硬件电路设计基础知识

硬件电子电路基础
第一章半导体器件
§1-1 半导体基础知识一、什么是半导体
半导体就是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。

（导电能力即电导率）（如：硅Si 锗Ge等＋4价元素以及化合物）
二、半导体的导电特性
本征半导体――纯净、晶体结构完整的半导体称为本征半导体。

硅和锗的共价键结构。

（略）
1、半导体的导电率会在外界因素作用下发生变化
掺杂──管子
温度──热敏元件
光照──光敏元件等
2、半导体中的两种载流子──自由电子和空穴
自由电子──受束缚的电子（－）
空穴──电子跳走以后留下的坑（＋）
三、杂质半导体──N型、P型
（前讲）掺杂可以显着地改变半导体的导电特性，从而制造出杂质半导体。

N型半导体（自由电子多）
掺杂为＋5价元素。

如：磷；砷 P──＋5价使自由电子大大增加
原理： Si──＋4价 P与Si形成共价键后多余了一个电子。

载流子组成：
o本征激发的空穴和自由电子──数量少。

o掺杂后由P提供的自由电子──数量多。

o空穴──少子
o自由电子──多子
P型半导体（空穴多）
掺杂为＋3价元素。

如：硼；铝使空穴大大增加
原理： Si──＋4价 B与Si形成共价键后多余了一个空穴。

B──＋3价
载流子组成：
o本征激发的空穴和自由电子──数量少。

o掺杂后由B提供的空穴──数量多。

o空穴──多子
o自由电子──少子
结论：N型半导体中的多数载流子为自由电子；
P型半导体中的多数载流子为空穴。

§1-2 PN结
一、PN结的基本原理
1、什么是PN结
将一块P型半导体和一块N型半导体紧密第结合在一起时，交界面两侧的那部分区域。

2、PN结的结构
分界面上的情况：
P区：空穴多
N区：自由电子多
扩散运动：
多的往少的那去，并被复合掉。

留下了正、负离子。

（正、负离子不能移动）
留下了一个正、负离子区──耗尽区。

由正、负离子区形成了一个内建电场（即势垒高度）。

方向：N--> P
大小：与材料和温度有关。

（很小，约零点几伏）
漂移运动：
由于内建电场的吸引，个别少数载流子受电场力的作用与多子运动方向相反作运动。

结论：在没有外加电压的情况下，扩散电流和漂移电流的大小相等，方向相反。

总电流为零。

二、PN结的单向导电特性
1、外加正向电压时：（正偏）
结论：
势垒高度 PN结宽度（耗尽区宽度）扩散电流
2、外加反向电压时：（反偏）
结论：
势垒高度 PN结宽度（耗尽区宽度）扩散电流（趋近于0）
此时总电流＝反向饱和电流（漂移电流）：I5
注：反向饱和电流I5只与温度有关，与外加电压无关。

