第一章 半导体二极管及其应用典型例题

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第1章__半导体二极管及其应用习题解答

第1章__半导体二极管及其应用习题解答

第1章半导体二极管及其基本电路自测题判断下列说法是否正确,用“√”和“?”表示判断结果填入空内1. 半导体中的空穴是带正电的离子。

(?)2. 温度升高后,本征半导体内自由电子和空穴数目都增多,且增量相等。

(√)3. 因为P型半导体的多子是空穴,所以它带正电。

(?)4. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

(√)5. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。

(√)选择填空1. N型半导体中多数载流子是 A ;P型半导体中多数载流子是B。

A.自由电子 B.空穴2. N型半导体C;P型半导体C。

A.带正电 B.带负电 C.呈电中性3. 在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于B,而少子的浓度则受 A 的影响很大。

A.温度 B.掺杂浓度 C.掺杂工艺 D.晶体缺陷4. PN结中扩散电流方向是A;漂移电流方向是B。

A.从P区到N区 B.从N区到P区5. 当PN结未加外部电压时,扩散电流C飘移电流。

A.大于 B.小于 C.等于6. 当PN结外加正向电压时,扩散电流A漂移电流,耗尽层E;当PN结外加反向电压时,扩散电流B漂移电流,耗尽层D。

A.大于 B.小于 C.等于D.变宽 E.变窄 F.不变7. 二极管的正向电阻B,反向电阻A。

A.大 B.小8. 当温度升高时,二极管的正向电压B,反向电流A。

A.增大 B.减小 C.基本不变9. 稳压管的稳压区是其工作在C状态。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿有A、B、C三个二极管,测得它们的反向电流分别是2?A、0.5?A、5?A;在外加相同的正向电压时,电流分别为10mA、 30mA、15mA。

比较而言,哪个管子的性能最好【解】:二极管在外加相同的正向电压下电流越大,其正向电阻越小;反向电流越小,其单向导电性越好。

所以B管的性能最好。

题习题1试求图所示各电路的输出电压值U O,设二极管的性能理想。

5VVD+-3k ΩU OVD7V5V +-3k ΩU O5V1VVD +-3k ΩU O(a ) (b ) (c )10V5VVD3k Ω+._O U 2k Ω6V9VVD VD +-123k ΩU OVD VD 5V7V+-123k ΩU O(d ) (e ) (f )图【解】:二极管电路,通过比较二极管两个电极的电位高低判断二极管工作在导通还是截止状态。

第1章(2)二极管例题及图解分析法

第1章(2)二极管例题及图解分析法

ui
uO
15
O
t
ui
uO

分析二极管的限幅作用。 例3 ui = 2 sin ωt (V), 分析二极管的限幅作用。
R
ui 较小,宜采用恒压降模型 较小,
V2
ui
V1 ui / V 2
O
uO ui < 0.7V V1、V2均截止 uO= ui ui ≥ 0.7V V2导通 1截止 uO= 0.7V 导通V ui < − 0.7V t V1导通 2截止 uO=− 0.7V 导通V
例2 画出硅二极管构成的桥式整流电路在 ui =15 sinωt (V)作用下输出 uO的波形。 (按理想模型 作用下输出 的波形。 按理想模型 按理想模型) ui
V1 V3 A B RL uO V2 V4 S1 A S2 S1 A S2 S3 B S4 S3 B S4 ui / V 15
O
t uO/ V
uO/ V 0.7
− 0.7
O
t
小 结
理想二极管: 理想二极管:
正偏导通 电压降为零 相当开关合上 反偏截止 电流为零 相当开关断开
恒压降模型: 恒压降模型:
等效为恒压源U 正偏电压 ≥ UD(on)时导通 等效为恒压源 D(on) 否则截止, 否则截止,相当于二极管支路断开
例1 试求电路中电流 I1、I2、IO和输出电压UO的值。 和输出电压 的值。 解:假设二极管断开 P N UP = 15V R R 3 I2 1kΩ L Ω UN = × 12 = 9 (V) 15V U 1+ 3 3kΩ O Ω VDD1 VDD2 12V UP > UN 二极管导通 等效为0.7 等效为 V 的恒压源 UO= VDD1 − UD(on)= 15 − 0.7 = 14.3 (V) IO= UO / RL= 14.3 / 3 = 4.8 (mA) I1 I2 = (UO − VDD2) / R = (14.3 − 12) / 1 = 2.3 (mA) I1= IO + I2= 4.8 + 2.3 = 7.1 (mA) IO

