(完整版)三极管参数测试仪

不拆3极管的简单测量方法

不拆3极管的简单测量方法
实际上，测量三极管的基本参数是很容易的，不需要拆下三极管进行测试。

下面是一种简单的测量方法：
1. 确定三极管的引脚：通常，三极管具有三个引脚，分别是基极（标记为B）、发射极（标记为E）和集电极（标记为C）。

通过查找三极管的数据手册或生产商提供的标识可以确定引脚。

2. 用万用表进行测量：将万用表的档位选择为二极管测试档位（一般是在电阻测量档附近），依次测量三极管的各个引脚之间的电阻。

以下是测量方式：
- 测量BE结：将万用表的红表笔接触三极管的基极（B），
黑表笔接触发射极（E），此时万用表读数应该显示一个较大
的电阻值，通常在几十千欧姆到几十兆欧姆之间。

- 测量BC结：将万用表的红表笔接触三极管的基极（B），
黑表笔接触集电极（C），此时万用表读数应该显示一个较大
的电阻值，通常在几十千欧姆到几十兆欧姆之间。

- 测量EC结：将万用表的红表笔接触三极管的发射极（E），黑表笔接触集电极（C），此时万用表读数应该显示一个较小
的电阻值，通常在几百到几千欧姆之间。

通过上述测量，您可以初步确定三极管的型号和极性。

如果需要更详细的参数，如电流放大倍数（hfe）等，可以使用专门
的三极管测试仪或在相应的测试电路中测量。

三极管的测量方法

三极管的测量方法一、三极管的基本结构和原理三极管是一种半导体器件，由P型半导体和N型半导体组成。

它有三个区域，即发射区、基区和集电区，分别对应P型半导体、N型半导体和P型半导体。

其工作原理是通过控制基极电压来控制集电电流，实现信号放大或开关控制。

二、三极管的分类根据结构不同，三极管可以分为晶体管、场效应晶体管等类型。

其中晶体管又可分为PNP型和NPN型两种。

三、三极管的测量方法1. 静态参数测试静态参数测试主要包括测量三极管的放大倍数β值、截止频率fT值等参数。

具体步骤如下：（1）将待测三极管安装在测试台上，并连接测试仪器。

（2）调整测试仪器，使其处于静态参数测试模式下。

（3）给定基极电压Vbe和集电电压Vce，并记录对应的集电电流Ic。

（4）根据公式计算出β值和fT值。

2. 动态特性测试动态特性测试主要包括测量三极管的增益带宽积、输入输出阻抗等参数。

具体步骤如下：（1）将待测三极管安装在测试台上，并连接测试仪器。

（2）调整测试仪器，使其处于动态特性测试模式下。

（3）给定输入信号，并记录对应的输出信号。

（4）根据公式计算出增益带宽积和输入输出阻抗。

3. 温度特性测试温度特性测试主要是测量三极管在不同温度下的工作情况，以评估其稳定性和可靠性。

具体步骤如下：（1）将待测三极管安装在测试台上，并连接测试仪器。

（2）调整测试仪器，使其处于温度特性测试模式下。

（3）逐步升高或降低环境温度，并记录对应的电气参数值。

（4）根据记录数据分析出三极管的温度特性。

四、注意事项1. 选择合适的测试仪器和设备，确保测量精确可靠。

2. 在进行动态特性测试时，需要注意输入信号和输出信号之间的匹配问题，以避免误差产生。

3. 在进行温度特性测试时，需要控制好环境温度变化速率，以免影响测试结果。

4. 测量过程中需要注意安全问题，避免发生意外事故。

五、总结三极管是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子电路中。

对其进行准确可靠的测量和评估，有助于提高电路的性能和稳定性。

JL294-3晶体管测试仪

测试方法：1、测试操作步骤：（本说明以JL294型仪表为例）①开机；按下K1键使仪表工作②置K2键（PNP与NPN功能转换键）与被测管极性相符位置，将被测管与测试插座可靠连接。

③测试：按下需测试功能对应的按键，读出被测数。

注意：测试时K3～K12之间不准同时按下二个键！④关机；按K1，切断仪表电源。

2、各种三极管测试方法及图示：图中K2置NPN位置，测试PNP三极管时将K2（JL295型为K1）键置PNP位置，管脚接法与图一样。

①为了保证测试的准确性，建议使用外接6V 3A直流稳压电源。

②将三极管管脚按图示插入测试插座。

③仪表K3、K4档用于测试三极管VBR（耐压值），测试电压分别为0～1999V和0～199.9V；按下相应档位的开关，仪表分别显示被测三极管的VCEO、VCBO、VEBO 及VCE、VBC、VBE的耐压值。

④仪表K5、K6、K7三档用于测试三极管VCE（sat）（共发射极饱和压降）。

Ic电流分别为2000mA、300mA、10mA；Ib电流分别为200mA、30mA、1mA；测试时应根据三极管的功率大小按下相应档位的开关，表头显示相对电流下三极管的压降值。

提示：对同一型号的三极管，在相同电流档下测试，饱和压降值越小越好。

提示：小功率三极管不要用大电流档进行测试。

⑤仪表K8、K9、K10三档用于测试三极管hFE（共发射极直流放大系数）。

Ib电流分别为10mA、1mA、0.01mA；通过逐档测试可以观察三极管的放大线性，测得hFE值最大的一档应视为被测管最有效的工作状态。

提示：测试时应根据被测三极管的功率大小，先测试小电流档、再测试中电流档、后测试大电流档（要防止测试电流过大而损坏小功率管），表头分别显示不同工作电流下的直流放大系数。

注1：如果测试电流增大，被测三极管的放大系数不变或增大则说明被测管能在大电流的工作条件下使用；相反，如果随着测试电流的增大而被测三极管的放大系数减小，则说明被测管不能在大电流的工作条件下使用；如果表头显示的测试值不断变动，则说明该三极管不能承受该档的工作电流。

DY294晶体管直流参数测试仪.