【PN结的反向击穿】：
齐纳击穿：势垒区窄，较高的反向电压形成的内建电场将价电子拉出共价键，导致反向电流剧增。

< 4V
雪崩击穿：势垒区宽，载流子穿过PN结时间长，速度高，将价电子从共价键中撞出来，撞出来的电子再去撞别的价电子，导致反向电流剧增。

>7V
当反向电压在4V和7V之间的时候，两种击穿均有。

【PN结的电容效应】：
势垒电容：外加电压变化引起势垒区宽窄的变化引起。

它与平行板电热器在外加电压作用下，电容极板上积累电荷情况相似。

对外等效为非线性微变电容。

（反偏减小，正偏增大）
扩散电容：当PN结外加正向电压时，由于扩散作用，从另一方向本方注入少子，少子注入后，将破坏半导体的电中性。

为了维持电中性，将会有相同数量的异性载流子从外电路进入半导体，在半导体中形成空穴－电子对储存。

外电压增量引起空穴－电子对存储就象电容充电一样。

PN结等效为：两个扩散电容＋一个势垒电容。

（对外等效为三个容性电流相加。

等效对外不对内）
反偏：扩散电流＝0，以势垒电容为主。

正偏：扩散电流很大，以扩散电容为主。

§1-3 二极管
一、构成与符号
二、伏安特性曲线
1.正向特性：
正向电压较小时，正向电流几乎为0──死区。

当正向电压超过某一门限电压时，二极管导通，电流随电压的增加成指数率的关系迅速增大。

门限电压（导通电压）──U D：硅管──锗
管── 2．反向特性：
当外加电压小于反向击穿电压时，反向电流几乎不随电压变化。

当外加电压大于反向击穿电压U B时，反向电流随电压急剧增大（击穿）。

3．伏安特性解析式
在理想条件下，PN结的伏安（电流与结电压）关系式：──呈指数关系
式中：q──电子电荷量
K──波尔兹曼常数
T──绝对温度 0K(-273C)
= 26mV ）
令：（室温下 U
T
伏安关系式简化为：
当电压超过100mV时，公式可以简化为：
加正向电压时：
加反向电压时：I = -I S
4．二极管的等效电阻
从二极管的伏安特性曲线上可以看出：二极管是非线性元件，等效电阻的大小与Q点有关。

直流电阻（静态电阻）──
交流电阻──
例：用万用表测电阻和二极管换不同档测量电阻，结果一样吗特殊二极管：稳压二极管；变容二极管；发光二极管；
二极管应用：
1．整流：略
2．稳压：稳压管稳压电路。

P22 Fig 1-3-16
3．限幅器：二极管限幅器。

P24-26 串联、并联、双向。

例：P52 1－2
§1-4 晶体三极管
一、结构及符号
b区极薄
C结面积 > e结
e区搀杂浓度最大，b区搀杂浓度最低。

（不能将两个二极管兑成一个三极管来用）
二、晶体管的四种工作状态
状态发射结电压集电结电压
放大正反
截止反反
饱和正正
三、放大状态下晶体管中的电流
注：交流有效值──大写
小写；交流值──小写
小写
；
瞬时值──小写
大写；静态值──大写
大写
；
*注意：实际电流的流向是与电子流的方向相反的。

用很少量的I B来控制I C 。

即三极管实际上是一个电流控制电流源-CCCS。

三个电极电流满足：I E=I B+I C
工作在放大状态下的NPN管一定为：I B、I C流入，I E流出。

工作在放大区的条件：NPN──U C > U B > U E；
PNP──U C < U B < U E；
发射结正偏，集电结反偏。

例：集成电路中没有三极管，是用三极管的一个结来代替，用哪个结e结。

（C结漏电流大）
四、晶体管工作的三种组态
【共射】对电压、电流都有放大倍数。

【共基】无电流放大倍数，有电压放大倍数。

(I
C I
E
)
【共集】无电压放大倍数，有电流放大倍数。

(U BE V ）
五、晶体三极管特性曲线
共射组态放大电路的特性曲线：
输入特性曲线(I B--U BE)U CE
U
为一个正偏的PN结，所以特性曲线和二极管的正向特性曲线相同。

BE
有：
输出特性曲线(I C--U CE)I B
因为三极管有三个电极，要想在二维坐标系上表示出三个变量之间的关系。

特性曲线就得是一族。

有：
特点：
截止区： i B= 0； i C = 0 ; U CE = U CC；
放大区：i C受i B控制。

各条曲线近似水平，i C和U CE的变化基本无关，呈近似恒流特性。

饱和区：i C不受i B控制。

U CE＝
六、晶体三极管的主要参数
1.电流放大系数
直流电流放大系数
交流短路电流放大系数
共基极接法电流放大系数
；；
2.极限参数
集电极最大允许电流I COM：下降至正常值时候的倍所对应的I C值。

