归纳SOP封装工艺流程介绍.pptx
合集下载
SOP标准化讲解ppt课件
SOP （标准操作程序）
SOP就是将某一事件的标准操作步骤和要求以统一的格式描述出来，用来指导和规范日常的工 作。
所谓标准，是经过不断实践总结出来的在当前条件下可以实现的最优化的操作程序设计。 是尽可能地将相关操作步骤进行细化，量化和优化，细化，量化和优化的度就是在正常条件下 大家都能理解又不会产生歧义。 SOP不是单个的，是一个体系，虽然我们可以单独地定义每一个SOP，但真正从企业管理来看， SOP不可能只是单个的，必然是一个整体和体系，也是企业不可或缺的。
1）套用公司模板，制定 SOP。 2）文字外可增加一些图 片或其他图例 3）发现问题并优化改进
3、制定SOP
1）SOP制定后， 严格按标准执行； 2）时间会检验标准
4、执行操作
怎么制定SOP
1、明确职责 明确职责：包括负责者、制定者、审定者、批准者。
2、格式 每页SOP页眉处注明“标准操作规程”字样； 制定SOP单位全称； 反映SOP属性的编码、总页数、所在页码； 准确反映该项目SOP的具体题目和主题的关键词；
余世维： 一个公司要有两本书： 一本书是红皮书，是公司的策略，即作战指导纲领； 另一本书是蓝皮书，即SOP，标准作业程序，而且这个标准作业程序一定是要做到细化和量化。
第1页
怎么做SOP？
SOP （标准操作程序）
1、确定流程
主流程图 子流程图 程序 控制点
2、明确步骤
1）确定每一个需要做 SOP的工作的执行步骤 2）执行步骤统一的标 准
什么是sopsop标准操作程序sop就是将某一事件的标准操作步骤和要求以统一的格式描述出来用来指导和规范日常的工所谓标准是经过不断实践总结出来的在当前条件下可以实现的最优化的操作程序设计
程序化、流程化、规范化
SOP就是将某一事件的标准操作步骤和要求以统一的格式描述出来，用来指导和规范日常的工 作。
所谓标准，是经过不断实践总结出来的在当前条件下可以实现的最优化的操作程序设计。 是尽可能地将相关操作步骤进行细化，量化和优化，细化，量化和优化的度就是在正常条件下 大家都能理解又不会产生歧义。 SOP不是单个的，是一个体系，虽然我们可以单独地定义每一个SOP，但真正从企业管理来看， SOP不可能只是单个的，必然是一个整体和体系，也是企业不可或缺的。
1）套用公司模板，制定 SOP。 2）文字外可增加一些图 片或其他图例 3）发现问题并优化改进
3、制定SOP
1）SOP制定后， 严格按标准执行； 2）时间会检验标准
4、执行操作
怎么制定SOP
1、明确职责 明确职责：包括负责者、制定者、审定者、批准者。
2、格式 每页SOP页眉处注明“标准操作规程”字样； 制定SOP单位全称； 反映SOP属性的编码、总页数、所在页码； 准确反映该项目SOP的具体题目和主题的关键词；
余世维： 一个公司要有两本书： 一本书是红皮书，是公司的策略，即作战指导纲领； 另一本书是蓝皮书，即SOP，标准作业程序，而且这个标准作业程序一定是要做到细化和量化。
第1页
怎么做SOP？
SOP （标准操作程序）
1、确定流程
主流程图 子流程图 程序 控制点
2、明确步骤
1）确定每一个需要做 SOP的工作的执行步骤 2）执行步骤统一的标 准
什么是sopsop标准操作程序sop就是将某一事件的标准操作步骤和要求以统一的格式描述出来用来指导和规范日常的工所谓标准是经过不断实践总结出来的在当前条件下可以实现的最优化的操作程序设计
程序化、流程化、规范化
集成电路封装技术-封装工艺流程介绍
第二章 封装工艺流程
TAB技术较之常用的引线工艺的优点：
（1）对高速电路来说，常规的引线使用圆形导线，而且引线 较长，往往引线中高频电流的趋肤效应使电感增加，造成信号 传递延迟和畸变，这是十分不利的。TAB技术采用矩形截面的 引线，因而电感小，这是它的优点。
（2）传统引线工艺要求键合面积4mil2，而TAB工艺的内引线 键合面积仅为2mil2这样就可以增加I/O密度，适应超级计算机 与微处理器的更新换代。
集成电路封装技术
第二章 封装工艺流程
2.1.1 为什么要学习封装工艺流程
熟悉封装工艺流程是认识封装技术的前提，是 进行封装设计、制造和优化的基础。
芯片封装和芯片制造不在同一工厂完成 它们可能在同一工厂不同的生产区、或不同的地区，甚
至在不同的国家。许多工厂将生产好的芯片送到几千公里以 外的地方去做封装。芯片一般在做成集成电路的硅片上进行 测试。在测试中，先将有缺陷的芯片打上记号（打一个黑色 墨点），然后在自动拾片机上分辨出合格的芯片。
在芯片粘贴时，用盖印、丝网印刷、点胶 等方法将胶涂布于基板的芯片座中，再将芯片 置放在玻璃胶之上，将基板加温到玻璃熔融温 度以上即可完成粘贴。由于完成粘贴的温度要 比导电胶高得多，所以它只适用于陶瓷封装中。 在降温时要控制降温速度，否则会造成应力破 坏，影响可靠度。
第二章 封装工艺流程
2.4 芯片互连 芯片互连是将芯片焊区与电子封装外壳的I/O引线
第二章 封装工艺流程
2.4.1 打线键合技术介绍 （1）超声波键合
优点： 键合点尺寸小，回
绕高度低，适合于键合 点间距小、密度高的芯 片连接。
缺点： 所有的连线必须沿
回绕方向排列（这不可 能），因此在连线过程 中要不断改变芯片与封 装基板的位置再进行第2 根引线的键合。从而限 制了打线速度。
LED封装工艺流程图解PPT课件
第13页/共14页
感谢您的观看！
第14页/共14页
2. 封装的基石: 固晶 3. 对外的桥梁: 焊线 4. 美丽的外衣: 成型树酯
第2页/共14页
二、LED封装材料
第3页/共14页
二、LED封装共14页
三、LED封装工艺流程
第6页/共14页
三、LED封装工艺流程
• 固晶(Die Attachment or Die Bonding) • 固晶之目的:利用银胶（绝缘胶）将芯片与支架（PCB）粘连在一起。