半导体二极管及其应用电路

半导体二极管及其应用电路
01
(1. 7)
02
图1.18桥堆内部结构及外形图 半桥堆;(b)全桥堆
使用一个“全桥”或连接两个“半桥”,就可代替四只二极管与电源变压器相连,组成桥式整流电路,非常方便。选用时,应注意桥堆的额定工作电流和允许的最高反向工作电压应符合整流电路的要求。
滤波电路 见的电路形式如图1.19所示。
图1.19 各种滤波电路
由上述分析可知,桥式整流负载电压和电流是半波 整流的两倍。
3)整流二极管的参数
(1. 8)
04
从图1.16可知,每个二极管在截止时承受的反向 峰值电压为
03
桥式整流电路与半波整流电路相比,电源利用率提高了1倍,同时输出电压波动小,因此桥式整流电路得到了广泛应用。电路的缺点是二极管用得较多,电路连接复杂,容易出错,为了解决这一问题,生产厂家常将整流二极管集成在一起构成桥堆,内部结构及外形如图1.18所示。
按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管。
类型
1.2.2 半导体二极管的命名方法 导体器件的型号由五个部分组成,如图1.10所示。其型号组成部分的符号及其意义见附录一。如2AP9,“2”表示电极数为2,“A”表示N型锗材料,“P”表示普通管,“9”表示序号。
图1.10 半导体器件的型号组成
02
二极管正向导通时,要特别注意它的正向电流不能超过最大值,否则将烧坏PN结。
,反向电流很小,且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IR,见图1.11中OC(OC′)段。
反向击穿特性
温度对特性的影响
由于二极管的核心是一个PN结,它的导电性能与温度有关,温度升高时二极管正向特性曲线向左移动,正向压降减小;反向特性曲线向下移动,反向电流增大。
01

半导体器件附答案

半导体器件附答案

第一章、半导体器件(附答案)一、选择题1.PN 结加正向电压时,空间电荷区将 ________A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2.设二极管的端电压为 u ,则二极管的电流方程是 ________A. B. C.3.稳压管的稳压是其工作在 ________A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿区4.V U GS 0=时,能够工作在恒流区的场效应管有 ________A. 结型场效应管B. 增强型 MOS 管C. 耗尽型 MOS 管5.对PN 结增加反向电压时,参与导电的是 ________A. 多数载流子B. 少数载流子C. 既有多数载流子又有少数载流子6.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量 _____A. 增加B. 减少C. 不变7.用万用表的 R × 100 Ω档和 R × 1K Ω档分别测量一个正常二极管的正向电阻,两次测量结果 ______A. 相同B. 第一次测量植比第二次大C. 第一次测量植比第二次小8.面接触型二极管适用于 ____A. 高频检波电路B. 工频整流电路9.下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是: ____A. 2CZ11B. 2CP10C. 2CW11D.2AP610.当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为V U D 7.0=。

若其他参数不变,当温度上升到40℃,则D U 的大小将 ____A. 等于 0.7VB. 大于 0.7VC. 小于 0.7V11.当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来,可组成的稳压值有 _____A. 两种B. 三种C. 四种12.在图中,稳压管1W V 和2W V 的稳压值分别为6V 和7V ,且工作在稳压状态,由此可知输出电压O U 为 _____A. 6VB. 7VC. 0VD. 1V13.将一只稳压管和一只普通二极管串联后,可得到的稳压值是( )A. 两种B. 三种C. 四种14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 __(1)__,而少数载流子的浓度与 __(2)__有很大关系。

第1章__半导体二极管和应用习题解答

第1章__半导体二极管和应用习题解答

第1章半导体二极管及其基本电路自测题1.1 判断下列说法是否正确,用“√”和“⨯”表示判断结果填入空内1. 半导体中的空穴是带正电的离子。

(⨯)2. 温度升高后,本征半导体内自由电子和空穴数目都增多,且增量相等。

(√)3. 因为P型半导体的多子是空穴,所以它带正电。

(⨯)4. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

(√)5. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。

(√)1.2 选择填空1. N型半导体中多数载流子是 A ;P型半导体中多数载流子是B。

A.自由电子B.空穴2. N型半导体C;P型半导体C。

A.带正电B.带负电C.呈电中性3. 在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于B,而少子的浓度则受 A 的影响很大。

A.温度B.掺杂浓度C.掺杂工艺D.晶体缺陷4. PN结中扩散电流方向是A;漂移电流方向是B。

A.从P区到N区B.从N区到P区5. 当PN结未加外部电压时,扩散电流C飘移电流。

A.大于B.小于C.等于6. 当PN结外加正向电压时,扩散电流A漂移电流,耗尽层E;当PN 结外加反向电压时,扩散电流B漂移电流,耗尽层D。

A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变7. 二极管的正向电阻B,反向电阻A。

A.大B.小8. 当温度升高时,二极管的正向电压B,反向电流A。

A.增大B.减小C.基本不变9. 稳压管的稳压区是其工作在C状态。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿1.3 有A、B、C三个二极管,测得它们的反向电流分别是2μA、0.5μA、5μA;在外加相同的正向电压时,电流分别为10mA、30mA、15mA。

比较而言,哪个管子的性能最好?【解1.3】:二极管在外加相同的正向电压下电流越大,其正向电阻越小;反向电流越小,其单向导电性越好。

所以B管的性能最好。

题习题11.1 试求图P1.1所示各电路的输出电压值U O,设二极管的性能理想。

5VVD+-3k ΩU OVD7V5V +-3k ΩU O5V1VVD +-3k ΩU O(a ) (b ) (c )10V5VVD3k Ω+._O U 2k Ω6V9VVD VD +-123k ΩU OVD VD 5V7V+-123k ΩU O(d ) (e ) (f )图P 1.4【解 1.1】:二极管电路,通过比较二极管两个电极的电位高低判断二极管工作在导通还是截止状态。