被测参数连接方法档位K键被测参数连接方法档位K键DY-294/JL294-3晶体管直流参数测试PNPNPNBV CBO三极管C、B耐压0~200V0~2000VK3、K4BV CBO三极管C、B耐压0~200V0~2000VK3、K4~~BV EBO三极管E、B耐压0~200V 0~2000V K3、K4BV EBO三极管E、B耐压0~200V 0~2000V K3、K4BV CEO三极管C、0~200V0~2000VK3、K4BV CEO三极管C、0~200V 0~2000VK3、K4E耐压E耐压BV CES三极管0~200V0~2000VK3、K4BV CES三极管0~200V0~2000VK3、K4I CEO 漏电流C E I CEO 漏电流C E 电流C、E 极2000uAK11电流C、E 极2000uAK11I CBO 漏电流C、B 极2000uAK11I CBO 漏电流C、B 极2000uAK11I EBO 漏电流E、B 极2000uAK11I EBO 漏电流E、B 极2000uAK11h FE 放10uA~10K8、K9、h FE 放10uA~10K8、K9、大倍数mA(IbK10大倍数mA(IbK10V CE sat饱和压降10mA~2A (IcK5、K6、K7V CE sat饱和压降10mA~2A (IcK5、K6、K7二极管反向击穿电压0~200V 0~2000V K4、K7二极管反向击穿电压0~200V0~2000VK4、K7二极管正向压降0~200VIc=10mA K4、K7二极管正向压降0~200VIc=10mAK4、K7向降向降稳压二极管稳压值0~200V0~2000VK3、K4稳压二极管稳压值0~200V0~2000VK3、K4发光二极发光二极管正向压降0~200VK2、K4管正向压降0~200VK2、K4发光二极管反向电压0~200V K2、K4发光二极管反向电压0~200V K2、K4双向可控硅击穿电压0~200V0~2000V K3、K4双向可控硅击穿电压0~200V0~2000VK3、K4单向可控硅击穿电0~200V0~2000V K3、K4单向可控硅击穿电0~200V0~2000V K3、K4压02000V 压02000VP-MOS管耐压测试0~200V0~2000V K3、K4P-MOS管耐压测试0~200V0~2000VK3、K4瓷介电容瓷介电容涤纶电容云母电容独石电容耐压测试0~200V0~2000V K3、K4涤纶电容云母电容独石电容耐压测试0~200V0~2000VK3、K4压敏电阻0~200V压敏电阻0~200V动作电压0200V 0~2000V K3、K4动作电压0200V 0~2000V K3、K478XX三端稳压器78XX K1279XX三端稳压器79XX K12。

半导体三极管β值测量仪

【毕业设计】半导体三极管β值测量仪2012课程设计论文题目：半导体三极管β值测量仪年级专业：学号：姓名：________________ ____________ ____________摘要本设计以集成运放LM324为核心器件并加以555定时器、编码、译码等器件搭接而成。

在基本部分，首先自制微电流源产生恒定电流，作为待测三极管的基极电流，根据三极管电流IC=βIB的关系，当IB为固定值时，IC反映了β的变化，集电极电阻上的电压又反映了IC，用差分电路从待测三极管的集电极采集电压，即将变化的β值转化为与之成正比变化的电压量，再进行电压比较、分档，将连续变化的模拟量转化成高低电平0和1，再用CD4532编码、CD4511译码，显示部分采用共阴七段数码显示管。

在发挥部分，设计压控振荡器将采集的电压量转化成与之成正比变化的频率，合理设定参数使在一定时间内通过的脉冲个数即为被测三极管的β值；计数时间控制信号是基于555定时器设计而成的多谐振荡器产生；74LS90构成十进制计加法计数器，用于计数脉冲的个数，计数时间结束时将计数值送74LS194锁存，并在计数时间信号的控制下将锁存数值送至CD4511译码，最后由共阴七段数码显示管显示计数值。

纵观整体，本设计集所学电子技术大部分知识，其中前半部分的微电流源、采样电路、电压比较电路以及压控振荡电路均属于模拟部分，而后半部分的编码、译码、定时及显示部分则属于数电部分。