一、LED封装简介
1.LED封装之目的: – 将半导体芯片封装程可以供商业使用之电子组件 – 保护芯片防御辐射,水气,氧气,以及外力破坏 – 提高组件之可靠度 – 改善/提升芯片性能 – 提供芯片散热机构 – 设计各式封装形式,提供不同之产品应用
第1页/共14页
二、LED封装材料
1. 封装核心:基板 •基板的性能对于非晶粒性之失效有决定性之影响
第11页/共14页
三、LED封装工艺流程
测试的目的是：对经过封装和老化试验的LED进行光电参数、外形尺寸 的检验，按照设定要求将成品材料分成不同的BIN。满足客户的需求。 同时将电性不良剔除。
第12页/共14页
三、LED封装工艺流程
在管壳上打印器件型号、出厂日期等标记，进行成品的计数包 装，包装袋内放入干燥剂和标签，经过品管检验后封口，对于 超高亮LED还需要防静电包装。
支架/PCB
第7页/共14页
三、LED封装工艺流程
2.焊线
• 焊线(Wire Bonding) • 焊线之目的：利用金线将芯片与支架/PCB焊接在一起，形成一个
导电回路。
• 焊线之制程重点:
– 根据芯片进行焊线参数调整
感谢您的观看！
第14页/共14页
2. 封装的基石: 固晶 3. 对外的桥梁: 焊线 4. 美丽的外衣: 成型树酯
第2页/共14页
二、LED封装材料
第3页/共14页
二、LED封装共14页
三、LED封装工艺流程
第6页/共14页
三、LED封装工艺流程
• 固晶(Die Attachment or Die Bonding) • 固晶之目的:利用银胶（绝缘胶）将芯片与支架（PCB）粘连在一起。
一、LED封装简介
1.LED封装之目的: – 将半导体芯片封装程可以供商业使用之电子组件 – 保护芯片防御辐射,水气,氧气,以及外力破坏 – 提高组件之可靠度 – 改善/提升芯片性能 – 提供芯片散热机构 – 设计各式封装形式,提供不同之产品应用
第1页/共14页
二、LED封装材料
1. 封装核心:基板 •基板的性能对于非晶粒性之失效有决定性之影响
第11页/共14页
三、LED封装工艺流程
测试的目的是：对经过封装和老化试验的LED进行光电参数、外形尺寸 的检验，按照设定要求将成品材料分成不同的BIN。满足客户的需求。 同时将电性不良剔除。
第12页/共14页
三、LED封装工艺流程
在管壳上打印器件型号、出厂日期等标记，进行成品的计数包 装，包装袋内放入干燥剂和标签，经过品管检验后封口，对于 超高亮LED还需要防静电包装。
支架/PCB
第7页/共14页
三、LED封装工艺流程
2.焊线
• 焊线(Wire Bonding) • 焊线之目的：利用金线将芯片与支架/PCB焊接在一起，形成一个
导电回路。
• 焊线之制程重点:
– 根据芯片进行焊线参数调整
IC封装工艺流程ppt课件
精选课件ppt
5
傳統 IC 主要封裝流程-2
精选课件ppt
6
芯片切割 (Die Saw)
目的：用切割刀将晶圆上的芯片切 割分离成单个晶粒(Die)。
其前置作业为在芯片黏贴(Wafer Mount)，即在芯片背面贴上蓝膜 (Blue Tape)并置于铁环(Wafer Ring) 上，之后再送至芯片切割机 上进行切割。
精选课件ppt
7
晶粒黏贴 (Die Bond)
目的：将晶粒置于框架(Lead Frame) 上，并用银胶(Epoxy)黏着固定。
导线架是提供晶粒一个黏着的位置 (称作晶粒座，Die Pad)，并预设有 可延伸IC晶粒电路的延伸脚。黏晶完 成后之导线架则经由传输设备送至金 属匣(Magazine)内，以送至下一制 程进行焊线。
Dam Bar
去胶位置
精选课件ppt
18
去纬 (Trimming)
去纬（Trimming）的目的： 去纬是指利用机械模具将脚间金属连接杆切除。
去纬位置
外腳位置
精选课件ppt
19
去框 (Singulation)
去框（Singulation）的目的： 將已完成盖印（Mark）制程 的Lead Frame，以沖模的方 式将Tie Bar切除，使 Package与Lead Frame分开， 方便下一个制程作业。
型
精选课件ppt
22
检验 (Inspection)
在制程当中，为了确保产品之质量，也需要做一些检测
(In-Process Quality Control)。如于焊线完成后会进行 破坏性试验，而在封胶之后，则以X光(X-Ray)来检视胶 体内部之金线是否有移位或断裂之情形等等。一颗已完
SOP封装工艺流程介绍课件
Lead Frame
Epoxy
Die
Epoxy Void Check
Die Attach
Die Shear
Quality Control
Epoxy Thickness & Fillet Height
Die Attach
Die Location
Rej
Quality Control
Wire Bond
1st bond
1st bond
IMC Thickness
Crater Test
Looping
Quality Control
Rej缺角
冲线值量测
外观检查
Looping
上下错位
内部气泡
Mold
孔洞
溢胶
Rej
Rej
Rej
Rej
Rej外观检查镀层厚度量测Rej
CompoundPot
Bottomcull block
Top cull block
Bottomchase
Gate insert
Molding
Topchase
Airvent
Leadframe
Plunger
Cavity
Runner
Molding
Lead FrameEpoxy
unload
Working area
unloadunload
Trim Form
Forming
Lead Cut
Quality Control
Chipping
划片宽度量测
Die Saw
外观检查
切偏
Rej
Rej
Quality Control
Epoxy