电子技术试题及答案

电子技术试题及答案

电子技术试题及答案-(《电子技术基础》题库适用班级:2012级电钳3、4、5、6班备注:本学期进行到第七章;第一、二、三章是重点内容,要求掌握;第四、八章没有涉及。

一、填空题:第一章半导体二极管○1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体,半导体和绝缘体三类。

Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。

○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。

Δ4、PN结正偏时,P区接电源的正极,N极接电源的负极。

○5、PN结具有单向导电特性。

○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。

Δ7、按二极管所用的材料不同,可分为硅二极管和锗二极管两类;○8、按二极管用途不同,可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。

★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极,负极接电源的负极;反响接法相反。

○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ,锗二极管导通时的管压降约0.3V。

Δ11、使用二极管时,应考虑的主要参数是最大整流电流,最高反向电压和反向电流。

★12、发光二极管将电信号转换为光信号。

★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中,通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。

★14、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为零。

第二章半导体三极管及其放大电路○15、三极管是电流控制元件。

○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏,集电结反偏。

★17、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变大,发射结压降变小。

Δ18、三极管处在放大区时,其集电结电压小于零,发射结电压大于零。

★19、三极管的发射区杂质浓度很高,而基区很薄。

Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小.Δ21、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为100 。

半导体例题及习题

半导体例题及习题

半导体例题及习题第⼀章半导体⼆极管、三极管例题解析例1-1 求图1.1电路中的I 1、I 2、I O 及U O 的值?(硅管 U F =0.7V )图1.1解题要领:判断⼆极管的状态,将⼆极管从电路中取出后⽐较管⼦阳极、阴极电位⾼低;解:∵21DD DD V V ? ∴V D 导通U O =V DD1-U F =15-0.7=14.3V8.433.14===L O O R U I mA)(1.73.28.421mA I I I O =+=+=mA R V U I DD O 3.21123.1422=-=-=例1-2 图1.2中,试求下列⼏种情况下输出端电位V Y 。

(1)V A =3V ,V B =0V ;(2)V A =0V ,V B =3V ;(3)V A =V B =0V ;(4)V A =V B =3V 。

设⼆极管的正向电阻为零,反向电阻为⽆穷⼤。

图1.2 解题要领:两个或两个以上阴极(或阳极)连在⼀起时,阳极电位⾼(或阴极电位低)的⼆极管优先导通,然后再判断其它管解:(1)、⼆极管V DB 优先导通,则V Y =0V ,V DA 截⽌。

(2)、⼆极管V DA 优先导通,则V Y =0V ,V DB 截⽌。

(3)、V DA 和VDB 两管都导通V Y =0V(4)、V DA和VDB两管都导通V Y=3V例1-3⼀个晶体管在放⼤电路中看不出型号,也没有其它标记,但⽤万⽤表测得它的三个电极A、B、C对地电位分别为VA=-9V,VB=-6V,VC=-6.2V, 试判断该三极管的类型和A、B、C各对应三极管的什么极?解题要领:如何判断三极管的类型和电极?1、硅管或锗管的判别原则:发射结正向压降是0.7V左右为硅管,0.2V为锗管,且b极电位处于中间值,由此初步确定b极、e极;2、NPN管或PNP管的判别原则:处于放⼤状态的NPN管中其集电极电位为最⾼,⽽PNP管为最低;3、电极判别:弄清管⼦的类型之后,再结合各电极的电位就很容易判别它的各个电极。

模拟电子技术第一章 半导体二极管及其电路练习题(含答案)

模拟电子技术第一章 半导体二极管及其电路练习题(含答案)

第一章半导体二极管及其电路【教学要求】本章主要介绍了半导体的基础知识及半导体器件的核心环节—PN结。

PN结具有单向导电特性、击穿特性和电容特性。

介绍了半导体二极管的物理结构、工作原理、特性曲线和主要参数。

理想情况下,二极管相当于开关闭合与断开。

介绍了二极管的简单应用电路,包括整流、限幅电路等。

同时还介绍了稳压二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管。

教学内容、要求和重点见如表1.1。

表1.1 教学内容、要求和重点【例题分析与解答】【例题1-1】二极管电路及其输入波形如图1-1所示,设U im>U R,,二极管为理想,试分析电路输出电压,并画出其波形。

解:求解这类电路的基本思路是确定二极管D在信号作用下所处的状态,即根据理想二极管单向导电的特性及具体构成的电路,可获得输出U o的波形。

本电路具体分析如下:当U i增大至U R时,二极管D导通,输出U o被U R嵌位,U o=U R,其他情况下,U o=U i。

这类电路又称为限幅电路。

图1-1【例题1-2】二极管双向限幅电路如图1-2 (a)所示,若输入电压U i=7sinωt (V),试分析并画出电路输出电压的波形。

(设二极管的U on为0.7V,忽略二极管内阻)。

图1-2解:用恒压降等效模型代替实际二极管,等效电路如图1-2(b)所示,当U i<-3.7V时,D2反偏截止,D1正偏导通,输出电压被钳制在-3.7V;当-3.7V<U i <3.7V时,D1、D2均反偏截止,此时R中无电流,所以U o=U i;当3.7V<U i时,D1反偏截止,D2正偏导通,输出电压被钳制在3.7V。

