2012模电习题和答案1资料
模拟电子技术习题答案(1)
模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
模电复习资料及部分答案(终极版)
12．在下列组态的放大电路中，若要求输出电阻低，应选（B）
A．共射组态B．共集组C．Fra bibliotek基组态D．共源组态
13．若要求放大电路输入电阻高，且稳定输出电压，在放大电路中应引入的负反馈类型为（C）
A．电流串联B．电流并联C．电压串联D．电压并联
A．变宽B．变窄C．不变D．不能确定
9．理想二极管构成的电路如题2图，其输出电压u0为（）
A．-10VB．-6VC．-4VD．0V
10．NPN型三级管，处在饱和状态时是（B）
A．UBE<0,UBC<0B．UBE>0,UBC>0C．UBE>0,UBC<0D．UBE<0,UBC>0
11．某放大状态的三极管，测得各管脚电位为：①脚电位U1=2.3V，②脚电位U2=3V，③脚电位U3=-9V，则可判定（D）
4．用一个集成运放设计一个电路，满足u0=-3ui1-7ui2的关系，要求电路的最大输入电阻为40K。
(1)画出设计的电路图；
(2)计算电路的输入电阻R1和R2及反馈电阻RF。
相似题：
答案：
5．稳压管稳压电路如图所示。已知稳压管稳压值为VZ=7V，稳定电流范围为IZ=5～20mA，额定功率为200mW，限流电阻R=600 。试求：
C．截止状态D．不确定状态
4．测得某放大状态的晶体三极管，各管脚的电位如题4图所示，则可判定该管为(B)
A．PNP型管，①是e极B．PNP型管，③是e极
C．NPN型管，①是e极D．NPN型管，②是e极
5．下列基本放大电路中，有电压放大作用无电流放大作用的是(C)
A．共射极放大电路B．共集电极放大电路
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
2012模电综合复习题(只有部分答案)
2012《模拟电子技术》复习题1、用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，如题图1示，试判断这些晶体管分别处于哪种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏）？答：题图1所示的各个三极管的工作状态，图（a ）为损坏， 图（b ）为放大， 图（c ）为放大， 图（d ）为截止， 图（e ）为损坏，图（f ）为饱和（或B 、C 极间击穿）。
2、 放大电路如题 图2所示，对于射极电阻e R 的变化是否会影响电压放大倍数v A 和输入电阻i R 的问题，有三种不同看法，指出哪一种是正确的？甲：当e R 增大时，负反馈增强，因此↓v A 、↑i R 。
（ ） 乙：当e R 增大时，静态电流C I 减小，因此↓v A 、↑i R 。
（ ）丙：因电容e C ，对交流有旁路作用，所以e R 的变化对交流量不会有丝毫影响，因此，当e R 增大时，v A 和i R 均无变化。
题图 1题图2解：本题意在我们要搞清e R ，在分压式电流负反馈偏置电路中的作用，从表面看，e R 被e C 交流旁路了，对交流量无影响（即不产生交流负反馈），所以e R 的变化不影响u A 和i R ，这是本题容易使我们产生错觉的地方。
但我们还必须进一步考虑，尽管e R 不产生交流负反馈，但它对放大器的静态工作点的影响是很大的，既然影响到CQ I ，就影响到be r 进而影响u A 和i R 。
甲的说法是错误的，原因：因e C 的旁路作用，所以e R 不产生交流负反馈，所以甲的观点前提就是错的。
乙的说法是正确的。
原因：;)(↓↑→↓→↑→u be EQ CQ e A r I I R↑∴=↑i be b i be R r R R r ,//,丙的说法是错误的，原因：正如解题分析中所说，尽管e R 不产生交流负反馈，但e R 增大使EQEQ ，II 减小的减小必然引起u A 减小和i R 的增加。
3、一个如图3（a ）所示的共发射极放大电路中的晶体管具有如题图（b ）的输出特性，静态工作点Q 和直流负载线已在图上标出（不包含加粗线）。
(完整版)模电复习2012(含答案)
填空题1.在本征半导体中，自由电子浓度等于空穴浓度；2.在本征半导体中加入5价元素，形成N型半导体，在这种半导体中，自由电子浓度大于空穴浓度；3.在本征半导体中加入3价元素，形成P 型半导体，在这种半导体中，自由电子浓度小于空穴浓度；4.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度，少数载流子的浓度则取决于温度的因素；5.PN结正向偏置时，P型半导体应该接电源的正极，N型半导体应该接电源的负极；6.在PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄；在PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽；7.稳压管稳压工作时，应该工作在PN结的反向工作区，即P型半导体应该接电源的负极，N型半导体应该接电源的正极，且其工作电压必须大于稳压管的稳压值；8.双极性晶体管从结构上看可以分为PNP型和NPN型两种类型；场效应管从结构上看可以分为结型和绝缘栅型两大类型；场效应管从导电沟道上看可以有P沟道和N沟道；每一种沟道又分为增强型和耗尽型型；9.双极性三极管在放大区工作时，必须满足发射结正向偏置、集电结反向偏置；10.对于一个PNP型三极管，如果要能不失真的放大信号，发射极、基极和集电极三个电极的电位应满足V e>Vb>Vc条件；11.场效应管属于电压控制电流源控制型器件，双极性三极管在用小信号等效电路分析时，可以近似看作为电流控制电流源控制型器件；12.在三种双极性三极管的基本电路中，输入电阻最大的是共集放大电路，最小的是共基放大电路；输出电阻最小的是共集放大电路；同相放大信号的有共集放大电路和共基放大电路，反相放大的有共射放大电路；13.由NPN型三极管组成的共射放大电路，如果在输出信号的顶部出现失真波形，则是截止失真，若由PNP型三极管组成共射放大电路，在输出信号的顶部出现失真波形，则是饱和失真；14.U GS＝0V时，结型的场效应管的导电沟道已经存在，而增强型型的场效应管则不存在导电沟道；15.