可控硅参数说明及中英文对照表
for1b可控硅参数及管脚
for1b可控硅参数及管脚For1b可控硅参数及管脚一、引言For1b可控硅是一种常见的半导体器件，广泛应用于电力电子领域。
本文将介绍For1b可控硅的参数及管脚功能，以帮助读者更好地了解和应用这一器件。
二、For1b可控硅参数1. 最大正向电压（VDRM）：For1b可控硅能够承受的最大正向电压。
超过这个电压值，可控硅可能会损坏。
2. 最大反向电压（VR）：For1b可控硅能够承受的最大反向电压。
超过这个电压值，可控硅可能会损坏。
3. 最大触发电流（IFT）：For1b可控硅所需的最小触发电流。
当触发电流大于或等于这个值时，可控硅将开始导通。
4. 最大保持电流（IH）：For1b可控硅在导通状态下所能承受的最大保持电流。
超过这个电流值，可控硅可能会损坏。
5. 最大耐压能力（di/dt）：For1b可控硅在关断状态下，能够承受的最大耐压能力。
超过这个值，可控硅可能会损坏。
6. 关断时间（tq）：当For1b可控硅不再受到触发电流时，从导通状态到关断状态所需的时间。
7. 最大温度（Tjmax）：For1b可控硅能够承受的最高工作温度。
超过这个温度，可控硅可能会损坏。
三、For1b可控硅管脚功能1. A1和A2：正向电压输入端。
A1连接到正极，A2连接到负极。
2. G：触发端。
当触发电流大于或等于最大触发电流时，可控硅将开始导通。
3. K：控制端。
通过控制端电压的变化，可以调节可控硅的导通和关断状态。
4. MT1和MT2：输出端。
MT1连接到负极，MT2连接到正极。
四、应用示例For1b可控硅常用于电力电子领域，以下是一个简单的应用示例：在交流电路中，For1b可控硅可以用作开关。
当控制端施加一个正向电压时，触发端的触发电流将大于或等于最大触发电流，从而使可控硅导通。
在导通状态下，交流电流可以通过可控硅流过，从而实现电路的通断控制。
值得注意的是，为了保护For1b可控硅，通常会在可控硅的输入端加上适当的电阻、电容等元件，以限制电流和保证可控硅的正常工作。
btb04一s可控硅参数
btb04一s可控硅参数BTB04是一种可控硅，也被称为双向三极晶体管（Bidirectional Triode Thyristor）。
它具有多种参数，如最大额定电压、最大额定电流、触发电流等。
本文将围绕这些参数展开，介绍BTB04的特性和应用。
一、最大额定电压（VDRM）BTB04的最大额定电压是指在正向工作状态下，它所能承受的最大电压。
一般来说，BTB04的最大额定电压为400V。
当电路中的电压超过这个值时，BTB04可能会损坏或无法正常工作。
因此，在选择BTB04时，需要根据实际电路需求来确定最大额定电压的值。
二、最大额定电流（IT(AV)）BTB04的最大额定电流是指在正常工作状态下，它所能承受的最大电流。
一般来说，BTB04的最大额定电流为4A。
当电路中的电流超过这个值时，BTB04可能会过载而损坏。
因此，在设计电路时，需要根据实际电流需求来选择合适的BTB04。
三、触发电流（IT(RMS)）BTB04的触发电流是指在控制端加上足够的电流时，它开始导通的最小电流值。
一般来说，BTB04的触发电流为10mA。
当控制端电流小于触发电流时，BTB04处于断开状态；当控制端电流大于触发电流时，BTB04开始导通。
触发电流的大小决定了BTB04的开启灵敏度和可靠性。
四、保持电流（IH）BTB04的保持电流是指在导通状态下，控制端所需的最小电流值，以保持BTB04处于导通状态。
一般来说，BTB04的保持电流为10mA。
当控制端电流小于保持电流时，BTB04会自动关断。
保持电流的大小决定了BTB04的稳定性和可靠性。
五、导通电压降（VTM）BTB04的导通电压降是指在导通状态下，BTB04两个主导电极之间的电压降。
一般来说，BTB04的导通电压降为1.7V。
导通电压降的大小决定了BTB04的功耗和效率。
BTB04可控硅具有以上几个重要参数，它的特性使它在电子电路中有着广泛的应用。
例如，BTB04常被用于交流电控制、电能测量和电动机控制等领域。
晶闸管（可控硅）参数符号说明
晶闸管（可控硅）参数符号说明晶闸管(可控硅)参数符号说明以下参数符号说明的1～11符合1985年颁布的国家标准GB4940-851、断态及反向重复峰值电压VDRM和VRRM控制极断路，在⼀定的温度下，允许重复加在管⼦上的正向电压为断态重复峰值电压，⽤VDRM表⽰。
这个数值是不重复峰值电压VDSM的90％，⽽不重复峰值电压即为正向伏安特性曲线急剧弯曲点所决定的断态峰值电压。
反向重复峰值电压⽤VRRM表⽰，它也是在控制极开路条件下，规定⼀定的温度，允许重复加在管⼦上的反向电压，同样，VRRM为反向不重复峰值电压VRSM的90％。
“重复”是指重复率为每秒50次．持续时间不⼤于10ms。
VDRM和VRRM随温度的升⾼⽽降低，在测试条件中，将对温度作严格的规定。
⽣产⼚把VDRM和VRRM中较⼩的⼀个数值作为管⼦的额定电压。
2、断态漏电流IDRM和反向漏电流IRRM对应VDRM和VRRM的漏电流为断态漏电流和反向漏电流，分别⽤IDRM 和IRRM表⽰。
这个数值⽤峰值表⽰。
