芯片生产全过程概述

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光刻胶：再次浇上光 刻胶(蓝色部分)，然后 光刻，并洗掉曝光的 部分，剩下的光刻胶 还是用来保护不会离 子注入的那部分材料 。
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离子注入(Ion Implantation)：在真 空系统中，用经过加 速的、要掺杂的原子 的离子照射(注入)固体 材料，从而在被注入 的区域形成特殊的注 入层，并改变这些区 域的硅的导电性。经 过电场加速后，注入 的离子流的速度可以 超过30万千米每小时
电镀：在晶圆上电镀 一层硫酸铜，将铜离 子沉淀到晶体管上。 铜离子会从正极(阳极) 走向负极(阴极)。
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铜层：电镀完成后， 铜离子沉积在晶圆表 面，形成一个薄薄的 铜层。
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抛光：将多余的铜抛 光掉，也就是磨光晶 圆表面。
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金属层：晶体管级别 ，六个晶体管的组合 ，大约500纳米。在不 同晶体管之间形成复 合互连金属层，具体 布局取决于相应处理 器所需要的不同功能 性。芯片表面看起来 异常平滑，但事实上 可能包含20多层复杂 的电路，放大之后可 以看到极其复杂的电 路网络，形如未来派 的多层高速公路系统 。
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光刻：由此进入50200纳米尺寸的晶体管 级别。一块晶圆上可 以切割出数百个处理 器，不过从这里开始 把视野缩小到其中一 个上，展示如何制作 晶体管等部件。晶体 管相当于开关，控制 着电流的方向。现在 的晶体管已经如此之 小，一个针头上就能 放下大约3000万个。
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硅锭切割：横向切割 成圆形的单个硅片， 也就是我们常说的晶 圆(Wafer)。顺便说， 这下知道为什么晶圆 都是圆形的了吧？ 。
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晶圆：切割出的晶圆 经过抛光后变得几乎 完美无瑕，表面甚至 可以当镜子。事实上 ，Intel自己并不生产 这种晶圆，而是从第 三方半导体企业那里 直接购买成品，然后 利用自己的生产线进 一步加工，比如现在 主流的45nm HKMG( 高K金属栅极)。值得 一提的是，Intel公司 创立之初使用的晶圆 尺寸只有2英寸/50毫 米。
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清除光刻胶：离子注 入完成后，光刻胶也 被清除，而注入区域( 绿色部分)也已掺杂， 注入了不同的原子。 注意这时候的绿色和 之前已经有所不同。
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晶体管就绪：至此， 晶体管已经基本完成 。在绝缘材(品红色)上 蚀刻出三个孔洞，并 填充铜，以便和其它 晶体管互连。
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溶解光刻胶：光刻过 程中曝光在紫外线下 的光刻胶被溶解掉， 清除后留下的图案和 掩模上的一致。
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蚀刻：使用化学物质 溶解掉暴露出来的晶 圆部分，而剩下的光 刻胶保护着不应该蚀 刻的部分。
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清除光刻胶：蚀刻完 成后，光刻胶的使命 宣告完成，全部清除 后就可以看到设计好 的电路图案。
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丢弃瑕疵内核：晶圆 级别。测试过程中发 现的有瑕疵的内核被 抛弃，留下完好的准 备进入下一步。
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单个内核：内核级别 。从晶圆上切割下来 的单个内核，这里展 示的是Core i7的核心 。
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封装：封装级别，20 毫米/1英寸。衬底(基 片)、内核、散热片堆 叠在一起，就形成了 我们看到的处理器的 样子。衬底(绿色)相当 于一个底座，并为处 理器内核提供电气与 机械界面，便于与PC 系统的其它部分交互 。散热片(银色)就是负 责内核散热的了。
芯片生产全过程概述
2020年4月20日星期一
芯片生产全过程
摩尔1965年发表文章图片
摩尔定律（18个月翻一番）验证
晶圆图片
晶圆图片
AMD ROADMAP 2007
我国2007芯片产业
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沙子：硅是地壳内第 二丰富的元素，而脱 氧后的沙子(尤其是石 英)最多包含25％的硅 元素，以二氧化硅 (SiO2)的形式存在， 这也是半导体制造产 业的基础。
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处理器：至此就得到 完整的处理器了(这里 是一颗Core i7)。这种 在世界上最干净的房 间里制造出来的最复 杂的产品实际上是经 过数百个步骤得来的 ，这里只是展示了其 中的一些关键步骤。
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晶圆测试：内核级别 ，大约10毫米/0.5英寸 。图中是晶圆的局部 ，正在接受第一次功 能性测试，使用参考 电路图案和每一块芯 片进行对比。
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晶圆切片(Slicing)： 晶圆级别，300毫米 /12英寸。将晶圆切割 成块，每一块就是一 个处理器的内核(Die) 。
பைடு நூலகம்沙子到芯片-2
硅熔炼：12英寸/300 毫米晶圆级，下同。 通过多步净化得到可 用于半导体制造质量 的硅，学名电子级硅 (EGS)，平均每一百万 个硅原子中最多只有 一个杂质原子。此图 展示了是如何通过硅 净化熔炼得到大晶体 的，最后得到的就是 硅锭(Ingot)。
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单晶硅锭：整体基本 呈圆柱形，重约100千 克，硅纯度99.9999％ 。
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光刻胶(Photo Resist) ：图中蓝色部分就是 在晶圆旋转过程中浇 上去的光刻胶液体， 类似制作传统胶片的 那种。晶圆旋转可以 让光刻胶铺的非常薄 、非常平。
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光刻：光刻胶层随后 透过掩模(Mask)被曝 光在紫外线(UV)之下 ，变得可溶，期间发 生的化学反应类似按 下机械相机快门那一 刻胶片的变化。掩模 上印着预先设计好的 电路图案，紫外线透 过它照在光刻胶层上 ，就会形成微处理器 的每一层电路图案。 一般来说，在晶圆上 得到的电路图案是掩 模上图案的四分之一 。