综合上述分析,可画出的波形如图1-20(c)所示,输出电压的幅度被限制在正负3.7V 之间。

【例题1-3】电路如图1-3(a),二极管为理想,当B点输入幅度为±3V、频率为1kH Z的方波,A点输入幅度为3V、频率为100kH Z的正弦波时,如图1-3(b),试画出Uo点波形。

第1章半导体二极管及其基本电路习题答案

第1章半导体二极管及其基本电路习题答案

第1章 半导体二极管及其基本电路1-1判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

(⨯ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

(⨯ ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( ) 1-2、选择正确答案填入空内。

(1)PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽(2)设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 C 。

A. I S e UB. TU U I eS C. )1e (S -T U U I(3)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿(4)在本征半导体中加入 A 元素可形成N 型半导体,加入 C 元素可形成P 型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价(5)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大 B. 不变 C. 减小1-3能否将1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?解:不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.5V 时,管子会因电流过大而烧坏。

1-4 电路如图P1-4所示,已知u i =10sin ωt (v),试画出u i 与u O 的波形。

设二极管正向导通电压可忽略不计。

图P1-4解图P1-4解:u i 和u o 的波形如解图P1-4所示。

1-5电路如图P1-54所示,已知u i=5sinωt(V),二极管导通电压U D=0.7V。

试画出u i 与u O的波形,并标出幅值。

图P1-5解图P1-5解:波形如解图P1-5所示。

1-6 电路如图P1-6(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。

试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。

图P1-6解:u O的波形如解图P1-6所示。

解图P1-61-7电路如图P1-7所示,二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T≈26mV,电容C对交流信号可视为短路;u i为正弦波,有效值为10mV。

第一章半导体二极管及其应用典型例题

第一章半导体二极管及其应用典型例题
D1才导通,且一旦D1导通,其阳极电位为3.7V,输出电压uO=+3.7V。由于D2的阳极电位为-3V,ﻫ 而uI作用于二极管D2的阴极,故只有当uI低于-3.7V时D2才导通,且一旦D2导通,其阴极电位即为ﻫ -3.7V,输出电压uO=-3.7V。当uI在-3.7V到+3.7V之间时,两只管子均截止,故uO=uI。
当 时,二极管截止, ﻫ当 时,二极管导通,
由此画出输出电压 的波形如图(b)所示。
图 (b)
【例1-6】在图示电路中,设二极管正向导通时的压降为0.7V,试估算a点的电位。
【相关知识】ﻫ(1)二极管的线性等效模型。ﻫ(2)二极管的工作状态工作状态(导通、截止)。ﻫ(2)选用合适的二极管线性等效模型。
【解题过程】ﻫ 该电路利用二极管的负温度系数,可以用于温度的测量。其温度系数–2mV/℃。ﻫ20℃时二极管的正向电压降
UD=660mV
50℃时二极管的正向电压降ﻫUD=660 –(2´30)=600 mV
因为二极管的正向电压降UD是温度和正向电流的函数,所以应使用电流源以稳定电流,使二极管的正向电压降UD仅仅是温度一个变量的函数。
(3)利用线性电路的方法进行分析计算。
【解题过程】
首先分析二极管开路时,管子两端的电位差,从而判断二极管两端加的是正向电压还是反向电压。ﻫ若是反向电压,则说明二极管处于截止状态;若是正向电压,但正向电压小于二极管的死区电压,ﻫ则说明二极管仍然处于截止状态;只有当正向电压大于死区电压时,二极管才能导通。ﻫ 在图示电路中,当二极管开路时,二极管两端的正向电压 ,二极管反向偏置,处于ﻫ截止状态,故 。
【例1-2】电路如图(a)所示,已知 ,二极管导通电压 。试画出uI与uO的波形,并标出幅值。
图(a)

模拟电子技术第一章 半导体二极管及其电路练习题(含答案)

模拟电子技术第一章 半导体二极管及其电路练习题(含答案)

第一章半导体二极管及其电路【教学要求】本章主要介绍了半导体的基础知识及半导体器件的核心环节—PN结。

PN结具有单向导电特性、击穿特性和电容特性。

介绍了半导体二极管的物理结构、工作原理、特性曲线和主要参数。

理想情况下,二极管相当于开关闭合与断开。

介绍了二极管的简单应用电路,包括整流、限幅电路等。

同时还介绍了稳压二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管。

教学内容、要求和重点见如表1.1。

表1.1 教学内容、要求和重点【例题分析与解答】【例题1-1】二极管电路及其输入波形如图1-1所示,设U im>U R,,二极管为理想,试分析电路输出电压,并画出其波形。