Die
Epoxy Void Check
Die Attach
Die Shear
Quality Control
Epoxy Thickness & Fillet Height
Die Attach
Die Location
Rej
Quality Control
Wire Bond
1st bond
1st bond
IMC Thickness
Crater Test
Looping
Quality Control
Rej缺角
冲线值量测
外观检查
Looping
上下错位
内部气泡
Mold
孔洞
溢胶
Rej
Rej
Rej
Rej
Rej外观检查镀层厚度量测Rej
CompoundPot
Bottomcull block
Top cull block
Bottomchase
Gate insert
Molding
Topchase
Airvent
Leadframe
Plunger
Cavity
Runner
Molding
Lead FrameEpoxy
unload
Working area
unloadunload
Trim Form
Forming
Lead Cut
Quality Control
Chipping
划片宽度量测
Die Saw
外观检查
切偏
Rej
Rej
Quality Control
集成电路封装工艺流程-PPT文档资料
凸块式芯片TAB，先将金属凸块长成于IC芯片的铝键合 点上，再与载带的内引脚键合。预先长成的凸块除了提供引 脚所需要的金属化条件外，可避免引脚与IC芯片间可能发生 短路，但制作长有凸块的芯片是TAN工艺最大的困难。
第二章 封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术
芯片凸点制作技术 凸点因形状不同可分为两种
板上的金属焊区相连接。 芯片互连常见的方法：
打线键合（WB wire bonding）
倒装芯片键合(FCB flip chip bonding，C4)
载带自动键合（TAB tape automate bonding）
这三种连接技术对于不同的封装形式和集成电路 芯片集成度的限制各有不同的应用范围。
打线键合适用引脚数为3-257；载带自动键合的适 用引脚数为12-600；倒装芯片键合适用的引脚数为616000。可见C4适合于高密度组装。
IC芯片制作完成后其表面均镀有钝化保护层，厚度高于 电路的键合点，因此必须在IC芯片的键合点上或TAB载带的 内引线前端先长成键合凸块才能进行后续的键合，通常TAB 载带技术也据此区分为凸块化载带与凸块化芯片TAB两大类。
地状金属凸块；单层载带可配合铜箔引脚的刻蚀制成凸 块，在双层与三层载带上，因为蚀刻的工艺容易致导带变形， 而使未来键合发生对位错误，因此双层与三层载带较少应用 于凸块载带TAB的键合。
这两种方法都很好地避免了或减少了减薄引起 的硅片翘曲以及划片引起的边缘损害，大大增强了 芯片的抗碎能力。
第二章 封装工艺流程
2.3 芯片贴装 芯片贴装，也称芯片粘贴，是将芯片固定于封装基板或引
脚架芯片的承载座上的工艺过程。
贴装方式
• 共晶粘贴法 • 焊接粘贴法 • 导电胶粘贴法 • 玻璃胶粘贴法
第二章 封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术
芯片凸点制作技术 凸点因形状不同可分为两种
板上的金属焊区相连接。 芯片互连常见的方法：
打线键合（WB wire bonding）
倒装芯片键合(FCB flip chip bonding，C4)
载带自动键合（TAB tape automate bonding）
这三种连接技术对于不同的封装形式和集成电路 芯片集成度的限制各有不同的应用范围。
打线键合适用引脚数为3-257；载带自动键合的适 用引脚数为12-600；倒装芯片键合适用的引脚数为616000。可见C4适合于高密度组装。
IC芯片制作完成后其表面均镀有钝化保护层，厚度高于 电路的键合点，因此必须在IC芯片的键合点上或TAB载带的 内引线前端先长成键合凸块才能进行后续的键合，通常TAB 载带技术也据此区分为凸块化载带与凸块化芯片TAB两大类。
地状金属凸块；单层载带可配合铜箔引脚的刻蚀制成凸 块，在双层与三层载带上，因为蚀刻的工艺容易致导带变形， 而使未来键合发生对位错误，因此双层与三层载带较少应用 于凸块载带TAB的键合。
这两种方法都很好地避免了或减少了减薄引起 的硅片翘曲以及划片引起的边缘损害，大大增强了 芯片的抗碎能力。
第二章 封装工艺流程
2.3 芯片贴装 芯片贴装，也称芯片粘贴，是将芯片固定于封装基板或引
脚架芯片的承载座上的工艺过程。
贴装方式
• 共晶粘贴法 • 焊接粘贴法 • 导电胶粘贴法 • 玻璃胶粘贴法
SOP的流程
收起编辑本段一、SOP：标准操作程序SOP的精髓SOP(Standard Operational Process)的精髓，就是将细节进行量化，用更通俗的话来说，SOP就是对某一程序中的关键控制点进行细化和量化。
简介从对SOP的上述基本界定来看，SOP具有以下一些内在的特征：SOP是一种程序。
SOP是对一个过程的描述，不是一个结果的描述。
同时，SOP又不是制度，也不是表单，是流程下面某个程序中关于控制点如何来规范的程序。
SOP是一种作业程序。
标准作业指导。
SOP是一种操作层面的程序，是实实在在的，具体可操作的，不是理念层次上的东西。
如果结合ISO9000体系的标准，SOP是属于三级文件，即作业性文件。
SOP是一种标准的作业程序。
所谓标准，在这里有最优化的概念，即不是随便写出来的操作程序都可以称做SOP，而一定是经过不断实践总结出来的在当前条件下可以实现的最优化的操作程序设计。
说得更通俗一些，所谓的标准，就是尽可能地将相关操作步骤进行细化，量化和优化，细化，量化和优化的度就是在正常条件下大家都能理解又不会产生歧义。
