BTA16-600B双向可控硅晶闸管应用及详细资料

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晶闸管和双向可控硅应用规则

晶闸管和双向可控硅应用规则闸流管闸流管是一种可控制的整流管，由门极向阴极送出微小信号电流即可触发单向电流自阳极流向阴极。

导通让门极相对阴极成正极性，使产生门极电流，闸流管立即导通。

当门极电压达到阀值电压 VGT，并导致门极电流达到阀值 IGT，经过很短时间tgt（称作门极控制导通时间）负载电流从正极流向阴极。

假如门极电流由很窄的脉冲构成，比方说 1μs，它的峰值应增大，以保证触发。

当负载电流达到闸流管的闩锁电流值 IL 时，即使断开门极电流，负载电流将维持不变。

只要有足够的电流继续流动，闸流管将继续在没有门极电流的条件下导通。

这种状态称作闩锁状态。

注意，VGT，IGT 和 IL 参数的值都是 25℃下的数据。

在低温下这些值将增大，所以驱动电路必须提供足够的电压、电流振幅和持续时间，按可能遇到的、最低的运行温度考虑。

规则 1 为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门极电流≥IGT ，直至负载电流达到≥IL 。

这条件必须满足，并按可能遇到的最低温度考虑。

灵敏的门极控制闸流管，如BT150，容易在高温下因阳极至阴极的漏电而导通。

假如结温 Tj 高于 Tjmax , 将达到一种状态，此时漏电流足以触发灵敏的闸流管门极。

闸流管将丧失维持截止状态的能力，没有门极电流触发已处于导通。

要避免这种自发导通，可采用下列解决办法中的一种或几种：1. 确保温度不超过 Tjmax。

2. 采用门极灵敏度较低的闸流管，如 BT151，或在门极和阴极间串入 1kΩ或阻值更小的电阻，降低已有闸流管的灵敏度。

3. 若由于电路要求，不能选用低灵敏度的闸流管，可在截止周期采用较小的门极反向偏流。

这措施能增大 IL。

应用负门极电流时，特别要注意降低门极的功率耗散。

截止（换向）要断开闸流管的电流，需把负载电流降到维持电流 IH 之下，并历经必要时间，让所有的载流子撤出结。

在直流电路中可用“强迫换向”，而在交流电路中则在导通半周终点实现。

（负载电路使负载电流降到零，导致闸流管断开，称作强迫换向。

济南双向晶闸管模块型号

济南双向晶闸管模块型号
济南双向晶闸管模块型号是一种电子元器件，它可以实现电流的双向控制，广泛应用于交流电路中。

本文将介绍济南双向晶闸管模块的型号、特点和应用。

济南双向晶闸管模块的型号有很多种，常见的有BTB08-600BW、BTB16-600BW、BTB24-600BW等。

其中，BTB表示双向晶闸管模块的型号，08、16、24表示额定电流的大小，600表示额定电压为600V，BW表示模块的封装形式为板式。

济南双向晶闸管模块具有以下特点：
1. 双向控制：可以实现正向和反向电流的控制，适用于交流电路。

2. 高可靠性：采用高品质的材料和工艺，具有较高的可靠性和稳定性。

3. 低功耗：具有低导通压降和低静态功耗，可以节省能源。

4. 高灵敏度：具有高灵敏度和快速响应的特点，可以实现精确的电流控制。

济南双向晶闸管模块广泛应用于交流电路中，如电动工具、照明设备、电动机控制、电炉控制等。

它可以实现电流的精确控制，提高电路的效率和稳定性，同时也可以保护电路和设备，延长使用寿命。

济南双向晶闸管模块是一种重要的电子元器件，具有双向控制、高可靠性、低功耗和高灵敏度等特点，广泛应用于交流电路中。

在实际应用中，我们应该选择合适的型号和参数，以确保电路的正常运行和稳定性。

BTA16：可控硅是怎样控制220v电压的？

BTA16：可控硅是怎样控制220v电压的？
BTA16一600B为双向可控硅，工作It有效值16A，工作电压600Ⅴ，栅极触发电流50ma。

不知道你的控制电路采用哪一种触发控制状态，就下图来说一般不会出现你描述的情况。

你可从图中看出BTA16可控硅都在控制极串连一双向触发二极管元件。

双向触发二极管的工作原理
双向触发二极管工作时一只正向导通另一只反向导通，导通电压是两只稳压管的正向导通电压与反向击穿电压的叠加，因此触发二极管是不区分正负极的。