解:求解这类电路的基本思路是确定二极管D在信号作用下所处的状态,即根据理想二极管单向导电的特性及具体构成的电路,可获得输出U o的波形。

本电路具体分析如下:当U i增大至U R时,二极管D导通,输出U o被U R嵌位,U o=U R,其他情况下,U o=U i。

这类电路又称为限幅电路。

图1-1【例题1-2】二极管双向限幅电路如图1-2 (a)所示,若输入电压U i=7sinωt (V),试分析并画出电路输出电压的波形。

(设二极管的U on为0.7V,忽略二极管内阻)。

图1-2解:用恒压降等效模型代替实际二极管,等效电路如图1-2(b)所示,当U i<-3.7V时,D2反偏截止,D1正偏导通,输出电压被钳制在-3.7V;当-3.7V<U i <3.7V时,D1、D2均反偏截止,此时R中无电流,所以U o=U i;当3.7V<U i时,D1反偏截止,D2正偏导通,输出电压被钳制在3.7V。

综合上述分析,可画出的波形如图1-20(c)所示,输出电压的幅度被限制在正负3.7V 之间。

【例题1-3】电路如图1-3(a),二极管为理想,当B点输入幅度为±3V、频率为1kH Z的方波,A点输入幅度为3V、频率为100kH Z的正弦波时,如图1-3(b),试画出Uo点波形。

电气工程半导体二极管及其电路分析习题及答案

电气工程半导体二极管及其电路分析习题及答案

《集成电子技术基础教程》习题与习题解答第一篇电子器件与电子电路基础第一章半导体二极管及其电路分析题1.1.1 已知二极管2AP9的伏安特性如图题1.1.1(a)所示。

(1)假设将其按正向接法直接与1.5V电池相连,估量会显现什么问题?(2)假设将其按反向接法直接与30V电源相连,又会显现什么问题?(3)分析二极管、稳压管在电路中常常与限流电阻相连的必要性。

(4)画出两只2AP9二极管[图题1.1.1(a)]在:同向串联、反向串联、同向并联、反向并联四种情形下的合成伏安特性曲线。

解:(1)烧杯二极管(2)反向击穿(3)串联电阻能够限制流过二极管或稳压管的电流超过规定值,使二极管或稳压管平安。

(4)略题1.1.2 当用万用表电阻档测量二极管[参见图题1.1.1(b)],分析:(1)所测得的电阻值是二极管的直流电阻仍是动态(微变)电阻?(2)设万用表内电池电压为1.5V,R×10Ω档的内阻R iˊ为240Ω,R×100Ω档的内阻R iˊΩ。

试用图解分析法估算:a)用R×10Ω档测得的正向电阻值;b)用R×100Ω档测得的正向电阻值。

从概念上说明, 什么缘故用不同电阻档测得的二极管正向电阻相差差异?解: (1)是二极管的直流电阻(2)在二极管的特性曲线上,作出两条负载线,负载线和特性曲线的交点求得V和I,然后求出这二档的电阻。

V DD (R×10Ω档)V DD (R×100Ω档)由于万用表不同档的内阻不同,使流过二极管的电流相差较大,从而不同档时,测得二极管的正向电阻悬珠。

题1.1.3 二极管的伏安特性曲线如图题1.1.3所示。

(1)二极管经受的反向电压V RM为多少?(2)假设温度升高20°C,那么二极管的反向电流I S应为多大?(3)当温度升高20°C时,定性画出转变后的伏安特性曲线。

图题1.1.4解:(1) 由图可知,二极管经受的反向电压V RM规定为实际击穿电压V B的一半,即VRM=40V; (2)在反偏的条件下,温度每增加10°时,I S约增加1倍,因此温度增加20℃时,反向饱和电流I S约增加4倍。

第一章 半导体二极管练习

第一章 半导体二极管练习

第一章 半导体二极管一、单选题1. 当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别( )。

A. 左移,下移B. 右移,上移C. 左移,上移D. 右移,下移 2. 在PN 结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,当PN 结外加反向电压时,扩散电流 漂移电流。

A. 小于,大于B. 大于,小于C. 大于,大于D. 小于,小于 3.下列符号中表示发光二极管的为( )。

ABCD4. 稳压二极管工作于正常稳压状态时,其反向电流应满足( )。

A. I D = 0 B. I D < I Zm 且I D > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Zm < I D < I ZM5. 杂质半导体中( )的浓度对温度敏感。

A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴6. 从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于( )时处于正偏导通状态。

A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降 7. PN 结形成后,空间电荷区由( )构成。

A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 8. 硅管正偏导通时,其管压降约为( )。

A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V9. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻,所测电阻是二极管的 电阻,由于不同量程时通过二极管的电流 ,所测得正向电阻阻值 。

A. 直流,相同,相同B. 交流,相同,相同C. 直流,不同,不同D. 交流,不同,不同 二、判断题1. PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( )2. 二极管在工作电流大于最大整流电流I F 时会损坏。

( )3. 二极管在工作频率大于最高工作频率f M 时会损坏。

( )4. 二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM 时会损坏。

( )5. 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

第1章半导体二极管三极管(例题)