SOP不是单个的，是一个体系，虽然我们可以单独地定义每一个SOP，但真正从企业管理来看，SOP不可能只是单个的，必然是一个整体和体系，也是企业不可或缺的。
余世维在他的讲座中也特别提到：一个公司要有两本书，一本书是红皮书，是公司的策略，即作战指导纲领；另一本书是蓝皮书，即SOP，标准作业程序，而且这个标准作业程序一定是要做到细化和量化。
SOP的由来在十八世纪或作坊手工业时代，制做一件成品往往工序很少，或分工很粗，甚至从头至尾是一个人完成的，其人员的培训是以学徒形式通过长时间学习与实践来实现的。
随着工业革命的兴起,生产规模不断扩大，产品日益复杂，分工日益明细，品质成本急剧增高，各工序的管理日益困难。
如果只是依靠口头传授操作方法，已无法控制制程品质。
采用学徒形式培训已不能适应规模化的生产要求.因此，必须以作业指导书形式统一各工序的操作步骤及方法。
集成封装工艺流程PPT课件
.
39
（1）单层结构载带（Cu箔） 仅为一层铜带，其上腐蚀出
引线图案以及支撑结构。方法是 将光刻胶涂在铜带的两侧。将要 刻蚀掉的部分曝光，腐蚀后留下 引线图案。 优点：价位低，热稳定性好，适 用于高温键合； 缺点：全部引线与金属支撑架相 连接，妨碍了带上器件的测试检 验和通电老化；易变形。
.
40
（2）双层结构载带（Cu-PI双层）
.
13
芯片互连常见的方法 引线键合（WB wire bonding）
倒装芯片键合(FCB flip chip bonding，C4)
载带自动键合（TAB tape automate bonding）
这三种连接技术对于不同的封装形式和集成电
路芯片集成度的限制各有不同的应用范围。
打线键合适用引脚数为3-257；载带自动键合
一般工艺方法
-陶瓷基板芯片座上镀金膜
-将芯片放置在芯片座上
-热氮气氛中（防氧化）加热并使粘贴表面产生摩擦（去 除粘贴表面氧化层）
-约430℃时出现金-硅反应液面，液面移动时，硅逐渐扩
散至金中而形成紧密结合。 .
8
预型片法
为获得最佳粘结效果，IC芯片背面常先镀有一层薄 层的金并在基板的芯片承载座上植入预型片，预型 片是面积约为芯片三分之一的金2wt%硅合金薄片 。
封胶的材料一般为环氧树脂和硅橡胶。用盖印或点胶的方 法涂布，可覆盖整个芯片或仅涂布完成内引脚键合的芯片表 面。
.
33
外引线焊接技术
.
34
.
35
TAB的关键技术
芯片凸点制作技术
在进行TAB键合前须在IC芯片的键合点上或TAB载带的 内引线前端先长成键合凸块。
通常TAB载带技术也据此区分为凸块化载带与凸块化 芯片TAB两大类。
封装工艺流程PPT122页
第二章 封装工艺流程
• 2.3 芯片贴装 芯片贴装，也称芯片粘贴，是将芯片固定于封装基板或引
脚架芯片的承载座上的工艺过程。
贴装方式
• 共晶粘贴法 • 焊接粘贴法 • 导电胶粘贴法 • 玻璃胶粘贴法
第二章 封装工艺流程
• 2.3.1共晶粘贴法 共晶反应 指在一定的温度下，一定成分的液体同时结晶出两种一定
凸块式芯片TAB，先将金属凸块长成于IC芯片的铝键合点 上，再与载带的内引脚键合。预先长成的凸块除了提供引脚 所需要的金属化条件外，可避免引脚与IC芯片间可能发生短 路，但制作长有凸块的芯片是TAN工艺最大的困难。
第二章 封装工艺流程
• 2.4.2 载带自动键合技术
芯片凸点制作技术 凸点因形状不同可分为两种
第二章 封装工艺流程
• 2.4.1 打线键合技术
打线键合技术
超声波键合（Ultrasonic Bonding ,U/S bonding）
热压键合（Thermocompression Bonding T/C bonding） 热超声波键合（Thermosonic BoBiblioteka ding,T/S bonding）
第二章 封装工艺流程
• 2.4 芯片互连 芯片互连是将芯片焊区与电子封装外壳的I/O引线或基
板上的金属焊区相连接。 芯片互连常见的方法：
打线键合（WB wire bonding）
倒装芯片键合(FCB flip chip bonding，C4)
载带自动键合（TAB tape automate bonding）
• 2.4.1 打线键合技术介绍 （2）热压键合
第二章 封装工艺流程
• （3）热超声波键合
热超声波键合是热压键合与超声波键合的混合技术。在工 艺过程中，先在金属线末端成球，再使用超声波脉冲进行金 属线与金属接垫之间的接合。
SOP封装工艺流程的介绍
Lead Pitch 1.27mm 1.27mm 1.27mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27mm 0.65 mm 0.65mm 0.5mm 0.65mm 0.65mm 0.65mm 0.5mm 0.5mm 0.65mm 1.27mm
Stand Off 0.1~0.25 0.1~0.25 0.1~0.25 0.15~0.25 0.15~0.25 0.1~0.3 0.15~0.25 0.05~0.15 0.05~0.14 0.05~0.13 0.05~0.13 0.05~0.15 0.05~0.15 0.05~0.15 0.05~0.15 0.05~0.13 0.05~0.13 0.125mm
TSSOP EP
118 mil
TSSOP 38L 173mil TSSOP EP 10L 118mil TSSOP EP 8L 118mil
MFP
208 mil MFP 1.27mmL 208 mil
Confidential
Pin Count 8 14 16 16 18 20 28 8 20 8 10 8 16 14 38 10 8 8
1. SOP
2. SSOP
3. TSSOP
4. MFP
ASE
Package SOP
Body 150 mil
Description SOP 8L 150 mil SOP 14L 150mil