只要外加电压大于触电压VBO就可导通，一旦导通，要使它恢复断流，只有将电源切断或使其电流、电压降至保持电流，保持电压以下。

你述说的电路中BTA16没有坏，到网上买几只双向触发二极管，按图改动一下，再试可能这种问题就解决了。

本人水平有限，不对之处谅解为盼。

zhaoqifa2017.11.22 Shanghai。

bta41600b双向可控硅参数

btaxxxb双向可控硅参数1. 概述BTAxxxB是一种双向可控硅，广泛应用于交流电路中。

其参数包括电压、电流和功率等，下面将对其各项参数做详细介绍。

2. 电压参数BTAxxxB的最大可重复峰值电压(VDRM)为600伏，最大非重复峰值电压(VRRM)为700伏。

这些参数表明了BTAxxxB在正常工作条件下可以承受的最大电压值。

3. 电流参数BTAxxxB的最大均值电流(IT(AV))为25安培，最大尖脉冲电流(ITSM)为260安培。

这些参数标志着BTAxxxB能够承受的最大电流值，从而保证器件在正常工作条件下不会受到损坏。

4. 功率参数BTAxxxB的最大消耗功率(PG(AV))为25瓦，最大尖脉冲功率(PGM)为380瓦。

这些参数表明了BTAxxxB可以承受的最大功率值，从而保证器件在正常工作条件下不会因功率过载而损坏。

5. 其他参数- 触发电流(IH)：BTAxxxB的触发电流为50毫安培，这是使其进入导通状态所需的最小电流值。

- 保持电流(ID)：BTAxxxB的保持电流为50毫安培，这是在其进入导通状态后需要保持的电流值。

- 耐电压：BTAxxxB的耐电压为2300伏，保证了其在正常工作条件下不会出现击穿现象。

- 结构：BTAxxxB采用了反向并联结构，能够保证其在工作过程中有较好的可靠性和稳定性。

6. 结论通过对BTAxxxB双向可控硅的参数进行分析，可以看出其具有较高的电压、电流和功率承受能力，适用于各种交流电路中。

其触发电流、保持电流和耐电压等参数也保证了其在正常工作条件下能够稳定可靠地工作。

BTAxxxB双向可控硅是一种性能优良的器件，为交流电路提供了重要的支持。

接下来我们将对BTAxxxB双向可控硅的参数进行更深入的解析，从而更好地理解这一器件在交流电路中的应用和性能特点。

7. 温度参数BTAxxxB的最大工作温度为125摄氏度，最大存储温度为-40摄氏度至150摄氏度。

BTA16-600C中文资料

BTA16-600C中⽂资料1/7BTA/BTB16 and T16 SeriesSNUBBERLESS ? , LOGIC LEVEL & STANDARD16A TRIAC SOctober 2002 - Ed: 6AMAIN FEATURES:DESCRIPTIONAvailable either in through-hole or surface-mount packages, the BTA/BTB16 and T16 triac series is suitable for general purpose AC switching. They can be used as an ON/OFF function in applications such as static relays, heating regulation, induction motor starting circuits... or for phase control operation in light dimmers, motor speed controllers, ...The snubberless versions (BTA/BTB...W and T16series) are specially recommended for use on inductive loads, thanks to their high commutation performances. By using an internal ceramic pad,the BTA series provides voltage insulated tab (rated at 2500V RMS) complying with UL standards (File ref.: E81734).Symbol Value Unit I T(RMS)16A V DRM /V RRM 600, 700 and 800VI GT (Q 1)10 to 50mAABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol ParameterValueUnit I T(RMS)RMS on-state current (full sine wave)D22P AK Tc = 100°C 16ATO-220ABTO-220AB Ins.Tc = 85°C I TSM Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, Tj initial = 25°C) F = 60 Hz t = 16.7 ms 168A F = 50 Hzt = 20 ms160I 2t I 2t Value for fusingtp = 10 ms144A 2s dI/dtCritical rate of rise of on-state current I G = 2 x I GT , tr ≤ 100 nsF = 120 Hz Tj = 125°C 50A/µs V DSM /V RSM Non repetitive surge peak off-statevoltagetp = 10 ms Tj = 25°C V DRM /V RRM+ 100V I GM Peak gate currenttp = 20 µsTj = 125°C 4A P G(AV)Average gate power dissipation Tj = 125°C1W T stg T jStorage junction temperature range Operating junction temperature range- 40 to + 150- 40 to + 125°CBTA/BTB16 and T16 Series2/7ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj = 25°C, unless otherwise specified)sSNUBBERLESS? and LOGIC LEVEL (3 Quadrants)sSTANDARD (4 Quadrants)STATIC CHARACTERISTICSNote 1: minimum IGT is guaranted at 5% of IGT max.Note 2: for both polarities of A2 referenced to A1 Symbol Test ConditionsQuadrantT16BTA/BTB16UnitT1635SW CW BW I GT (1)V D = 12 V R L = 33 ?I - II - III MAX.35103550mA V GT I - II - III MAX. 1.3V V GD V D = V DRM R L = 3.3 k ? Tj = 125°C I - II - IIIMIN.0.2V I H (2)I T = 500 mA MAX.35153550mA I L I G = 1.2 I GTI - III MAX.50255070mA II60306080dV/dt (2)V D = 67 % V DRM gate open Tj = 125°C MIN.500405001000V/µs (dI/dt)c (2)(dV/dt)c = 0.1 V/µs Tj = 125°CMIN.-8.5--A/ms(dV/dt)c = 10 V/µs Tj = 125°C - 3.0--Without snubber Tj = 125°C8.5-8.514Symbol Test ConditionsQuadrant BTA/BTB16UnitCB I GT (1)V D = 12 V R L = 33 ?I - II - III IV MAX.255050100mA V GT ALL MAX. 1.3V V GD V D = V DRM R L = 3.3 k ? Tj = 125°C ALLMIN.0.2V I H (2)I T = 500 mA MAX.2550mA I L I G = 1.2 I GTI - III - IVMAX.4060mA II80120dV/dt (2)V D = 67 % V DRM gate open Tj = 125°CMIN.200400V/µs (dV/dt)c(2)(dI/dt)c = 7 A/ms Tj = 125°CMIN.510V/µsSymbol Test ConditionsValue Unit V TM (2)I TM = 22.5 A tp = 380 µs Tj = 25°C MAX. 1.55V V to (2)Threshold voltage Tj = 125°C MAX.0.85V R d (2)Dynamic resistance Tj = 125°C MAX.25m ?I DRM I RRMV DRM = V RRMTj = 25°C MAX.5µA Tj = 125°C2mABTA/BTB16 and T16 Series3/7THERMAL RESISTANCESS: Copper surface under tabPRODUCT SELECTORORDERING INFORMATIONSymbol ParameterValue Unit R th(j-c)Junction to case (AC)D 2PAK TO-220AB 1.2°C/WTO-220AB Insulated2.1R th(j-a)Junction to ambientS = 1 cm 2D 2PAK 45°C/WTO-220AB 60TO-220AB InsulatedPart NumberVoltage(xxx)SensitivityTypePackage600 V700 V 800 V BTA/BTB16-xxxB X X X 50 mA Standard TO-220AB BTA/BTB16-xxxBW X X X 50 mA Snubberless TO-220AB BTA/BTB16-xxxC X X X 25 mA Standard TO-220AB BTA/BTB16-xxxCW X X X 35 mA Snubberless TO-220ABBTA/BTB16-xxxSW X XX 10 mA Logic level TO-220AB T1635-xxxGXX35 mASnubberlessD 2PAKBTA/BTB16 and T16 Series4/7OTHER INFORMATIONNote: xxx = voltage, y = sensitivity, z = typePart NumberMarkingWeight Base quantity Packing mode BTA/BTB16-xxxyz BTA/BTB16xxxyz 2.3 g 250Bulk BTA/BTB16-xxxyzRG BTA/BTB16-xxxyz 2.3 g 50Tube T1635-xxxG T1635xxxG 1.5 g 50Tube T1635-xxxG-TRT1635xxxG1.5 g1000T ape & reelFig. 1: Maximum power dissipation versus RMS on-state current (full cycle).Fig. 2-1: RMS on-state current versus case temperature (full cycle).Fig. 2-2: D2PAK RMS on-state current versus ambient temperature (printed circuit board FR4,copper thickness: 35µm), full cycle.Fig. 3: Relative variation of thermal impedance versus pulse duration.BTA/BTB16 and T16 Series5/7Fig. 4: On-state characteristics (maximum values)Fig. 5: Surge peak on-state current versus number of cycles.Fig. 6: Non-repetitive surge peak on-state current for a sinusoidal pulse with width tp <10ms, and corresponding value of I2t. Fig. 7: Relative variation of gate trigger current,holding current and latching current versus junction temperature (typical values).Fig. 8: Relative variation of critical rate of decrease of main current versus (dV/dt)c (typical values).Fig. 9: Relative variation of critical rate of decrease of main current versus junction temperature.BTA/BTB16 and T16 SeriesFig. 10:D2P AK Thermal resistance junction to ambient versus copper surface under tab (printed circuit board FR4, copperthickness: 35µm).PACKAGE MECHANICAL DATA6/7BTA/BTB16 and T16 Series PACKAGE MECHANICAL DATAFOOTPRINT DIMENSIONS (in millimeters)Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. 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双向晶闸管的作用

