电力电子期末试卷及答案
电力电子技术期末考试题与答案
电力电子复习**：***电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子复习姓名：杨少航电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术期末考试试题及答案.
电力电子技术试题第1章电力电子器件L电力电子器件一般工作在—开关—状态.项通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为—通态损耗—,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为—开关损耗—.务电力电子器件组成的系统,一般由—限制电路、驱动电路、主电路三局部组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加保护电路.W按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类.业电力二极管的工作特性可概括为—承受正向电压导通,承受反相电压截止.j电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管.三肖特基二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗. 生晶闸管的根本工作特性可概括为—正向电压门极有触发那么导通、反向电压那么截止—.生对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL 大于IH .10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM 大于Ubo.生逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联 (如何连接)在同一管芯上的功率集成器件.MGTO的—多元集成—结构是为了便于实现门极限制关断而设计的.EJMOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系, 其中前者的截止区对应后者的截止区、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的饱和区 .14.电力MOSFET的通态电阻具有—正—温度系数.KJ GBT的开启电压UGE (th )随温度升高而略有下降—,开关速度—小于电力MOSFET .鱼根据驱动电路加在电力电子器件限制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为电压驱动型和电流驱动型两类.也GBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有—负—温度系数, 在1/2或1/3额定电流以上区段具有—正—温度系数.也在如下器件：电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是电力二极管—,属于半控型器件的是—晶闸管,属于全控型器件的是_GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT ;属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET ,属于双极型器件的有电力二极管、晶闸管、GTO、GTR ,属于复合型电力电子器件得有—IGBT =;在可控的器件中,容量最大的是晶闸管,工作频率最高的是电力MOSFET,属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT ,属于电流驱动的是晶闸管、GTO、GTR .第2章整流电路L电阻负载的特点是电压和电流成正比且波形相同,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管限制角a的最大移相范围是0-180..%阻感负载的特点是—流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中, 晶闸管限制角a的最大移相范围是0-180O,其承受的最大正反向电压均为J2U2,续流二极管承受的最大反向电压为J2U2(设U2为相电压有效值).3.单相桥式全控整流电路中, 带纯电阻负载时,a角移相范围为0-180 °,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为_J2U2/2_和_J2U2；带阻感负载时,a角移相范围为0-90O,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为J2U2和J2U2；带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个平波电抗器.4.单相全控桥反电动势负载电路中, 当限制角a大于不导电角3时,晶闸管的导通角e=_7t-a-七当限制角口小于不导电角6时,晶闸管的导通角6=_兀-2^_.UFm等于=J2U2_,晶闸管限制角a的最大移相范围是0-150.,使负载电流连续的条件为5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压—a <30°_〔U2为相电压有效值〕.史三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120° ,当它带阻感负载时, a的移相范围为0-90° .已三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中, 共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是—最高—的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是—最低的相电压；这种电路a角的移相范围是0-120 ° , Ud波形连续的条件是_a<60°_.生对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值—下降.头电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中, 空载时,输出电压为=J2U2=,随负载加重Ud逐渐趋近于0.9 U2,通常设计时,应取RC A 1.5-2.5 T,此时输出电压为Ud q 1.2 U2〔U2为相电压有效值,T为交流电源的周期〕.匝电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中,电流id断续和连续的临界条件是_* †=&_,电路中的二极管承受的最大反向电压为=J6=U2.第3章直流斩波电路L直流斩波电路完成得是直流到直流的变换.2.直流斩波电路中最根本的两种电路是降压斩波电路和升压斩波电路.3.斩波电路有三种限制方式：脉冲宽度调制〔PWM 〕、频率调制和〔t on和T都可调,改变占空比〕混合型 .