在多级放大电路中，前一级的输出电阻可以作为下一级的信号源内阻，下一级的输入电阻可以作为前一级的负载电阻；16.放大电路的输入电阻影响其提取信号的能力，输出电阻影响其带负载的能力；17.有两个放大倍数相同、输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，接上同一个信号源，在负载开路的情况下，测出A的输出电压小于B的输出电压，则A的输入电阻小于B的输入电阻；18.差分放大电路的功能是放大差模信号，抑制共模信号；19.如果差分放大电路的两个输入信号分别是V i1和V i2，那么差模信号V id=V i1- V i2，共模型号V ic=（V i1+V i2）/2 ；20. 长尾差分放大电路中用恒流源代替发射极电阻R e ，是为了减小电路的 共模放大倍数，提高电路的 共模抑制比 ；21. 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 减小温漂 ；22. 直流负反馈是指存在于 直流 通路的负反馈，其主要功能是稳定 静态工作点 ；交流负反馈是指存在于 交流 通路的负反馈，它可以改善放大电路的 交流性能 指标； 23. 为了提高放大电路的输入电阻，则可以引入 串联 负反馈；若要稳定输出电压，则可引入 电压 负反馈；若要减小输出电阻，则可引入 电压 负反馈；若要稳定输出电流，则可引入 电流 负反馈；若要减小输入电阻，则可引入并联 负反馈；24. 欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入 电压并联负反馈 ；25. 欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入电流串联负反馈 ； 26. 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入电压串联负反馈 ； 27. 欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入电流并联负反馈 ；28. 甲类功放电路三极管的导通角是 360° ，乙类功放电路三极管的导通角是 180° ，甲乙类功放电路三极管的导通角是 大于180°小于360° ；29. 功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大 交流功率 ；30. 乙类功放中的交越失真是在输入信号的 过零点 附近产生的，产生的原因是在输入信号为零时，三极管没有合适的 静态工作点 ；31. 在信号运算与处理电路中，集成运算放大器都是工作在 线性工作 区；并且都可以应用 虚短 和 虚断 的概念分析解决问题。
模电习题（含答案）
模电习题（含答案）1. _⾮常纯净的单晶体结构的半导体_ 称本征半导体。
2. 杂质半导体分_N _型半导体和_P _型半导体，前者中多数载流⼦是_⾃由电⼦_，少数载流⼦是_空⽳_，后者中多数载流⼦是_空⽳_，少数载流⼦是_⾃由电⼦_。
3. 本征硅中若掺⼊5价元素的元素，则多数载流⼦应是_⾃由电⼦_，掺杂越多，则其数量⼀定越_多_，相反，少数载流⼦应是_空⽳_，掺杂越多，则其数量⼀定越_少_。
4. P 区侧应带_负电_，N 曲⼀侧应带_正电_。
空间电荷区内的电场称为_内电场_，其⽅向从_N 区_指向_P 区_。
5. 在PN 结两侧外加直流电压，正端与P 区相连，负端与N 区相连，这种接法称之为PN 结的_正向_偏置。
6. 半导体三极管的输⼊特性曲线与⼆极管的正向特性相似，⽽输出特性曲线可以划分为三个⼯作区域，它们是_截⽌_区、_饱和_区和_放⼤_区。
7. 温度变化对半导体三极管的参数有影响，当温度升⾼时，半导体三极管的β值_增⼤_，ICBO 值_增⼤_，UBE 值_减⼩_。
8. 半导体三极管能够放⼤信号，除了内部结构和⼯艺特点满⾜要求外，还必须具备的外部⼯作条件是_发射结正偏、集电结反偏_。
9. ⼯作在放⼤区的某晶体管，当IB 从20微安增⼤到40微安时，Ic 从2毫安变为4毫安，它的β值约为_100_。
10. 半导体三极管的三个极限参数是_CM I _、_CEO RB U )(_、_CM P _。
11. NPN 型硅三极管处于放⼤状态时，在三个电极电位中，其电位⾼低关系为_E B C U U U >>_；基极和发射极电位之差约等于_0.7V _ 。
12. 半导体三极管从结构上分可以分为_PNP _型和_NPN _型两⼤类，他们⼯作时有_⾃由电⼦_、_空⽳_两种载流⼦参与导电。
13. 在⽤万⽤表测量⼆极管的过程中，如果测得⼆极管的正反向电阻都为0Ω，说明该⼆极管内部已_击穿_；如果所测得的正反向电阻都为⽆穷，说明该⼆极管已_断路损坏_。
2012模电习题和答案1
2012模电习题和答案1《模拟电子技术实践》课程习题答案一、填空题1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。
是从射极输出，所以简称射极跟随器。
2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。
3、在三极管的输出特性曲线中，当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。
4E，V C=8V，V B=3.7V，则该管是NPN、处于放大状态。
5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。
6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。
7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。
8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。
9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1 V；硅管约为0.5 V。