双向晶闸管的作用双向晶闸管（Bilateral Triode Thyristor，简称BTT）是一种特殊类型的晶闸管，它具有双向导通的特性，能够同时在正向和反向导通电流。

双向晶闸管在电子器件中起着重要的作用，它在电力控制、电流保护、电压变换等领域都有广泛的应用。

本文将对双向晶闸管的作用进行讨论。

双向晶闸管的主要作用之一是电力控制。

它能够实现对交流电的控制，通过控制晶闸管的触发角，可以改变电流的导通时间，从而调整负载电流的大小。

这使得双向晶闸管成为交流电调光、电子变压器、温度控制器等电力控制装置的关键元件。

例如，在交流调光系统中，双向晶闸管可以根据调光信号的强弱来控制灯光的明暗程度，实现灯光的调节。

双向晶闸管的电力控制作用使得我们可以方便地控制交流电的大小和形状，提高了电力系统的灵活性和效率。

双向晶闸管还有一个重要的作用是电流保护。

在电力系统中，电流的过大或过小都可能对设备和电路造成损害，甚至引发事故。

双向晶闸管可以通过监测电流的大小来实现过电流保护。

当电流超过设定值时，双向晶闸管会自动断开电路，以保护设备的安全运行。

例如，在电力系统中，如果电流突然增大，双向晶闸管可以快速反应并切断电路，避免过电流对设备和线路造成损坏。

双向晶闸管的电流保护作用可以有效地保护电力设备和电路的安全运行。

双向晶闸管还可以实现电压变换的作用。

在电力系统中，有时需要将交流电的电压从一个值变换到另一个值。

双向晶闸管可以通过控制导通的时间来实现电压的变换。

当双向晶闸管导通时，电压通过电源和负载，实现电压的变换。

例如，在交流变压器中，通过控制双向晶闸管的导通时间，可以实现输入电压和输出电压的变换。

双向晶闸管的电压变换作用使得我们可以方便地实现交流电压的变换，满足不同电器设备的需求。

除了以上的作用，双向晶闸管还可以用于电压调节、电流补偿、电压逆变等领域。

它的双向导通特性使得其在交流电路中具有独特的应用优势。

双向晶闸管广泛应用于家用电器、电力设备、电子仪器等领域，为我们的生活和工作提供了便利。

双向可控硅的触发电压和电流问题

双向可控硅的触发电压和电流问题
有两个双向可控硅，就是不懂，一个是BTA06-600C另一个是BTA16-600B，他们的触发电压和触发电流分别是多少呢？如果超出了这个电压或电流会怎样？
答：
1、这两个双向可控硅的耐压都是600V，最大电流分别是6、16A。

2、触发电压一般在2V以下，触发电流一般在5-30mA比较多。

3、不是型号相同触发电流就一样的。

4、触发电压和触发电流大了不要紧的，开关速度会加快。

一般触发电流达到工作电流的5-10%，速度会加快许多。

双向晶闸管导通门极需要触发电流，这个触发需要一直维持吗？还是导通后，门极就失去作用不需要触发电流！
答：对于直流电来说，不需要维持；对于交流电来说，需要维持。

•追答：也就是说：如果你的晶闸管控制的是直流电流，控制极G 触发后可以不再维持；如果你的晶闸管控制的是交流电流，控制极G 触发后还需要再维持。

•追答：
•1.双向晶闸管触发极必须是正向电压，导通的两极没必要都是。

•2.关断的条件是两级的电流小于维持电流——正确。

3.控制极失去电流或降低电流，两极仍导通，这是针对直流电——正确。

双向晶闸管(可控硅)