3、额定通态电流IT在环境温度为40℃和规定的冷却条件下，在单相⼯频(即50Hz)正弦半波电路中，导通⾓为不⼩于170°，负载为电阻性，当结温稳定且不超过额定结温时，管⼦所允许的最⼤通态电流为额定通态电流。
这个值⽤平均值和有效值分别表⽰。
4、通态电压VTM在规定环境温度和标准散热条件下，管⼦在额定通态电流IT时所对应的阳极和阴极之间的电压为通态电压，即⼀般称为管压降。
此值⽤峰值表⽰。
这是⼀个很重要的多数，晶闸管导通时的正向损耗主要由IT与VTM之积决定，希望VTM越⼩越好。
5、维持电流IH在室温下，控制极开路，晶闸管被触发导通后，维持导通状态所必须的最⼩电流。
也就是说，在室温下，在控制极回路通以幅度和宽度都⾜够⼤的脉冲电流，同时在阳极和阴极之间加上电压，使管⼦完全开通。
然后去掉控制极触发信号，缓慢减⼩正向电流，管⼦突然关断前瞬间的电流即为维持电流。
bta41600b双向可控硅参数
btaxxxb双向可控硅参数1. 概述BTAxxxB是一种双向可控硅，广泛应用于交流电路中。
其参数包括电压、电流和功率等，下面将对其各项参数做详细介绍。
2. 电压参数BTAxxxB的最大可重复峰值电压(VDRM)为600伏，最大非重复峰值电压(VRRM)为700伏。
这些参数表明了BTAxxxB在正常工作条件下可以承受的最大电压值。
3. 电流参数BTAxxxB的最大均值电流(IT(AV))为25安培，最大尖脉冲电流(ITSM)为260安培。
这些参数标志着BTAxxxB能够承受的最大电流值，从而保证器件在正常工作条件下不会受到损坏。
4. 功率参数BTAxxxB的最大消耗功率(PG(AV))为25瓦，最大尖脉冲功率(PGM)为380瓦。
这些参数表明了BTAxxxB可以承受的最大功率值，从而保证器件在正常工作条件下不会因功率过载而损坏。
5. 其他参数- 触发电流(IH)：BTAxxxB的触发电流为50毫安培，这是使其进入导通状态所需的最小电流值。
- 保持电流(ID)：BTAxxxB的保持电流为50毫安培，这是在其进入导通状态后需要保持的电流值。
- 耐电压：BTAxxxB的耐电压为2300伏，保证了其在正常工作条件下不会出现击穿现象。
- 结构：BTAxxxB采用了反向并联结构，能够保证其在工作过程中有较好的可靠性和稳定性。
6. 结论通过对BTAxxxB双向可控硅的参数进行分析，可以看出其具有较高的电压、电流和功率承受能力，适用于各种交流电路中。
其触发电流、保持电流和耐电压等参数也保证了其在正常工作条件下能够稳定可靠地工作。
BTAxxxB双向可控硅是一种性能优良的器件，为交流电路提供了重要的支持。
接下来我们将对BTAxxxB双向可控硅的参数进行更深入的解析，从而更好地理解这一器件在交流电路中的应用和性能特点。
7. 温度参数BTAxxxB的最大工作温度为125摄氏度，最大存储温度为-40摄氏度至150摄氏度。
可控硅型号与参数表
可控硅型号与参数表描述一．可控硅简介可控硅是一种大功率电器元件，也称晶闸管。
它具有体积小、效率高、寿命长等优点。
在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。
它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。
可控硅图结构、外形和图形符可控硅的三个电极分别叫阳极（A）、阴极（K）和控制极（G）。
当器件的阳极接负电位（相对阴极而言）时，从符号图上可以看出PN 结处于反向，具有类似二极管的反向特性。
当器件的阳极上加正电位时（若控制极不接任何电压），在一定的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。
但当正电压大于某个电压（称为转折电压）时，器件迅速转变到低阻通导状态。
加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时，器件处于关闭状态。
此时如果在控制极上加有适当大小的正电压（对阴极），则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。
可控硅一旦导通，控制极便失去其控制作用。
就是说，导通后撤去栅极电压可控硅仍导通，只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时，器件才可恢复到关闭状态。
图3-30是可控硅的伏安特性曲线。
图中曲线I为正向阻断特性。
无控制极信号时，可控硅正向导通电压为正向转折电压（UB0）；当有控制极信号时，正向转折电压会下降（即可以在较低正向电压下导通），转折电压随控制极电流的增大而减小。
当控制极电流大到一定程度时，就不再出现正向阻断状态了。
曲线Ⅱ为导通工作特性。
可控硅导通后内阻很小，管子本身压降很低，外加电压几乎全部降在外电路负载上，并流过比较大的负载电流，特性曲线与二极管正向导通特性相似。
若阳极电压减小（或负载电阻增加），致使阳极电流小于维持电流IH时，可控硅从导通状态立即转为正向阻断状态，回到曲线I状态。
曲线Ⅲ为反向阻断特性。
当器件的阳极加以反向电压时，尽管电压较高，但可控硅不会导通（只有很小的漏电流）。
只有反向电压达到击穿电压时，电流才突然增大，若不加限制器件就会烧毁。
可控硅参数说明(精)