反向击穿电压BU CEO：当基极开路时集电极和发射极之间的反向击穿电压。

集电极最大允许功耗P CM。

3.三极管的输入电阻
共射电路的输入电阻：
BE结电阻：
共基极输入电阻：
§1-5 场效应管
场效应管的特点：
场效应管只靠多子来导电。

它是单极型晶体管。

它只依靠一种载流子导电。

三极管是靠多子、少子一起来导电的,又叫双极型晶体管。

它靠两种载流子导电。

场效应管的导电途径：沟道──利用外加电场改变半导体体电阻来进行工作。

（电场效应来工作。

）
输入阻抗十分高。

场效应管分类：结型场效应管、绝缘栅型场效应管。

一、结型场效应管
1．结构：
N区为载流子的主要通道──N沟道。

2.符号：
N沟道 P沟道
3.工作原理：
靠U DG和U SG使两个PN结全部反偏，使耗尽层加宽。

依靠反偏电压的强弱来控制耗尽层的宽窄，（即改变半导体的体电阻）达到控制电流的作用。

VCCS
并且应有 U D > U S，才能收集电子。

漏极D和源极S，可以互换着使用。

要求栅极G一定要反偏。

工作在放大状态时要求有：
4.输入特性：
栅极电流就是PN结的反向饱和电流。

它几乎不随电压变化。

5. 输出特性曲线：──以U GS为参变量，描述I D和U DS之间的关系。

二、绝缘栅型场效应管
1.结构：（以N沟道为例）
2. 符号：
场效应管特性比较 P47 Tab 1-2
3.原理：
增强型：原始没有导电沟道，靠外加电压后形成反型层导电沟道。

要求必须给栅极G加正向偏压。

有： U D > U G > U S
耗尽型：原来已经有导电沟道存在（掺杂造成的），靠外加电压使沟道中的载流子耗尽。

所加栅极电压可正、可负。

正：同增强型；
负：同结型；
第二章基本放大电路
§2－1 晶体三极管基本放大电路
一、放大器的组成
1、放大电路的功能和主要研究问题
什么是放大器：输出信号能量>输入信号能量的器件。

（增大的能量是由电源提供的。

）放大器的要求：1、能放大； 2、不失真；
主要问题：产生失真的条件和如何减小失真；
主要指标是放大倍数：
2、三种基本放大电路（三种组态）
三种组态：共射；共基；共集；
要实现放大作用：必须满足发射结正偏，集电结反偏。

（NPN，PNP都是这样）,即：NPN ──U C > U B > U E；
PNP──U C < U B < U E；
3、基本共射放大电路
一般 R
B >> R
C
；R
B
几百K，R
C
几K
二、放大级的图解分析
放大级的图解分析法是利用晶体管的特性曲线通过作图的方法来分析放大电路的基本性能。

图解分析法的特点是──直观。

图解分析法的步骤是： 1、先分析无输入信号时的静态特性。

2、再分析有信号输入时的动态特性。

（一）、静态特性
1、任务：求解静态工作点Q。

（管子各极电流和各电极之间的电压）
2、静态工作点Q的定义：未加交流信号的情况下，在固定直流偏压作用下，
I
BQ 、I
CQ
、U
BEQ
、U
CEQ
也为一个固定的值。

它们在曲线上对应着一个固定的点──Q点。

3、在给定电路中求解静态工作点Q （以共射电路为例）。

*解释：由于晶体管为非线性元件，它的输出伏安关系符合它的输出特性曲线。

而晶体管所带的负载是电阻，它是线性元件。

伏安关系符合基尔霍夫定律，为一条直线。

（我们将在放大器直流输出回路中满足电压和电流关系的这一条直线称为直流负载线。

）那么放大电路既要满足晶体管的非线性特性曲线，又要满足负载电阻的直线，结论是只能将这两种线画在同一个坐标系中，从中取它们的交点。

这个交点──Q点。

图解法可以直观地反映出Q点改变对放大作用的影响。

求解静态工作点的步骤：
列输入方程，求出I BQ：
其中U
BE
＝
列输出方程，在I C──U CE图中画出直流负载线。

U CE = U CC - I C R C
根据公式：分别取当IC＝0时：UCE＝UCC；
o U
CE ＝0时：I
C
＝U
CC
/ R
C
；
将这两点连上即得到直流负载线。

从图上找出交点──静态工作点Q
在图上对应标出I
BQ、U CEQ
（二）、动态特性分析
动态特性──（在静态特性求解完成的基础上分析）电路工作在放大状态条件下，外加交流电压作用时，各个电极电压、电流的变化情况。

当外加了交流电压或电流信号时，由于管子和负载也还是要同时满足它们各自的伏安关系曲线，所以工作点将会沿着负载线上下移动。

在有外加输入信号作用时，输出的信号为直流和交流的叠加。

1.作交流负载线
画出输出回路的交流通路。

由于交流负载的改变，使得交流负载线为一条通过静态工作点Q但是斜率改变为的直线。

2. 失真分析
静态工作点、输入信号幅度、负载电阻大小对输出波形的影响。

负载一定时：从图中可以看出：共射电路有倒像。

从上图分析可知： Q1点合适无失真
Q2点太高饱和失真
Q3点太低截止失真
输入信号幅度过大也会造成失真。

（见上图红笔所画）
U CC一定时，R C越小，负载线越陡。

过大时，会造成饱和失真。

当R
C
结论：放大器工作无失真条件为： 1、Q点选择合适；
2、输入信号幅度不能过大；
3、负载大小要合适；
三、放大级的等效电路分析法
比较：图解分析法：可以画出来，直观。