双向晶闸管(可控硅)
1双向晶闸管的概念
双向晶闸管(可控硅)是一种用在电力系统中的电力调控装置，它
主要负责调节电力系统中输出到负荷的电源，可以调整电压和电流，
保持电源和负载的稳定性和稳定性。

主要有三种工作模式：3桥可控硅(SCR)，源极可控硅(D性SCR)和共极可控硅(G性SCR)。

23桥可控硅
3桥可控硅是最常用的一种双向晶闸管，它由三个可控二极管(SCR)以序号顺序排列组成，从而实现单向和双向的电源调节和控制，确保
电源和用电设备的稳定性和稳定性。

另外，它还具有抗电弧能力，能
够在极短时间内阻断高电流，避免因大电流而引发的火灾事故。

3源极可控硅
源极可控硅是一种结构较简单的双向晶闸管，与3桥可控硅相
比，它只有源极和漏极两个极线，而没有控制极，因此在一定条件
下，可以使电流不经过控制极，避免了因控制极的输入延时而引起的
故障。

另外，这种可控硅的反馈电阻容量较低，能够快速控制电源，
可以较好地满足传输系统的高频过载需求。

4共极可控硅
共极可控硅的结构和源极可控硅类似，只有源极和漏极，但是它
把控制极又设置在源极和漏极之间，在一定条件可以绕过控制极。

由
于控制极的反馈电阻较高，因此它的延时要比源极可控硅要大，因此效率要低一些，但是它的抗电弧能力更好，可以有效的防止电弧引起的损坏。

总之，双向晶闸管(可控硅)是电力系统中一种重要的电源调节装置，能够很好地满足系统的调节和稳定性要求，并可防止因电弧而产生的危害。

福建交流晶闸管调压模块型号

福建交流晶闸管调压模块型号
福建交流晶闸管调压模块型号
福建交流晶闸管调压模块是一种电子元器件，用于控制交流电压的大小。

它由晶闸管、电容、电阻等元件组成，可以实现对交流电压的调节和控制。

福建交流晶闸管调压模块的型号有很多种，下面介绍几种常见的型号及其特点。

1. BTA16-600B
BTA16-600B是一种常用的交流晶闸管调压模块，它的额定电压为600V，额定电流为16A。

该模块具有低导通压降、高耐压、高温度稳定性等特点，适用于各种交流电压调节场合。

2. BTB16-600B
BTB16-600B是一种双向可控硅调压模块，它的额定电压和电流与BTA16-600B相同。

该模块具有双向导通、低导通压降、高温度稳定性等特点，适用于需要正反向调节的场合。

3. BTA24-600B
BTA24-600B是一种额定电压为600V、额定电流为24A的交流晶闸
管调压模块。

该模块具有低导通压降、高耐压、高温度稳定性等特点，适用于大电流交流电压调节场合。

4. BTA41-600B
BTA41-600B是一种额定电压为600V、额定电流为40A的交流晶闸
管调压模块。

该模块具有低导通压降、高耐压、高温度稳定性等特点，适用于大功率交流电压调节场合。

总之，福建交流晶闸管调压模块型号繁多，用户可以根据实际需求选
择合适的型号。

在使用过程中，应注意模块的额定电压、电流和温度
范围，以免损坏模块或影响使用效果。

双向可控硅原理与应用

双向可控硅原理与应用双向可控硅（Bidirectional Controlled Silicon, BCR）是一种电子器件，也称为双向可控整流器。

它是在普通可控硅的基础上进行改进，具备双向导电特性。

双向可控硅可同时实现正向和反向的控制，对于交流电路的控制和变换具有重要的意义。

本文将详细介绍双向可控硅的工作原理和应用。

一、工作原理：双向可控硅是由两个普通可控硅组成的，其中一个被定义为正向控制侧（PCT）可控硅，另一个被定义为反向控制侧（NCT）可控硅。

正向控制侧可控硅和反向控制侧可控硅之间通过一个电感L连接。

当正向控制侧可控硅的阳极与交流电源相连时，其阴极通过反向控制侧可控硅的阳极来接地，形成一个旁路通路，使交流电流能够流过它，实现正向电流通路的导通控制。

同样的，当反向控制侧可控硅的阳极与交流电源相连时，其阴极通过正向控制侧可控硅的阳极来接地，形成另一个旁路通路，使交流电流能够流过它，实现反向电流通路的导通控制。

通过正向和反向控制侧可控硅的互相控制，可以实现双向电流的导通控制。

二、应用：1.双向开关控制：双向可控硅作为双向电流开关可以控制交流电路中的开关状态。

例如，在照明系统中，可以使用双向可控硅控制灯光的亮度和开关状态。

2.交流电源控制：双向可控硅可以用于交流电源的开关控制。

通过对双向可控硅的正向和反向控制，可以控制交流电源的输出电压和电流。

3.调光控制：双向可控硅可以实现交流电路的调光控制。

通过调节双向可控硅的导通角度，可以控制交流电路中的电流大小，从而实现灯光的调光效果。

4.电动机控制：双向可控硅可以用于交流电动机的控制。

通过对双向可控硅的正向和反向控制，可以控制交流电动机的转向和转速。

5.逆变器：双向可控硅可以用于逆变器的控制。

通过对双向可控硅的正向和反向控制，可以实现直流电源向交流电源的变换。

总结：双向可控硅是一种重要的电子器件，通过对其正向和反向控制，可以实现双向电流的导通控制。

它在交流电路的控制和变换中具有广泛的应用。