符号说明:VRRM--反向重复峰值电压:在控制极断路和额定结温的条件下,可以重复加在可控硅上的交流电压。
此电压小于反向最高测试电压100V。
反向最高测试电压,规定为反向漏电流急速增加,反向特性曲线开始弯曲时的电压。
V RSM--反向不重复峰值电压;在控制极断路和额定结温的条件下,不允许加在可控硅上的交流电压。
V DRM――断态重复峰值电压;断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H,每次持续时间不超高10ms。
规定断态重复峰值电压V DRM为断态不重复峰值电压(即断态最大瞬时电压UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压Ubo。
IT(AV/ IF(AV--通态/正向平均电流;在环境温度+40℃和额定结温下,导通角不小于170°阻性负载电路中,允许通过的50Hz正弦半波电流的平均值。
I T(RMS, I F(RMS――通态/正向方均根电流;是指在额定结温,允许流过器件的最大有效电流值,用户在使用中须保证,在任何条件下流过器件的电流有效值,不超过对应壳温下的方均根电流值I TSM,I FSM--通态/正向浪涌电流;指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流(半个正弦波t=10ms, 50HzI2t--表示可控硅所通过的电流产生的能量,是电流的平方乘以时间,表示可控硅的发热特性。
P GM--门极峰值功率;门极触发电压与最大触发电流的乘积;P G(AV --门极平均功率;门极触发电压与正常触发电流的乘积;di/dt--通态电流临界上升率;指在额定结温下,可控硅能承受的最大通态电流上升率(如果电流上升太快,可能造成局部过热而使可控硅损坏V ISO--绝缘电压;芯片与可控硅的底板之间的绝缘电压。
Tj--工作结温;可控硅在正常工作条件下允许的PN结温度。
Tjm--额定结温;可控硅在正常工作条件下允许的最高PN结温度。
y65kphot可控硅参数解读
y65kphot可控硅参数解读
（实用版）
目录
1.可控硅的基本概念与结构
2.可控硅的参数及其含义
3.y65kphot 型号可控硅的主要参数解读
4.y65kphot 型号可控硅的应用领域
5.结论
正文
一、可控硅的基本概念与结构
可控硅，全称为可控硅控整流器，是一种四层三端的半导体器件，具有电压控制的开关特性。
它主要由 p 型半导体、n 型半导体以及控制极组成，结构如图 1 所示。
可控硅广泛应用于交流调速、逆变器、斩波器、恒流源等领域。
二、可控硅的参数及其含义
可控硅的参数主要包括：额定电压、额定电流、控制极触发电流、动态响应特性等。
1.额定电压：可控硅在正向导通状态下，所能承受的最大电压。
2.额定电流：可控硅在正向导通状态下，所能承受的最大电流。
3.控制极触发电流：也称为门限电流，是指控制极电流达到一定值时，可控硅开始导通的最小电流。
4.动态响应特性：可控硅从关态到导态的切换速度。
三、y65kphot 型号可控硅的主要参数解读
y65kphot 型号可控硅是一款常见的可控硅型号，其主要参数如下：
1.额定电压：600V
2.额定电流：50A
3.控制极触发电流：50μA
4.动态响应特性：快速
四、y65kphot 型号可控硅的应用领域
y65kphot 型号可控硅广泛应用于工业控制、交流调速、逆变器、斩波器、恒流源等领域，具有较强的通用性和稳定性。
五、结论
可控硅作为一种重要的半导体器件，其参数对器件性能和应用范围具有重要影响。
可控硅符号含义
参数符号说明:IT(A V)--通态平均电流VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--通态重复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IF(A V)--正向平均电流CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（A V）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。
可控硅参数说明及中文英文对照表
引脚到外壳最大绝缘电压
-
V
PG(AV)
Average gate power dissipation
门极平均散耗功率
-
W
PGM
Peak gate power
门极最大峰值功率
-
W
PG(AV)
Average Gate Power
门极平均功率
-
W
Tj
OperatingJunctionTemperatureRange
A
VTM
Peak on-state voltage drop
通态峰值电压
指器件通过规定正向峰值电流IFM(整流管)或通态峰值电流ITM(晶闸管)时的峰值电压也称峰值压降该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力。
V
IDRM
Maximum forward or reverse leakage current
A/ms
dVCOM/dt
Critical rate of change of commutating voltage