10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。
11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。
集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。
12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。
13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大，共模抑制比K CMR为无穷大，差模输入电阻为无穷大。
14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值U O=0.9U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。
滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。
15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。
《模拟电子技术》习题及答案
《模拟电了技术》习题1一、 图１所示电路中，在下述条件下，判断二极管的导通情况。
（10分） （1） V CC1=6V ，V CC2=6V ，R 1=2k Ω，R 2=3k Ω （2） V CC1=6V ，V CC2=6V ，R 1=R 2=3k Ω （3） V CC1=6V ，V CC2=6V ，R 1=3k Ω，R 2=2k Ω 通解：（1）二极管导通 （2）二极管零通 （3）二极管反偏二、放大电路中，三极管3个电极的电位为下列各组数值： （1）5V 1.2V 0.5V （2）6V 5.8V 1V （3）9V 8.3V 2V （4）-8V -0.2V 0V试确定各电位对应的电极和三极管的类型。
（10分） 解：（1）C ，B ，E ；Si 管，NPN 型 （2）E ，B ，C ；Ge 管，PNP 型 （3）E ，B ，C ；Si 管，PNP 型 （4）C ，B ，E ；Ge 管，PNP 型图1RV三、图2所示电路，已知三极管的β＝50，0.7BE U =Ｖ， r be =1.25 k Ω，12V CC V =。
试计算：（20分） 1． 电路的静态工作点Q ； 2． 电压放大倍数u A3． 输入电阻i R 、输出电阻o R解：1. 电路静态工作点根据电路的直流通路，可得基极偏置电流I BQ ，即有120.728(1)200514cc BE BQ b e V U I A R R μβ--===+++⨯5028 1.412 1.44 6.4CQ BQ CEQ CC e EQ I I mA U V R I Vβ==⨯==-=-⨯=２．电压放大倍数0(1)51460.99(1) 1.255146e L u i be e L U R R A U r R R ββ+⨯====+++⨯３．输入电阻、输出电阻200[1.255146]761.2510200422151i be s b o eR k r R R R R β=+⨯=Ω++==≈Ω+6k ΩR R L四、反馈电路如图3所示，为达到下述2种效果，应该引入什么反馈？标明反馈支路的路径。
模拟电子技术试题库(附参考答案)
模拟电子技术试题库（附参考答案）一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.低频小信号放大电路中，输入、输出具有反相关系的放大电路是（）A、共射放大电路B、共基放大电路C、共漏放大电路D、共集放大电路正确答案：A2.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）A、错B、对 :正确答案：A3.共射组态的放大电路，如果输出波形出现下削波，一定发生了截止失真。
（）A、对 :B、错正确答案：B4.共发射极放大电路的反馈元件是( )。
A、电阻RB;B、电阻RE;C、电阻RC。
正确答案：B5.射极输出器的特点是 ( )A、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻小、输入电阻大B、只有电压放大而没有电流放大,输出电阻小、输入电阻大C、既有电流放大也有电压放大,输出电阻小、输入电阻大D、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻大、输入电阻小正确答案：A6.若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素，就可生成多子为自由电子的N型半导体。
A、正确 ;B、错误正确答案：A7.当信号频率等于放大电路的上限频率时,放大倍数的值约下降到中频时的( )A、0.4B、0.9C、0.5D、0.707正确答案：D8.若使晶体三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结反偏、集电结正偏。
B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结正偏、集电结正偏；正确答案：C9.虚短”就是两点并不真正短接，但具有相等的电位。
（）A、错B、对 :正确答案：B10.分压式偏置的共射放大电路，若VB点电位偏高，电路易出现（）。
A、截止失真B、饱和失真C、交越失真D、不会失真正确答案：B11.“虚短”和“虚断”两个重要概念，无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。
A、正确 ;B、错误正确答案：B12.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现( )。
A、饱和失真B、截止失真C、晶体管被烧损正确答案：A13.正弦电流经过二极管整流后的波形为( )。
模电基础试题及答案