双向可控硅的使用方法和详细介绍

双向可控硅的使⽤⽅法和详细介绍1.双向可控硅等效结构2.双向可控硅等效结构3.双向可控硅等效结构T2 接电源Vt21 正极，T1 接通电源Vt21负负, 此时当G 极接Vg+ 为正电压， Q4、、Q5 、Q6、Q7 处于反向截⽌，Q1 的B极极和和E 极之间⽆正偏压也处于截⽌状态，Vg+ 由P2 输⼊后经R3 使Q2 的B 极和E极极之间产⽣正偏电压⽽导通，从⽽促使Q3导通，这时即使撤出Vg+ ，在电容C1的的的作⽤下，Q2 、Q3 也仍然能处于导通状态，只有当Vt21 先反向或撤除才重回截⽌。

当G 极接Vg 为负，Q4 、Q5 、Q6、、Q7 同样处于反向截⽌状态，Q1 的B 极和E 极之间因Vg 产⽣正偏电压⽽导通，从⽽使Q3 、Q2 导通并得以保持导通状态。

T1 接电源Vt12 正极，T2 接通负电源Vt12 的负极, 此时G 极接Vg 为正， Q1因因B 极和E 极之间处于反向偏压⽽截⽌，Q3 处于反向截⽌，Q2 因B 极和E 极之间处于正向偏压导通⽽导致Q4 、Q7 的导通，从⽽Q6 、Q7 导通并保持导通状态，只有当当Vt12 先反向或撤除才重回截⽌。

当G极接Vg 为负，Q1 、Q2 、Q3 和Q4 处于反向截⽌， Q5 的B 极和E 极之间因Vg ⽽处于正偏导通，从⽽使Q6 导通，继⽽Q7、、Q6 导通并得以保持导通状态。

4.双向可控硅触发模式5.双向可控硅触发命名6.双向可控硅平⾯和纵向结构7.双向可控硅I-V曲线8.双向可控硅优缺点优点：双向可控硅可以⽤门极和T1 间的正向或负向电流触发。

因⽽能在四个“象限”触发缺点： 1. ⾼IGT -> 需要⾼峰值IG 。

2. 由IG 触发到负载电流开始流动，两者之间迟后时间较长–> 要求IG 维持较长时间。

3. 低得多的dI/dt 承受能⼒ —> 若控制负载具有⾼dI/dt 值（例如⽩炽灯的冷灯丝），门极可能发⽣强烈退化。

双向晶闸管可控硅

双向晶闸管可控硅一、引言双向晶闸管（Bidirectional Thyristor）又称为可控硅（Silicon Controlled Rectifier，SCR），是一种重要的电子元器件。

它具有单向导电性和双向控制性，广泛应用于交流电路中的电源控制、调速、逆变、稳压等领域。

二、基本结构和工作原理1. 基本结构双向晶闸管由四个半导体材料组成，分别为P型半导体、N型半导体和两个P/N结。

它的结构类似于普通的可控硅，但在两个P/N结之间加入了一个N/P/N区域，形成了一个PNPN结构。

2. 工作原理当正极接到P1端，负极接到P2端时，双向晶闸管处于关断状态。

当施加一个正脉冲信号到G端时，由于G端与P1端相连，使得P1端变为N型半导体，在P1-N区形成大量的自由电子和空穴对，并且这些载流子会扩散到PNPN结中。

当扩散到PNPN结中的载流子达到一定数量时，就会发生正反馈作用，使得整个器件开始导通。

此时，在P1-N区的电流将会不断增加，直到它达到了器件的额定电流。

当去掉G端的信号后，双向晶闸管将会保持导通状态，直到P1-N区中的电流降至零。

三、特点和应用1. 特点（1）具有单向导电性和双向控制性；（2）可在交流电路中用于功率控制、逆变、稳压等领域；（3）具有高耐压能力和高温度工作能力；（4）体积小、重量轻、可靠性高。

2. 应用双向晶闸管广泛应用于交流电源控制、调速、逆变和稳压等领域。

例如，在交流调光系统中，可使用双向晶闸管对交流电进行调光；在UPS不间断电源系统中，可使用双向晶闸管对交流电进行整流和反变换；在照明控制系统中，可使用双向晶闸管对灯泡进行调光等。

四、优缺点分析1. 优点（1）具有单向导电性和双向控制性；（2）具有高耐压能力和高温度工作能力；（3）体积小、重量轻、可靠性高；（4）适用于交流电源控制、调速、逆变和稳压等领域。

2. 缺点（1）开关速度较慢，无法用于高频电路；（2）存在导通电压降和漏电流，会产生损耗；（3）需要外部触发信号才能控制。

bta16-800b可控硅工作原理

文章内容如下：bta16-800b可控硅工作原理一、引言bta16-800b可控硅是一种常见的半导体器件，广泛应用于电力电子领域。

其工作原理涉及到电力控制、电路设计等多个方面，是一个非常重要的主题。

本文将从电子器件特性、工作原理和应用范围等方面进行全面评估，并结合个人观点和理解，撰写一篇有价值的文章，帮助读者更深入地理解bta16-800b可控硅的工作原理。

二、bta16-800b可控硅的特性bta16-800b可控硅是一种双向可控硅，具有较高的电压和电流承受能力，适用于交流电路。

其主要特性包括低功率损耗、可控性强、响应速度快等。

在电力控制领域，bta16-800b可控硅被广泛应用于各种类型的电力调节装置和电路中。

三、bta16-800b可控硅的工作原理1. 可控硅的结构和原理bta16-800b可控硅通常由PNP结构组成，其工作原理是利用控制极的触发电压，通过控制极和主极之间的电压来控制器件的导通和关断。

