义。
3.自旋电子学研究中的新材料发现随着研究方法的发展和新材料的发现，自旋电子学的研究领域得到了拓宽和深入。
例如，石墨烯、锰铁等材料的研究使得人们对于自旋电子学的认识更加深入。
三、自旋电子学的应用前景自旋电子学的研究不仅涉及到物理学的基础研究，还有诸多的应用前景。
以下是一些自旋电子学的应用前景：1.新型储存器的研究自旋电子学中的磁隧穿效应是目前研究新型储存器的一种重要技术。
利用磁隧穿效应，可以将电子自旋作为信息的载体，实现信息的存储和处理。
2.新型传感器的研究自旋电子学的研究可以用于研究新型传感器，例如电子自旋共振传感器。
自旋电子学的综述
自旋电子学及其在半导体中的应用摘要：自旋电子学主要研究电子自旋在固体物理中的作用，是一门结合磁学与微电子学的新兴交叉学科。
其研究对象包括电子的自旋极化、自旋相关散射、自旋弛豫以及与此相关的性质及其应用等。
本文简单介绍了自旋电子学的概念及其内容综述了自旋电子学目前的研究，尤其是半导体自旋电子学，集中讨论了使电子的自旋特性在半导体中获得应用，在半导体器件中实现自旋极化、注入、传送、操作和检测，最后对自旋电子器件的应用进行了展望。
关键词：自旋电子学自旋阀磁隧道结半导体自旋电子学一．名词解释1.自旋电子学[1](spintronics)也称为磁电子学，是一门磁学和微电子学相交叉的新兴的学科，它研究具有某一自旋状态(自旋向上或自旋向下)的电子的输运特性，是当前凝聚态物理的热点领域之一。
众所周知，电子除了带有电荷的特性外，还具有自旋的内禀特性，对于普通金属和半导体，自旋向上和自旋向下的电子在数量上是一样的，所以传统的金属电子论往往忽略电子的自旋自由度。
2.半导体自旋电子学[2]电子同时具有电荷和自旋两种属性，电子的电荷属性在半导体材料中获得极大的应用，推动了电子技术、计算机技术和信息技术的发展。
使电子的自旋特性在半导体中获得应用，在半导体器件中实现自旋极化、注入、传送、操作和检测，成为人们最关注的问题。
最初人们企图用铁磁金属与半导体材料直接欧姆接触，把极化自旋流注入到半导体材料中去，但是由于肖特基势垒太高，注入效率极低。
为了克服肖特基势垒，只有两个办法：寻找磁性半导体材料或利用隧道效应。
二．自旋电子学的起源1857年Thomson发现了在多晶结构的Fe中，具有各向异性磁电阻效应[3](anisotropy magnetore．sistance，AMR)，而传统的微电子学的研究对象是普通金属和半导体，所以在研究电子的输运过程中，往往忽略电子的自旋。
20世纪50年代人们在研究超导体时，将电子的自旋引入，认为参与超导输运的准粒子是费米面附近两个自旋相反，动量也相反的电子所组成的库柏对，建立了著名的BCS 理论，但是BCS理论虽然将电子的自旋自由度引入到输运过程中，但是在库柏对中，电子是成对出现的，并没有去严格区分两种不同自旋的电子在输运中的差别。
自旋电子学简介
自旋电子学简介一、什么是自旋电子学？自旋电子学是电子学的一个新兴领域，其英文名称为Spintronics，它是由Spin和Electronics两词合并创造出来的新名词。
顾名思义，它是利用电子的自旋属性进行工作的电子学。
早在19世纪末，英国科学家汤姆逊发现电子之后，人们就知道电子有一个重要特性，就是每一个电子都携带一定的电量，即基本电荷（e=1.60219x10-19库仑）。
到20世纪20年代中期，量子力学诞生又告诉人们，电子除携带电荷之外还有另一个重要属性，就是自旋。
电子的自旋角动量有两个数值，即±h/2。
其中正负号分别表示“自旋朝上”和“自旋朝下”，h是量子物理中经常要遇到的基本物理常数，称为普朗克常数。
通过对电子电荷和电子自旋性质的研究，最近在电子学和信息技术领域出现了明显的进展。
这个进展的重要标志之一就是诞生了自旋电子学。
在传统的电子学中，数据处理集成电路所用的是半导体中电子的电荷，但并不是说电子的自旋自由度以前从没有用过，例如传统的数据存储介质，如磁盘，用的就是磁性材料中电子的自旋。
事实上，半导体中有很多类型的自旋极化现象，如载流子的自旋，半导体材料中引入的磁性原子的自旋和组成晶体的原子的核自旋等等。
从某种意义上说，已有的技术如以巨磁电阻（GMR）为基础的存储器和自旋阀都是自旋起作用的自旋电子学最基本的应用。
但是，其中自旋的作用是被动的，它们的工作由局域磁场来控制。
这里所指的自旋电子学则要走出被动自旋器件的范畴，成为基于自旋动力学的主动控制的应用。
因为自旋动力学的主动控制预计可以导致新的量子力学器件，如自旋晶体管、自旋过滤器和调制器、新的存储器件、量子信息处理器和量子计算。
从这个意义上说，自旋电子学是在电子材料，如半导体中，主动控制载流子自旋动力学和自旋输运的一个新兴领域。
已经证明，通过注入、输运和控制这些自旋态，可以执行新的功能。
这就是半导体自旋电子学新领域所包含的内容，它涉及自旋态在半导体中的利用。
电子自旋与磁性材料的自旋电子学
电子自旋与磁性材料的自旋电子学自旋电子学是一门研究电子自旋及其在材料中的应用的学科。
自旋是粒子的内禀性质，类似于自转，而电子自旋则是电子的自转。
自旋电子学的研究对象主要是磁性材料，这是因为磁性材料中的电子自旋可以通过自旋-轨道耦合相互作用和自旋-自旋交互作用等机制得到有效调控。
自旋电子学的发展源于对电子自旋的研究。
早在1922年，美国物理学家伊斯特林发现了电子的自旋。
自旋是电子一种与质量、电荷等无关的内禀性质，它使电子具有磁矩。
磁矩是电子的两种角动量之一，另一种是轨道角动量。
自旋角动量的大小与电子自旋量子数有关，自旋量子数的取值可以是正半整数或负半整数。
磁性材料的自旋电子学主要研究电子自旋在磁矩和磁场作用下的行为。
根据电子的自旋相互作用形式，可以将磁性材料分为顺磁性、反磁性和铁磁性。
顺磁性材料中的电子自旋与外加磁场方向一致；反磁性材料中的电子自旋与外加磁场方向相反；而铁磁性材料中的电子自旋在外加磁场下将沿着一定的方向对齐。
自旋电子学的研究有助于理解磁性材料的物理特性和磁性材料与其他材料之间的相互作用。
自旋电子学在信息存储、自旋计算和自旋输运等方面具有重要的应用价值。
近年来，随着纳米技术和量子信息研究的发展，自旋电子学的前景变得更加光明。
自旋电子学的重要进展之一是自旋电子输运的研究。
自旋电子输运是研究电子在磁性材料中的运动方式和输运特性的学科。
自旋电子输运的主要机制包括自旋扩散、自旋磁跃迁和自旋滞留等。
这些机制使自旋电子可以在磁性材料中进行信息传递和处理。
另一个重要的进展是自旋电子学在磁性材料的设计和制备方面的应用。
通过控制磁性材料中的电子自旋，可以实现不同的功能，如磁存储、磁传感和自旋电子器件等。
研究人员通过调控材料的结构和成分，设计出具有特定功能的磁性材料。
自旋电子学在信息存储方面具有巨大的应用潜力。
传统的磁存储器件使用电荷来储存和读取信息，而自旋存储器件则利用电子的自旋来实现信息的存储和读取。
自旋电子学的基本原理及应用
自旋电子学的基本原理及应用自旋电子学是一门涉及自旋概念的科学，利用电子的自旋状态进行信息传递和存储。
它是物理学和电子工程学相结合的新领域，随着科技和工业的发展，自旋电子学的应用在日常生活中越来越广泛。
下面本文将从自旋电子学的基本原理和应用入手，为大家详细阐述这一主题。
一、自旋电子学基本原理1. 电子自旋与磁性电子是电荷与自旋的带电质点，而自旋是电子具有的一种内禀角动量。
在自旋量子数中，每个电子有两个可取值，即自旋向上为“↑”或自旋向下为“↓”。
在物理学中，磁性是由带电粒子产生的磁矩所引起的现象。
而电子的自旋就是带有磁矩的粒子，因此电子具有磁性。
2. 电子的自旋和磁性关系磁性和自旋有一定的关系，当电子自旋方向相同时，它们的电子磁矩向量相加，磁性比较强，反之当它们的自旋方向相反，相互抵消，磁性减小或消失。
对于固体中的电子，电子的自旋状态具有某种统计规律，即泡利不相容原理，两个具有相同自旋方向的电子无法占据同一个能级，而相反方向的电子可以互相占据同一个能级。
3. 自旋电子学的发展自旋电子学的起源可以追溯到20世纪初的氢原子实验，而自旋电子学真正成形是在上世纪60年代，在固体中发现了自旋共振现象后，自旋电子学得以研究和应用。
在几十年的发展过程中，自旋电子学在晶体电子学、磁学、材料科学、信息技术等领域中取得了显著的成就，如磁性存储器、自旋电子晶体管分别应用在计算机等电子设备中。
二、自旋电子学的应用1. 磁性存储器自旋电子学相关技术在磁性存储器领域得到了广泛的应用，如硬盘、U盘等，这些设备都是采用磁性记忆单元实现信息存储的。
在磁性存储器中，使用通过外部磁场操控电子自旋状态形成的自旋电流，可以读写和删除存储数据，速度比传统基于电子激发的方式快得多。
2. 自旋电子晶体管传统晶体管是一种通过控制电子通道中电子的电流实现电子信息处理的半导体器件。
与之相比，自旋电子晶体管不是依靠电流而是依靠自旋来控制电子的传输。
自旋电子晶体管的制作需要特殊的材料和工艺，优点是低功耗、高速率、量子系统等，被视为下一代半导体器件的最有前景的技术之一。
自旋电子学
自旋电子学
1 自旋电子学
自旋电子学是电子技术的一个重要分支，其基础是自旋学。
自旋
学研究电子的自旋及相关的能量。
自旋电子学探讨如何利用自旋来实
现电子计算机和设备的效能提升。
自旋电子学总结了微纳米制程技术、磁控技术、量子力学理论等
综合性的知识，从而可以使用自旋来控制电子的行为。
研究团队将传
统的电子电路和最小特征尺寸材料和技术结合起来，以构建小到几个
原子尺寸的自旋电子网络，来实现电子位能转换等功能。
很多学者认为自旋电子学有望改变传统电子计算机的效能。
由于
自旋电子技术具有节能、耐候性、静电放电抗性等特征，在存储能源、生物传感器、智能尾翼励磁、地面支撑和医疗解决方案等领域都具有
重要的应用前景。
自旋电子学的核心是将自旋技术用于传统的电子器件，有助于优
化电子表现，从而可以节省能源消耗、提高芯片尺寸等。
许多企业和
研究机构正在研究自旋芯片的实现，以实现芯片的高效新技术。
概而言之，自旋电子学是将自旋投入到电子领域十分重要的一部分，它可以提高效率促进能源节约，是新技术发展的一个必要方向。
自旋电子学与自旋电子器件简述
自旋电子学与自旋电子器件简述自旋电子学是近年来快速发展的一种新兴研究领域。
它是基于电子的自旋而不是电荷构建新型电子器件的一种技术途径。
相比传统电子学，在较低的功耗下实现较高的速度和存储密度等方面具有优势。
本文将简述自旋电子学技术及其应用的一些领域。
自旋电子学技术自旋电子学技术主要研究材料中的电子自旋和磁性互作用，以及它们之间的耦合机制。
在自旋电子学技术中，可以利用一些特殊材料（如磁隧道结构）将电子自旋转化为电流和电压信号，从而将信息原用于计算和存储。
磁隧道结构是自旋电子学技术中最为常用的器件，它利用了电子的自旋和磁性作用。
该结构主要由两个磁性层和一个薄的隧道隔离层组成。
两个磁性层的磁化方向可以沿任意方向，通过控制电荷注入后的电子自旋沿隧道隔离层通过，来进行信息存储和处理。
自旋电子器件的应用领域自旋电子学技术可以被应用于多种领域，包括信息存储、计算等领域。
信息存储在信息存储领域，自旋电子学技术被应用于磁性隧道结合存储器（MTJ-RAMs）和自旋转移磁性存储器（STT-RAMs）等器件中。
这些存储器可实现高速读写和大容量存储。
计算在计算领域，自旋电子学技术被应用于逻辑门电路的实现。
自旋逻辑门可以通过控制磁性隧道结构内电子自旋的反转来实现布尔逻辑运算。
相比传统计算机逻辑门，自旋逻辑门具有较高的运算速度和较低的能耗。
传感器和无线通讯自旋电子学技术还可以被应用于传感器和无线通讯等领域。
例如，磁性隧道结合传感器（MTJ-Sensors）可以用于磁场、压力、应变等的感测。
自旋电子器件的未来展望自旋电子学在信息存储和计算领域快速发展。
它已经成为下一代电子器件的潜在替代品。
具有极高的集成度和能源效率，而像磁隧道结构这种简单器件，就已经实现了数据存储、数据的交换和及基于数据的分析。
未来，自旋电子学有可能能够更好发挥，从而推进电子学科学上的新进展，为我们的生活带来更多的便利和进步。
自旋电子学技术的发展为信息处理、计算等领域提供了全新的思路。
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自旋电子学及其在半导体中的应用摘要：自旋电子学主要研究电子自旋在固体物理中的作用，是一门结合磁学与微电子学的新兴交叉学科。
其研究对象包括电子的自旋极化、自旋相关散射、自旋弛豫以及与此相关的性质及其应用等。
本文简单介绍了自旋电子学的概念及其内容综述了自旋电子学目前的研究，尤其是半导体自旋电子学，集中讨论了使电子的自旋特性在半导体中获得应用，在半导体器件中实现自旋极化、注入、传送、操作和检测，最后对自旋电子器件的应用进行了展望。
关键词：自旋电子学自旋阀磁隧道结半导体自旋电子学一．名词解释1.自旋电子学[1](spintronics)也称为磁电子学，是一门磁学和微电子学相交叉的新兴的学科，它研究具有某一自旋状态(自旋向上或自旋向下)的电子的输运特性，是当前凝聚态物理的热点领域之一。
众所周知，电子除了带有电荷的特性外，还具有自旋的内禀特性，对于普通金属和半导体，自旋向上和自旋向下的电子在数量上是一样的，所以传统的金属电子论往往忽略电子的自旋自由度。
2.半导体自旋电子学[2]电子同时具有电荷和自旋两种属性，电子的电荷属性在半导体材料中获得极大的应用，推动了电子技术、计算机技术和信息技术的发展。
使电子的自旋特性在半导体中获得应用，在半导体器件中实现自旋极化、注入、传送、操作和检测，成为人们最关注的问题。
最初人们企图用铁磁金属与半导体材料直接欧姆接触，把极化自旋流注入到半导体材料中去，但是由于肖特基势垒太高，注入效率极低。
为了克服肖特基势垒，只有两个办法：寻找磁性半导体材料或利用隧道效应。
二．自旋电子学的起源1857年Thomson发现了在多晶结构的Fe中，具有各向异性磁电阻效应[3](anisotropy magnetore．sistance，AMR)，而传统的微电子学的研究对象是普通金属和半导体，所以在研究电子的输运过程中，往往忽略电子的自旋。
20世纪50年代人们在研究超导体时，将电子的自旋引入，认为参与超导输运的准粒子是费米面附近两个自旋相反，动量也相反的电子所组成的库柏对，建立了著名的BCS理论，但是BCS理论虽然将电子的自旋自由度引入到输运过程中，但是在库柏对中，电子是成对出现的，并没有去严格区分两种不同自旋的电子在输运中的差别。
在20世纪80年代，1986年，德国的Grtinberg等人在研究Fe/Cr/Fe薄膜中自旋波的光散射时，发现随着Cr的厚度改变，Fe/Cr/Fe中两个Fe层存在反铁磁耦合控[4]。
随后在法国工作的Baibich等人用分子束外延的方法制备了Fe/Cr多层膜并研究其电阻特性[5]。
当cr的厚度为0.9 nm时，他们发现在T=4.2K温度下，薄膜的电阻值随外加磁场的增加而减小，当外磁场大于2 T后，其电阻值几乎只有原来未加磁场时的一半，这种磁电阻效应可以用自旋相关散射和双电流模型来解释。
考虑到两个不同自旋取向的电子在界面处所受到的散射是不同的，假设当自旋取向与铁磁层的磁化方向相同时，电子所受到的散射较小，而另一种自旋取向的电子所受到的散射较大；那么在Fe/Cr多层膜中，当存在反铁磁耦合时，相邻Fe层的磁化方向是反平行的，这样两个自旋取向的电子所受到的散射都较大，所以系统处于高电阻状态当外磁场较大时，所有Fe层的磁化方向将转到外场的方向，这时有一种自旋取向的电子所受到散射很小，而另一种电子所受到的散射很大，系统总的电阻可以看成这两种电子电阻的并联，因而系统处于低电阻状态。
图1：系统处于两种不同阻态时的磁化散射由于Fe／Cr多层膜中的这种磁电阻效应很大，比一般的铁磁金属的各向异性磁电阻大1个数量级，所以人们把这种效应叫做巨磁电阻效应(giant magnetoresistance，GMR)。
巨磁电阻效应的发现，是自旋电子学发展史上的里程碑。
三．国内外对自旋电子学的研究现状及研究方向3.1 国内外的研究现状3.1.1 国内研究现状1998年，国家自然科学基金委员会设立了“巨磁电阻物理、材料研究及其在信息技术中应用”重大项目[6]。
2001年，国家科技部在国家重点基础发展规划项目中设立了“自旋电子材料、物理以及器件研制”项目[6]。
3.2.2 国外的研究现状1991年，B、Dieny利用反铁磁层交换耦合，提出了自旋阀结构 J，并首先在(NiFe／Cu／NiFe／FeMn)自旋阀中发现了一种低饱和场巨磁电阻效应。
1995年，美国DARPA计划中设立了GMR合作计划，目的是探索将GMR器件应用到各种传感器和存储器等方面，最终目标是制造出大小为6.45 cm2、读取时间小于100 as的容量为16 K的非丢失性的磁性随机存储器芯片。
2000年，Chiba等利用Mn5.5％的GaAs稀磁半导体和作绝缘层的三明治结构的隧道结，获得磁电阻TMR在20K温度下为5.5％，居里温度为11OK。
2001年，Tanaka等在隧道结中获得TMR值为70％，超过了氧化铝为绝缘层的FM/I/FM的TMR值，引起人们极大兴趣。
2001年，Zhu等通过Fe膜与GaAs膜之间的隧道效应，把自旋电子注入到半导体中，通过电子发光的反转，获得室温下自旋有效注入为2％。
Dijken等在GaAs 半导体上制备了磁隧道结，得到集电极磁电阻变化的百分数，其中和分别为两个铁磁层磁化强度平行和反平行时的集电极电流。
2004年，Yamanouchi等用做成特殊设计的结构，用自旋极化电流驱动磁畴壁，控制磁化强度反转，构成磁信息存储器件。
3.2 国内外的研究方向3.2.1 GMR自旋阀[7]1988年GMR效应在Fe/Cr金属多层膜中的发现引起了各国科学家的注意，人们从理论和实验上对多层膜GMR效应展开了广泛而深入的研究。
为了使GMR材料的饱和磁场(H )降低，人们除了采用降低耦合强度及选用优质软磁作为铁磁层等途径外，还提出了非耦合型夹层结构。
1991年，B、Dieny利用反铁磁层交换耦合，提出了自旋阀结构，并首先在(NiFe/Cu/NiFe/FeMn)自旋阀中发现了一种低饱和场巨磁电阻效应。
图2：自旋阀的结构示意图及磁滞回线曲线图在外磁场作用下的磁滞回线和磁电阻变化曲线图，自旋阀的基本结构为F/N/F:AF；两个铁磁层F和F*被较厚的非铁磁层N隔开，因而使F*与F问几乎没有交换耦合。
F称为自由层，F*称为被钉扎层，其磁矩M 被相邻反铁磁层AF的交换耦合引起的单向各向异性偏场所~T-J：L；当F*为优质软磁材料时，其M以在很弱的磁场作用下相对于F，改变方向，从而获得较大的GMR。
这种非耦合型自旋阀具有如下优点：1)磁电阻变化率AR／R 对外磁场的响应呈线性关系，频率特性好；2)饱和场低，灵敏度高．虽然自旋阀结构的磁电阻变化率不高，通常只有百分之几，但较低的饱和场可以使磁场灵敏度高达1％Oe 以上；3)自旋阀结构中铁磁层的磁矩的一致转动能够有效地克服巴克毫森效应，从而使信噪比大大提高，自旋阀中出现GMR效应必须满足这样的条件：①传导电子在铁磁层中或在E铁磁界面上的散射概率必须是自旋相关的；②传导电子可以来回穿过两铁磁层，并fll~i,B住自己的自旋取向，即自旋平均自由程大于隔离层厚度。