模电基础试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间，这种材料被称为：A. 导体B. 绝缘体C. 半导体D. 超导体答案：C2. 在PN结中，正向偏置时，电流主要由哪种载流子通过？A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 离子答案：C3. 下列哪个元件不是基本的模拟电路元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 逻辑门答案：D4. 运算放大器的理想工作条件是：A. 单电源供电B. 双电源供电C. 无电源供电D. 任意电源供电答案：B5. 共发射极放大电路中，输出信号与输入信号的相位关系是：A. 同相B. 反相C. 无关系D. 相位差90度答案：B6. 晶体三极管的放大作用是通过控制哪个极的电流来实现的？A. 发射极B. 基极C. 集电极D. 任何极答案：B7. 在模拟电路中，通常使用哪种类型的反馈来提高电路的稳定性？A. 正反馈B. 负反馈C. 无反馈D. 混合反馈答案：B8. 场效应管（FET）的主要优点之一是：A. 高输入阻抗B. 低输入阻抗C. 高输出阻抗D. 低输出阻抗答案：A9. 理想运算放大器的输入阻抗是：A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C10. 串联负反馈可以导致放大电路的：A. 增益增加B. 增益减少C. 带宽增加D. 带宽减少答案：B二、填空题（每空1分，共10分）1. 半导体二极管的主要特性是______，即正向导通，反向截止。
答案：单向导电性2. 在共基极放大电路中，输入信号与输出信号的相位关系是______。
答案：同相3. 运算放大器的开环增益通常在______以上。
答案：100000（或10^5）4. 场效应管的控制方式是______控制，而双极型晶体管的控制方式是______控制。
答案：电压；电流5. 理想运算放大器的输出电压与输入电压之间的关系是______。
答案：输出电压远大于输入电压三、简答题（每题5分，共10分）1. 简述晶体三极管的三种基本放大电路及其特点。
模拟电子技术课后习题及答案
模拟电⼦技术课后习题及答案第⼀章常⽤半导体器件⾃测题⼀、判断下列说法是否正确，⽤“√”和“×”表⽰判断结果填⼊空内。
（1）在N 型半导体中掺⼊⾜够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。
（）（2）因为N 型半导体的多⼦是⾃由电⼦，所以它带负电。
（）（3）PN 结在⽆光照、⽆外加电压时，结电流为零。
（）（4）处于放⼤状态的晶体管，集电极电流是多⼦漂移运动形成的。
（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS ⼤的特点。
（）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS ⼤于零，则其输⼊电阻会明显变⼩。
（）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×⼆、选择正确答案填⼊空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设⼆极管的端电压为U ，则⼆极管的电流⽅程是。
A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S －TU U I（3）稳压管的稳压区是其⼯作在。
A. 正向导通B.反向截⽌C.反向击穿（4）当晶体管⼯作在放⼤区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS＝0V时，能够⼯作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝。
解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最⼩值I Zmin＝5mA。
求图所⽰电路中U O1和U O2各为多少伏。
解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图所⽰，其集电极最⼤耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。
2012年模拟电子技术第五章 集成运算放大电路及其应用练习题(含答案)
第五章集成运算放大电路及其应用【教学要求】本章主要叙述了集成运放内部电路的组成及作用；讨论了电流源电路、差分放大器等单元电路；同时介绍了集成运放的理想化条件及它的三种基本电路和运算、集成运放的应用电路及其特点和集成运放的非线性应用；教学内容、要求和重点如表5.1。
表5.1 教学内容、要求和重点【例题分析与解答】【例题5-1】差动放大器如图5-1所示。
已知三极管的β1=β2=50，β3=80，r bb’=100Ω，U BE1=U BE2=0.7V，U BE3=－0.2V，V CC=12V。
当输入信号U i=0时，测得输出U o=0。
1：估算T1、T2管的工作电流I c1、I c2和电阻R e的大小。
2：当U i=10mV时，估算输出U o的值图5-1解：1：由电路可知，当U i =0时，要保证U o =0V ，则电阻R e3上压降应为12V ，，由此可求得3c I ：mA R U U I e cc o c 11212)(33==--=，T 3管的设计电流3E I 为：33c E I I ≈，而T 2管集电极电阻R c2上的压降2C R U 可近似为：V U R I U EB e E R C 2.32.0313332=+⨯=+⋅≈。
于是T 1、T 2管的集电极电流1C I 、2C I 为：)(32.0102.32212mA R U I I C RR C C C ====。
射极电阻R e 上的电流e R I 为：)(64.021mA I I I C C R e=+=。