当控制极触发电压大于一定阈值时，可控硅将导通；当电压降至一定程度时，可控硅将关断。

这种特性使得可控硅可以被广泛应用于电力调节和开关控制中。

2. bta16-800b可控硅的工作原理bta16-800b可控硅的工作原理是基于PNP结构的双向可控硅。

当控制极施加一个触发脉冲信号时，可控硅将进入导通状态，电流将从主极流向控制极；当控制极的触发脉冲信号停止时，可控硅将进入关断状态。

这种双向可控硅的特性使得其适用于交流电路中的功率控制和开关控制。

四、bta16-800b可控硅的应用范围bta16-800b可控硅主要应用于电力电子领域，包括交流调压调速系统、电炉控制系统、交流电源控制系统等。

其高可靠性和稳定性，使得bta16-800b可控硅在工业控制和电力系统中发挥着重要作用。

五、个人观点和理解作为一名电力电子工程师，我对bta16-800b可控硅的工作原理有着深刻的理解。

在我看来，bta16-800b可控硅作为一种高性能的双向可控硅，其在电力控制领域的应用前景广阔。

BTA16-600B双向可控硅晶闸管应用及详细资料

B T A16-600B双向可控硅晶闸管应用及详细资料BTA16-600B主要参数电流-IT(RMS):电压-VDRM:≥600V触发电流:IGT≤18-25mA脚位排列:T1-T2-G（A1-A2-G）；A1主电极，A2主电极，G门极BTA16引脚图附：双向可控硅的检测用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。

若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。

确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。

将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。

再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。

随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。

互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。

同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。

用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。

随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。

符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。

检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节干电池，以提高触发电压。

如需提供购买或其它中文技术支持请与我取得联系：公司网址：Email：MSN：。

双向可控硅结构原理及应用分享资料

双向可控硅结构原理及应用分享时间：2010-01-19 09:58:05 来源：作者：普通晶闸管(VS)实质上属于直流控制器件。

要控制交流负载，必须将两只晶闸管反极性并联，让每只SCR控制一个半波，为此需两套独立的触发电路，使用不够方便。

双向晶闸管是在普通晶闸管的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的晶闸管，而且仅需一个触发电路，是目前比较理想的交流开关器件。

其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。

构造原理尽管从形式上可将双向晶闸管看成两只普通晶闸管的组合，但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。

小功率双向晶闸管一般采用塑料封装，有的还带散热板，外形如图l所示。

典型产品有BCMlAM(1A／600V)、BCM3AM(3A／600V)、2N6075(4A／600V)，MAC218-10(8A／800V)等。

大功率双向晶闸管大多采用RD91型封装。

双向晶闸管的主要参数见附表。

双向晶闸管的结构与符号见图2。

它属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G。

因该器件可以双向导通，故除门极G以外的两个电极统称为主端子，用T1、T2。

表示，不再划分成阳极或阴极。

其特点是，当G极和T2极相对于T1，的电压均为正时，T2是阳极，T1是阴极。

反之，当G极和T2极相对于T1的电压均为负时，T1变成阳极，T2为阴极。

双向晶闸管的伏安特性见图3，由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。

检测方法下面介绍利用万用表RXl档判定双向晶闸管电极的方法，同时还检查触发能力。

1.判定T2极由图2可见，G极与T1极靠近，距T2极较远。

因此，G—T1之间的正、反向电阻都很小。

在用RXl档测任意两脚之间的电阻时，只有在G-T1之间呈现低阻，正、反向电阻仅几十欧，而T2-G、T2-T1之间的正、反向电阻均为无穷大。

这表明，如果测出某脚和其他两脚都不通，就肯定是T2极。

，另外，采用TO—220封装的双向晶闸管，T2极通常与小散热板连通，据此亦可确定T2极。

bta06600b可控硅参数

bta06600b可控硅参数
BTA06600B是一个可控硅的型号，其参数包括：
1. 最大可控电流（ITM）：具体数值取决于具体型号，一般在10A至40A之间。

