传感器知识总结

传感器：能够感受规定的被测量并按照一定规律转换成可用输出信号的器件或装置

传感器：由敏感元件和转换元件组成数显：传感器--→信号处理---→A/D-→单片机-→led或lcd

静态特性：性能指标:灵敏度、迟滞、线性度、重复性、漂移，分辨力与阈值，稳定性

动态特性；性能指标：时间常数，延迟时间，上升时间，峰值时间，超调量，衰减比

应变效应；导体在外力作用下产生机械变形时,其电阻值发生相应的变化的现象。

压阻效应；半导体材料的电阻率随作用应力的变化而变化的现象

金属应变片结构；敏感栅、基片、覆盖层、引线补偿方法；线路补偿、应变片自补偿

变气隙式；灵敏度与气隙成反比，变隙式电感式传感器适用于测量微小位移的场合。

自感式电感传感器的测量电路有交流电桥式和谐振式。

电涡流效应；法拉第电磁感应定律，块状金属导体置于变化的磁场中或在磁场中做切割磁力线运动时，导体内将产生呈旋涡状的感应电流，此电流叫做电涡流，此现象叫做电涡流效应。电涡流式；高频反射式、低频透射式。

电容式；变面积式、变介质式电容传感器的灵敏度为常数，即输出与输入呈线性关系。变极距式电容传感器的输出与输入呈非线性关系。变极距型；灵敏度与板间距离成反比。差动式结构解决了变极距型的非线性问题。差动脉冲调制电路输出的直流电压与传感器两电容差值成正比。

压电效应；某些电介质当沿着一定方向对其施力而使它变形时，内部发生极化现象，同时在它的两个表面上便产生符号相反的电荷，当外力去掉时又重新回到不带电状态。

压电元件接法；并联；输出电荷大，本身电容大，因此时间常数也大，适用于测量缓变信号，并以电并以电荷量作为输出的场合串联；输出电压高，本身电容小，适用于以电压作为输出量以及测量电路输入阻抗很高的场合。

压电传感器测量电路；电压放大器,电荷放大器(输出电压取决于输入电荷与反馈电容)

压电传感器等效电路；并联：（电荷源+电容）串联：（电压源+电容）

磁电式；恒磁通式；动圈式、动铁式。变磁式；开磁路、闭磁路

恒定磁通式；由感应电势的幅值大小检测V,a，X。变磁通式；由感应电势的频率检测转速。

霍尔效应（半导体）；置于磁场中的静止载流导体，当它的电流方向与磁场方向不一致时，载流导体上垂直于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势。

霍尔电压U H与控制电流及磁场强度有关，磁场强度愈大霍尔电压愈大。当磁场改变方向时，霍尔电压也改变方向。

霍尔电势——称为不等位电势；当霍尔元件的激励电流为I时，若元件所处位置磁感应强度为零，则它的霍尔电势应该为零，但实际不为零。

产生不等位电势原因；电极安装位置不对称或不在同一等电位面上、半导体材料不均匀或几何尺寸不均匀、激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。

光电器件；内光电效应（1.光电导效应：光敏电阻，光敏晶体管2.光生伏特效应：光电池）、外光电效应（光倍管，光电倍增管）。

光敏电阻；无光照时，暗电阻很大，暗电流很小，当有光照时，亮电阻急剧减小，亮电流迅速增大。光敏电阻与光照有关，与U，I无关

光敏二极管；处于反向工作状态，不受光照时处于截止状态，受光照时处于导通状态

光电池；内光电效应（光生伏特效应），开路电压随T升高而下降速度快，短路电流随T升高而缓慢增加。光电的短路电流比开路电压受温度影响小。

光电耦合器是一种电量隔离转换器。

气敏器件（阈值电压UT检测H2浓度）

声波分为纵波（固、液、气），横波（固），表面波（固体表面）

(1.热探测器【根据电释热效应】2.光子探测器【根据光子效应】），信号调理电路及显示。

光栅数显表；整形放大电路，细分电路，辨向电路及数字显示电路，光栅分辨率的计算；分辨率=1mm/n（条数）