设计完成后首先在计算机上用multisim仿真优化设计方案，仿真正确后在面包板身上安装、调试。

关键词：三极管β值、微电流源、压控振荡器目录- 1 -一、设计任务----------------------------------------------------------------------------------------------- -3-二、设计要求----------------------------------------------------------------------------------------------- -3-三、电路设计----------------------------------------------------------------------------------------------- -3-3.1 设计思路----------------------------------------------------------------------------------------- -3-3.1.1 基础部分--------------------------------------------------------------------------------- -3-3.1.2 发挥部分--------------------------------------------------------------------------------- -6-3.2 参数计算及部分元器件说明------------------------------------------------------------------- -9-3.1.1 基础部分--------------------------------------------------------------------------------- -9-3.1.2 发挥部分------------------------------------------------------------------------------- -14-四、完整电路图------------------------------------------------------------------------------------------ -17-五、组装调试----------------------------------------------------------------------------------------------- -18-5.1 使用的主要仪器和仪表----------------------------------------------------------------------- -18-5.2 调试电路的方法和技巧----------------------------------------------------------------------- -18-5.3 测试的数据和波形并与计算结果比较分析----------------------------------------------- -18-5.4 调试中出现的故障、原因及排除方法------------------------------------------------------ -18-六、总结----------------------------------------------------------------------------------------------------- -19-七、系统元器件列表-------------------------------------------------------------------------------------- -19-八、收获、体会-------------------------------------------------------------------------------------------- -19-九、参考文献----------------------------------------------------------------------------------------------- -20-- 2 -一、设计任务设计制作一个可自动测量NPN型硅三极管β值的显示测量仪。

简易半导体三极管特性测试仪论文

简易半导体三极管参数测试仪摘要：该系统是以STC89C52RC单片机为核心控制单元采用总线控制方式设计的一款小功率半导体三极管参数测试仪。

前向通路通过恒压电压源和横流电流源提供集电极电压和基极电流，经过两片四运放TL084和两片二运放TL082输出三极管集电极电流Ic、基极电流Ib、集电极--发射极电压Vce和基极--发射机电压Vbe 通过模拟开关选路进入ADC0804转换输入单片机进行数据分析处理，经程序处理的数据通过DA转换器TLC7528送入LCD显示小功率管的交、直流放大倍数—、ββ，显示输入、输出特性曲线。

系统还可以根据前向通路输出判别被测三极管类型。

经测试发现，该系统可以在误差范围内正常工作。

关键字: 三极管参数测试恒压源恒流源特性曲线Abstract:The system is based on STC89C52RC microcontroller as the core control unit using a bus control design parameters of low-power semiconductor transistor tester. Forward path through the constant voltage source and cross-flow collector voltage and current sources to provide base current through two quad op amp TL084 andTL082 two two op-amp output transistor collector current Ic, base current Ib, the collector - - emitter voltage Vce and base - the transmitter voltage Vbe routing through the analog switch input into the ADC0804 chip to convert the data analysis and processing, the data processed by the DA converter TLC7528 LCD displaylow-power tube into the AC and DC magnification, shows the input and output characteristics. Before the system can also determine the measured output to the channel type transistor. The test found that the system can work within the error. Keywords:transistor parameter test voltage source current source characteristics目录一、系统方案与论证 (3)1. 方案选择 (3)1.1.1 直流稳压电源的设计 (3)1.1.2 横流电流源的设计 (3)1.1.3 取样电路的设计 (3)1.1.4 液晶电路的设计 (4)2. 系统描述 (4)二、理论分析与计算 (5)1.三极管类型判断 (5)2.放大倍数的计算 (5)3.输入特性曲线和输出特性曲线 (5)三、电路与程序设计 (6)1. 直流稳压电源 (6)2. 横流电流源 (6)3. 取样电路 (7)4. 控制部分 (8)4.1. 单片机最小系统 (8)4.2 D/A转换 (8)4.3. A/D采样 (9)4.4. 液晶显示 (9)4.5. 键盘 (10)5 软件设计 (10)四、测试方法及测试结果 (11)1.测试条件 (11)2. 测试仪器 (11)3. 测试方案 (11)4. 测试结果 (11)结束语 (13)参考文献 (13)附录 (13)一、系统方案与论证1. 方案选择1.1.1 直流稳压电源的设计方案一：利用DA输出控制集电极电压输入。

晶体三极管特性曲线测试仪设计

晶体三极管特性曲线测试仪设计摘要晶体管特性曲线测试仪广泛用于科研，实验教学和工业中，论文选题具有实际意义。

本文在学习和查阅相关文件的基础上，介绍了实现一个简易晶体管伏安特性曲线测试仪基本原理和实现方案。

在系统硬件设计中，以MCS-51单片机最小系统为核心，扩展了人机对话接口、A/D转换接口；采用555振荡器实现了方波和三角波的输出信号，利用计数器74161和DAC0832产生梯形波，通过比较器LM311构成识别晶体管类型的判断。

系统的软件设计是在Keil51的平台上，使用C语言与汇编语言混合编程编写了系统应用软件；包括主程序模块、显示模块、数据采集模块和数据处理模块。

关键词：晶体管图示仪；伏安特性；单片机Crystal three transistor characteristic cure tester ABSTRACT：Transistor curve tracers used in research, teaching and industrial experiments, the practical significance of topics. In this paper, learning and access to relevant documents, based on the realization of a simple transistor introduced voltammetric curve tracers basic theory and programs.In the system hardware design to MCS-51 microcomputer as the core, extending the man-machine dialogue interfaces, A / D conversion interface; Achieved by 555 square wave oscillator and triangle wave output signal, generated using counters 74161 and DAC0832 trapezoidal wave, Constitute recognition by the comparator LM311 transistor type judgments.The software design is the platform Keil51 using C language and assembly language programming prepared hybrid system application software; Including the main program module, display module, data acquisition module and data processing module KEY WORDS: Transistor Tracer , V olt-ampere characteristics, Single slice of machine目录第1章前言 (1)1.1 设计的背景及意义 (1)1.2 晶体管及晶体管特性曲线测试仪历史及研究现状 (1)第2章晶体管特性曲线测试仪的系统设计 (3)2.1 晶体三极管原理及工作状态分析 (3)2.2 系统整体框图设计 (4)2.3 各模块方案设计与选择 (5)2.3.1 555振荡器方波和阶梯波发生模块 (5)2.3.2 晶体管放大倍数的显示模块 (5)2.3.3 电源供电模块 (6)第3章系统的硬件设计 (7)3.1 MCS-51单片机最小系统 (7)3.2 电源电路的设计 (8)3.3 AD采样电路设计 (9)3.3.1 ADC0809的内部逻辑结构 (9)3.3.2 ADC0809引脚结构 (9)3.3.3 ADC0809应用说明 (10)3.3.4 A/D电路的设计原理 (11)3.4 波形电路的设计 (11)3.4.1阶梯波与三角波产生电路 (11)3.4.2 555振荡器的管脚功能 (12)3.5 显示电路设计 (13)第4章系统的软件设计 (17)4.1 系统的软件结构图 (17)4.2数据采集电路的软件设计 (17)4.3显示电路的软件设计 (19)第5章系统的调试与测试 (21)5.1调试和测试仪器 (21)5.2 系统的调试 (21)5.3测试结果与分析 (23)结论 (27)致谢 (28)参考文献 (28)附录 (29)第1章前言1.1 设计的背景及意义晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

294数显晶体管直流参数测试仪

294数显晶体管直流参数测试仪
邱水顺
【期刊名称】《电子世界》
【年(卷),期】1994(000)012
【摘要】294数显晶体管直流参数测试仪是一种更新换代产品,它比295指针式晶体管直流参数测试仪(见本刊1991年第1期)量程宽,线性好,可直读、准确度分辨率高,体积小,重量仅500克。

它不仪能测试二极管、三极管、稳压管、发光二极管,而且还能测试场效应管,可控硅和触发管,甚至还能测压敏电阻保护值,氖泡起辉值,电容耐压等直流参数。

【总页数】1页(P26)
【作者】邱水顺
【作者单位】无
【正文语种】中文
【中图分类】TN32
【相关文献】
1.JL294-3型晶体管直流参数测试表的测试方法 [J], 武丽仙
2.晶体管参数测试仪的设计 [J], 张明英
3.数显摩托车继电器参数测试仪的研制 [J], 高友;赵伟
4.晶体管参数的测量方法和测试仪器 [J], 柴振明
5.单片机控制的晶体管管芯直流参数自动测试仪 [J], 季菊
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

电路元件参数测量方法和仪器

电阻和电位器在电路中多用来进行限流、分压、分流以及阻抗匹配等，是电路中应用最多的元件之一。

一、电阻和电位器的参数电阻的参数包括标称阻值、额定功率、精度、最高工作温度、最高工作电压、噪声系数及高频特性等，主要参数为标称阻值和额定功率。

标称阻值是指电阻上标注的电阻值；额定功率是指电阻在一定条件下长期连续工作所允许承受的最大功率。

1．电阻规格的直标法直标法是将电阻的类别和主要技术参数的数值直接标注在电阻的表面上2．电阻规格的色环法色环法是是将电阻的类别和主要技术参数的数值用颜色（色环）标注在电阻的表面上。

3．电位器的标识法二、测量原理和常规测试方法电阻工作于低频时其电阻分量起主要作用，电抗部分可以忽略不计。

1．电阻的频率特性2．固定电阻的测量①万用表测量②电桥法测量当对电阻值的测量精度要求很高时，可用直流电桥法进行测量。

③伏安法测量伏安法测量原理如图3.4（a）、（b）所示，有电流表内接和电流表外接两种测量电路。

3．电位器的测量①性能测量主要测量电阻标称值和端片接触情况。

②用示波器测量电位器的噪声示波器可以用来测量电位器、变阻器的噪声。

4．非线性电阻的测量光敏、气敏、压敏、热敏电阻器等，它们的阻值随着外界光线的强弱、气体浓度的高低、压力的大小电压的高低、温度的高低而变化。

一般可采用伏安法，即逐点改变电压的大小，然后测量相应的电流，最后作出伏安特性曲线。

3．2．2电容的测量电容器在电路中多用来滤波、隔直、交流耦合、交流旁路及与电感元件构成振荡电路等，是电路中应用最多的元件之一。

一、电容的参数和标注方法1．电容的参数电容器的参数主要有以下几项。

（1）标称电容量和允许误差注在电容器上的电容量，称作标称电容量。

电容器的实际电容量与标称电容量的允许最大偏差范围，称为允许误差。

（2）额定工作电压指在规定的温度范围内，电容器能够长期可靠工作的最高电压。

科分为直流工作电压和交流工作电压。

（3）漏电电阻和漏电电流电容器的漏电流越大，绝缘电阻越小。

晶体管直流参数测试仪DY294

晶体管直流参数测试仪DY294概述晶体管直流参数测试仪DY294是一款用于测试晶体管静态参数的仪器。

它可以测量晶体管的静态参数，如基极-发射极电压，基极-集电极电压，集电极-发射极电流等。

该仪器适用于电子工业、科研院所和高校教学实验室。

技术参数参数数值基极-发射极电压0~40V基极-集电极电压0~40V集电极-发射极电流0~100mA基极-发射极电流0~10mA电源电压AC220V±10%工作温度-10℃~+40℃相对湿度≤70%RH使用方法准备工作1.检查DY294的供电电压是否为AC220V±10%；2.检查DY294的工作温度是否在-10℃~+40℃之间；3.连接测量被测晶体管的电源和四根测试线。