临界转换电压上升率
切换电压上升率dVCOM/dt。驱动高电抗性的负载时，负载电压和电流的波形间通常发生实质性的相位移动。当负载电流过零时双向可控硅发生切换，由于相位差电压并不为零。这时双向可控硅须立即阻断该电压。产生的切换电压上升率（dVCOM/dt）若超过允许值，会迫使双向可控硅回复导通状态，因为载流子没有充分的时间自结上撤出。
V
dV/dt
Critical Rate of Rise of Off-state Voltage
断态临界电压上升率
dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容，如图2所示。我们知道dv/dt的变化在电容的两端会出现等效电流，这个电流就会成为Ig，也就是出现了触发电流，导致误触发
可控硅参数说明及中英文对照表
VDRM
Repetitive peak off-state voltage
断态重复峰值电压
断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H，每次持续时间不超高10ms。规定断态重复峰值电压DRM为断态不重复峰值电压（即断态最大瞬时电压）UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压bo，所留裕量大小由生产厂家自行规定。UU
A
IGM
Forward Peak Gate Current
门极峰值电流
-
A
I2T
Circuit Fusing Consideration
周期电流平方时间积
-
A2ses
dIT/dt
Repetitive rate of rise of on-state current after triggering (IGT1~IGT3)
mA
IH
Holding Current
维持电流
维持可控硅维持通态所必需的最小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。
mA
IL
Latching Current (IGT3)
接入电流(第三象限)/擎住电流
擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2--4倍。
mA
ID
Off-state leakage current
断态漏电流
-
mA
VGT
Triggering gate voltage
门极触发电压
—可以选择Vgt 25度时max值的β倍。β为门极触发电压—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常选择时β取1~倍即可。
bat12 600b可控硅参数
bat12 600b可控硅参数
（实用版）
目录
1.概述
2.可控硅参数详细说明
3.600b 可控硅参数
4.总结
正文
1.概述
可控硅是一种四层三端的半导体器件，具有电压控制的开关特性。
它主要用于交流电路中的整流、交直流转换、逆变等。
可控硅的参数主要有额定电压、额定电流、控制极电流、开关速度等。
2.可控硅参数详细说明
（1）额定电压：可控硅的最大正向电压，超过这个电压会导致可控硅损坏。
（2）额定电流：可控硅的最大正向电流，超过这个电流也会导致可控硅损坏。
（3）控制极电流：控制可控硅导通或截止的电流，一般要求在特定范围内。
（4）开关速度：可控硅从导通到截止或从截止到导通的时间，这个参数决定了可控硅在高频应用中的性能。
3.600b 可控硅参数
600b 可控硅是一种特定的可控硅型号，其参数如下：
（1）额定电压：600V
（2）额定电流：2A
（3）控制极电流：50mA
（4）开关速度：快速
4.总结
可控硅是一种重要的半导体器件，广泛应用于交流电路中的整流、交直流转换、逆变等。
其中，600b 可控硅是一种常见的型号，具有较高的额定电压和电流，适用于多种电路应用。
富安时可控硅说明书
富安时可控硅说明书富安时可控硅是一种电子元件，也称为晶闸管。
它是一种半导体器件，可以控制电流的流动，广泛应用于电力电子领域。
下面是富安时可控硅说明书的主要内容：一、产品介绍富安时可控硅是一种双向可控硅，具有高压、高电流、高温等特点。
它采用了先进的工艺和材料，具有可靠性高、寿命长等优点。
富安时可控硅广泛应用于电力电子、电机控制、照明等领域。
二、产品参数1.额定电压：1000V-4000V2.额定电流：100A-3000A3.工作温度：-40℃-125℃4.控制电压：3V-32V5.触发电流：5mA-200mA三、产品特点1.高可靠性：采用了优质材料和先进工艺，具有高可靠性和长寿命。
2.高压、高电流：富安时可控硅具有高压、高电流的特点，可以满足各种应用需求。
3.双向可控：富安时可控硅是一种双向可控硅，可以控制电流的正反向流动。
4.低功耗：富安时可控硅具有低功耗的特点，可以节省能源。
5.广泛应用：富安时可控硅广泛应用于电力电子、电机控制、照明等领域。
四、产品应用1.电力电子：富安时可控硅可以用于电力电子中的变频器、逆变器、直流调速器等。
2.电机控制：富安时可控硅可以用于电机控制中的起动器、制动器、调速器等。
3.照明：富安时可控硅可以用于照明中的调光器、开关等。
五、注意事项1.使用前请仔细阅读说明书，了解产品参数和特点。