第1章半导体二极管三极管(例题)
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(二)光电二极管 光电二极管工作于反向偏置状态. 光电二极管工作于反向偏置状态.无光照时电路 中电流很小,有光照时电流会急剧增加. 中电流很小,有光照时电流会急剧增加.
D E
D I E
RL
光电二极管电路
发光二极管电路
(三)发光二极管 发光二极管工作于正向偏置状态. 发光二极管工作于正向偏置状态.正向电流通过 发光二极管时,它会发出光来, 发光二极管时,它会发出光来,正向工作电压一般不 左右. 超过 2 V,正向电流为 mA左右.发光二极管常用 ,正向电流为10 左右 于数字仪表和音响设备中的显示器.冷光源. 于数字仪表和音响设备中的显示器.冷光源.
∵ UDA > UDB VY 优先导通, 截止. ∴ DA 优先导通, DB截止. 理想二极管: 理想二极管:VY = VA = 3V 锗二极管: 锗二极管:VY = VA - UD = 2.7V R 硅二极管: 硅二极管:VY = VA - UD = 2.3V -6V
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, 时 分析输出端的电位V 例4: 当VA = 3V,VB = 0V时,分析输出端的电位 Y.
+6V
DA
R VY
VA VB VA VB
DB DB DA
∵ UDB > UDA 优先导通, 截止. ∴ DB 优先导通, DA截止. 理想二极管: 理想二极管:VY = VB = 0V 锗二极管: 锗二极管:VY = VB B + UD = 0.7V
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分别为3 , 例6 当Us 分别为 2 V,4 V,而 ui 分别为 V, , , 3 V 时,试画出 uo 的波形. 的波形.

半导体二极管及其应用典型例题

半导体二极管及其应用典型例题

第一章半导体二极管及其应用典型例题(总14页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第一章半导体二极管及其应用二极管伏安特性例1-1例1-2例1-3二极管电路分析例1-4例1-5 例1-6例1-7例1-8稳压管电路及其分析例1-9例1-10例1-11【例1-1】分析图所示电路的工作情况,图中I为电流源,I=2mA。

设20℃时二极管的正向电压降U D=660mV,求在50℃时二极管的正向电压降。

该电路有何用途电路中为什么要使用电流源【相关知识】二极管的伏安特性、温度特性,恒流源。

【解题思路】推导二极管的正向电压降,说明影响正压降的因素及该电路的用途。

【解题过程】该电路利用二极管的负温度系数,可以用于温度的测量。

其温度系数–2mV/℃。

20℃时二极管的正向电压降U D=660mV50℃时二极管的正向电压降U D=660 –(2´30)=600 mV因为二极管的正向电压降U D是温度和正向电流的函数,所以应使用电流源以稳定电流,使二极管的正向电压降U D仅仅是温度一个变量的函数。

【例1-2】电路如图(a)所示,已知,二极管导通电压。

试画出u I与u O的波形,并标出幅值。

图(a)【相关知识】二极管的伏安特性及其工作状态的判定。

【解题思路】首先根据电路中直流电源与交流信号的幅值关系判断二极管工作状态;当二极管的截止时,u O=u I;当二极管的导通时,。

【解题过程】由已知条件可知二极管的伏安特性如图所示,即开启电压U on和导通电压均为。

由于二极管D1的阴极电位为+3V,而输入动态电压u I作用于D1的阳极,故只有当u I高于+时D1才导通,且一旦D1导通,其阳极电位为,输出电压u O=+。

由于D2的阳极电位为-3V,而u I作用于二极管D2的阴极,故只有当u I低于-时D2才导通,且一旦D2导通,其阴极电位即为-,输出电压u O=-。

当u I在-到+之间时,两只管子均截止,故u O=u I。

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第一章半导体二极管及其应用【例1-1】分析图所示电路的工作情况,图中I为电流源,I=2mA。

设20℃时二极管的正向电压降U D=660mV,求在50℃时二极管的正向电压降。

该电路有何用途?电路中为什么要使用电流源?【相关知识】二极管的伏安特性、温度特性,恒流源。

【解题思路】推导二极管的正向电压降,说明影响正压降的因素及该电路的用途。

【解题过程】该电路利用二极管的负温度系数,可以用于温度的测量。

其温度系数–2mV/℃。

20℃时二极管的正向电压降U D=660mV50℃时二极管的正向电压降U D=660 –(2´30)=600 mV因为二极管的正向电压降U D是温度和正向电流的函数,所以应使用电流源以稳定电流,使二极管的正向电压降U D仅仅是温度一个变量的函数。

【例1-2】电路如图(a)所示,已知,二极管导通电压。

试画出u I与u O的波形,并标出幅值。

图(a)【相关知识】二极管的伏安特性及其工作状态的判定。

【解题思路】首先根据电路中直流电源与交流信号的幅值关系判断二极管工作状态;当二极管的截止时,u O=u I;当二极管的导通时,。

【解题过程】由已知条件可知二极管的伏安特性如图所示,即开启电压U on和导通电压均为0.7V。

由于二极管D1的阴极电位为+3V,而输入动态电压u I作用于D1的阳极,故只有当u I高于+3.7V时 D1才导通,且一旦D1导通,其阳极电位为3.7V,输出电压u O=+3.7V。