用来研究大信号、非线性失真
等效电路法：不好画，用来分析小信号时，定量的计算
等效：对外不对内。

（对晶体管的外部交流电压、电流等效）
当加到发射结上的交流信号电压足够小时；
当管子工作在放大区内时；
这时，我们可以把管子视为一个线性的电流控制电流源（CCCS）。

并可以把它代换成为一个线性有源四端网络。

（一）、晶体管h参数等效电路
的方向来确定。

注意：其中受控源的极性要根据U
be
输出交流短路时的输入电阻；
；
输出交流短路时的电流放大系数；
输出交流开路时的输出电导，很小，可忽略。

（它说明输出电压对输出电流的影响。

）
（二）、用h参数等效电路分析放大器
共射极放大电路需要计算：A──放大器的放大倍数
AS──源电压放大倍数
分析步骤：
画出放大电路的交流通路。

（电容短路，直流电源接地）
画h参数等效短路图。

（将晶体管h参数等效电路去替代交流通路中的晶体管。

将等效电路的e、b、c相应地接在电路中的e、b、c上。

计算A
其中：；；
(负号表示，输入和输出信号之间有倒相)计算A S
应用戴维南等效电源定理可以将等效电路的左半部分进行化简：
化简后的图为：
；；；
如果满足R
b >>R
s
的条件，则有R
s
’=R
s
放大器静态工作点不稳定的因素：
受温度影响：I CBO；U BE；；都会使Q点提高。

晶体管值的离散性。

（20－200均合格）
2.稳定Q点的偏置电路：
电路为：串联－电流负反馈
, U E = U B - U BE
,
由于I
B 的忽略，U
BQ
可以视为不随温度变化的固定电位。

电路稳定Q点的过程：
注：实际上稳定的是电流I
CQ 而不是电流I
BQ。

3、放大倍数的稳定性
电压反馈稳定输出电压；电流反馈稳定输出电流；直流反馈稳定静态工作点；交流反馈改善交流性能；加入负反馈后，放大倍数比从前提高了1＋AB倍。

（二）、负反馈对输入、输出电阻的影响
串联反馈提高输入电阻；并联反馈降低输入电阻；
电压反馈降低输出电阻；电流反馈提高输出电阻；
（三）、负反馈对非线性失真的影响
采用负反馈使有效输入信号波形产生预失真，负反馈越深，非线性失真消除得越好，增益也越小。

但注意：在开环时，动态范围必须留有余量。

（四）、负反馈对噪声的影响
才可以提高信噪比，使得纯信号增大，噪声干扰信号降反馈环前必须加一个放大器A
O
低。

否则，和没加一样。

六、两种常用的负反馈放大电路
（一）、射极输出器（共集电极放大器）
1、电路介绍：
电路为：串联－电压负反馈，并且输出电压全部反馈回到输入端。

2、特性分析：
静态工作点计算：
交流等效电路图：
应用戴维南等效电源定理：
电压放大倍数：
输入电阻：
输出电阻：（用外加电压法计算，将信号源短路）
3、射极输出器的特点：
输入电阻大，输出电阻小；（可以作为多级放大器的输入级，或作为隔离用。

）
电压放大倍数近似为1；
输入、输出信号同相；
（二）、恒流管电路
1、电路介绍：
电流－串联负反馈，作为二端网络来使用；
与分压式稳定Q点的共射电流类似，由于U
B 固定，输出电流基本固定，而不随U
CD
变化，从而实现恒流作用。

2、特性分析：
输出电流：
输出直流电阻：小
输出交流电阻：大
§2－3 频率特性的分析法
什么是放大器的频率特性（响应）：放大器的放大量随着信号频率变化的状态。