2.使用时请注意安全，避免触电和短路。
3.请勿超过产品的额定电压和电流范围。
4.请勿在高温、潮湿、腐蚀性环境中使用。
5.请勿随意拆卸产品，以免影响产品性能。
六、结语富安时可控硅是一种重要的电子元件，具有高可靠性、高压、高电流、双向可控等特点，广泛应用于电力电子、电机控制、照明等领域。
在使用时，请注意安全，遵守使用说明，以免影响产品性能和安全。
可控硅的常见参数和符号中英文对照表
dv/dt断态电压临界上升率aYp电子资料网
di/dt通态电流临界上升率aYp电子资料网
IGT门极复峰值电流aYp电子资料网
IF(AV)正向平均电流aYp电子资料网
IT(AV)通态平均电流aYp电子资料网
VDRM通态重复峰值电压aYp电子资料网
IH维持电流aYp电子资料网
IDRM断态重复峰值电流aYp电子资料网
ITSM通态一个周波不重复浪涌电流aYp电子资料网
Rthjc结壳热阻aYp电子资料网
Tjm额定结温aYp电子资料网
VRRM反向重复峰值电压aYp电子资料网
VTM通态峰值电压aYp电子资料网
VGT门极触发电压aYp电子资料网
VISO模块绝缘电压aYp电子资料网
可控硅参数要求范文
可控硅参数要求范文可控硅（Silicon Controlled Rectifier，SCR）是一种重要的电子器件，常用于电能调节、交流电流控制、直流电流开关等应用领域。
在实际应用中，选择合适的可控硅参数十分重要，下面将从可控硅的额定值、电流电压特性、灵敏度等方面进行详细介绍。
首先，我们来看可控硅的额定值。
可控硅的额定电容、功率、电流、电压、温度等参数需符合特定的要求，这样才能确保器件的稳定工作。
额定电容表示可控硅的电容容量，通常以微法（μF）为单位，用于描述可控硅的快速开关特性；额定功率指的是可控硅能够承受的最大功率，通常以瓦特（W）为单位，这对于应用中的功率分配和保护电路设计非常重要；额定电流表示可控硅的最大可管理电流，通常以安培（A）为单位，使用中应确保电流不超过额定电流；额定电压指的是可控硅所能承受的最大电压，通常以伏特（V）为单位，不能超过额定电压以保证器件的稳定运行；额定温度是指可控硅能够正常工作的最高温度，通常以摄氏度（℃）为单位，在使用中应控制温度，避免过热引起电压漂移和损坏等现象。
其次，可控硅的电流电压特性也是一个重要的参数。
可控硅的电流电压特性包括导通特性和关断特性。
导通特性指的是在可控硅的触发电流作用下，电流从阳极流向阴极的特性。
常见的导通特性参数有导通压降、导通电阻等；关断特性指的是在可控硅的关断条件下，电流完全截断的特性。
常见的关断特性参数有关断电流、关断时间等。
这些特性对于实际应用中的开关动作和稳定性都非常重要，应根据具体应用需求选择适合的可控硅参数。
再次，可控硅的灵敏度也是选型时需要考虑的因素之一、灵敏度指的是器件触发电流与晶闸管可控电流之间的比值。
灵敏度越高，则晶闸管在低电流条件下就能够触发，适应性更强。
选择灵敏度合适的可控硅，可以提高开关性能，减少触发电流的损耗，降低功耗和成本。
最后，还有一些其他的可控硅参数也需要考虑。
比如器件的开启时间、关断时间、峰值电流、功率转换效率等。
可控硅参数说明及中英文对照表
VGD
Non-triggering gate voltage
门极不触发电压
-
V
VFGM
Peak Forward Gate Voltage
门极正向峰值电压
-
V
VRGM
Peak Reverse Gate Voltage
门极反向峰值电压
-
V
IFGM
Peak ForwardGate Current
门极正向峰值电流
V/uS
(dI/dt)c
Critical rate of decrease of commutating on-state current
通态电流临界上升率
指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。如果电流上升太快，则晶闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损坏。
℃
Tstg
?Storage Temperature Range
贮存温度
-
℃
TL
?Max.Lead Temperature for Soldering Purposes
引脚承受焊锡极限温度
-
℃
Rth(j-mb)
?ThermalResistance Junction to mounting base
热阻-结到外壳
V
VRRM
反向重复峰值电压
在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。
VPP
Non repetitive line peak pulse voltage
最高不重复线路峰值电压
-
v
Visol
引脚到外壳最大绝缘电压
-
可控硅参数说明及中英文对照表p
Tstg
Storage Temperature Range
贮存温度
-
℃
TL
Max.Lead Temperature for Soldering Purposes
引脚承受焊锡极限温度
-
℃
Rth(j-mb)
Thermal Resistance Junction to mounting base
热阻-结到外壳
