半导体器件物理(第二版)第二章答案
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半导体器件物理(第二版)第二章答案
2-1.P N +
结空间电荷区边界分别为p
x -和n
x ,利用
2T
V V i np n e =导出)(n
n
x p 表达式。给出N 区空穴为
小注入和大注入两种情况下的)(n
n
x p 表达式。 解:在
n
x x =处
()()⎪⎪⎩
⎪⎪⎨
⎧⎪⎭⎫ ⎝⎛-=⎪⎭
⎫
⎝⎛-=KT E E n x n KT E E n x p i Fn i
n n FP i i n
n exp exp
()()VT V i Fp Fn i n n n n e n KT E E n x n x p 22exp =⎪
⎪⎭
⎫ ⎝⎛-=
而
()()()000n n n n n
n n n n n n n p x p p p n x n n n p x =+∆≈∆=+∆=+ (n
n
n p
∆=∆)
()()T
T
V V
i
n n n V V i
n n n e
n p n p e
n n n p 202
0=∆+⇒=∆+
200
1T
V V n i n n n p n p e n n ⎛⎫⇒+=
⎪⎝⎭
T V V 22n n0n i p +n p -n e =0
T
V V 2
2n0n0i n -n +n +4n e p =
(此为一般结果)
小注入:(0
n n
n p <<∆)
T
T
V V n V V n i n e p e n n p 00
2== ()0
02
n n i
p n n
=
大注入: 0
n n n p >>∆ 且
n
n p p ∆=
所以 T
V V i
n
e
n p 22=或
T
V V i n e
n p 2=
2-2.热平衡时净电子电流或净空穴电流为零,
用此方法推导方程
2
0ln
i a d T p n
n N N V =-=ψψψ。
解:净电子电流为
()n n
n n
I qA D n x
με∂=+∂
处于热平衡时,I n =0 ,又因为 d dx
ψε=-
所以n
n d n
n D dx x
ψμ
∂=∂,又因为n
T
n
D
V μ
=(爱因斯坦关系)
所以dn n V d T
=ψ, 从作积分,则 2002ln ln ln ln ln i a d
n p T n T po T d T T a i
n N N
V n V n V N V V N n ψψψ=-=-=-=
2-3.根据修正欧姆定律和空穴扩散电流公式证
明,在外加正向偏压V 作用下,PN 结N 侧空穴扩散区准费米能级的改变量为qV
E
FP
=∆。
证明: n
P
P
dP J qD
(1)
dx
=-
P P P FP
P d J (x)
dx
dE P (2)
dx ϕσμ=-=
(1)(2)
=
FP P n
P n n
T
n dE qD dP dx P dx
dP 1qV P dx
μ-==-
从1
2
x
x →积分:
n 2n 1P (x )
FP
T
n P (x )
E qV ln P
∆=- 将T
n
2
n0V /V 1
n0
P (x )P Pn(x )P
e
=⎧⎪⎨
=⎪⎩
代入
得FP
E
qV
∆=
2-4. 硅突变结二极管的掺杂浓度为:3
1510-=cm N
d
,
3
20104-⨯=cm N a ,在室温下计算:
(a )自建电势(b )耗尽层宽度 (c )零偏压下的最大内建电场。 解:(a )自建电势为
V n N N V i d a T p n 913.010
25.210410ln 026.0ln 20
20
1520=⨯⨯⨯==-=ψψψ
(b )耗尽层宽度为
14114
00221915
2211.88.854100.913()() 1.09101.61010
n d k W x cm qN εψ---⨯⨯⨯⨯====⨯⨯⨯
(с) 零偏压下最大内建电场为
191544
14
0 1.61010 1.0910 1.6710V/cm 11.88.85410
d n m qN x k εε---⨯⨯⨯⨯=-=-=⨯⨯⨯
2–5.若突变结两边的掺杂浓度为同一数量级,则自建电势和耗尽层宽度可用下式表示
)
(2)(020d a p n d a N N K x x N qN ++=
εψ
⎥
⎦⎤
⎢⎣⎡+=)(200d a
a a n N N qN N K x ψε
2
100)(2⎥
⎦⎤
⎢⎣⎡+=d a
a d p N N qN N K x ψε
试推导这些表示式。
解:由泊松方程得:
()()22
02
2
0p a
n d d x qN dx
k d x qN dx k ψεψε⎧=⎪⎪⎨⎪=-⎪⎩
()
()
n p
x x x x
≤≤≤≤-00
积分一次得
()
()1
2
p a
n d d x qN x c dx
k d x qN
x c dx k ψεψε=
+=-+
()
()
n p
x x x x
≤≤≤≤-00
由边界条件
()()00p
n p x x n x x d x dx d x dx ψψ=-=⎧=⎪⎪⎪⎨
⎪=⎪⎪⎩⇒1020a p d n
qN c x k qN c x k εε⎧=⎪⎪⎪⎨⎪⎪=⎪⎩
所以