对比：非线性失真──由于晶体管工作在非线性区，对幅度大小不同的信号放大量不同。

频率失真──放大器对不同频率的信号放大量不同。

（由于电路中有（线性失真） L、C电抗元件造成。

）
即：将幅度相同而频率不同的信号加入放大电路的输入端，将会出现输出信号的波形与输入信号的波形不同的现象，称为频率失真。

一、放大电路不产生频率失真的条件
理想：对所有频率成分同等放大，相移和频率成正比。

增益用复数表示：
频率特性参数：
为了将失真控制在一定范围内，把半功率点作为放大器放大倍数下降的最大允许值。

（半功率点，相当于电压或电流的或。

）
截止频率：电压或电流放大倍数减至倍时的频率。

下截频f
L ；上截频f
h。

通频带：两个截止频率之间的频带。

BW＝f
h －F
L
二、分析频率特性的工程简化法
分频段简化处理。

步骤：画出等效电路图；
分频段对等效电路进行简化；
求时间常数；
求上、下截频；
画出波特图；
三、晶体管的高频参数及等效电路
※所有的放大器的放大倍数都会在高频端下降。

结电容：（它是引起高频特性变化的主要原因）
势垒电容──是正、负离子层在外加电压发生变化时发生变化，从而在外
电路中产生容性电流的等效电容。

扩散电容──当PN结外加正向电压时，由于扩散作用会破坏半导体的电中
性。

将会由外电路补充进来异性载流子来保持电中性。

P区和N区即形成
了空穴和电子对的贮存。

这种因扩散作用而在外电路产生的容性电流的
等效电容。

2. 共射极混合等效电路
晶体管的高频分析
在高频段，e结和c结都会产生容性电流。

以共射电路为例：
C结反偏：势垒电容； E结正偏：扩散电容；
因为当频率很高时，电容的容抗为，所以两个电容不能忽略。

由于C结反偏，所以r
b’c
很大，可以视为开路。

共射极混合等效电路
其中：r
b’b
──基区体电阻。

约为300。

g
m
──跨导。

高频段等效电路（将C b’c分别折合到输入 / 输出端来算）
CM=(1+g
m R
C
)C
b’c
C
b’e
折线表示幅频特性的波特图两边取对数得：
=
H
= 10
= 0
结论：频率每上升10倍，幅模减小20dB。

设：A
0＝100； f
H
=1MHz
作幅频特性波特图得：
2. 用折线表示的相频特性波特图
分析：
=
H
=10很大时
=很小时
结论：频率每升高10倍，产生-45相移。

作相频特性波特图得：
六、晶体管的带宽增益乘积
放大器的带宽于增益是一对矛盾：
负载增大──增益增大──上截频下降；
负载减小──增益减小──上截频升高；
为了全面衡量一个器件的高频放大能力，用放大倍数乘以上截频的积来衡量。

晶体管的带宽增益乘积是由晶体管本身的参数决定的。

要想提高增益带宽乘积，应选用r
b’b 、C
b’c
小的管子。

§2-4 小信号选频放大电路
一、概述
什么是小信号选频放大器：信号幅度小，放大器工作在线性区。

对所需要的信号──放大；
对不需要的信号──抑制；
即，只能放大某个频率或某个频率范围的信号。

小信号选频放大器的结构：
选频网络：高频：LC、石英晶体、陶瓷、声表面波；
低频：RC；
选频网络决定小信号选频放大器的选择性的好坏。

频率特性：
通频带：（允许频率通过的范围） = f
H －f
L
指标：
中心频率（谐振频率）：f
o
通频带： = f
H －f
L
矩形系数：
理想情况下，矩形系数＝1；实际情况下，矩形系数<1；
品质因数Q：
二、LC单振荡回路
回忆：
串联谐振回路：
时：感性
f > f
时：容性
f < f
并联谐振回路：
时：容性
f > f
时：感性
f < f
LC单振荡回路
电路介绍：
化简：
若：L、r支路为高Q支路，即：Q>>10 时，有：
L＝L’
谐振角频率：
回路总品质因数：
R
总＝R
S
够实现阻抗变换，即将实际的负载阻抗值变换为器件所要求的阻抗值。