测试线颜色测试线接口被测管脚编号黄色BASE1红色COLLECTOR2黑色EMITTER3绿色BATTERY-测试流程1.接通DY294的电源开关；2.调节TEST SELECTOR旋钮，使其与被测晶体管对应的参数相符（如测试NPN晶体管的集电极-发射极电流，则将TEST SELECTOR旋钮拨至ICE）；3.轻轻按下TEST未装置开关，测得被测晶体管的电参数。

注意事项1.测量前请先确认DY294的供电电压和被测晶体管型号是否相符；2.测量前请先确认DY294的工作温度是否在-10℃~+40℃之间；3.测量前请先确认被测晶体管是否已正确连接测试线；4.测量前请先确认DY294的TEST SELECTOR旋钮是否与被测晶体管对应的参数相符；5.测量时请轻轻按下TEST未装置开关，以保证测量结果的准确性；6.测量完毕，请关闭DY294的电源开关，并断开电源线和测试线。

总结晶体管直流参数测试仪DY294是一款用于测试晶体管静态参数的仪器。

该仪器具有测量范围宽，测量精度高，操作简单等优点，适用于电子工业、科研院所和高校教学实验室。

在测量前请注意DY294的供电电压和被测晶体管型号是否相符，以及DY294的工作温度是否在规定范围内，以保证测量结果的准确性。

三极管RBSOA测试仪的设计

三极管RBSOA测试仪的设计
本文基于三极管的反向偏压安全工作区原理，设计研发了一款由电感诱导的三极管RBSOA测试仪。

通过反向偏压安全工作区判断三极管的好坏，是一种全新的检测方法。

l 三极管RBSOA测试技术概述
1．1 RBSOA
由于负载诱导，在关断三极管的时候，负载端的高电压与大电流将同时持续存在，持续时间主要取决于发射结的反向偏压的大小。

所以在关断时集电极的电流电压必须控制在三极管的可承受范围以内，这即是晶体管的反向偏压安全工作区，它表现为反偏关断晶体管时的电流电压值，如图1所示。

所以，RBSOA即晶体管在反向偏压下能够安全工作的区域。

一般说来，晶体管的反向偏压工作范围是由其最大额定值(电压、电流、温度功率最大值)决定的。

在实际应用中，功率晶体管及其他半导体器件在应用中常常会受到一种。

三极管承认测试方法

电子元件承认测试方法—三极管1.主题内容与适用范围本标准规定了本公司荧光灯用三极管的技术要求，检（试）验方法。

本标准适用于本公司用三极管的批量使用前的质量性能确认。

2.所用仪器UI9600热敏参数筛选仪、晶体管图示仪、温度巡检仪、10X以上放大镜、温度计、0－150mm 游标卡尺，稳压恒流源、手提式压力蒸气灭菌器等。

4.技术要求4.1 外观：目测，必要时借助放大镜观察，主要包括以下内容：4.1.1标识清晰可辨（标识包括：规格型号、商标、生产日期等信息）。

4.1.2三极管无破损、断脚现象。

4.1.3 三极管引脚光亮无生锈（也做可焊性试验）。

4.2 可焊性试验：三极管的引脚浸入按部标要求的助焊剂中，浸入235℃±5℃的锡槽内锡面距引脚根部约2mm，时间2±0.5S，取出冷却后，焊锡面积就大于90%。

4.3 外形尺寸用精度0.01mm 的游标卡尺测量。

4.3 电参数测试4.3.1 集电极-发射极电压（V C E O）:①打开QT2晶体管图示仪，预热5分钟后调整光标至左上方零点位置；②输出电压选择5000V（红灯亮），功耗电阻选择1K，Y=200 uA /div， X=200V/div；③将三极管的B极悬空，C级接“－”，E级接“＋”（接于测试二极管的反向击穿电压位置,最好用引线将CE两端引出再按二极管方式测试）。

④调节仪器峰值电压，使其有一定的输出量；按下红色按扭，按如下图，根据刻度读数：4.3.2 集电极-基极电压（V C B O）；方法同 4.3.1 E极极悬空，测试CB两极击穿电压。

4.3.3发射极-集电极（V E B O）；①打开QT2晶体管图示仪，预热5分钟后调整光标至左上方零点位置；②输出电压选择50V，功耗电阻选择10Ω，Y=200 uA /div， X=2V/div；③将三极管的C极悬空，EB极分别接于仪器CE接口；④调节仪器峰值电压，如图有电流产输出时可按刻度读数；4.3.4集电极-基极截止电流（I C B O）;①.将三极管置入105℃±2℃的烘箱内存放1小时，用高温线与相应的电极连接引出，采用QT2测试仪测试三极管的ICEO，功耗电阻选择0，Y=10uAiv,X=200V/div,调节峰值电压，使其有一定输出量②.三极管的集电极接“＋”，发射极接“－”。

多功能测试仪

多功能测试仪（TC-V2.12k）Multi-function Tester (TC-V2.12k)浩祺电子科技2015年8月Haoqi Electronic Technology Co., Ltd.August 2015目录1综述 (3)1.1本机说明 (3)1.2功能介绍 (3)2操作指引 (4)2.1按键操作定义 (4)2.2开机 (4)2.3测试晶体管 (5)2.4自动校准 (9)2.5测试稳压二极管 (10)2.6红外解码 (10)2.7关机 (10)2.8内置锂电池电压测量 (11)2.9内置锂电池充电 (11)3性能参数 (12)4常见问题 (13)5装箱单 (13)1Overview (14)1.1Introduction (14)1.2Features (14)2Operating Instructions (15)2.1Key operational definitions (15)2.2Power on (16)2.3Detect transistor (16)2.4Selftest (20)2.5Detect Zener diode (21)2.6IR decoder (21)2.7Power off (22)2.8Built-in Li-ion Battery voltage measurement (22)2.9Charging the Battery (23)3Performance Parameters (23)4FAQ (24)5Packing List (24)多功能测试仪（TC-V2.12k）1综述1.1 本机说明① - 160x128 TFT显示屏② - 多功能按键③ - 晶体管测试区④ - 稳压二极管测试区⑤ - 红外接收窗口⑥ - Micro USB充电接口⑦ - 充电指示灯1.2 功能介绍TC-V2.12k是采用TFT图形显示的多功能测试仪。

●晶体管测试仪-自动测量NPN和PNP晶体管、N沟道和P沟道场效应管、二极管（含双二极管）、电阻（含电位器）、电感、电容、可控硅、电池（0.1-4.5V）等元器件-自动测量稳压二极管（0.01-30V）-自动校准功能●红外解码器-支持日立公司编码-红外波形显示-红外接收指示●其他-测量结果采用TFT图形显示-一键操作-自动关机（关机时长可设置）-内置大容量可充电锂电池-锂电池电压检测-支持中英文双语警告：内置锂电池，严禁将测试仪浸入水中、严禁靠近热高温源！警告：为了您的人身安全，请严格遵守锂电池使用规范和注意事项！2操作指引2.1 按键操作定义多功能按键有两种操作：●短按：按下按键不短于10毫秒且在1.5秒内松开按键●长按：按下按键1.5秒以上2.2 开机关机状态下短按多功能按键，测试仪开机并自动进行测量。

Tek370A晶体管测试仪使用手册

Tek370A晶体管测试仪使用入门1.仪器简介2.测量npn三极管80503.测量pnp三极管2N44034.测量nmos管2N505.测量pmos管irf96306.测量达林顿晶体管TIP1271.仪器简介370A能完成晶体管、闸流管、二极管、可控硅、场效应管光电元件、太阳能电池、固态显示和其它半导体器件的直流参数特性的测试。

下图为此仪器操作面板：（1）：调整显示的x轴和y轴坐标间隔，在三极管输出特性中为调整Vce和Ic；（2）：调整扫描最大功率及最大电压，测试时需要设置合适的范围，否则可能烧坏器件；（3）：调整扫描的步距，在三极管输出特性中关于不同的Ib进行扫描，可设置包括电源种类（电源或电流）、扫描步数、工作点偏移、极性（n型、p型）、细分等；（4）调整图像位置及为图像做标记；（5）设置触发方式（单次触发、连续触发），在测试大功率器件时需要使用单次触发，否则可能导致芯片过热。

注意：1）测试中需要将左边output打开；2）测试时测试芯片盖子应盖牢；3）管脚位置不应放错；4）大功率测试时需将上图（5）调整为single模式；将STEP GENERATOR下的PULSE调整为short进行调试，在这种条件下仅扫描设定的点数，否则连续扫描两次可能将器件烧坏。

5）测量pnp或pmos时需要将COLLECTORY SUPPLY下POLARITY调整为。

6)上图（4）右侧position设置中，选择为DISPLAY可以调整图像绝对位置，为观看方便，可将n型（npn、nmos）调整为偏置1格，测量P型（pnp、pmos）图像方向相反，需将图像绝对位置添加负偏置，具体数值根据需要调整，另外上下键一起按可以将纵坐标方向偏置调为0，左右键一起按可以将横坐标方向偏置调为0。

POSION设置中选择为CURSOR，可以调整图像中光斑（亮点）的位置，标记点具体数值可以在图中读出。

按POSITION栏下左、右键可以调整光斑位置，光斑位置的调整与仪器扫描次序一致，即连续按右键、光斑会一直向右移动至设定的最大功率点后依次返回，之后再移至更高的基极电流（栅极电压）曲线，按左键则效果相反。

三极管参数电性能测试介绍

fT —特征頻率指的是其共發射極電流放大係數β大小下降到1時的頻 Cibo—輸入電容(Input Capacitance)/發射結電容 Cobo—輸出電容(Output Capacitance)/集電結電容 td-延遲時間是信號從輸入端開始到輸出端電流上升到其振幅A的 10%時所需時間 Tr-上升時間表示輸出電流從振幅值的10%上升到振幅值的90%所需的時間 ts儲存時間是從信號消失或三極管加上反向電壓到輸出電流下降到 90%振幅時所需的時間 tf下降時間表示輸出電流從振幅值的90%下降到振幅值的10%所需的時間
Q&A
由於我們實驗室設備的原因，我們只能測試部分靜態參數。
tf 下降時間
1
主要參數測試方法
V(BR)CBO 發射極開路時的集電結反向擊穿電壓
V(BR)CBO測試電路原理圖
V(BR)CBO測試數據曲綫圖
由條件可以知： IE=0即發射極開路，集電極與基
極分別接電源兩端使得IC=10uA，此時的電壓即為測試綫圖
由條件可以知： IC=0即集電極開路，發射極與基
極分別接電源兩端使得IE=10uA，此時的電壓即為測試值
主要參數測試方法
ICBO：IE=0時的集電極-基極截止電流 ICEO：IB=0時的集電極-發射極截止電流 IEBO：IC=0時的發射極-基極截止電流以上這個三個參數很少在規格書上體現，其測試原理與對應的電壓測試原理相同。截止電流標誌著三極管的質量﹐截止電流越小越好。
ECMC可測試參數 V(BR)CBO 發射極開路時的集電結反向擊穿電壓 V(BR)CEO 基極開路時集電極和發射極間的擊穿電壓 V(BR)EBO 集電極開路時發射結的反向擊穿電壓 ICBO 集電極-基極截止電流 ICEO 集電極-發射極截止電流 IEBO 發射極-基極截止電流 hFE 直流電流增益 VCE(SAT) 集電極與發射極間飽和電壓

(完整版)三极管参数测试仪

简易半导体三极管参数测试仪
一、任务
设计并制作一个小功率半导体三极管参数测试仪
二、要求
1、基本要求
（1）在V V A I CE B 10,10≈≈μ 条件下，能测出三极管的直流电流放大系
数β，并用数字显示。

测量范围50~300；测量误差的绝对值小于1100
5+N ，其中N 是直流放大倍数β的显示数值。

（2）当B I 由10μA 变化到20μA ，CE V 保持不变，能测出三极管的交流
放大系数β，并用数字显示。

测量误差要求同（1）。

（3）在V V CE 10=的条件下，测量三极管的集电极—发射极反向饱和电流 CEO I ，用数字显示，测量范围0.1μA~100μA ，测量误差≤10%。

（4）测量三极管的集电极—发射极间的反向击穿电压CEO BR V )(，并用数字显
示；测试条件mA I C 1=，测量范围20V~60V ，测量误差≤5%。

（5）具有三极管管脚插错、损坏指示报警功能。

2、发挥部分
（1）在V V CE 10=条件下，显示出三极管共射极接法输入特性曲线。

（2）在0≈B I ，10μA ，20μA ，30μA ，=CE V 0~12V 条件下，显示出三
极管共射极接法输出特性曲线。

（3）其他。

三、评分标准。

三极管参数电性能测试介绍

三极管参数电性能测试介绍三极管参数电性能测试是指对三极管的一系列电气参数进行测量和评估的过程。

三极管是现代电子设备中广泛使用的一种重要电子元器件，它具有放大、开关等多种功能，因此对其电性能进行准确的测试非常重要。

本文将介绍三极管常见的参数以及相应的测试方法。

1.静态参数测试静态参数主要包括最大额定电压、最大额定电流、最大功耗等参数的测试。

其中，最大额定电压是指当三极管工作时能够承受的最大电压，测试时可通过逐渐增加输入电压，观察三极管是否能正常工作以及输出是否保持稳定来判断。

最大额定电流是指当三极管工作时能够承受的最大电流，可通过逐渐增大输入电流，并观察输出电流是否超过三极管的最大额定电流来测试。

最大功耗是指三极管在正常工作时所能消耗的最大功率，可通过测量输入电流和输出电压，计算得出。

2.动态参数测试动态参数主要包括截止频率、增益带宽积、输入/输出电容等参数的测试。

截止频率是指三极管在放大时频率响应的下限，测试时可通过输入一个正弦信号，并逐渐增加频率直到输出信号幅值下降3dB，此时的频率即为截止频率。

增益带宽积是指三极管的放大能力和频率响应的乘积，可通过测量增益和截止频率，然后将两者相乘得到。

输入/输出电容是指三极管输入/输出之间的电容量，测试时可通过应用一个脉冲信号，测量输入和输出的电容量差异。

3.偏置参数测试偏置参数主要包括输入电流、输出电流、漏极电流等参数的测试。

输入电流是指三极管的输入端所消耗的电流，可通过测量输入端电流来得到。

输出电流是指三极管的输出端所输出的电流，可通过测量输出端电流来得到。

漏极电流是指在正常工作时，三极管漏极处的电流，可通过测量漏极电流来得到。

4.温度参数测试温度参数主要包括温度系数和工作温度范围的测试。

温度系数是指三极管在不同温度下输出电流或电压的变化情况，测试时通过控制环境温度，并测量相应的电流或电压变化来得到。

工作温度范围是指三极管能够正常工作的温度范围，测试时通过逐渐增加环境温度，并观察三极管是否能正常工作来判断。

5_晶体管特性图示仪测三极管直流参数

实验五晶体管特性图示仪测量三极管的直流参数晶体管在电子技术方面具有广泛的应用。

在制造晶体管和集成电路以及使用晶体管的过程中，都要检测其性能。

晶体管输入、输出及传输特性普遍采用直接显示的方法来获得特性曲线，进而可测量各种直流参数。

一、实验目的（1）了解YB4812型晶体管特性图示仪原理，掌握其使用方法；（2）观察三极管的输出特性曲线；（3）测试四种三极管的反向击穿电压和直流电流增益。

二、实验原理利用晶体管特性图示仪测试晶体管输出特性曲线的原理如图1所示。

图中T 代表被测的晶体管，R B 、E B 构成基极偏流电路。

取E B >>V BE ，可使I B =(E B －V BE )/R B 基本保持恒定。

在晶体管C-E 之间加入一锯齿波扫描电压，并引入一个小的取样电阻R C ，这样加到示波器上X 轴和Y 轴的电压分别为V X =V CE = V CA －I C ∙ R C ≈V CA ， V Y =－I C ∙ R C ∞－I C图5.1 测试输出特性曲线的原理电路R E图5.2 基极阶梯电压与集电极扫描电压间关系当I B恒定时，在示波器的屏幕上可以看到一根I C—V CE的特性曲线，即晶体管共发射极输出特性曲线。