†升压斩波电路的典型应用有直流电动机传动和单相功率因数校正等.5.升降压斩波电路呈现升压状态的条件为_0.5 <1 〔口为导通比〕.6.CuK斩波电路电压的输入输出关系相同的有升压斩波电路、Sepic斩波电路和Zeta斩波电路.乙Sepic斩波电路和Zeta斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是：Sepic斩波电路一的电源电流和负载电流均连续, Zeta斩波电路的输入、输出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为正极性的.8.斩波电路用于拖动直流电动机时, 降压斩波电路能使电动机工作于第 1 象限,升压斩波电路能使电动机工作于第 2 象限,电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限.9.桥式可逆斩波电路用于拖动直流电动机时,可使电动机工作于第1、2、3、4象限.生当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz时,单相交交变频电路的输出上限频率约为20Hz.头三相交交变频电路主要有两种接线方式, 即公共交流母线进线方式和—输出星形联结方式,其中主要用于中等容量的交流调速系统是公共交流母线进线方式.0实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当a从0.〜90 °变化时,整流输出的电压ud的谐波幅值随a的增大而—增大,当a从90 °〜180 °变化时,整流输出的电压ud的谐波幅值随a的增大而减小.12逆变电路中,当交流侧和电网连结时, 这种电路称为有源逆变,欲实现有源逆变,只能采用—全控电路；对于单相全波电路,当限制角0<</<兀/2时,电路工作在整流状态；兀/玄时,电路工作在逆变状态.也在整流电路中,能够实现有源逆变的有单相全波、—三相桥式整流电路等〔可控整流电路均可〕,其工作在有源逆变状态的条件是有直流电动势,其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压和晶闸管的限制角a> 90.,使输出平均电压Ud为负值.地晶闸管直流电动机系统工作于整流状态,当电流连续时,电动机的机械特性为一组平行的直线,当电流断续时,电动机的理想空载转速将抬高, 随a的增加,进入断续区的电流加大.也直流可逆电力拖动系统中电动机可以实现四象限运行,当其处于第一象限时,电动机作—电动—运行,电动机正—转,正组桥工作在整流状态;当其处于第四象限时,电动机做发电运行,电动机反转转,组桥工作在逆变状态.鱼大、中功率的变流器广泛应用的是晶体管—触发电路,同步信号为锯齿波的触发电路,可分为三个根本环节,即一脉冲的形成与放大—、锯齿波的形成与脉冲移相和同步环节.&复合斩波电路中,电流可逆斩波电路可看作一个―升压斩波电路和一个—降压—斩波电路的组合；多相多重斩波电路中, 3相3重斩波电路相当于3 &矩阵式变频电路是近年来出现的一种新奇的变频电路.它采用的开关器件是—全控器件；限制方式是斩控方式—.1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管_GTR;可关断晶闸管GTO;功率场效应晶体管_MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT; IGBT 是MOSFET和GTR的复合管.2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步<3、多个晶闸管相并联时必须考虑 _均流的问题,解决的方法是 _串专用均流电抗器. .4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波波,输出电流波形为方波波.5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为_800V 伏、额定有效电流为100A 安.6、180导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在 _同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_不同桥臂_上的元件之间进行的.7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、、正反向漏电流会 _下降、；当温度升高时,晶闸管的触发电流会—下降、、正反向漏电流会—增加.8、在有环流逆变系统中, 环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的电流.环流可在电路中加电抗器来限制.为了减小环流一'般采用限制角a =3的工作方式.9、常用的过电流保护举措有—快速熔断器、_串进线电抗器、接入直流快速开关、限制快速移相使输出电压下降 .〔写出四种即可〕10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分,可分为_电压型_型逆变器和—电流型型逆变器,电压型逆变器直流侧是电压源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用 _电容器进行滤波,电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的—本桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是180o 度；而电流型逆变器直流侧是电流源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波,电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是_120._个根本斩波电路并联.第4章交流一交流电力变换电路1.改变频率的电路称为变频电路,变频电路有交交变频电路和—交直交变频电路两种形式,前者又称为直接变频电路—,后者也称为间接变频电路.仝单相调压电路带电阻负载,其导通限制角.的移相范围为0-180.,随a的增大,Uo 降低,功率因数九降低.3.单相交流调压电路带阻感负载,当限制角a<牧皿arctan〔切L/R〕〕时,VT1的导通时间逐渐缩短,VT2的导通时间—逐渐延长.4.根据三相联接形式的不同,三相交流调压电路具有多种形式, TCR属于支路限制三角形联结方式,TCR的限制角ot的移相范围为90O-180.,线电流中所含谐波的次数为6k ±1.5.晶闸管投切电容器选择晶闸管投入时刻的原那么是：该时刻交流电源电压应和电容器预先充电电压相等.6.把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为—交交变频电路.7.单相交交变频电路带阻感负载时, 哪组变流电路工作是由输出电流的方向决定的,交流电路工作在整流还是逆变状态是根据输出电流方向和输出电压方向是否相同决定的._______________ <o11、直流斩波电路根据输入电压与输出电压的上下变化来分类有_降压_斩波电路； _升压 _______________ 斩波电路；__________ 升降压 ________ 斩波电路.12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载_____ 换流和_____ 强厂换流厂一13、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电孚商构成的斯疝可分万有源、逆变器与无源逆变器两大类.14、有一晶闸管的型号为KK200 — 9,请说明KK 快速晶闸管；200表示表示200A , 9表示900V .15、单结晶体管产生的触发脉冲是尖脉冲脉冲；B用于驱动小功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生而中为强触发脉冲脉冲；可以触发大功率的晶闸管.17、为了减小变流电路的开、关损耗,通常让元件工作在软开关状态,软开关电路种类很多,但归纳起来可分为_零电流开关与_零电压开关两大类.18、直流斩波电路在改变负载的直流电压时,常用的限制方式有等频调宽限制；等宽调频限制；脉宽与频率同时限制三种.19、由波形系数可知,晶闸管在额定情况下的有效值电流为i Tn等于_1.57 倍I T〔AV〕,如果I T〔AV〕=100安培,那么它允许的有效电流为_157 安培.通常在选择晶闸管时还要留出_1.5 — 2 倍的裕量.20、通常变流电路实现换流的方式有_器件换流,电网换流,负载换流,强迫换流四种.21、在单相交流调压电路中,负载为电阻性时移相范围是_0T冗,负载是阻感性时移相范围是甲t兀.22、在电力晶闸管电路中,常用的过电压保护有_避雷器；阻容吸收；硒堆；压敏电阻；整流式阻容吸收等几种.23、 .晶闸管的维持电流I H是指在温40度以下二福度条件下,门极断开时,晶闸管从较大通态电流下降到刚好能保持导通所必须的最小_阳极电流.25、普通晶闸管的图形符号是 ,三个电极分别是阳极A , 阴极K 和门极G 晶闸管的导通条件是阳极加正电压,阴极接负电压,门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通；关断条件是当晶闸管阳极电流小于维持电流I H时,导通的晶闸管关断...27、绝缘栅双极型晶体管是以—电力场效应晶体管栅极；作为栅极,以以电力晶体管集电极和发射极复合而成.28、在电力晶闸管电路中,常用的过电流保护有_快速熔断器；电路串电抗器；过流时快速移相；直流快速开关；等几种.29、晶闸管的换相重叠角与电路的 _触发角a；变压器漏抗X B；平均电流id；电源相电压U2.等到参数有关.31、单相全波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为_J2U2.三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为_J6U2.〔电源相电压为U2〕32、要使三相全控桥式整流电路正常工作,对晶闸管触发方法有两种,一是用大于60o小于120.的宽脉冲,触发；二是用脉冲前沿相差60o的双窄脉冲触发.35、带平衡电抗器的双反星形电路,变压器绕组同时有两相相导电；晶闸管每隔_60 度换一次流,每只晶闸管导通_120 度,变压器同一铁心柱上的两个绕组同名端 _相反,所以以两绕组的电流方向也相反,因此变压器的铁心不会被 _磁化.36、三相桥式全控整流电路是由一组共_阴极三只晶闸管和一组共阳_极的三只晶闸管串联后构成的, 晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的.每隔60度_换一次相,在电流连续时每只晶闸管导通120 度.要使电路工作正常, 必须任何时刻要有 _两只晶闸管同时导通,,一个是共阴极的,另一个是共阳极的元件,且要求不是 _不在同一桥臂上的两个元件.37、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为限制角—角,用仁表示.38、一般操作引起的过电压都是瞬时尖峰电压,经常使用的保护方法是阻容保护、而对于能量较大的过电压,还需要设置非线性电阻保护,目前常用的方法有压敏电阻和_硒堆..39、交流零触发开关电路就是利用过零触发_方式来限制晶闸管导通与关断的.40、型号为KS100-8的元件表示 _双向晶闸管管、它的额定电压为_800V、伏、额定电流为100A 安.41、实现有源逆为的条件为 _要有一个直流逆变电源,它的极性方向与晶闸管的导通方向一致,其幅极应稍大于逆变桥直流侧输出的平均电压；逆变桥必须工作在3 <90o 〔即a>90o〕区间,使输出电压极性与整流时相反,才能把直流能量逆变成交流能量反送到交流电网.42、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中,两组变流装置分别工作在正组整流状态、逆变状态、反组整流状态,逆变状态.43、有源逆变指的是把直流—能量转变成—交流能量后送给_电网的装置.44、给晶闸管阳极加上一定的—正向电压；在门极加上正向门极电压,并形成足够的门极触发电流,晶闸管才能导通.45、当负载为大电感负载,如不加续流二极管时,在电路中出现触发脉冲丧失时单相桥式半控整流桥,,与—三相桥式半控整流桥电路会出现失控现象.46、三相半波可控整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为_150 Hz；而三相全控桥整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为_300Hz;这说明―三相桥式全控整流桥电路的纹波系数比—三相半波可控流电路电路要小.47、 造成逆变失败的原因有 _逆变桥晶闸管或元件损坏,供电电源缺相,逆变角太小,触发脉冲丧失或未按时到达, 等几种.48、 晶闸管在触发开通过程中,当阳极电流小于掣住 电流之前,如去掉 _触发脉冲脉冲,晶闸管又会关断.49、 对三相桥式全控变流电路实施触发时,如采用单宽脉冲触发,单宽脉冲的宽度一般取_90七度较适宜；如采用双窄脉冲触发时,双窄脉冲的间隔应为_60」度.50、 三相半波可控整流电路电阻性负载时,电路的移相范围_0o-150 土,三相全控桥电阻性负载时,电路的移相范围 00-120 土,三相半控桥电阻性负 载时,电路的移相范围 00--150.51、 锯齿波触发电路的主要环节是由 _同步环节；锯齿波形成；脉冲形成；整形放大；强触发及输出 环节组成.电力电子技术问答分析题1、 晶闸管两端并联 R 、C 吸收回路的主要作用有哪些？其中电阻 R 的作用是什么？ R 、C 回路的作用是：吸收晶闸管瞬间过电压,限制电流上升率,动态均压作用.R 的作用为：使L 、C 形成阻尼振荡,不会产生振荡过电压,减小晶闸管的开通电流上升率,降低开通损耗.、2、 实现有源逆变必须满足哪两个必不可少的条件？直流侧必需外接与直流电流 Id 同方向的直流电源 E,其数值要稍大于逆变器输出平均电压Ud,才能提供逆变能量.逆变器必需工作在6 <90 0 〔底90 0〕区域,使Ud< 0,才能把直流功率逆变为交流功率返送电网.3、 晶闸管触发的触发脉冲要满足哪几项根本要求？