2.耦合网络自身的插入损耗要尽可能的小，即能够将有用信号功率有效地传送给下一级或者是负载。

3.滤波特性要好，即可以抑制掉无用信号的功率。

§4－4 丙类谐振倍频电路
倍频器:输出信号频率为输入信号频率的整数倍的电子部件。

它广泛地应用于通信设备中。

可以用模拟电路来实现也可以用数字电路来实现。

我们仅介绍工作频率在几十兆赫兹以下的利用三极管构成的丙类谐振放大式倍频器。

一、丙类倍频器的基本工作原理
在丙类工作时，晶体管的集电极电流脉冲中含有许多谐波分量。

那么，如果把集电极谐振回路调谐在二次谐波或者五次谐波上面，回路将会在二倍频或五倍频上谐振。

即，放大器将只有二次谐波电压或五次谐波电压输出。

这样丙类放大器就成为了丙类二倍频器或五倍频器。

二、实际电路
丙类谐振倍频器的原理性电路：
虚线所标出的L1和C1是为了抑制幅度很大的基波而设置的串联谐振回路，它调谐在基波上面。

此电路的其他部分就和丙类功率放大电路没有什么区别了。

但是在对谐振回路的要求上，丙类倍频器的谐振回路的选频网络还要求能够滤除低次谐波和高次谐波。

即，丙类功放谐振在基波上，而丙类倍频器则谐振于谐波上。

三、参数分析
从电流分解系数图中可以看出，对于每一条的曲线，都存在一个最大值，并且随着谐波次数n的增加，的值相应减小，出现最大值时所对应的导通角也相应减小。

出现最大值时的导通角为：
的最大值是：
其中n为谐波次数。

第五章正弦波振荡器
§5－1 反馈型正弦波振荡器的工作原理
分类：反馈型；
负阻型。

（不讲）
一、电路的组成及自激条件
“自激振荡”是指在没有外加信号的作用下，电路能自动产生交变信号的一种现象。

产生自激振荡的电路称为“自激振荡器”。

反馈型正弦波振荡器结构框图：
A为放大器的开环增益；
B为反馈网络的反馈系数；
【四个组成部分】：
1、放大器：因为振荡器不仅要对外输出功率，而且还要通过反馈网络提供自身的输入
信号功率。

所以它必须要有功率增益。

其能量的来源仍然与放大器一样来源于直流电源。

2、反馈网络：使其构成正反馈环路。

3、选频网络：正弦波振荡器必须工作在某一特定的频率上。

选频网络应保证只有在这
一特定的频率时，通过输出网络和反馈网络才有闭环2π相移的正反馈，其他频率不满足正反馈的条件。

并且利用选频网络中的储能元件作为振荡回路。

4、稳幅机构：自激振荡器由自行起振的暂态过渡到最后的稳态，并保持一定的输出幅
度和波形，这个过程要求有一个自稳幅的机构。

这个机构既可以单独存在，又可以加在前三个部分中的任意一个里面。

按照选频网络的构成的不同又可以分为：
LC正弦波自激振荡器；
RC振荡器和石英晶体振荡器；
其中LC正弦波自激振荡器又可以更加细致地分为：
互感耦合式振荡器；
LC三点式振荡器；
自激条件：
A为放大器的开环增益：
B为反馈网络的反馈系数：
振幅条件：
相位条件：（n=0,1,2,3......）
二、振荡的建立和稳定过程
振荡的建立：
假设电路处于静止状态，当外界出现了一个非常小的扰动时，这种扰动往往含有很宽的频谱，经过LC选频网络选出使得电路满足正反馈相位条件的频率分量。

在电路的输出端将会得到由选频网络选出的某一频率的微小振荡，它立刻通过反馈网络回送到了放大器的输入端进行放大，在正反馈地情况下，电路的输出端会得到比原来大一些的振荡，这个信号又通过正反馈网络送到放大器的输入端，经过这样反复多次放大，选频，反馈……电路中就产生了增幅电振荡。

振荡的稳幅：
当振幅增长到一定程度以后，由于电路中的电容C
E
储存能量会引起非线性导电的现象（即，
由于电容的储能使得三极管发射极电位提高，造成管子进入截止区）。

该电路在R
E 、
、
R
B1
、
R
B2
产生了自生反偏压。

管子进入非线性区。

幅度不会继续增长，这样管子的导通角将会减小，从而导致增益减小，直至达到平衡，于是振幅便稳定于某一个恒定的值了。

三、稳定条件
1、振幅稳定条件：
如果干扰和噪声使反馈电压增大时，放大器的增益自动下降，使AB下降，振幅保持稳定。

反之，若反馈电压下降，A增大，同样会使振幅稳定。

绝对值越大，振幅的稳定性就越好。

上式还可以展开为下面所示的形式：
这就要求：。