由于D2的阳极电位为-3V,而u I作用于二极管D2的阴极,故只有当u I低于-3.7V时D2才导通,且一旦D2导通,其阴极电位即为-3.7V,输出电压u O=-3.7V。

当u I在-3.7V到+3.7V之间时,两只管子均截止,故u O=u I。

u I和u O的波形如图(b)所示。

图(b)【例1-3】某二极管的反向饱和电流,如果将一只1.5V的干电池接在二极管两端,试计算流过二极管的电流有多大?【相关知识】二极管的伏安特性。

【解题思路】(1)根据二极管的伏安特性求出流过二极管的电流。

(2)根据二极管两端的电压及流过二极管的电流求出二极管的等效直流电阻。

【解题过程】如果将干电池的正、负极分别与二极管的阴极、阳极相接,二极管反向偏置,此时流过二极管的电流等于。

反之,流过二极管的电流等于:此时二极管的等效直流电阻为:实际上电池的内阻、接线电阻和二极管的体电阻之和远远大于R D,流过二极管的电流远远小于计算值。

电路中的电流值不仅仅是由二极管的伏安特性所决定,还与电路中的接线电阻、电池的内阻和二极管的体电阻有关。

通常这些电阻都非常小,足以使二极管和干电池损坏。

因此,实际应用时电路中必须串接适当的限流电阻,以防损坏电路元器件。

【例1-4】电路如图(a)所示,二极管的伏安特性如图(b)所示,常温下U T≈26mV,电容C对交流信号可视为短路;u i为正弦波,有效值为10 mV。

试问:(1)二极管在u i为零时的电流和电压各为多少?(2)二极管中流过的交流电流有效值为多少?【相关知识】(1)二极管静态、动态的概念,小信号作用下动态电阻的求解。

(2)图解法。

【解题思路】(1)首先分析静态电流和电压,即静态工作点Q。

(2)求出在Q点下的动态电阻,分析动态信号的作用。

【解题过程】(1)利用图解法可以方便地求出二极管的Q点。

在动态信号为零时,二极管导通,电阻R中电流与二极管电流相等。

因此,二极管的端电压可写成为u D=V − i D R在二极管的伏安特性坐标系中作直线(u D=V−i D R),与伏安特性曲线的交点就是Q点,如(b)所示。

读出Q点的坐标值,即为二极管的直流电流和电压,约为U D≈0.7 V,I D≈26 mA(2)Q点下小信号情况下的动态电阻为r d≈U T/ I D = (26/2.6)Ω=10 Ω根据已知条件,二极管上的交流电压有效值为10 mV,故流过的交流电流有效值为I D = U i/ r d =(10/10) mA=1 mA图(c)【常见错误】二极管静态、动态的概念不清楚。

(1)认为二极管两端的电压始终为0.7V,不会根据具体的伏安特性分析二极管的静态电压和电流。

(2)计算动态电阻时用直流电阻代替,即认为r d≈U D/ I D。

【例1-5】电路如图(a)所示。

设输入信号,,二极管导通压降可以忽略不计,试分别画出输出电压的波形。

图 (a)【相关知识】二极管的伏安特性及其工作状态的判断。

【解题思路】(1)判断二极管的工作状态。

(2)当二极管导通时u O=V C;当二极管截止时u O=u I。

.【解题过程】在图(a)所示电路中,当二极管断开时,二极管两端的电压等于。

所以当时,二极管截止,当时,二极管导通,由此画出输出电压的波形如图(b)所示。

图 (b)【例1-6】在图示电路中,设二极管正向导通时的压降为0.7V,试估算a点的电位。

【相关知识】(1)二极管的线性等效模型。

(2)二极管的工作状态判断方法。

【解题思路】(1)要先判定二极管的工作状态(导通、截止)。

(2)选用合适的二极管线性等效模型。

(3)利用线性电路的方法进行分析计算。

【解题过程】首先分析二极管开路时,管子两端的电位差,从而判断二极管两端加的是正向电压还是反向电压。

若是反向电压,则说明二极管处于截止状态;若是正向电压,但正向电压小于二极管的死区电压,则说明二极管仍然处于截止状态;只有当正向电压大于死区电压时,二极管才能导通。