若设T 1管基极电位U B1=0V ，则U E1=－0.7V ，射极电阻R e 为：)(7.1764.0127.0)(1Ω=+-=--=K I U U R e R CC E e2：U i =10mA 时，U o 的大小：由于电路的结构为单入、单出型，故将T 3管构成的后级电路输入电阻R i2作为差放级的负载考虑，其电压放大倍数A u1为：)(2)//(12211be b i c u r R R R A +=β；其中： )(24.432.026)501(1001Ω=⨯++=K r be ，3332)1(e be i R r R β++=； 而3be r 为： )(2.2126)801(1003Ω=⨯++=K r be ； 所以： )(2453)801(2.22Ω=⨯++=K R i电压放大倍数为：8.45)24.41(2)245//10(501=+⨯⨯=u AT3管构成的后级放大电路的电压放大倍数2u A 为：9.33812.21280)1(333332-=⨯=⨯-=++-=e be c u R r R A ββ当输入U i =10mA 时，电路输出电压U o 为：)(8.110)9.3(8.4521V U A A U i u u o -=⨯-⨯=⋅⋅=【例5-2】图5-2给出了采用两级运放电路实现的差分比例运算电路。
(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全
第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。
（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
（×）（3）线性电路一定是模拟电路。
（√）（4）模拟电路一定是线性电路。
（×）（5）放大器一定是线性电路。
（√）（6）线性电路一定是放大器。
（×）（7）放大器是有源的线性网络。
（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。
（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。
（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。
（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。
（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。
（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。
（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。
（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。
（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。
（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。
（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。
（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。
3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。
模电试题库和答案解析
模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1一、习题（满分100分）1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。
（）2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。
（）3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。
（）4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。
（）5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。
（）6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。
（）7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。
（）8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。
（）9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。
（）10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。
（）11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。
A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B.空穴增多，自由电子数目不变C.自由电子增多，空穴不变D.自由电子和空穴数目都不变12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。
A.阻当层不变，反向电流基本不变B.阻当层变厚，反向电流基本不变C.阻当层变窄，反向电流增大D.阻当层变厚，反向电流减小一、习题（满分100分）1.N型半导体（）。
A.带正电B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。
A.正常B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。
A.正向偏置时导通，反向偏置时截止B.反向偏置时无电流流过二极管C.反向击穿后立即烧毁D.导通时可等效为一线性电阻4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。
A.0.03mA 流出三极管e、c、bB.0.03mA 流进三极管e、c、bC.0.03mA 流出三极管c、e、bD.0.03mA 流进三极管c、e、b5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。
《模电》复习(有答案)
03
02
01
模拟电路的基本概念
模拟电路的基本元件
电阻是模拟电路中最基本的元件之一，用于限制电流和电压。
电容是能够存储电荷的元件，具有隔直流通交流的特性。
电感是能够存储磁能的元件，具有阻抗交流的作用。
二极管是单向导电的元件，常用于整流、开关等电路中。
04
电源：为电路提供稳定的直流或交流电源。
实验设备与仪器
实验准备
熟悉实验原理、目的、步骤和注意事项，准备好所需的仪器和元件。
电路搭建
根据实验要求，使用适当的电子元件搭建模拟电路。
参数测量
使用示波器等测量仪器，记录实验数据，观察信号波形。
结果分析
对实验数据进行分析，得出结论，并与理论值进行比较。
实验方法与步骤
发射机与接收机
通过模拟电路实现信号的调制和解调，如调频、调相和调幅等，以适应不同的通信信道。
调制解调技术
模拟电路用于信号处理和控制，如音频、视频信号的处理和通信系统的控制。
信号处理与控制
通信系统
模拟电路用于构建模拟控制器，实现对系统的连续控制和调节。
模拟控制器
模拟电路用于连接传感器和执行器，实现系统输入与输出的转换和控制。
详细描述
反馈放大电路的性能指标主要包括增益、带宽和稳定性等。
总结词
增益表示反馈放大电路的放大能力，与开环增益和反馈系数有关；带宽表示反馈放大电路能够正常工作的频率范围；稳定性则表示反馈放大电路对外部干扰和内部参数变化的敏感程度。
详细描述
反馈放大电路
总结词
集成运算放大器是一种高性能的模拟集成电路，具有高带宽、低噪声、低失真等特点。
模拟电子技术课后习题及答案
模拟电子技术课后习题及答案1(总18页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S －TU U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。
解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U和O1U各O2为多少伏。
模电试题及答案1-2
模电试题及答案1-2《模拟电⼦技术》复习题综合（第1、2章）选择题1、在本征半导体中掺⼊微量的 D 价元素，形成N型半导体。
2、在P型半导体中，⾃由电⼦浓度 C 空⽳浓度。
A.⼤于3、本征半导体温度升⾼以后，__C_。
A.⾃由电⼦增多，空⽳数基本不变A.⼆B.三C.四D五B.等于C.⼩于C.⾃由电⼦数和空⽳数都增多，且数⽬相同4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电⼦5、PN结加正向电压时，空间电荷区将A.变窄B.基本不变6、稳压管的稳压区是其⼯作在B.空⽳数增多，⾃由电⼦数基本不变D.⾃由电⼦数和空⽳数都不变B.空⽳C.离⼦D.分⼦AC.变宽。
A.正向导通D.⽆法确定B.反向截⽌B 。
C.反向击穿7、当晶体管⼯作在放⼤区时，发射结电压和集电结电压应为A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏D.前者反偏、后者正偏&当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将_A—。
A.增⼤ B.不变C.减⼩ D.都有可能9、⼯作在放⼤区的某三极管，如果当I B从12⼙A增⼤到22⼙A时，lc从1mA变为2mA，那么它的⼙约为 C 。
A. 83 B. 91 C. 100 D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流 B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流11、在正常放⼤的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所⽰，图1为试判断管⼦的类型和材料。
C.NPN锗管D.PNP锗管A.NPN硅管B.PNP硅管12、场效应管是D_ 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放⼤电路中，基极电阻R b的作⽤是 A 。
A. 限制基极电流，使晶体管⼯作在放⼤区，并防⽌输⼊信号短路B. 把基极电流的变化转化为输⼊电D.防⽌输出电压被短路14、基本共射放⼤电路中，集电极电阻R c的作⽤是-B_A.限制集电极电流的⼤⼩B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量C.防⽌信号源被短路D.保护直流电压源E C15、基本共射放⼤电路中，输⼊正弦信号，现⽤⽰波器观察输出电压的波形，⼆者相位 A 。
模拟电子技术（模电课后习题含标准答案）（第三版）
模拟电⼦技术（模电课后习题含标准答案）（第三版）第1章常⽤半导体器件1.1选择合适答案填⼊空内。
(l)在本征半导体中加⼊( A )元素可形成N 型半导体，加⼊( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增⼤ B.不变 C.减⼩(3)⼯作在放⼤区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增⼤到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增⼤；B.不变；C.减⼩ 1.3电路如图P1.2 所⽰，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设⼆极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所⽰。
1.4电路如图P1.3所⽰，已知t u i ωsin 5=(V )，⼆极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
1.6电路如图P1.4所⽰, ⼆极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问⼆极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：⼆极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到⼏种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则⼜可得到⼏种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管⼦都正接。
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《模拟电子技术实践》课程习题答案一、填空题1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。
是从射极输出，所以简称射极跟随器。
2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。
3、在三极管的输出特性曲线中，当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。
4E，V C=8V，V B=3.7V，则该管是NPN、处于放大状态。
5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。
6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。
7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。
8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。
9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1 V；硅管约为0.5 V。
10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。
11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。
集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。
12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。
13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大，共模抑制比K CMR为无穷大，差模输入电阻为无穷大。
14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值U O=0.9U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。
滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。
15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。
16、理想乙类互补功率放大电路的效率为78.5%，理想甲类功率放大器的效率为50% 。
17、如希望减小放大电路从信号源索取电流，则可采用B；如希望负载变化时输出电流稳定，应引入D；如希望动态输出电阻要小，应引入A；（A 电压负反馈；B 并联负反馈；C 串联负反馈；D电流负反馈）。
18、在图示电路中，已知开环电压放大倍数Au=10000，若需要Auf =100，则电路的负反馈系数F为0.01。
19、多级放大器耦合的方式有阻容耦合、变压器耦合、直接耦合；集成运算放大器是一种直接耦合耦合放大器。
20、多级放大器与单级放大器相比，电压放大倍数较大；通频带较窄；21、能使输入电阻提高的负反馈是C；能使输入电阻降低的负反馈是D；能使输出电阻提高的负反馈是B；能使输出电阻降低的负反馈是A；（A 电压负反馈；B 电流负反馈：C 串联负反馈：D 并联负反馈）22、电压串联负反馈能稳定输出A ，并能使输入电阻D；电压并联负反馈能稳定输出A ，并能使输入电阻C ；电流并联负反馈能稳定输出B ，并能使输入电阻C ；电流串联负反馈能稳定输出B ，并能使输入电阻 D 。
（A 电压； B 电流； C 减小； D 增大）23、输出功率为200W 的扩音电路，采用甲乙类功放，则应选用功放管的P V T ≧D 。
（A 200W ； B 100W ； C 50W ； D 40W ）24、OTL 输出耦合电容的作用是B 。
（A 隔直耦合； B 相当于提供负电源；C 对地旁路）25、当差动放大器两边的电压分别为U i1=-5mV 、 U i2=3mV 时，输入信号中的差摸分量为8 mV ，共摸分量为-1 mV 。
26、信号放大电路主要研究的指标是输入电阻、输出电阻、电压放大倍数；27、功率放大电路主要研究的指标是输出功率、管耗、效率、电源提供功率。
28、反相比例运算电路属于电压并联负反馈电路，同相比例运算电路属于电压串联负反馈电路。
29、集成运放可以构成模拟加法、减法、微分、积分等数学运算电路。
30、半导体中有电子和空穴两种载流子。
N 型半导体中的少数载流子是空穴，多数载流子是电子。
P 型半导体中的少数载流子是电子，多数载流子是空穴。
31、硅管的导通电压比锗管大，反向电流比锗管小，温度稳定性比锗管好。
32、整流滤波后输出的直流电压不稳定的主要原因是电源电压波动和负载变化。
33、电容滤波适用于小电流场合；而电感滤波适用于大小电流场合。
34、当放大器整个信号周期内都处于放大状态时称为甲类放大；只有半个周期处于放大状态时称为乙类放大；而不满一个周期，但大于半个周期处于放大状态时称为甲乙类放大。
35、三极管有三个电极，分别是基极、集电极、发射极_。
36、某深度负反馈的开环放大倍数为1000，反馈系数为0.1，则负反馈放大器的闭环放大倍数为1000/101，反馈深度为101。
37、二极管当正向电压超过U VD 后，二极管开始导通。
正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为0.7V ，锗管约为0.3 V 。
38、晶体三极管是电流控制型器件，是双极型器件。