SOP 16L 150mil
SOP 16L 300mil
300 mil SOP 18L 300mil SOP 20L 300mil
SOP ASSEMBLY PROCESS FLOW & QUALITY CONTROL
INSTRUCTION
SOP封装工艺流程介绍
sop封装工艺流程介 绍
目录
• SOP封装简介 • SOP封装工艺流程 • SOP封装材料 • SOP封装技术发展趋势 • SOP封装工艺问题与对策
01
SOP封装简介
SOP封装定义
SOP封装，全称为Small Outline Package，是一种常见的电子封装形 式，主要用于将集成电路（IC）封装 在印刷电路板（PCB）上。
微型化是指通过减小封装尺寸来减小整个电子设备的体积和重量。SOP封装技 术通过改进封装结构、减小引脚间距、采用薄型小尺寸封装等形式，实现了更 小的封装尺寸，满足了电子设备微型化的需求。
高集成度
总结词
随着集成电路技术的发展，SOP封装技术也呈现出高集成度 的发展趋势。
详细描述
高集成度是指通过在单一封装内集成更多的电子元件和功能 ，提高整个系统的性能和功能。SOP封装技术通过采用多芯 片组装、集成无源元件等方式，实现了更高的集成度，提高 了系统的性能和功能。
02
这一步骤中，需要检查产品是否有明显的缺陷、污渍或不良的
机械性能。
外观检查通常采用自动化设备进行，以提高检查效率和准确性。
03
测试与筛选
测试与筛选是对已完成的SOP封装产品进行电气 性能测试和筛选的过程。
这一步骤中，需要使用测试设备对产品的电气性 能进行检测，如电压、电流、电阻和电容等。
对于不合格的产品需要进行筛选和处理，以确保 最终产品的质量和可靠性。
VS
详细描述
引脚扭曲的原因可能包括引脚材料质量不 佳、加工精度不足、插装过程中受到外力 等。为了解决这个问题，可以加强引脚材 料的质量控制、提高加工精度、优化插装 工艺，并在插装过程中避免外力作用。
芯片破损
总结词
目录
• SOP封装简介 • SOP封装工艺流程 • SOP封装材料 • SOP封装技术发展趋势 • SOP封装工艺问题与对策
01
SOP封装简介
SOP封装定义
SOP封装，全称为Small Outline Package，是一种常见的电子封装形 式，主要用于将集成电路（IC）封装 在印刷电路板（PCB）上。
微型化是指通过减小封装尺寸来减小整个电子设备的体积和重量。SOP封装技 术通过改进封装结构、减小引脚间距、采用薄型小尺寸封装等形式，实现了更 小的封装尺寸，满足了电子设备微型化的需求。
高集成度
总结词
随着集成电路技术的发展，SOP封装技术也呈现出高集成度 的发展趋势。
详细描述
高集成度是指通过在单一封装内集成更多的电子元件和功能 ，提高整个系统的性能和功能。SOP封装技术通过采用多芯 片组装、集成无源元件等方式，实现了更高的集成度，提高 了系统的性能和功能。
02
这一步骤中，需要检查产品是否有明显的缺陷、污渍或不良的
机械性能。
外观检查通常采用自动化设备进行，以提高检查效率和准确性。
03
测试与筛选
测试与筛选是对已完成的SOP封装产品进行电气 性能测试和筛选的过程。
这一步骤中，需要使用测试设备对产品的电气性 能进行检测，如电压、电流、电阻和电容等。
对于不合格的产品需要进行筛选和处理，以确保 最终产品的质量和可靠性。
VS
详细描述
引脚扭曲的原因可能包括引脚材料质量不 佳、加工精度不足、插装过程中受到外力 等。为了解决这个问题，可以加强引脚材 料的质量控制、提高加工精度、优化插装 工艺，并在插装过程中避免外力作用。
芯片破损
总结词
第二章 封装工艺流程
热压键合(Thermocompression Bonding,T/C Bonding)
热超声波键合（Thermosonic Bonding, T/S Bonding）
尹小田
热压键合(T/C Bonding)
常用线材：金线 方法：先穿过毛细管状的金属线末端键合工具（又叫瓷 嘴或焊针），然后以电子点火或氢焰把金属线烧断 且是线的末端灼烧成球，再用键合工具将金属球下 压，进行球形键合。
常用线材：铝线、金线（铝-硅、铝-镁、铝-镁-硅、铝-铜合 金）
方法：用焊接楔头引导金属线使其压紧在金属键合短上，当 通过平行于键合点平面的超声振动，振动在垂直键合点 平面的压力产生冷焊的效应而完成键合。
优点；键合温度低、键合尺寸较小而导线回绕高度较低， 因此适合键合点间距小、密度高的芯片连接； 缺点：超声波焊接的连线必须沿着金属线回绕的方向排列， 限制了打线速度，因此不利于大面积芯片的电路连线。
尹小田
3、芯片贴装
硅片减薄 打码 芯片切割 上焊锡 硅片贴装 芯片互连 成型技术即 （塑料封装） 去飞边毛刺
切筋成形
定义：又叫芯片粘贴，是将芯片固定于封装基板或引脚架 芯片的的承载座上的工艺过程。 设备：贴片机 共晶粘贴法 芯片粘贴 的方式： 焊接粘贴法
导电胶粘贴法
玻璃胶粘贴法
尹小田
（1）共晶粘贴法
尹小田
蓝 膜
芯片粘上一层薄膜（称蓝膜），起 保护晶圆表面电路的作用。
硅片减薄
芯片切割
硅片贴装
芯片互连 成型技术即 （塑料封装）
打码
上焊锡
切筋成形
去飞边毛刺
尹小田
2、芯片切割
硅片减薄 打码 芯片切割 上焊锡 硅片贴装 芯片互连 成型技术即 （塑料封装） 去飞边毛刺
sop8封装工艺流程
sop8封装工艺流程SOP8封装工艺流程是个很有趣的东西呢！咱就像唠嗑一样来说说它吧。
一、晶圆准备。
晶圆可是整个封装的基础呀。
晶圆从晶圆厂出来的时候，就像是一个还没打扮的小宝贝。
晶圆的质量那得是杠杠的，要经过好多道检测工序，就像选美比赛似的，只有合格的晶圆才能进入到SOP8封装的流程里。
比如说晶圆表面不能有划痕、杂质这些坏东西。
如果有了，就像一个漂亮的脸蛋上有了脏东西，那可不行呢。
二、芯片切割。
这一步就像是把一整个大蛋糕切成小块块。