A:触发信号应有足够的功率.B 触发脉冲应有一定的宽度,脉冲前沿尽可能陡,使元件在触发导通后,阳极电流能迅速上升超过掣住电流而维持导通. C:触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步,脉冲移相范围必须满足电路要求. U VT1、整流二极管 VD2电压U VD2,在一周期内的电压波形图.6、什么是逆变失败？逆变失败后有什么后果？形成的原因是什么逆变失败指的是：逆变过程中因某种原因使换流失败,该关断的器件末关断,该导通的器件末导通. 从而使逆变桥进入整流状态, 造成两电源顺向联接,形成短路.逆变失败后果是严重的,会在逆变桥与逆变电源之间产生强大的环流,损坏开关器件.产生逆变失败的原因：一是逆变角太小; 二是出现触发脉冲丧失；三是主电路器件损坏；四是电源缺相等.8、指出下列图中①〜⑦各保护元件及 VD 、Ld 的名称和作用.4、单相桥式半控整流电路,电阻性负载.当限制角a=90.时,画出：负载电压 U d 、晶闸管 VT1电压单相桥式半控整流电KA -IVT"F T I T①星形接法的硒堆过电压保护；②三角形接法的阻容过电压保护;③桥臂上的快速熔断器过电流保护；④晶闸管的并联阻容过电压保护；⑤桥臂上的晶闸管串电感抑制电流上升率保护；⑥直流侧的压敏电阻过电压保护； ⑦直流回路上过电流快速开关保护；VD 是电感性负载的续流二极管；L d 是电动机回路的平波电抗器；9、为使晶闸管变流装置正常工作,触发电路必须满足什么要求？A 、触发电路必须有足够的输出功率；B 、触发脉冲必须与主回路电源电压保持同步；C 、触发脉冲要有一定的宽度,且脉冲前沿要陡；D 、触发脉冲的移相范围应能满足主电路的要求；10、下列图为一单相交流调压电路,试分析当开关上得到的电压波形.Q 置于位置1:双向晶闸管得不到触发信号,不能导通,负载上无电压.Q 置于位置2：正半周,双向晶闸管I +触发方式导通.负半周,由于二极管VD 反偏,双向晶闸管得不到触发信号,不能导通,负载上得到半波整流电压.Q 置于位置3：正半周,双向晶闸管I +触发方式导通.负半周,双向晶闸管m -触发方式导通,负载上得到近似单相交流电压 11、在下面两图中,一个工作在整流电动机状态,另一个工作在逆变发电机状态.(1) 、标出U d 、E D 及i d 的方向. (2) 、说明E 与U d 的大小关系.(3) 、当a 与6的最小值均为30度时,限制角a 的移向范围为多少？位置1、2、3时,电路的工作情况并画出开关置于不同位置时,负载Q 置于整流--电动机状态逆变一发电机状态整流电动机状态：电流方向从上到下,电压方向上正下负,反电势E方向上正下负,Ud大于E,限制角的移相范围0 ~90°.逆变发电机状态：电流方向从上到下,电压Ud方向上负下正,发电机电势E方向上负下正,Ud小于E,限制角的移相范围90 ~150 °.一、填空1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR ;可关断晶闸管GTO ;功率场效应晶体管MOSFET ;绝缘栅双极型晶体管IGBT ; IGBT是 MOSFET和GTR 的复合管.2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步.3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是多个用均流电抗器.4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波,输出电流波形为方波.5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V 伏、额定有效电流为100A .6、180.导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120.导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的.7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加.2、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫〔脉冲〕换流.3、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类.4、有一晶闸管的型号为KK200 — 9,请说明KK 快速晶闸管；200表示表示200A , 9表示900V .5、单结晶体管产生的触发脉冲是尖脉冲脉冲；主要用于驱动功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为强触发脉冲脉冲；可以触发大,功率的晶闸管.1、普通晶闸管的图形符号是 ,三个电极分别是阳极A , 阴极K 和门极G 晶闸管的导通条件是阳极加正电压, 阴极接负电压,门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通;关断条件是当晶闸管阳极电流小于维持电流I H时, 导通的晶闸管关断 .2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符3囚JE可J i\ Z绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ;电力晶体管的图形符号楚帷犯€割如3、单相交流调压在电阻性负载电路的移相范围在00—180.变化,在阻感性负载时移相范围在甲一180.变化.4、变流电路的换流方式有器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流等四种.5、提升变流置的功率因数的常用方法有减小触发角、增加整流相数、采用多组变流装置申联供电、设置补偿电容 .7、在电力晶闸管电路中,常用的过电流保护有快速熔断器.: 电路串电抗器：过流时快速移相：和直流快速开关等几8、晶闸管的换相重叠角与电路的触发角a、变压器漏抗X B、平均电流I d 、电源相电压U2 等参数有关.。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
电力电子技术试题
第1章电力电子器件
1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
度。
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫换流。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源、逆变器与无源逆变器两大类。
14、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK快速晶闸管；200表示表示200A，9表示900V。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
电力电子技术期末复习考卷综合附答案,题目配知识点
一、填空题：1、电力电子技术的两个分支是电力电子器件制造技术和变流技术。
2、举例说明一个电力电子技术的应用实例变频器、调光台灯等。