通态临界电流上升率
当双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导通，门极临近处立即导通，然后迅速扩展至整个有效面积。这迟后的时间有一个极限，即负载电流上升率的许可值。过高的dIT/dt可能导致局部烧毁，并使T1-T2 短路。假如过程中限制dIT/dt到一较低的值，双向可控硅可能可以幸存。因此，假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出或导通时的dIT/dt有可能被超出，可在负载上串联一个几μH的不饱和（空心）电感。
V
VRRM
反向重复峰值电压
在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。
VPP
Non repetitive line peak pulse voltage
最高不重复线路峰值电压
-
v
Visol
引脚到外壳最大绝缘电压
-
V
PG(AV)
Average gate power dissipation
V
VGD
Non-triggering gate voltage
门极不触发电压
-
V
VFGM
Peak Forward Gate Voltage
门极正向峰值电压
-
V
VRGM
Peak Reverse Gate Voltage
可控硅bta204x800c参数
可控硅bta204x800c参数（原创实用版）目录1.可控硅概述2.BTA204X800C 参数介绍3.参数详解4.应用领域正文一、可控硅概述可控硅，全称为可控硅整流器，是一种四层三端的半导体器件，具有电压、电流可控特性。
它主要应用于交流电压的整流、交直流转换、逆变等电力电子系统中，以实现对电压、电流的精确控制。
可控硅在工业生产、家电、通信等领域具有广泛的应用价值。
二、BTA204X800C 参数介绍BTA204X800C 是一款可控硅产品，由制造商提供详细的参数信息，以方便用户了解其性能和适用范围。
以下是 BTA204X800C 的主要参数：1.型号：BTA204X800C2.额定电压：AC 220V3.额定电流：800A4.控制极电压：DC 5-15V5.封装形式：TO-220三、参数详解1.型号：BTA204X800C，表示该可控硅的型号为 BTA204X800C。
2.额定电压：AC 220V，表示该可控硅适用于交流电压为 220V 的电路中。
3.额定电流：800A，表示该可控硅在正常工作状态下，允许通过的最大电流为 800A。
4.控制极电压：DC 5-15V，表示该可控硅的控制极需要的电压范围为DC 5-15V。
5.封装形式：TO-220，表示该可控硅采用 TO-220 封装形式，具有标准插脚，便于安装和焊接。
四、应用领域BTA204X800C 可控硅广泛应用于工业自动化、家电控制、通信设备、电力电子转换等领域。
例如，在交流电机调速、逆变器、充电器、电压调整器等设备中，可以利用 BTA204X800C 实现对电压、电流的精确控制，以满足不同工作环境的需求。
综上所述，BTA204X800C 可控硅作为一款性能优良的半导体器件，在电力电子领域具有广泛的应用前景。
可控硅参数符号说明
可控硅参数符号说明: IT(AV)--通态平均电流VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--通态重复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IF(AV)--正向平均电流KP200A—500A平板型普通晶闸管参数KP2000A—4500A平板型普通晶闸管参数KK200A—1000A 平板型快速晶闸管KP800A—1500A 平板型普通晶闸管参数KK1200A—3000A 平板型快速晶闸管Type V DRMV RRMI T(AV)@85℃tq@100℃30V/μSV TM@I TM(max)I GT V GTI DRMI RRM(max)I H(max)TjmI TSM@10msI2t@10msdv/dt(min)di/dt(min)Rthjc(max)外形(V)(A)(μS)(V/A)(mA)(V)(mA)(mA)℃(KA)(KA2S)(V/μS)(A/μS)(℃/W)KK1200-55KT14800-1800120015-35 3.1/300040-3000.9-2.56020-400115149805003000.024KT14 KK1500-60KT151200-2600150020-60 3.1/300040-3000.9-3.06020-5001151613005003000.02KT15 KK1800-67KT9B1200-2600180015-60 3.1/400040-3000.9-3.06020-5001151918005003000.017KT9B KK2000-70KT161200-2600200015-60 3.1/400040-3500.9-3.08020-8001152122005003000.016KT16 KK2500-76KT171200-2600250015-60 3.1/500040-3500.9-3.08020-8001152736005003000.011KT17 KK3000-76KT17800-1600300020-60 3.1/500040-3500.9-3.08020-8001153148005003000.011KTKP5A—500A 螺栓型普通晶闸管参数KK5A—100A 螺栓型快速晶闸管大功率可控硅晶闸管系列硅双向触发二极管参数可控硅整流器件单、双向可控硅（SCR,TRIAC）YCR单向可控硅系列◆先进的玻璃钝化芯片◆小的通态压降◆高的可靠性、稳定性KS5A—50A螺栓型双向晶闸管KG5A—50A螺栓型高频晶闸管目前国产可控硅的型号有部颁新、旧标准两种，新型号将逐步取代旧型号。