在图示电路中,当二极管开路时,二极管两端的正向电压,二极管反向偏置,处于截止状态,故。

【例1-7】电路如图(a)所示。

设电路中的二极管为硅管,输入信号,,电容器C对交流信号的容抗可以忽略不计,试计算输出电压的交流分量。

图 (a)【相关知识】(1)二极管的微变等效模型。

(2)二极管电路的分析方法。

【解题思路】(1)对二极管电路进行直流分析。

(2)对二极管电路进行交流分析。

【解题过程】因为二极管电路中同时存在较大的直流电源和微变的交流信号,应首先假设交流信号为零(),对电路进行直流分析。

在图(a)电路中,当令、电容器C开路时,采用二极管的恒压模型计算出流过二极管的直流电流由此可估算出二极管的动态电阻。

然后利用二极管的微变等效模型分析计算其交流分量。

在进行交流分析时,令直流电源和电容器C短路,二极管D用交流等效电阻r d代替。

此时,图(a)电路的交流等效电路如图(b)所示。

图 (b) 由图(b)可得输出电压交流分量为。

【例1-8】设本题图所示各电路中的二极管性能均为理想。

试判断各电路中的二极管是导通还是截止,并求出A、B两点之间的电压UAB值。

【相关知识】二极管的工作状态的判断方法。

【解题思路】(1)首先分析二极管开路时,管子两端的电位差,从而判断二极管两端加的是正向电压还是反向电压。

若是反向电压,则说明二极管处于截止状态;若是正向电压,但正向电压小于二极管的死区电压,则说明二极管仍然处于截止状态;只有当正向电压大于死区电压时,二极管才能导通。

(2)在用上述方法判断的过程中,若出现两个以上二极管承受大小不等的正向电压,则应判定承受正向电压较大者优先导通,其两端电压为正向导通电压,然后再用上述方法判断其它二极管的工作状态。

【解题过程】在图电路中,当二极管开路时,由图可知二极管D1、D2两端的正向电压分别为10V和25V。

二极管D2两端的正向电压高于D1两端的正向电压,二极管D2优先导通。

当二极管D2导通后,U AB=-15V,二极管 D1两端又为反向电压。

故D1截止、D2导通。

U AB=-15V。

【例1-9】硅稳压管稳压电路如图所示。

其中硅稳压管D Z的稳定电压U Z=8V、动态电阻r Z可以忽略,U I=20V。

试求:(1) U O、I O、I及I Z的值;(2) 当U I降低为15V时的U O、I O、I及I Z值。

【相关知识】稳压管稳压电路。

【解题思路】根据题目给定条件判断稳压管的工作状态,计算输出电压及各支路电流值。

【解题过程】(1) 由于>U Z稳压管工作于反向电击穿状态,电路具有稳压功能。

故U O=U Z=8VI Z= I-I O=6-4=2 mA(2) 由于这时的<U Z稳压管没有被击穿,稳压管处于截止状态。

故I Z=0【例1-10】电路如图(a)所示。

其中未经稳定的直流输入电压U I值可变,稳压管D Z采用2CW58型硅稳压二极管,在管子的稳压范围内,当I Z为5mA时,其端电压U Z为10V、为20Ω,且该管的I ZM为26mA。

(1) 试求当该稳压管用图(b)所示模型等效时的U Z0值;(2) 当U O =10V时,U I应为多大?(3) 若U I在上面求得的数值基础上变化±10%,即从0.9U I变到1.1U I,问U O将从多少变化到多少?相对于原来的10V,输出电压变化了百分之几?在这种条件下,I Z变化范围为多大?(4) 若U I值上升到使I Z=I ZM,而r Z值始终为20Ω,这时的U I和U O分别为多少?(5) 若U I值在6~9V间可调,U O将怎样变化?图 (a) 图 (b)【相关知识】稳压管的工作原理、参数及等效模型。

【解题思路】根据稳压管的等效模型,画出等效电路,即可对电路进行分析。

【解题过程】(1) 由稳压管等效电路知,(2)(3) 设不变。

当时当时(4)(5) 由于U I<U Z0,稳压管D Z没有被击穿,处于截止状态故U O将随U I在6~9 V之间变化【例1-11】电路如图(a)、(b)所示。

其中限流电阻R=2,硅稳压管D Z1、D Z2的稳定电压U Z1、U Z2分别为6V和8V,正向压降为0.7V,动态电阻可以忽略。

试求电路输出端A、B两端之间电压U AB的值。

图(a) 图(b)【相关知识】稳压管的伏安特性。

【解题思路】(1)判断稳压管能否被击穿。

(2)若稳压管没有被击穿,判断稳压管是处于截止状态还是正向导通状态。

【解题过程】判断稳压管的工作状态:(1)首先分析二极管开路时,管子两端的电位差,从而判断二极管两端所加的是正向电压还是反向电压。

若是反向电压,则当反向电压大于管子的稳定电压时,稳压管处于反向电击穿状态。

否则,稳压管处于截止状态;若是正向电压,但当正向电压大于其的死区电压时,二极管处于正向导通状态。

(2)在用上述方法判断的过程中,若出现两个以上稳压管承受大小不等的电压时,则应判定承受正向电压较大者优先导通,或者在同样的反向电压作用下,稳定电压较小者优先导通,然后再用上述方法判断其它二极管的工作状态。

根据上述稳压管工作状态的判断方法:在图(a)示电路中,当管开路时,二个管子两端的反向电压均为20V。

由于稳压管D Z1的稳定电压低,所以D Z1优先导通。

当稳压管D Z1导通后,U AB= U Z1 =6 V,低于稳压管D Z2的击穿电压。

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