场效应管是电压控制型器件，是单极型器件。
39、晶体三极管工作在放大区时，关系式I C =βI B 才成立；当三极管工作在截止区时，I C ≈0；当三极管工作在饱和区时，V CE ≈0。
40、场效应晶体管的输出特性曲线是指在V GS 一定的条件下，u DS 和i D 之间的关系。
可分成四个区域，即恒流区、可变电阻区、击穿区和夹断区。
41、晶体三极管放大器中，当输入信号一定时，静态工作点设置太低，将容易产生截止失真；静态工作点设置太高，将容易产生饱和失真。
当输入信号较大时，为避免上述失真，静态工作点应选择在负载线的中点。
42、能使放大工作点稳定的偏置电路是分压式偏置电路。
43、在放大器的频率特性曲线中，低频段放大倍数随频率的下降而下降，原因是耦合电容和旁路电容的存在，高频段放大倍数随频率的升高而下降_，原因是半导体管极间电容和分布电容的存在。
44、直流负反馈的作用是稳定静态直流工作点；交流负反馈能改变放大器的性能，例如：电压串联负反馈能使放大倍数下降，通频带变宽，使放大器的输入电阻变宽，输出电阻变大。
45、正弦波振荡器一般由_选频网路_、正反馈网路、_放大电路 和__稳幅环节 四个部分组成。
46、LC 选频回路的振荡频率的计算公式为_LCf π210=______，RC 串并联选频回路的振荡频率的计算公式为__RCf π210=________。
47、振荡器要正常工作，需满足 相位平衡 条件和 幅值平衡 条件。
二、判断题：1、（× ）多级放大器的通频带比单级放大器的通频带宽。
2、（× ）功率放大器有功率放大作用，无电压放大作用。
3、（√ ）在三极管放大电路中，为了稳定直流工作点可引入直流负反馈。
4、（× ）OCL 直流放大器只能放大直流信号，不能放大交流信号。
5、（√ ）三极管有放大、饱和、截止三种工作状态。
在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和或截止两种状态下。
6、（× ）差动放大器只有一个信号输入端，有两个信号输出端。
7、（× ）在功率放大电路中，输出功率最大时，功率管的消耗功率最大。
8、（× ）在深度负反馈的条件下，闭环放大倍数AF ≈1/F ，它与反馈网络有关，而与放大器开环放大倍数A 无关，故可以省去放大通路，仅留下反馈网络，来获得稳定的放大倍数。
9、（× ）由于负反馈能展宽频带，所以只要负反馈足够深，就可以用低频管来代替高频管组成放大电路来放大高频信号。
10、（× ）同相输入比例运算放大器是一种电压并联负反馈放大器。
11、（× ）互补对称功放在工作时总有一只功放管是截止的，所以输出波形必然失真。
12、（√ ）为了使功率放大器有足够高的输出功率，功放三极管往往工作在极限状态。
13、（√ ）结型场效应管的漏极、源极可调换使用。
14、（× ）在功率放大器中，静态电流越大，电路效率越高。
15、（√ ）直流负反馈可以稳定电路的静态工作点，交流负反馈可以改善放大器的动态性能。
16、（√ ）放大电路中的负反馈将削弱净输入信号。
17、（× ）电容具有“通直隔交”的作用。
18、（× ）稳压管不是二极管。
19、（× ）在放大电路中，若静态工作点选的过高，则容易产生截止失真。
20、（× ）引入负反馈不会降低放大电路的放大倍数。
21、（√ ）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
22、（× ）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
23、（√ ）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
24、（√ ）阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，它只能放大交流信号。
25、（× ）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
26、（× ）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
27、（× ）当OCL 电路的最大输出功率为1W 时，功放管的集电极最大耗散功率应大于1W 。
28、（× ）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
29、（× ）只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。
30、（× ）既然电流负反馈稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。
31、（× ）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
32、（× ）若U2为电源变压器副边电压的有效值，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时的输出电压均为22U。
33、（√ ）电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
34、（× ）放大器具有正反馈时，电路必然产生自激振荡。
35、（× ）在正弦波振荡电路中，只允许存在正反馈，不允许引入负反馈。
36、（× ）自激振荡器中如没有选频网络，就不可能产生正弦波振荡。
37、（√ ）从电路结构上看，正弦波振荡器是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器。
三、选择题：1、对三极管放大作用的实质，下列说法正确的是（A ）。
A 三极管可以用较小的电流控制较大的电流；B 三极管可以把小电流放大成大电流；C 三极管可以把小电压放大成大电压；D 三极管可以把小能量放大成大能量。
2、用指针式万用表的R×10和R×1K档分别测量一个整流二极管的正向电阻，二次测试结果是（B ）A：相同；B：R×10 档的测试值小；C：R×1K档的测试值小3、在放大电路中，为了稳定静态工作点可以引入（A ）；若要稳定放大倍数可以引入（B ）；某些场合为了提高放大倍数可以适当引入（ C ）。