3、电力电子承担电能的变换或控制任务，主要为①交流变直流（AC —DC ）、②直流变交流（DC —AC ）、③直流变直流（DC —DC ）、④交流变交流（AC —AC ）四种。
4、为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率，电力电子器件一般都工作在开关状态，但是其自身的功率损耗（开通损耗、关断损耗）通常任远大于信息电子器件，在其工作是一般都需要安装散热器。
5、电力电子技术的一个重要特征是为避免功率损耗过大，电力电子器件总是工作在开关状态，其损耗包括三个方面：通态损耗、断态损耗和开关损耗。
6、通常取晶闸管的断态重复峰值电压UDRM 和反向重复峰值电压URRM 中较小标值作为该器件的额电电压。
选用时，额定电压要留有一定的裕量，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的2~3倍。
7、只有当阳极电流小于维持电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
导通：正向电压、触发电流（移相触发方式）8、半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路可能会出现失控现象，为了避免单相桥式半控整流电路的失控，可以在加入续流二极管来防止失控。
9、整流电路中，变压器的漏抗会产生换相重叠角，使整流输出的直流电压平均值降低。
10、从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为触发角。
☆从晶闸管导通到关断称为导通角。
☆单相全控带电阻性负载触发角为180度☆三相全控带阻感性负载触发角为90度11、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为2√2U1。
（电源相电压为U1） 三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为??2.45U 2?。
（电源相电压为U 2）为了保证三相桥式可控整流电路的可靠换相，一般采用双窄脉冲或者宽脉冲触发。
12、四种换流方式分别为器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流。
电力电子技术期末考试试题及答案-(1)
电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术期末考试及试题答案
电力电子复习姓名：杨少航电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
(完整版)电力电子期末试题.及答案
1．晶闸管导通的条件是什么？导通后流过晶闸管的电流由什么决定？晶闸管的关断条件是什么？如何实现？晶闸管导通与阻断时其两端电压各为多少？解：晶闸管导通的条件是：晶闸管阳极和阴极之间加正向阳极电压。
门极和阴极之间加适当的正向阳极电压。
导通后流过晶闸管的电流由主电路电源电压和负载大小决定。
晶闸管的关断条件是：阳极电流小于维持电流。
关断晶闸管可以通过降低晶闸管阳极－阴极间电压或增大主电路中的电阻。
晶闸管导通时两端电压为通态平均电压（管压降），阻断时两端电压由主电路电源电压决定。
2．调试图所示晶闸管电路，在断开负载R d测量输出电压U d是否可调时，发现电压表读数不正常，接上R d后一切正常，请分析为什么？习题2图解：当S断开时，由于电压表内阻很大，即使晶闸管门极加触发信号，此时流过晶闸管阳极电流仍小于擎住电流，晶闸管无法导通，电流表上显示的读数只是管子漏电流形成的电阻与电压表内阻的分压值，所以此读数不准。
在S合上以后，Rd介入电路，晶闸管能正常导通，电压表的读数才能正确显示。
3．画出图1-35所示电路电阻R d上的电压波形。
图1-35 习题3图解：4．说明晶闸管型号KP100-8E代表的意义。
解：KP100-8E表示额定电流100A、额定电压8级（800V、通态平均电压组别E（0.7＜U T≤0.8）普通晶闸管。
5．晶闸管的额定电流和其他电气设备的额定电流有什么不同？解：由于整流设备的输出端所接负载常用平均电流来衡量其性能，所以晶闸管额定电流的标定与其他电器设备不同，采用的是平均电流，而不是有效值，又称为通态平均电流。
所谓通态平均电流是指在环境温度为40℃和规定的冷却条件下，晶闸管在导通角不小于170°电阻性负载电路中，当不超过额定结温且稳定时，所允许通过的工频正弦半波电流的平均值。
6．型号为KP100－3、维持电流I H＝3mA的晶闸管，使用在习题图所示的三个电路中是否合理？为什么（不考虑电压、电流裕量）？习题6图解：（a）图的目的是巩固维持电流和擎住电流概念，擎住电流一般为维持电流的数倍。
电力电子技术期末考试试题及答案
R、C 回路的作用是：吸收晶闸管瞬间过电压，限制电流上升率，动态均压作用。R 的作用为：使 L、C 形成阻尼振荡，不会产生振荡过电压，减小晶闸管的
开通电流上升率，降低开通损耗。
2、晶闸管触发的触发脉冲要满足哪几项基本要求？
4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于__ _，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连续的条件为__ __(U2为相电压有效值)。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o_，当它带阻感负载时，的移相范围为__0-90o_。
7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压；这种电路角的移相范围是_0-120o_，ud波形连续的条件是_ _。
6、有些晶闸管触发导通后，触发脉冲结束时它又关断是什么原因？
答：晶闸管导通情况下，随着主回路电源电压的降低，主回路电流降低到某一数值以下时晶
电力电子试题及答案
电力电子试题及答案一、单项选择题（每题2分，共10分）1. 电力电子技术中，用于将交流电转换为直流电的设备是：A. 变压器B. 整流器C. 逆变器D. 稳压器答案：B2. 下列哪个不是电力电子器件？A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）C. 继电器D. 功率MOSFET答案：C3. 电力电子技术中，PWM调制的全称是：A. 脉冲宽度调制B. 脉冲频率调制C. 脉冲密度调制D. 脉冲相位调制答案：A4. 电力电子变换器中，升压变换器的输出电压与输入电压的关系是：A. 输出电压低于输入电压B. 输出电压等于输入电压C. 输出电压高于输入电压D. 输出电压与输入电压无关答案：C5. 在电力电子应用中，软开关技术的主要作用是：A. 提高系统的功率因数B. 减少开关损耗C. 提高系统的稳定性D. 降低系统的噪声答案：B二、填空题（每题2分，共10分）1. 电力电子技术中，_________器件是实现交流到直流转换的关键。
答案：整流器2. 电力电子变换器的效率可以通过_________来提高。
答案：软开关技术3. 电力电子技术在_________和_________领域有着广泛的应用。