3.2.2 磁隧道结(TMJ)[8]磁隧道结通常是指由两层磁性金属(FM)和它们所夹的一层氧化物绝缘层(I)所组成的三明治结构(FM/I/FM)，其磁隧道结的结构示意图如下：图3：磁隧道结的结构示意图通过绝缘层势垒的隧穿电子是自旋极化的，可以产生较大的磁电阻效应(TMR)。
FM/I/FM 隧道结最初是由Slonczewski 于1975年提出来的。
Julliere 认为，在隧道结中，如果两铁磁电极的磁化方向平行，则一个电极中费米能级处的多数自旋态电子将进入另一个电极中的多数自旋态的空态，同时少数自旋态电子也从一个电极进入另一个电极的少数自旋态的空态，即磁化平行时，两个铁磁电极材料的能带中多数电子自旋相同，费米面附近可填充态之间具有最大匹配程度，因而具有最大隧道电流。
如果两电极的磁化反平行，则一个电极中费米能级处的多数自旋态的自旋角动量方向与另一个电极费米能级处的少数自旋态的自旋角动量平行，隧道电导过程中一个电极中费米能级处占据多数自旋态的电子必须在另一个电极中寻找少数自旋态的空态，因而其隧道电流变为最小。
通常，TMR 可以表示为： P P P P R R R R R TMR A P A A 12112+=-=∆=其中：RA 和RP 表示磁化反平行和平行时的磁电阻，P1和P2为两个铁磁电极的自旋极化率。
可以看出，只有P1和P2均不为零才能在磁隧道结中观察到磁电阻效应；两个磁电极的自旋极化率越大，TMR 值就越高。
计算发现，在铁磁体和绝缘体的界面处因绝缘体势垒的有限高度而强烈影响隧穿电子的自旋方向。
这表明，要得到大的TMR 值，除了构成磁隧道结的网个铁磁电极中的磁化可以在外磁场作用下任意改变方向以及磁电极的自旋极化率尽可能大外，还要求中间氧化层势垒必须足够高。
四．研究的热点由于铁磁金属难于发展具有放大功能的自旋晶体管，也难于实现自旋在外加电场下，材料中的自旋向上的电子和自旋向下上的电子由于各器件的集成制造和与传统微电子器件的一体化集成制造。
因此人们认为半自形成的磁场方向相反，会各自在材料的相反两边形成自旋积累，这就是导体是研究自旋电子器件集成化最好的材料，于是就形成了今天的半导体自旋霍尔效应（spinhalleffect简写为SHE）如图所示。
主要研究基本问题是如何实现半导体中电子自旋的极化注入、检测、输运以及自旋流的产生。
4.1 自旋电子的注入[9]制造自旋电子器件最关键的问题就是在不需要强磁场和室温情况下如何把自旋极化电子从磁性半导体注入到非磁性半导体内。
目前自旋电子的注入来源主要有稀磁半导体、铁磁半导体以及铁磁金属，采用的注入主要有五种：欧姆注入法；隧道结注入法，弹道电子自旋注入、热电子注实验上已经观察到自旋霍尔效应，实验上通过测量自旋积累来探测自入，此外用稀磁半导体也能向非磁半导体内注入自旋极化电子。
由于半导体表面是重掺杂，导致了自旋反转的散射和自旋极化率的下降。
因此欧姆注入法这种方法的自旋注入率很低。
研究表明：到目前为止，用欧姆注入法最好的报道为4.5%的自旋极化注入效率。
近期有人从Fe（001）通过Fe/ZeSe 界面形成的反偏压肖特基隧穿势垒注入到n型掺杂的Fe/ZeSe（001）中，自旋电子在n-ZeSe层输送300nm后进入GaSa复合，在温度为20k，100k时测得电子的自旋极化率分别为55%和54%，GaSa中电子自旋极化率在20-100kv范围内与温度无关。
从Fe薄膜经Al2O3遂穿势垒注入到si（001）中，在5k温度下si中电子自旋极化率下限为10%，估计值可达到30%，并且直到125k，si中的电子自旋极化率仍有较大值。