2. 最大耐压（VDRM）：指可控硅在正向电压下能够承受的最大电压，一般在600V至1200V之间。

3. 最大门电流（IGM）：指可控硅的门极电流，一般在10mA至50mA之间。

4. 触发电流（Igt）：指可控硅的最低触发电流，即需要施加到门极的电流大小，一般在5mA至50mA之间。

5. 保持电流（IH）：指可控硅在触发后能够维持的最小电流，一般在5mA至50mA之间。

6. 关断电流（IH）：指可控硅在关断状态下流过的最大电流，一般在10mA至50mA之间。

7. 最大导通压降（Vtm）：指可控硅在导通状态下的最大电压降，一般在1V至2V之间。

8. 最大开态电流（ITSM）：指可控硅在开态时能够承受的最大电流，一般在200A至500A之间。

以上是一些常见的可控硅参数，具体型号的参数可通过查询相关的数据手册或规格表获取。

双向晶闸管的原理及应用

双向晶闸管的原理及应用1. 双向晶闸管的基本原理双向晶闸管（Bidirectional Thyristor），也称为TRIAC，是一种特殊类型的晶闸管。

它可以在正向和反向的电压下都能控制电流的导通和截止，因此可以实现双向的电流控制。

双向晶闸管由两个PN结反并联的晶闸管组成，其中一个被称为主晶闸管（MT1和MT2），另一个被称为辅助晶闸管（G和A1）。

辅助晶闸管通过控制主晶闸管的电流来实现对双向晶闸管的控制。

双向晶闸管的主要特点如下： - 可以控制正向和反向的电流导通和截止。

- 控制电流的方式可以是触发角控制或零点电压触发控制。

- 具有双向导通特性，可以用于交流和直流电路。

- 具有较高的电流和电压承受能力。

- 控制精度高，响应速度快。

2. 双向晶闸管的应用领域双向晶闸管由于其特殊的双向导通特性，在许多领域得到广泛应用。

以下是双向晶闸管的几个主要应用领域：2.1 家用电器双向晶闸管被广泛应用于家用电器，如电磁炉、电热水器、电烤箱等。

在这些设备中，TRIAC被用作控制电源输入的交流电压，从而实现对设备的功率控制。

通过调整触发角，可以控制电磁炉的加热功率、电热水器的水温等。

2.2 照明控制双向晶闸管也被广泛应用于照明控制领域。

通过控制双向晶闸管的触发角，可以实现对照明设备的亮度控制。

例如，通过降低触发角来减小电流导通角度，可以实现灯光的调暗。

2.3 电动工具双向晶闸管在电动工具中也有重要应用。

它们可以实现对电动工具电机的高效控制。

通过调整触发角，可以控制电动工具的转速、扭矩等参数，从而满足不同工作需求。

2.4 电动汽车充电桩双向晶闸管在电动汽车充电桩中被用于交流电源的控制。

它们可以实现对充电桩输出电流的精确控制，确保电动汽车的充电过程安全可靠。

同时，双向晶闸管的双向导通特性可以实现电动汽车的回馈电网功能，将电能从汽车电池反馈到电网中，实现能量的回收利用。

3. 结论双向晶闸管作为一种特殊的晶闸管，具有双向导通特性和高精度的电流控制能力，被广泛应用于家用电器、照明控制、电动工具和电动汽车充电桩等领域。

双向可控硅的特性及用途

双向可控硅的特性及用途
1. 双向可控硅替的主要优点体现在：
（1）大功率双向可控硅为无触点式开关，无火花、寿命长、体积小、无噪音；
（2）接触器工作时，其掌握回路需要消耗肯定的电能，而可控硅为弱电掌握，掌握回路耗电微乎其微；
（3）接触器掌握电路中，操接触的器件电压都较高，担心全，而大功率双向可控硅掌握电路中操只接触5~15V的直流低压电源，特别平安；
（4）大功率双向可控硅为弱电掌握强电，弱电电路更新便利，较简单设计出满意各种要求的掌握电路。

2. 双向可控硅替在电路中的主要用途：
双向可控硅最基本的用途就是可控整流。

大家熟识的二极管整流电路属于不行控整流电路。

假如把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。

在正弦沟通电压U2的正半周期间，假如VS的掌握极没有输入触发脉冲Ug,VS仍旧不能导通，只有在U2处于正半周，在掌握极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。

而只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出（波形图上阴影部分）。

Ug 到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。

通过转变掌握极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调整负载上输出电压的平均值UL（阴影部分的面积大小）。

在电工技术中，
常把沟通电的半个周期定为180°，称为电角度。

这样，在U2的每个正半周，从零值开头到触发脉冲到来瞬间所经受的电角度称为掌握角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。

很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。

通过转变掌握角α或导通角θ，转变负载上脉冲直流电压的平均值UL,实现了可控整流。

BTA16_600B标准双向可控硅

Fig.4 : RMS on-state current versus case temperature.

Fig.5 : Relative variation of thermal impedance versus pulse duration.
Fig.6 : Relative variation of gate trigger current and holding current versus junction temperature.
bta16600b标准双向可控硅双向可控硅双向可控硅工作原理双向可控硅调光电路三端双向可控硅双向可控硅参数双向可控硅应用双向可控硅调压电路双向可控硅应用电路双向可控硅作用
BTA16 B BTB16 B
STANDARD TRIACS
. . .
FEATURES HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY COMMUTATION : (dV/dt)c > 10V/µs BTA Family : INSULATING VOLTAGE = 2500V(RMS) (UL RECOGNIZED : E81734)
DESCRIPTION The BTA/BTB16 B triac family are high performance glass passivated PNPN devices. These parts are suitables for general purpose applications where high surge current capability is required. Application such as phase control and static switching on inductive or resistive load. ABSOLUTE RATINGS (limiting values)