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mΩ
可控硅参数说明及中英文对照表
符号
英文单词参数
中文参数
说明
单位
IT(AV)
AVERAGE ON-STATE CURRENT
通态平均电流
国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为40oC和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。这也是标称其额定电流的参数。同电力二极管一样，这个参数是按照正向电流造成的器件本身的通态损耗的发热效应来定义的。因此在使用时同样应按照实际波形的电流与通态平均电流所造成的发热效应相等，即有效值相等的原则来选取晶闸管的此项电流定额，并应留一定的裕量。一般其通态平均电流为按此原则所得计算结果的1.5-2倍。
A/μs
VDRM
?Repetitive peak off-statevoltage
断态重复峰值电压
?断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H，每次持续时间不超高10ms。规定断态重复峰值电压DRM为断态不重复峰值电压（即断态最大瞬时电压）UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压bo，所留裕量大小由生产厂家自行规定。UU
A/ms
dVCOM/dt
Critical rate of change of commutating voltage
临界转换电压上升率
切换电压上升率dVCOM/dt。驱动高电抗性的负载时，负载电压和电流的波形间通常发生实质性的相位移动。当负载电流过零时双向可控硅发生切换，由于相位差电压并不为零。这时双向可控硅须立即阻断该电压。产生的切换电压上升率（dVCOM/dt）若超过允许值，会迫使双向可控硅回复导通状态，因为载流子没有充分的时间自结上撤出。
通态流上升率
当双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导通，门极临近处立即导通，然后迅速扩展至整个有效面积。这迟后的时间有一个极限，即负载电流上升率的许可值。过高的dIT/dt可能导致局部烧毁，并使T1-T2 短路。假如过程中限制dIT/dt到一较低的值，双向可控硅可能可以幸存。因此，假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出或导通时的dIT/dt有可能被超出，可在负载上串联一个几μH的不饱和（空心）电感。
A
VTM
Peak on-state voltage drop
通态峰值电压
指器件通过规定正向峰值电流IFM(整流管)或通态峰值电流ITM(晶闸管)时的峰值电压也称峰值压降该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力。
V
IDRM
Maximum forward or reverse leakage current
mA
IH
?Holding Current
维持电流
维持可控硅维持通态所必需的最小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。
mA
IL
?Latching Current (IGT3)
接入电流(第三象限)/擎住电流
擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2--4倍。
A/mS
tgt
?Gate Controlled Delay Time
门极控制延迟时间
-
us
Tq
?Circuit Commutated Turn-off Time
周期转换关断时间
恢复晶闸管电压阻断能力所需的最小电路换流反压时间。
us
Rd
?Dynamic Resistance ( Tj=125℃)
动态阻抗
V
VGD
Non-triggering gate voltage
门极不触发电压
-
V
VFGM
Peak Forward Gate Voltage
门极正向峰值电压
-
V
VRGM
Peak Reverse Gate Voltage
门极反向峰值电压
-
V
IFGM
Peak ForwardGate Current
门极正向峰值电流
mA
ID
?Off-state leakage current
断态漏电流
-
mA
VGT
Triggering gate voltage
门极触发电压