不过这个“蛋糕”可金贵得很。
要使用专门的切割设备，这个设备就像是一个超级精确的厨师刀。
切割的时候得小心翼翼的，要是切歪了或者切坏了芯片，那就糟糕啦。
每个小芯片都是未来SOP8封装里的核心成员，就像一个小团队里的每个成员都很重要一样。
三、芯片粘贴。
切割好的芯片得粘到一个特殊的框架上。
这个胶水的选择可讲究了，就像做菜选调料一样。
得是那种能牢固粘住芯片，又不会对芯片有什么不好影响的胶水。
把芯片粘上去的时候，也要放得端端正正的，就像小朋友坐座位一样，要坐得正才好呢。
要是粘歪了，后续的工序可能就会出问题，就像多米诺骨牌一样，一个倒了可能就全乱套啦。
四、引线键合。
这是个很关键的步骤哦。
就像是给芯片和外部世界牵线搭桥。
用很细很细的金属丝，把芯片上的焊点和框架上的引脚连接起来。
这个金属丝就像一根神奇的小线，把芯片内部的电路和外面的世界连通起来啦。
操作这个键合的设备得超级精确，因为这个金属丝可细了，要是不小心弄断了或者接错地方了，那芯片就没法正常工作啦。
这就好比你给手机充电，插错了孔，手机肯定充不了电呀。
五、塑封。
塑封就像是给芯片穿上一层保护衣。
这个保护衣得既结实又能保护芯片不受外界的影响。
把芯片和框架放在模具里，然后注入特殊的塑料材料。
这个塑料材料就像一个温暖的小被子，把芯片包裹得严严实实的。
在塑封的时候，温度、压力这些条件都得控制得很好，就像你烤蛋糕的时候，火候得刚刚好一样。
要是温度太高或者压力太大，可能会把芯片弄坏，要是温度太低或者压力太小，塑封可能就不结实，起不到保护的作用。
集成电路封装技术-封装工艺流程介绍
〔3〕TAB技术中使用铜线而不使用铝线，从而改善器件的热 耗散性能。
〔4〕在芯片最终封装前可进行预测试和通电老化。这样可剔 除坏芯片，不使它流入下一道工序，从而节省了成本，提高了 可靠性。
〔5〕TAB工艺中引线的键合平面低，使器件薄化。
第二章 封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术
TAB技术的关键材料
第二章 封装工艺流程
2.3.1共晶粘贴法 预型片法，此方法适用于较大面积的芯片粘贴。优点是
可以降低芯片粘贴时孔隙平整度不佳而造成的粘贴不完全 的影响。
第二章 封装工艺流程
2.3.2 焊接粘贴法
变形方式的不同，继而产生的各种应力。当材料在外力作用下不能产生位移时，它的几何形状和尺寸将发
在一点的集度焊称为接应粘力〔贴St法res是s〕利。物用体合由于金外反因而响变进形时行，芯在物片体粘内各贴局的部之方间法产生。相优互作点用是的内力， 应变方向平热行，传而导切应性力好的方。向与应变垂直。按照载荷〔Load〕作用的形式不同，应力又可以分为拉伸压
2.4.1 打线键合技术介绍 〔2〕热压键合
；然后再电子点火或氢焰将金属线烧断并利用熔融金属的外表张力作用使线的末端灼烧成球〔直径约为金
键合工具升起并引导金属线至第二键合点上进行楔形接合〔不需烧成金属球，而是将金属线直接压到焊区 状。 抗氧化性强〕。为降低成本有时也用铝线。铝线的2个焊接点是楔形的。原因是铝线不易在线的末端灼烧成
第二章 封装工艺流程
〔2〕影响打线键合可靠度因素
封胶和粘贴材料 与线材的反应
金属间化合物的形成
可靠度因素
可靠度常用拉力试验 和键合点的剪切试验 测试检查
第二章 封装工艺流程
2.4在.2其载载特带带定自的自动位动健置合键上技开合术出技是一在术个类窗似口于。1窗3口5胶为片蚀的刻柔出性一载定带的粘印结刷金线属路薄图片形，的〔金像属电箔影片
〔4〕在芯片最终封装前可进行预测试和通电老化。这样可剔 除坏芯片，不使它流入下一道工序，从而节省了成本，提高了 可靠性。
〔5〕TAB工艺中引线的键合平面低，使器件薄化。
第二章 封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术
TAB技术的关键材料
第二章 封装工艺流程
2.3.1共晶粘贴法 预型片法，此方法适用于较大面积的芯片粘贴。优点是
可以降低芯片粘贴时孔隙平整度不佳而造成的粘贴不完全 的影响。
第二章 封装工艺流程
2.3.2 焊接粘贴法
变形方式的不同，继而产生的各种应力。当材料在外力作用下不能产生位移时，它的几何形状和尺寸将发
在一点的集度焊称为接应粘力〔贴St法res是s〕利。物用体合由于金外反因而响变进形时行，芯在物片体粘内各贴局的部之方间法产生。相优互作点用是的内力， 应变方向平热行，传而导切应性力好的方。向与应变垂直。按照载荷〔Load〕作用的形式不同，应力又可以分为拉伸压
2.4.1 打线键合技术介绍 〔2〕热压键合
；然后再电子点火或氢焰将金属线烧断并利用熔融金属的外表张力作用使线的末端灼烧成球〔直径约为金
键合工具升起并引导金属线至第二键合点上进行楔形接合〔不需烧成金属球，而是将金属线直接压到焊区 状。 抗氧化性强〕。为降低成本有时也用铝线。铝线的2个焊接点是楔形的。原因是铝线不易在线的末端灼烧成
第二章 封装工艺流程
〔2〕影响打线键合可靠度因素
封胶和粘贴材料 与线材的反应
金属间化合物的形成
可靠度因素
可靠度常用拉力试验 和键合点的剪切试验 测试检查
第二章 封装工艺流程
2.4在.2其载载特带带定自的自动位动健置合键上技开合术出技是一在术个类窗似口于。1窗3口5胶为片蚀的刻柔出性一载定带的粘印结刷金线属路薄图片形，的〔金像属电箔影片
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
Robber tip
Die Attach
Epoxy
Lead-frame
Confidential
Purpose: Solidify the epoxy after D/A
Epoxy Cure
Oven
Confidential
Inside
Wire Bond
Purpose: Connecting the chip and the exterior circuit
After
Wafer Grinding
Wafer Grinding Purpose: Grinding the wafer to Customer required thickness
晶圓 (未研磨)
Confidential
LOAD
研磨機
GRINGING
UNLOAD
晶圓 (研磨後)
Wafer Mount
Body Size X*Y*Z 3.9x4.9x1.375 3.9x8.6x1.375 3.9x9.9x1.375 7.5x10.3x2.3 7.5x11.7x2.3 7.5x12.8x2.3 7.34x17.7x2.3 3.9x4.9x1.55
0.283x0.209x1.8 3x3x0.86 3x3x0.86 3x4.4x0.9 5x4.4x0.9 5x4.4x0.9
Package Instruction
Confidential
ASY process flow
Wafer
前段制程
Die (chip) Die on Lead frame
Wafer Grinding Wafer Mount Wafer Saw Die Attach Epoxy Cure Wire Bond
Confidential
Die Attach
Purpose: Attach the dies with epoxy on substrate for the following process
Substrate load bond
Confidential
Die bond
Output
Working flow:
Lead Pitch 1.27mm 1.27mm 1.27mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27mm 0.65 mm 0.65mm 0.5mm 0.65mm 0.65mm 0.65mm 0.5mm 0.5mm 0.65mm 1.27mm
Stand Off 0.1~0.25 0.1~0.25 0.1~0.25 0.15~0.25 0.15~0.25 0.1~0.3 0.15~0.25 0.05~0.15 0.05~0.14 0.05~0.13 0.05~0.13 0.05~0.15 0.05~0.15 0.05~0.15 0.05~0.15 0.05~0.13 0.05~0.13 0.125mm
9.70x4.4x0.9 3x3x0.95 3x3x0.95
5.4x5.3x1.775
Mold thickness 1.25~1.5 1.25~1.5 1.25~1.5 2,25~2.35 2,25~2.35 2,25~2.35 2,25~2.35 1.35~1.75 1.75~1.85 0.81~0.91 0.81~0.91 0.85~0.95 0.85~0.95 0.85~0.95 0.85~0.95 0.81~0.91 0.81~0.91 1.75~1.85
Purpose: Combine the wafer with Dicing tape onto the frame for die sawing
晶元M背ou面nWt afer bTaacpkeside
Wafer mount Machine
FFrarammee
Confidential
Wafer Saw
SOP EP SSOP TSSOP
150mil 209 mil
118 mil
SOP 28L 300mil SOP EP 8L 150 mil SSOP 20L 209mil TSSOP 8L 118mil TSSOP 10L 118m16L 173mil TSSOP 14L 173mil
TSSOP EP MFP
118 mil 208 mil
TSSOP 38L 173mil TSSOP EP 10L 118mil TSSOP EP 8L 118mil MFP 1.27mmL 208 mil
Confidential
Pin Count 8 14 16 16 18 20 28 8 20 8 10 8 16 14 38 10 8 8
Purpose: To separate dies from each other for die attach
Machine
Monitor
Confidential
Sawing
Cleaning
Load/Unlo ad
Before wafer saw:
Wafer Saw
After wafer saw:
SOP ASSEMBLY PROCESS FLOW & QUALITY CONTROL
INSTRUCTION
Confidential
Contents
1.Package Instruction 2.Process Flow 3.Quality Control
Confidential
Package Instruction
Confidential
后段制程
Molding Laser Marking Post Mold Cure
De-junk
Plating Trim/Form Packing & Shipping
Laser Marking
Epoxy
Lead Frame
Laser Marking
Before
Laser Marking
1. SOP
2. SSOP
3. TSSOP
4. MFP
ASE
Package SOP
Body 150 mil
Description SOP 8L 150 mil SOP 14L 150mil
SOP 16L 150mil
SOP 16L 300mil
300 mil SOP 18L 300mil SOP 20L 300mil
Die Attach
Epoxy
Lead-frame
Confidential
Purpose: Solidify the epoxy after D/A
Epoxy Cure
Oven
Confidential
Inside
Wire Bond
Purpose: Connecting the chip and the exterior circuit
After
Wafer Grinding
Wafer Grinding Purpose: Grinding the wafer to Customer required thickness
晶圓 (未研磨)
Confidential
LOAD
研磨機
GRINGING
UNLOAD
晶圓 (研磨後)
Wafer Mount
Body Size X*Y*Z 3.9x4.9x1.375 3.9x8.6x1.375 3.9x9.9x1.375 7.5x10.3x2.3 7.5x11.7x2.3 7.5x12.8x2.3 7.34x17.7x2.3 3.9x4.9x1.55
0.283x0.209x1.8 3x3x0.86 3x3x0.86 3x4.4x0.9 5x4.4x0.9 5x4.4x0.9
Package Instruction
Confidential
ASY process flow
Wafer
前段制程
Die (chip) Die on Lead frame
Wafer Grinding Wafer Mount Wafer Saw Die Attach Epoxy Cure Wire Bond
Confidential
Die Attach
Purpose: Attach the dies with epoxy on substrate for the following process
Substrate load bond
Confidential
Die bond
Output
Working flow:
Lead Pitch 1.27mm 1.27mm 1.27mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27mm 0.65 mm 0.65mm 0.5mm 0.65mm 0.65mm 0.65mm 0.5mm 0.5mm 0.65mm 1.27mm
Stand Off 0.1~0.25 0.1~0.25 0.1~0.25 0.15~0.25 0.15~0.25 0.1~0.3 0.15~0.25 0.05~0.15 0.05~0.14 0.05~0.13 0.05~0.13 0.05~0.15 0.05~0.15 0.05~0.15 0.05~0.15 0.05~0.13 0.05~0.13 0.125mm
9.70x4.4x0.9 3x3x0.95 3x3x0.95
5.4x5.3x1.775
Mold thickness 1.25~1.5 1.25~1.5 1.25~1.5 2,25~2.35 2,25~2.35 2,25~2.35 2,25~2.35 1.35~1.75 1.75~1.85 0.81~0.91 0.81~0.91 0.85~0.95 0.85~0.95 0.85~0.95 0.85~0.95 0.81~0.91 0.81~0.91 1.75~1.85
Purpose: Combine the wafer with Dicing tape onto the frame for die sawing
晶元M背ou面nWt afer bTaacpkeside
Wafer mount Machine
FFrarammee
Confidential
Wafer Saw
SOP EP SSOP TSSOP
150mil 209 mil
118 mil
SOP 28L 300mil SOP EP 8L 150 mil SSOP 20L 209mil TSSOP 8L 118mil TSSOP 10L 118m16L 173mil TSSOP 14L 173mil
TSSOP EP MFP
118 mil 208 mil
TSSOP 38L 173mil TSSOP EP 10L 118mil TSSOP EP 8L 118mil MFP 1.27mmL 208 mil
Confidential
Pin Count 8 14 16 16 18 20 28 8 20 8 10 8 16 14 38 10 8 8
Purpose: To separate dies from each other for die attach
Machine
Monitor
Confidential
Sawing
Cleaning
Load/Unlo ad
Before wafer saw:
Wafer Saw
After wafer saw:
SOP ASSEMBLY PROCESS FLOW & QUALITY CONTROL
INSTRUCTION
Confidential
Contents
1.Package Instruction 2.Process Flow 3.Quality Control
Confidential
Package Instruction
Confidential
后段制程
Molding Laser Marking Post Mold Cure
De-junk
Plating Trim/Form Packing & Shipping
Laser Marking
Epoxy
Lead Frame
Laser Marking
Before
Laser Marking
1. SOP
2. SSOP
3. TSSOP
4. MFP
ASE
Package SOP
Body 150 mil
Description SOP 8L 150 mil SOP 14L 150mil
SOP 16L 150mil
SOP 16L 300mil
300 mil SOP 18L 300mil SOP 20L 300mil