答案：能源转换；电机控制4. 电力电子技术中，_________调制是一种常用的控制策略。
答案：PWM5. 电力电子变换器中的_________变换器可以将直流电转换为交流电。
答案：逆变器三、简答题（每题5分，共20分）1. 简述电力电子技术在现代电力系统中的作用。
答案：电力电子技术在现代电力系统中起着至关重要的作用，包括提高电能的传输效率、实现电能的高效转换、优化电力系统的稳定性和可靠性、以及支持可再生能源的接入和利用。
2. 描述PWM调制在电力电子变换器中的应用。
答案：PWM调制在电力电子变换器中应用广泛，主要用于控制逆变器的输出电压和频率。
通过调整脉冲的宽度，可以控制输出电压的大小，同时通过改变脉冲的频率，可以控制输出电压的频率。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题第1章电力电子器件J 电力电子器件一般工作在 —开关— 状态。
冬在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为—通态损耗—，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为—开关损耗—。
3. 电力电子器件组成的系统，一般由 —控制电路__、_驱动电路_、 _主电路—三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加4. 按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为 一单极型器件_、—双极型器件_、一复合型器件_三类。
L 电力二极管的工作特性可概括为—承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
匚电力二极管的主要类型有 一普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7_肖特基二极管的开关损耗 _小于_快恢复二极管的开关损耗。
二晶闸管的基本工作特性可概括为 —正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止—。
生对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流IL 在数值大小上有IL__大于—IH 。
10. 晶闸管断态不重复电压 UDSM 与转折电压 Ubo 数值大小上应为，UDSM 大于—Uba丄逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_ （如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
生GTO 勺__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13. MOSFET 勺漏极伏安特性中的三个区域与 GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的 _截止区_、前者的饱和区对应后者的 — 放大区__、前者的非饱和区对应后者的 _饱和区—。
14. 电力MOSFET 勺通态电阻具有—正—温度系数。
15J GBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降—，开关速度—小于—电力MOSFET 。
生按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为 _电压驱动型_和一电流驱动型_两类。
17J GBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有 —负―温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有 —正―温度系数。
电力电子试题及答案
电力电子试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子器件中，以下哪个不是晶闸管的别称？A. SCRB. GTOC. TRIACD. DIAC2. 以下哪个是电力电子变换器的主要功能？A. 信号放大B. 功率放大C. 电压转换D. 电流转换3. PWM（脉冲宽度调制）技术主要用于控制什么？A. 电压B. 电流C. 频率D. 功率4. 以下哪个不是电力电子变换器的拓扑结构？A. 单相全桥B. 三相半桥C. 推挽变换器D. 串联稳压器5. 以下哪个是电力电子变换器的控制方式？A. 线性控制B. 开关控制C. 脉冲控制D. 模拟控制二、简答题（每题10分，共30分）6. 简述电力电子技术在现代电力系统中的应用。
7. 解释什么是软开关技术，并说明其优点。
8. 描述PWM控制技术在电力电子变换器中的应用。
三、计算题（每题25分，共50分）9. 给定一个单相桥式整流电路，输入电压为220V（有效值），负载电阻为100Ω。
计算输出直流电压的平均值和纹波系数。
10. 假设有一个三相全控桥式整流电路，输入电压为380V（线电压），负载为50Ω。
计算在全导通状态下的输出直流电压。
答案一、选择题1. 答案：B（GTO是门极可关断晶闸管的缩写）2. 答案：C（电力电子变换器主要用于电压转换）3. 答案：D（PWM技术主要用于控制功率）4. 答案：D（串联稳压器不是电力电子变换器的拓扑结构）5. 答案：B（电力电子变换器的控制方式主要是开关控制）二、简答题6. 答案：电力电子技术在现代电力系统中的应用包括但不限于：- 电力系统的稳定与控制- 电能质量的改善- 可再生能源的接入与利用- 电动汽车的充电技术- 高效照明与节能技术7. 答案：软开关技术是一种减少开关器件在开关过程中损耗的技术。
它通过在器件两端电压或电流为零时进行开关操作，从而减少开关损耗，提高效率。
其优点包括：- 降低开关损耗- 减少电磁干扰- 提高系统效率- 延长器件寿命8. 答案：PWM控制技术在电力电子变换器中的应用主要包括：- 调节输出电压的大小- 控制输出功率- 实现负载的调速- 提高系统的动态响应三、计算题9. 答案：对于单相桥式整流电路，输出直流电压的平均值为：\[ V_{DC} = \frac{2V_m}{\pi} = \frac{2 \times 220}{\pi}\approx 140V \]纹波系数为：\[ \text{Ripple Factor} = \frac{I_{max} - I_{min}}{I_{DC}} \]其中 \( I_{DC} \) 为直流电流，\( I_{max} \) 和 \( I_{min} \) 分别为纹波电流的最大值和最小值。
电力电子技术期末考试试题及答案
4.根据三相联接形式的不同，三相交流调压电路具有多种形式，TCR属于_支路控制三角形_联结方式，TCR的控制角的移相范围为_90O-180O_，线电流中所含谐波的次数为_6k±1_。
5.晶闸管投切电容器 选择晶闸管投入时刻的原那么是：_该时刻交流电源电压应与电容器预先充电电压相等_。
6.把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为__交交变频电路_。