为了显示一组在不同I B的特性曲线簇Ici=Φ(I C i, V CE)应该在X轴的锯齿波扫描电压每变化一个周期时，使I B也有一个相应的变化，所以应将图1中的E B改为能随X轴的锯齿波扫描电压变化的阶梯电压。

每一个阶梯电压能为被测管的基极提供一定的基极电流，这样不同的阶梯电压V B1、V B2 、V B3 …就可对应地提供不同的恒定基极注入电流I B1、I B2 、I B3…。

只要能使每一阶梯电压所维持的时间等于集电极回路的锯齿波扫描电压周期，如图5.2所示，就可以在T0时刻扫描出I C0=Φ(I B0, V CE)曲线，在T1时刻扫描出I C1=Φ(I B1, V CE)曲线。

三极管测试标准

华晶
vbe
dvbe
华晶3DD13003V1D常规参数测试
厂家测试条件： Ib=100mA vbe Ic=1000mA vbes Ic=1000mA vces Icbo Iceo Bvcbo Bvceo hfe hfe1 HEAT 序号 Vcb=350V Vcb=200V Ic=100uA Ic=100uA Ic=500mA Ic=750mA Ic=1000mA 无锡华晶 DY-2993多功能晶体管测试仪厂家测试条件： Max=1.0Vd.v=150mV vbe Max=1.1V Ib=250mA vbes Ib=250mA Max=0.4V vces Max=10uAd.I=100uA Icbo d.I=100uA Max=10uA Iceo Min=350V Bvcbo Min=200V Max=1000V Bvceo d.F=30% Vce=5V Max=30 Min=15 hfe Vce=5V Max=28 Min=10 Vce=3V Tim=3S HEAT 测试仪器
vbe
dvbe
vbes
vces
BVcbo BVceo
Hfe
dhfe
hfe1
ts
vbe vbes vces Icbo Iceo Bvcbo Bvceo hfe hfe1 HEAT 序号
华晶/蓝箭3DD13003E1D常规参数测试
厂家测试条件： Ib=100mA vbe Ic=500mA vbes Ic=500mA vces Icbo Iceo Bvcbo Bvceo hfe hfe1 HEAT 序号 Vcb=600V Vcb=400V Ic=100uA Ic=100uA Ic=200mA Ic=600mA Ic=500mA 吉林华微 DY-2993多功能晶体管测试仪厂家测试条件： Max=1.1Vd.v=150mV vbe Ib=100mA Max=1.1V vbes Ib=100mA Max=0.4V vces Max=5uA d.I=50uA Icbo Max=5uA d.I=50uA Iceo Min=600V Bvcbo Min=400V Max=1000V Bvceo Vce=5V Max=30 Min=15 d.F=25% hfe Vce=5V Max=24 Min=9 Vce=6V Tim=3S 测试仪器

一种三极管放大电路参数及故障测试装置的设计

第26卷第6期江苏理工学院学报JOURNAL OF JIANGSU UNIVERSITY OF TECHNOLOGY Vo l.26,No.6 Dec.,20202020年12月随着电子测量技术的高速发展，三极管放大电路在各类电子电路中发挥着十分重要的作用。

其输入输出电阻、电压增益、幅频特性是放大电路的关键指标。

同时，当电路发生故障时，也希望有特定的设备能简单直观地判断故障所在，所以本文提出了一种三极管放大电路参数及故障测试装置的设计。

本设计以MSP430为主核心处理器，采用直接数字式频率合成器在MSP430单片机的控制下构成扫频信号源，配合隔离电路，消除放大电路对信号源的影响。

同时，利用单片机控制继电器的开关，在放大电路的输入端和输出端分别测取几组不同的电压值，将所得数据输入单片机，计算输入输出电阻以及电压增益，减小测量误差，提高测量精度。

1系统方案设计本设计是以特定放大器和电路特性测试模块为主，配合相应的DDS信号源、AD采集模块、12864液晶显示模块、MSP430单片机模块。

如图1所示，第一个模块是信号发生模块，利用正弦信号相位与时间呈线性关系的特性，通过查表的方式得到信号的瞬时幅值，从而实现频率合成。

DDS具有超宽的相对宽带、超细的分辨率以及相位的连续性，采用这种方法设计的信号源可工作于调制状态，可对输出电平进行调节，也可输出各种波形。

第二个模块是输入电阻测量模块。

如图2所示，采用MSP430单片机测量输入电阻，在被测电路的输入端加一个被测电阻R s，利用MSP430单片机分别测出电阻两端的电压，输入电阻可由公式（1）求出：Ri=uius-u i×R s。

（1）第三个模块是输出电阻测量模块。

如图3所示，采用MSP430单片机测量输入电阻，在被测电一种三极管放大电路参数及故障测试装置的设计崔渊，房鸿旭，高倩，陈祝洋（江苏理工学院电气信息工程学院，江苏常州213001）摘要：提出一种三极管放大电路参数及故障测试装置，其由特定放大器和电路特性测试模块为主，配合相应的DDS信号源、AD采集模块、12846液晶显示模块和MSP430单片机模块组成。