—可以选择Vgt 25度时max值的β倍。β为门极触发电压—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常选择时β取1~1.2倍即可。
-
A
VTM
?Peak Forward On-State Voltage
通态峰值电压
它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VTM小的可控硅
V
dV/dt
?Critical Rate of Rise of Off-state Voltage
断态临界电压上升率
dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容，如图2所示。我们知道dv/dt的变化在电容的两端会出现等效电流，这个电流就会成为Ig，也就是出现了触发电流，导致误触发
℃
Tstg
?Storage Temperature Range
贮存温度
-
℃
TL
?Max.Lead Temperature for Soldering Purposes
引脚承受焊锡极限温度
-
℃
Rth(j-mb)
?ThermalResistance Junction to mounting base
热阻 state threshold voltage
门
槛电压
-
V
IT(RMS)
?On-State RMS Current (full sine wave)
通态电流均方值
-
A
ITSM
?Non-Repetitive Peak on-state Current
通态浪涌电流(通态不重复峰值电流)
浪涌电流是指由于电路异常情况引起的使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流。浪涌电流有上下两个级，这个参数可用来作为设计保护电路的依据。
-
℃/W
Rth(j-a)
?Thermal Resistance Junction-to-ambient
热阻-结到环境
-
℃/W
IGT
Triggering gate current
门极触发电流
为了使可控硅可靠触发，触发电流Igt选择25度时max值的α倍，α为门极触发电流—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常选型时α取大于1.5倍即可。
V
VRRM
反向重复峰值电压
在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。
VPP
Non repetitive line peak pulse voltage
最高不重复线路峰值电压
-
v
Visol
引脚到外壳最大绝缘电压
-
V
PG(AV)
?Average gate power dissipation
门极平均散耗功率
-
W
PGM
?Peak gate power
门极最大峰值功率
-
W
PG(AV)
Average Gate Power
门极平均功率
-
W
Tj
?Operating Junction Temperature Range
工作结温
为了长期可靠工作，应保证
Rth j-a 足够低，维持Tj不高于80%Tjmax ,其值相应于可能的最高环境温度。
V/uS
(dI/dt)c
Critical rate of decrease of commutating on-state current
通态电流临界上升率
指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。如果电流上升太快，则晶闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损坏。
V/uS
dICOM/dt
切换时负载电流下降率
dICOM/dt高，则dVCOM/dt承受能力下降。 结面温度Tj越高，dVCOM/dt承受能力越下降。假如双向可控硅的dVCOM/dt的允许值有可能被超过，为避免发生假触发，可在T1 和T2 间装置RC缓冲电路，以此限制电压上升率。通常选用47~100Ω的能承受浪涌电流的碳膜电阻，0.01μF~0.47μF的电容，晶闸管关断过程中主电流过零反向后迅速由反向峰值恢复至零电流，此过程可在元件两端产生达正常工作峰值电压5-6倍的尖峰电压。一般建议在尽可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路。
断态重复峰值漏电流
为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时流过元件的正反向峰值漏电流该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出。
mA
IRRM
Maximum reverse leakage current
反向重复峰值漏电流
mA
IDSM
断态不重复平均电流
门极断路时，在额定结温下对应于断态不重复峰值电压下的平均漏电流。
A
IGM
?Forward Peak Gate Current
门极峰值电流
-
A
I2T
?Circuit Fusing Consideration
周期电流平方时间积
-
A2ses