度。
11、直流斩波电路按照输入电压及输出电压的上下变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流与强迫换流。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源、逆变器及无源逆变器两大类。
14、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK快速晶闸管；200表示表示200A，9表示900V。
15.直流可逆电力拖动系统中电动机可以实现四象限运行，当其处于第一象限时，电动机作_电动__运行，电动机_正__转，正组桥工作在_整流_状态；当其处于第四象限时，电动机做_发电_运行，电动机_反转_转，___正_组桥工作在逆变状态。
16.大、中功率的变流器广泛应用的是_晶体管__触发电路，同步信号为锯齿波的触发电路，可分为三个根本环节，即_脉冲的形成及放大__、_锯齿波的形成及脉冲移相_与_同步环节_。
电力电子技术期末考试试题卷与答案解析
电力电子复习姓名：杨少航电力电子技术试题第1章电力电子器件J电力电子器件一般工作在—开关—状态。
乙在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为—通态损耗—，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为—开关损耗—。
3.电力电子器件组成的系统，一般由—控制电路__、—驱动电路_、 _主电路—三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加—保护电路—。
丄按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为一单极型器件_、一双极型器件_、_复合型器件_三类。
匚电力二极管的工作特性可概括为—承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有 _普通二极管_、_快恢复二极管 _、_肖特基二极管_。
乙肖特基二极管的开关损耗 _小于_快恢复二极管的开关损耗。
肛晶闸管的基本工作特性可概括为—正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止_ 。
匹对同一晶闸管，维持电流 IH与擎住电流IL在数值大小上有IL _大于 _ IH。
10.晶闸管断态不重复电压 UDSM与转折电压 Ubo数值大小上应为，UDSM大于—Uba企逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_ （如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
企GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET勺漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的_放大区—、前者的非饱和区对应后者的饱和区。
14.电力MOSFET勺通态电阻具有正温度系数。
15JGBT的开启电压UGE（th ）随温度升高而略有下降，开关速度小于电力MOSFET。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为电压驱动型和电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有负温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有—正—温度系数。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试卷第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
绝对包你期末考试考过的20套电力电子技术试题和答案
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在____开关_____状态。
当器件的工作频率较高时，__开关_______损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。
4、面积等效原理指的是，_____冲量____相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是___MOSFET______，单管输出功率最大的是____GTO_________，应用最为广泛的是___IGBT________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；.二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子器件期末考试卷
电力电子器件期末考试卷一、选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子器件中，IGBT的全称是什么？A. 绝缘栅双极晶体管B. 绝缘栅晶体管C. 绝缘栅三极管D. 绝缘栅场效应晶体管2. 以下哪个不是电力电子变换器的基本功能？A. 整流B. 逆变C. 变频D. 滤波3. PWM控制技术中，PWM代表什么？A. 脉冲宽度调制B. 脉冲频率调制C. 脉冲幅度调制D. 脉冲时间调制4. 以下哪个器件不是电力电子器件？A. 晶闸管B. 功率MOSFETC. 继电器D. IGBT5. 电力电子技术在以下哪个领域应用最为广泛？A. 计算机技术B. 通信技术C. 能源转换与控制D. 生物技术6. 电力电子器件的开关速度通常用哪个参数来描述？A. 导通时间B. 关断时间C. 延迟时间D. 存储时间7. 在电力电子系统中，软开关技术的主要优点是什么？A. 减少开关损耗B. 提高系统效率C. 降低噪声D. 所有上述选项8. 电力电子器件的热设计主要考虑哪些因素？A. 器件的电流容量B. 器件的电压等级C. 器件的散热能力D. 所有上述选项9. 电力电子系统中的电磁兼容性问题主要涉及哪些方面？A. 电磁干扰B. 电磁辐射C. 电磁耐受性D. 所有上述选项10. 电力电子变换器的控制策略中，以下哪个不是常见的控制方法？A. 电压控制B. 电流控制C. 频率控制D. 相位控制二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述电力电子器件的发展历程及其在现代电力系统中的重要性。
2. 解释什么是功率因数校正，并说明其在电力电子系统中的作用。
3. 描述电力电子变换器在新能源发电系统中的作用及其关键技术。
三、计算题（每题25分，共50分）1. 给定一个单相桥式整流电路，输入电压为220V，负载为纯电阻性负载，负载电阻为100Ω。
计算整流电路的输出直流电压，并画出电路的波形图。
2. 假设有一个三相全控桥式整流电路，输入为三相交流电源，每相电压为220V，负载为纯电阻性负载，负载电阻为20Ω。
电力电子技术期末考试试题与答案