BTB16-600CW中文资料

1/7®BTA/BTB16 and T16 SeriesSNUBBERLESS ™ , LOGIC LEVEL & STANDARD16A TRIAC SOctober 2002 - Ed: 6AMAIN FEATURES:DESCRIPTIONAvailable either in through-hole or surface-mount packages, the BTA/BTB16 and T16 triac series is suitable for general purpose AC switching. They can be used as an ON/OFF function in applications such as static relays, heating regulation, induction motor starting circuits... or for phase control operation in light dimmers, motor speed controllers, ...The snubberless versions (BTA/BTB...W and T16series) are specially recommended for use on inductive loads, thanks to their high commutation performances. By using an internal ceramic pad,the BTA series provides voltage insulated tab (rated at 2500V RMS) complying with UL standards (File ref.: E81734).Symbol Value Unit I T(RMS)16A V DRM /V RRM 600, 700 and 800VI GT (Q 1)10 to 50mAABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol ParameterValueUnit I T(RMS)RMS on-state current (full sine wave)D2²P AK Tc = 100°C 16ATO-220ABTO-220AB Ins.Tc = 85°C I TSM Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, Tj initial = 25°C) F = 60 Hz t = 16.7 ms 168A F = 50 Hzt = 20 ms160I ²t I ²t Value for fusingtp = 10 ms144A ²s dI/dtCritical rate of rise of on-state current I G = 2 x I GT , tr ≤ 100 nsF = 120 Hz Tj = 125°C 50A/µs V DSM /V RSM Non repetitive surge peak off-statevoltagetp = 10 ms Tj = 25°C V DRM /V RRM+ 100V I GM Peak gate currenttp = 20 µsTj = 125°C 4A P G(AV)Average gate power dissipation Tj = 125°C1W T stg T jStorage junction temperature range Operating junction temperature range- 40 to + 150- 40 to + 125°CBTA/BTB16 and T16 Series2/7ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj = 25°C, unless otherwise specified)sSNUBBERLESS™ and LOGIC LEVEL (3 Quadrants)sSTANDARD (4 Quadrants)STATIC CHARACTERISTICSNote 1: minimum IGT is guaranted at 5% of IGT max.Note 2: for both polarities of A2 referenced to A1Symbol Test ConditionsQuadrantT16BTA/BTB16UnitT1635SW CW BW I GT (1)V D = 12 V R L = 33 ΩI - II - III MAX.35103550mA V GT I - II - III MAX. 1.3V V GD V D = V DRM R L = 3.3 k Ω Tj = 125°C I - II - IIIMIN.0.2V I H (2)I T = 500 mA MAX.35153550mA I L I G = 1.2 I GTI - III MAX.50255070mA II60306080dV/dt (2)V D = 67 % V DRM gate open Tj = 125°C MIN.500405001000V/µs (dI/dt)c (2)(dV/dt)c = 0.1 V/µs Tj = 125°CMIN.-8.5--A/ms(dV/dt)c = 10 V/µs Tj = 125°C - 3.0--Without snubber Tj = 125°C8.5-8.514Symbol Test ConditionsQuadrant BTA/BTB16UnitCB I GT (1)V D = 12 V R L = 33 ΩI - II - III IV MAX.255050100mA V GT ALL MAX. 1.3V V GD V D = V DRM R L = 3.3 k Ω Tj = 125°C ALLMIN.0.2V I H (2)I T = 500 mA MAX.2550mA I L I G = 1.2 I GTI - III - IVMAX.4060mA II80120dV/dt (2)V D = 67 % V DRM gate open Tj = 125°CMIN.200400V/µs (dV/dt)c(2)(dI/dt)c = 7 A/ms Tj = 125°CMIN.510V/µsSymbol Test ConditionsValue Unit V TM (2)I TM = 22.5 A tp = 380 µs Tj = 25°C MAX. 1.55V V to (2)Threshold voltage Tj = 125°C MAX.0.85V R d (2)Dynamic resistance Tj = 125°C MAX.25m ΩI DRM I RRMV DRM = V RRMTj = 25°C MAX.5µA Tj = 125°C2mABTA/BTB16 and T16 Series3/7THERMAL RESISTANCESS: Copper surface under tabPRODUCT SELECTORORDERING INFORMATIONSymbol ParameterValue Unit R th(j-c)Junction to case (AC)D ²PAK TO-220AB 1.2°C/WTO-220AB Insulated2.1R th(j-a)Junction to ambientS = 1 cm ²D ²PAK 45°C/WTO-220AB 60TO-220AB InsulatedPart NumberVoltage(xxx)SensitivityTypePackage600 V700 V 800 V BTA/BTB16-xxxB X X X 50 mA Standard TO-220AB BTA/BTB16-xxxBW X X X 50 mA Snubberless TO-220AB BTA/BTB16-xxxC X X X 25 mA Standard TO-220AB BTA/BTB16-xxxCW X X X 35 mA Snubberless TO-220AB BTA/BTB16-xxxSW X XX 10 mA Logic level TO-220AB T1635-xxxGXX35 mASnubberlessD ²PAKBTA/BTB16 and T16 Series4/7OTHER INFORMATIONNote: xxx = voltage, y = sensitivity, z = typePart NumberMarkingWeight Base quantity Packing mode BTA/BTB16-xxxyz BTA/BTB16xxxyz 2.3 g 250Bulk BTA/BTB16-xxxyzRG BTA/BTB16-xxxyz 2.3 g 50Tube T1635-xxxG T1635xxxG 1.5 g 50Tube T1635-xxxG-TRT1635xxxG1.5 g1000T ape & reelFig. 1: Maximum power dissipation versus RMS on-state current (full cycle).Fig. 2-1: RMS on-state current versus case temperature (full cycle).Fig. 2-2: D²PAK RMS on-state current versus ambient temperature (printed circuit board FR4,copper thickness: 35µm), full cycle.Fig. 3: Relative variation of thermal impedance versus pulse duration.BTA/BTB16 and T16 Series5/7Fig. 4: On-state characteristics (maximum values)Fig. 5: Surge peak on-state current versus number of cycles.Fig. 6: Non-repetitive surge peak on-state current for a sinusoidal pulse with width tp <10ms, and corresponding value of I²t.Fig. 7: Relative variation of gate trigger current,holding current and latching current versus junction temperature (typical values).Fig. 8: Relative variation of critical rate of decrease of main current versus (dV/dt)c (typical values).Fig. 9: Relative variation of critical rate of decrease of main current versus junction temperature.BTA/BTB16 and T16 SeriesFig. 10:D²P AK Thermal resistance junction to ambient versus copper surface under tab (printed circuit board FR4, copper thickness: 35µm).PACKAGE MECHANICAL DATA6/7BTA/BTB16 and T16 Series PACKAGE MECHANICAL DATAFOOTPRINT DIMENSIONS (in millimeters)Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. Specifications mentioned in this publication are subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all information previously supplied. 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BTA16-600B双向可控硅晶闸管应用及详细资料
BTA16-600B 主要参数
电流-IT(RMS): 16.0A
电压-VDRM: ≥600V
触发电流: IGT ≤18-25mA
脚位排列: T1-T2-G （A1-A2-G）；A1主电极，A2主电极，G门极
BTA16引脚图
附：
双向可控硅的检测
用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。