实验霍尔效应法测量磁场A

姓名 学院 班级 科目 电磁学实验 题目 霍尔效应法测量磁场 专业 组别 410

实验八 霍尔效应法测量磁场

【实验目的】

1．了解霍尔器件的工作特性。

2．掌握霍尔器件测量磁场的工作原理。 3．用霍尔器件测量长直螺线管的磁场分布。 4．考查一对共轴线圈的磁耦合度。 【实验仪器】

长直螺线管、亥姆霍兹线圈、霍尔效应测磁仪、霍尔传感器等。 【实验原理】

1．霍尔器件测量磁场的原理

图1 霍尔效应原理

如图1所示，有－N 型半导体材料制成的霍尔传感器，长为L ，宽为b ，厚为d ，其四

mA

× × × × ×

× × ×

× × × × × × × × × × × ×

F m F H

v e E

I

E H U H d b L

1

2 3 4

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个侧面各焊有一个电极1、2、3、4。将其放在如图所示的垂直磁场中，沿3、4两个侧面通以电流I ，则电子将沿负I 方向以速度运动，此电子将受到垂直方向磁场B 的洛仑兹力m e F ev B =⨯作用，造成电子在半导体薄片的1测积累过量的负电荷，2侧积累过量的正电荷。因此在薄片中产生了由2侧指向1侧的电场H E ，该电场对电子的作用力H H F eE =，与m e F ev B =⨯反向，当两种力相平衡时，便出现稳定状态，1、2两侧面将建立起稳定的电压H U ，此种效应为霍尔效应，由此而产生的电压叫霍尔电压H U ，1、2端输出的霍尔电压可由数显电压表测量并显示出来。 如果半导体中电流I 是稳定而均匀的，可以推导出H U 满足：

H H H IB

U R K IB d

=⋅

=⋅， 式中，H R 为霍耳系数，通常定义/H H K R d =，H K 称为灵敏度。

由H R 和H K 的定义可知，对于一给定的霍耳传感器，H R 和H K 有唯一确定的值，在电流I 不变的情况下，与B 有一一对应关系。

2．误差分析及改进措施

由于系统误差中影响最大的是不等势电势差，下面介绍一种方法可直接消除不等势电势差的影

响，不用多次改变B 、I 方向。如图2所示，将图2中电极2引线处焊上两个电极引线5、6，并在5、6间连接一可变电阻，其滑动端作为另一引出线2，

将线路完全接通后，可以调节滑动触头2，使数字电压表所测电压为零，这样就消除

U H

I

1

2

3

4

5

6

图2

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了1、2两引线间的不等势电势差，而且还可以测出不等势电势差的大小。本霍尔效应测磁仪的霍尔电压测量部分就采用了这种电路，使得整个实验过程变得较为容易操作，不过实验前要首先进行霍尔输出电压的调零，以消除霍尔器件的“不等位电势”。 在测量过程中，如果操作不当，使霍尔元件与螺线管磁场不垂直，或霍尔元件中电流与磁场不垂直，也会引入系统误差。

3．载流长直螺线管中的磁场

从电磁学中我们知道，螺线管是绕在圆柱面上的螺旋型线圈。对于密绕的螺线管来说，可以近似地看成是一系列园线圈并排起来组成的。如果其半径为R 、总长度为L ，单位长度的匝数为n ，并取螺线管的轴线为x 轴，其中心点O 为坐标原点，则

（1）对于无限长螺线管L →∞或L R >>的有限长螺线管，其轴线上的磁场是一个均匀磁场，且等于：

00B NI μ=

式中0μ——真空磁导率；N ——单位长度的线圈匝数；I ——线圈的励磁电流。

（2）对于半无限长螺线管的一端或有限长螺线管两端口的磁场为：

101

2

B NI μ=

即端口处磁感应强度为中部磁感应强度的一半，两者情况如图3所示。

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4．亥姆霍兹线圈及其耦合度

两个匝数相等、间距等于其半径，并通以同向、等值电流的共轴线圈，叫亥姆霍兹线圈，如图4所示。

下面，我们来研究亥姆霍兹线圈两圆心间轴线上的磁场。设图4中每个线圈为N 匝，两线圈间距为a ，取线圈轴线上距两线圈等距离的点O 为原点，轴线为x 轴，则在两线圈圆心1O 和2O 之间轴上任意一点P （其坐标为x ）到两线圈圆心的距离分别是2

a x ⎛⎫+ ⎪⎝⎭

和

L

2R

x

O

B

0B 012

B 图3

图4

I I

O 1 O 2 x

O P

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2a x ⎛⎫- ⎪⎝⎭

，两线圈在点产生的磁感应强度的大小分别是和： 2013

2

2

21

2

2NR I

B a R x μ=

⋅

⎡⎤⎛⎫++⎢⎥

⎪⎝⎭⎢⎥⎣⎦

,

2023

2

2

21

2

2NR I

B a R x μ=

⋅

⎡⎤⎛⎫+-⎢⎥

⎪⎝⎭⎢⎥⎣⎦

。

因1B 、2B 的方向相同，都在x 轴的正方向，所以点P 的总磁场为：

20123322222

211222NR I B B B a a R x R x μ⎧⎫⎪⎪

⎪⎪

⎪⎪

=+=⋅+⎨⎬⎪⎪⎡⎤⎡⎤⎛⎫⎛⎫⎪⎪+++-⎢⎥⎢⎥ ⎪ ⎪⎪⎝⎭⎝⎭⎪⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎣⎦⎩⎭

。 在点O 处，因0x =且a R =，所以：

3

2

004()0.7165NI

B O B R μ⎛⎫=⋅≈ ⎪⎝⎭

。

在1O 和2O 点的B 大小相等：

01203/21

1()()0.677222NI B O B O B R μ⎛⎫

==

⋅+≈ ⎪⋅⎝⎭

。 1O 和2O 点之间其它各点的值介于1()B O 和()B O 之间，可见在亥姆霍兹线圈轴线上，O 点

的磁场最强，O 和1O 之间的B 相对变化量不大于6%，磁场均匀性较好。在生产和科研中，当所需磁场不太强时，常用这种方法来产生较均匀的磁场。

从以上叙述来看，当两共轴线圈之间的间距等于线圈的半径时，将构成亥姆霍兹线圈，从而可以得到场强不太强的均匀磁场，但当这一对共轴线圈的间距不等于半径时，其轴线上的磁场分布将随着距离的改变而改变，可呈现出如图5的a 、b 、c 所示的欠耦