电力电子技术期末考试试题与答案一、选择题1.( ) 电力电子系统中常用的功率开关电路是：A. 逆变器B. 斩波电路C. 升压电路D. 降压电路答案：A2.( ) 电压型逆变器输出波形为：A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 三角波答案：B3.( ) 单相桥式整流电路输出脉动系数为：A. 0.364B. 0.482C. 0.482D. 0.600答案：B4.( ) 三相全控桥式整流电路的输出电压为：A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 三角波答案：C5.( ) 交流电调速系统常用的功率器件有：A. 可控硅B. 普通二极管C. 晶闸管D. 三极管答案：A二、填空题1.( ) 电压型逆变器的开关器件为 _______________。
答案：晶闸管或IGBT2.( ) 三相全控桥式整流电路中，每个器件的导通时间为单个周期的_______________。
答案：1/63.( ) 恒压恒频空调控制器常用的控制算法为 _______________。
答案：PID算法三、简答题1.( ) 请简述电力电子系统的优点并举例说明。
答：电力电子系统在工业、交通、军事等领域的应用越来越广泛。
其优点主要包括：•可以实现能量的调节、转换和控制，提高能源利用效率；•可以精确控制电机的运行状态，实现电动机的调速和起停；•可以实现高效、精确、稳定的电力输出，并且对电网负荷的影响小。
其中，逆变器是电力电子系统中最常用的功率开关电路之一。
逆变器能将直流电转换为交流电，广泛应用于交流调速、UPS、电动汽车、太阳能发电、工业控制等领域。
2.( ) 请简述电力电子系统的应用场景并阐述其在场景中的作用。
答：电力电子系统广泛应用于以下场景中：•钢铁、冶金、矿山等重工业领域：逆变器、斩波电路、大电流直流电源等电力电子装置用于铁水炉、转炉、熔炼炉、轧钢机、提升机等电动机的调速和控制。
电力电子技术也被应用于高温热处理设备、水处理设备、氢氧化钠电解等场景中。
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一、填空题（１0分，每题１分）
1 SPWM波形是________________的PWM波形。
（脉冲的宽度按正弦规律变化而和正弦波等
效脉冲的宽度按正弦规律变化而和正弦波等效）
2 在电力电子器件的驱动电路中一般采用的电气隔离技术是________隔离和________隔
离。
光，磁
3 电力电子装置提供给负载的是各种不同的直流电源、恒频交流电源和变频交流电源，所
以电力电子技术研究的也就是________。
电源技术
4当晶闸管并联时，会因静态和动态特性参数的差异存在_______问题。
电流分配不均匀5 ________________技术用以谐振为主的辅助换流手段，解决了电路中的开关损耗和开
关噪声问题，使开关频率可以大幅度提高。
软开关
6 三相半波可控整流电路的自然换相点是__________________。
各相晶闸管能触发导通的
最早时刻。
7 触发电路定相的关键是确定________________的关系。
确定同步信号与晶闸管阳极电压
的关系。
不考
8 通过控制触发脉冲的相位来控制直流输出电压大小的方式称为_______。
相位控制方式
9 在一个输出电压周期内，要根据________________来确定交交变频电路是工作在整流状
态还是逆变状态。
（输出电压与输出电流方向是否相同）
10为了使ＰＷＭ整流电路在工作时功率因数近似为１，可以有多种控制方法。
根据_______________可以将这些控制方法分为两种，间接电流控制和直接电流控制。
（有没有引入电流反馈）不考
二、选择题（30分，每题2分）
1 下列器件中，最适合用在小功率，高开关频率的变换器中的是( ) B
A. IGBT
B. MOSFET
C. GTO
D. GTR
2. 电力晶体管属于（）器件 B
A. 半控型
B. 全控型
C. 不可控型
D. 电压驱动型
3. 与信息电子器件相比，哪种特征不是电力电子器件的特征（） A
A. 处理的电功率远小于信息电子器件
B. 电力电子器件一般都工作在开关状态
C. 自身的功率损耗通常远大于信息电子器件
D. 电力电子器件需要由信息电子电路控制
4 三相桥式全控整流电路中同一相的上下两个桥臂的触发脉冲相位相差（） D
A.60°
B.120°
C.150°
D.180°
5. 在非正弦电路中，( A )是基波电流有效值和总电流有效值之比。
A. 基波因数
B. 功率因数
C. 位移因数
D.基波功率因数
6.在同步信号为锯齿波的触发电路中，下面不属于的电路的基本环节的是( ) D 不考
A. 脉冲移相、同步环节
B. 脉冲的形成与放大
C. 锯齿波的形成
D. 双窄脉冲形成环节
7. 下面哪一个不是电力电子器件的缓冲电路的作用( )B
A.抑制内因过电压和du/dt
B.提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节
C.减小器件的开关损耗
D.抑制过电流和di/dt
8. 斩波电路的控制方式中，频率调制型是( ) A
A.保持开关导通时间不变，改变开关周期
B. 同时改变开关导通时间和开关周期
C.保持开关周期不变，改变开关导通时间
D. 保持开关导通时间和开关周期不变
9. ( )将负载与交流电源接通几个整周波，再断开几个整周波，通过改变接通周波数与断开周波数的比值来调节负载所消耗的平均功率． B
A.交流电力电子开关
B.交流调功电路
C.单相交流调压电路
D.三相交流调压电路
10 软开关技术中，使开关关断前其电流为零，则开关关断时不会产生损耗和噪声，这种关
断方式称为( ) A
A.零电压关断
B.零电流开通
C.零电流关断
D. 零电压开通
11 在ＰＷＭ控制电路中，载波比为( ) B
A.调制信号频率的倒数
B.载波频率与调制信号频率之比
C.载波频率的倒数
D. 调制信号频率与载波频率之比
12 在逆变电路工作过程中，电流从一个支路向另一个支路转移的过程称为换流．常利用附
加电容上所储存的能量来实现换流的换流方式是( ) C
A.负载换流 B 器件换流 C 强迫换流 D 电网换流
13电流型逆变器中为吸收换流时负载电感中存储的能量而设置的器件是( A )
A.交流侧电容
B.电动机
C.直流侧电容
D.直流侧电感
14下列电路中，输入整流变压器存在直流磁化的有（）C
A. 单相桥式全控整流电路
B.单相双半波整流电路
C.三相半波可控整流电路
D.三相桥式全控整流
15 电力电子技术的诞生以( )为标志 B
A 电子管
B 晶闸管C晶体管 D 二极管
三、简答题（20分，每题4分）
1.逆变电路多重化的目的是什么？如何实现？串联多重和并联多重逆变电路各用于什么场
合?
2.请绘出单相半波半控整流电路带阻感负载有续流二极管的电路图，并说明续流二极管的
作用。
另说明单相桥式半控整流电路中器件的构成以及需要加设续流二极管的原因。
3.试说明单极性和双极性ＰＷＭ调制的区别。
4.无源逆变电路和有源逆变电路有何不同?使变流器工作于有源逆变状态的条件是什么?
5.在三相交交变频电路中，采用梯形波输出控制的好处是什么?为什么?。