半桥同步整流设计报告
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半桥倍流同步整流电源的设计
摘要:现如今,微处理器要求更低的供电电压,以降低功耗,这就要求供电系
统能提供更大的输出电流,低压大电流技术越发引起人们的广泛关注。本电源系统以对称半桥为主要拓扑,结合倍流整流和同步整流的结构,并且使用MSP430单片机控制和采样显示,实现了5V,15A大电流的供电系统。效率较高,输出纹波小。
关键词:对称半桥,倍流整流,同步整流,SG3525
一、方案论证与比较
1 电源变换拓扑方案论证
方案一:(如下图)此电路为传统的半桥拓扑。由于MOS管只承受一倍电源电压,而不像单端类的承受两倍电源电压,且较之全桥拓扑少了两个昂贵的MOS 管,因此得到很大的应用。但在低压大电流的设计中,输出整流管的损耗无疑会大大降低效率,而且电感的设计也会变得困难,因此不适合大电流的设计。
方案二:传统半桥+同步整流。将上图半桥的输出整流管改为低导通内阻的MOSFET。如此可大大减小输出整流的损耗,提高效率。比较适合大电流的整流方案,但变压器的绕制和电感的设计较麻烦。
方案三:(如下图)半桥倍流同步整流。倍流整流很早就被人提出,它的特点是变压器输出没有中心抽头,这就大大简化了变压器的设计,并且提高了变压器的利用率。而流过变压器和输出电感的电流仅有输出电流的一半,这使得变压
器和电感的制作变得简单。并且由波形分析可以知道,输出电流的纹波是互相抵消的。该电路的不足是电路时序有要求,控制稍显复杂。由上分析我们选择方案三。
2 控制方案选择
方案一:由于控制芯片SG3525输出两路互补对称的PWM信号,则可将控制信号做如下设置(如下图)。
将驱动Q1的信号与Q4同步起来,Q2和Q3的信号同步,则可以实现倍流同步整流的时序同步,方案简单易行,但由于SG3525在输出较小占空比时有较大的死区,则输出MOSFET的续流二极管会产生较大的损耗。
方案二:。。。。。反激变换。。。。将SG3525的驱动信号反向后送入输出整流MOS管,如此可以极大的减少低占空比时的损耗,且仅需一对反向驱动,故选用方案二。
二、电路设计与参数计算
1 总体方案设计
电路整体采用半桥结构,电压型控制器件SG3525产生PWM控制信号,频率为30KHz,分别经过半桥驱动IR2110和双反向驱动MAX626,分别驱动开关管和输出整流MOS管。功率变换产生的电压波形经倍流整流输出。电流采样使用高端电阻采样,为0.005欧。电流信号转化为电压信号,经放大、比较,送至单片机和控制芯片。单片机LCD显示输出电压、电流并且可以通过按键调节电压和电流过流点。下图为总体的系统框图。
2 电源主电路设计
根据指标,系统输入电压为25~30V,输出电压为5V,输出电流为15A,输出电流过流点为18A(+-1A)。输出整流管我们选择了IRF3025。其耐压值为55V,额定电流为110A,导通内阻为8m欧。非常适合用作同步整流的低压大电流结
构。控制芯片我们选用SG3525,这是一款非常实用的电压型控制器件。它自带了高精度的5.1V基准,工作电压宽,具备软启动和输入高电平关断,其输出采用图腾柱输出,拉灌电流达200mA。驱动芯片采用IR2110和MAX626。IR2110为专用的半桥驱动芯片,其输出\入电流达2A,延时短。MAX626输出峰值电流达2A,开关延时仅20ns。反馈控制使用光耦PC817+TL431精密基准,适应性强。
1.1主变压器的设计
绝大多数磁性元件都是自行设计的,变压器作为功率变换的主体,其设计的好坏直接影响到系统的质量。根据要求,输入电压为25~30V,输出电压为5V,输出电流为15A。效率> 80%。
则输出功率Pout=75W,Pin=93.75W 我们选用EC40的磁芯,其高宽比较大,且便于绕制。
平均输入电流Iin=Pin/Vin=3.8A,输入峰值电流Ipk=2.8Pout/Vin(min)=8.4A 由:
V=NAe(dB/dt)
Np/Ns=Vp/Vs=(Vin/2)/(V out/D)
得:匝比N=Np/Ns=5:6;Dmax=0.3;
再考虑大电流下的铜损和铁损,变压器原边取5匝,副边取6匝,辅助绕组取7匝。原边采用线径0.47的铜线4线并绕,副边采用9线并绕。
1.2 输出滤波器设计及计算
由于采用倍流同步整流,输出滤波器的平均电流只有输出电流的一半。
由:
V=L(di/dt)
可知电感L=Et/r*Io, 其中Et为电感的伏秒数,r为输出电流的纹波比,Io 为电感平均电流。
为了达到纹波峰峰值小于10mV,我们取L=400uH,可以满足要求。
输出电容与电感一起,对于负载的能量传送和谐波抑制有十分重要的作用。输出电容我们采用大容量电解电容加高频特性好的薄膜电容。
根据C=Iout(max)*D/f*Vpp
其中f=30KHz,Vpp=10mV,Iout=15A
电解电容使用一个3300uF和两个1000uF的电容并联,薄膜电容使用两个
0.01uF的并联。
1.3 反馈电路的计算
反馈电路我们选用光耦PC817和精密基准TL431。由于输出电压为5伏,并且TL431的基准脚需要2uA的电流,所以分压电阻都选为10k。PC871的电流传输比CTR约为0.8~1.6,即:Ic/If=CTR
为了满足光耦和TL431的工作条件,取工作电流为3mA,与光耦串联的电阻R=(5-1.2-2.5)/3mA=430欧,取470欧。则在满足增益的条件下,光耦输出上拉电阻取为2k。为了让反馈稳定工作,需要加补偿网络,我们选用II型补偿。
由控制理论可知,电源闭环反馈的相位裕度需>=45度。由于输出滤波器是一个二阶低通滤波器,会产生180度的最大相移,而TL431反馈也会产生相移,经计算并实际测试,补偿网络的取值如下: