发光二极管物理实验报告
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1.3最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。
1.4正向工作电流If：它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。
1.5正向工作电压VF：参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极管正向工作电压VF在1.4～3V。在外界温度升高时，VF将下降。
图8发光二极管法线方向光强与距离的关系测试仪器
3.同图8装置，固定光源到接收器的距离，这里我们选择在测量光强与距离关系实验中的一个适中位置（65mm），在这个位置处，光强实数较大，距离适中，符合一般二极管的使用情况，具有较强的代表性。旋转发光源，改变发光中心与导轨的夹角，观察光功率计的读数变化，在此过程中保持LED电压各距离不变。
图3伏安特性曲线
七、发光二极管的光强分布规律
八、
下图给出的发光二极管发光强度角分布的情况。中垂线（法线）AO的坐标为相对发光强度（即发光强度与最大发光强度的之比）。显然，法线方向上的相对发光强度为1，离开法线方向的角度越大，相对发光强度越小。由此图可以得到半值角或视角值。
图4理论光强分布图
实验仪器
发光二极管、直流稳压源、万用表、电阻箱、导线、开关、光功率计。
本板，面包板，导线
图5伏安特性测试装置
图6光强测试装置
实验步骤
测量发光二极管的伏安特性
按照下图连接实验电路，其中滑动变阻器用变阻箱代替。由于电流的测试不方便，如前所述，PN结正向导通时电阻很小，如果我们串接万用表在电路里，万用表的内阻会对实验结果造成较大的影响，并且万用表进行电流、电压测量需要改换插头，对于测量会造成一定的不便，因此我们选择采用间接测量的方法，在此法中总电压保持 不变，测量变阻箱电压 ，由于电阻箱阻值和其两端的压降测量都是相对精确的，我们进而测得二极管电压 ，电路中电流由 求得，即可得到二极管的电流—电压关系，画出相应的伏安特性曲线，为保证二极管在串接较低电阻时也不会烧坏，我们加入了470欧姆的限流保护电阻。
3.23
80
3.013
20000
3.362
1400
3.226
70
3.008
18000
3.357
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3.22
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3.003
16000
3.352
1200
3.215
50
2.996
14000
3.346
四、
发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如砷化镓、磷化镓、磷砷化镓等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向 截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流（多子）复合而发光，如下图所示：
图1我们重点研究的二极管
实验原理
一、发光二极管结构
二、
以红色发光二极管为例，我们将其切开，可以清楚的看到其内部结构，它的核心是PN结，正是由于PN结的单向导电性，所以发光二极管只有通以正向电压时才可以发光，当PN结承受反向电压时，电阻趋于无穷大，二极管截止，不会发光。
图2剖开的红色LED
三、LED发光原理
图3LED发光原理图
五、LED的电学特性
六、
1.LED的常见电学参数
2.
通过查找资料，我们找到了LED的一些常用参数：
1.1允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。
1.2最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。
项目说明书
张益鑫39032517 赵正39032510 王冬39032526
第一部分：发光二极管特性的研究
摘要：
在我们的生活中，随处可见到各种各样的发光二极管，包括半导体发光二极管（简称LED）、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏（简称矩阵管）等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管，在众多类型的发光二极管中，我们选择了使用较为普遍的红色LED（图1）做为重点，研究了它的内部结构，电学特性，发光特性。
4.
5.记录和分析实验数据，并注意发光二极管中心与滑块中心的偏差，测量修正值，在数据处理中使用修正值使得结果更为精确。
6.
数据处理和误差分析
一、发光二极管的伏安特性
二、
1.伏安特性数据记录（变阻箱电压和电阻）
R（欧wk.baidu.com）
U（伏）
R（欧姆）
U（伏）
R（欧姆）
U（伏）
90000
3.425
2500
3.262
2.LED的伏安特性
在LED两端加上不同的电压，测得多组（U—I）值，可以得到LED的伏安特性曲线，从实验得出的伏安特性曲经可以看出，在正向电压正小于某一值（叫阈值）时，电流极小，不发光，而当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，二极管发光。由V-I曲线可以得出发光管的正向电压，反向电流及反向电压等参数。正向的发光管反向漏电流IR<10μA以下。
图7伏安特性测试电路
1.改变变阻箱的阻值，记下多组（R，U）的值，此过程中保持电源总电压不变。
2.
3.由记录的数据算出二极管两端的电压和电流并列表。
4.
5.对数据进行处理，画出伏安特性曲线并进行分析。
6.
测试二极管的光强分布
1.测量发光二极管法线方向光强与距离的关系。
2.
如图8所示，在本次测量实验中，我们通过电学特性测量与查找资料，在保持电源电压5V的情况下，串入150欧姆电阻，使得二极管的工作电流为20mA,这样的工作电流是二极管的正常工作电流，连好线路后，我们保持单一变量是发光二极管中心到光功率计接收孔的距离，使发光二极管正对光功率计，改变接收器的位置，记录光源到接收器原位置和光功率计的读数，在这里为了使实验现象更为明显，我们选择了光功率计的200uw量程，与直径为6mm的接收孔，从较近位置到较远位置合理选择了一系列的测试点，得到光强与距离的关系。
300
3.1
80000
3.419
2000
3.249
250
3.085
70000
3.413
1900
3.245
200
3.065
60000
3.406
1800
3.242
150
3.04
50000
3.399
1700
3.238
100
3.015
40000
3.39
1600
3.234
90
3.015
30000
3.378
1500
1.4正向工作电流If：它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。
1.5正向工作电压VF：参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极管正向工作电压VF在1.4～3V。在外界温度升高时，VF将下降。
图8发光二极管法线方向光强与距离的关系测试仪器
3.同图8装置，固定光源到接收器的距离，这里我们选择在测量光强与距离关系实验中的一个适中位置（65mm），在这个位置处，光强实数较大，距离适中，符合一般二极管的使用情况，具有较强的代表性。旋转发光源，改变发光中心与导轨的夹角，观察光功率计的读数变化，在此过程中保持LED电压各距离不变。
图3伏安特性曲线
七、发光二极管的光强分布规律
八、
下图给出的发光二极管发光强度角分布的情况。中垂线（法线）AO的坐标为相对发光强度（即发光强度与最大发光强度的之比）。显然，法线方向上的相对发光强度为1，离开法线方向的角度越大，相对发光强度越小。由此图可以得到半值角或视角值。
图4理论光强分布图
实验仪器
发光二极管、直流稳压源、万用表、电阻箱、导线、开关、光功率计。
本板，面包板，导线
图5伏安特性测试装置
图6光强测试装置
实验步骤
测量发光二极管的伏安特性
按照下图连接实验电路，其中滑动变阻器用变阻箱代替。由于电流的测试不方便，如前所述，PN结正向导通时电阻很小，如果我们串接万用表在电路里，万用表的内阻会对实验结果造成较大的影响，并且万用表进行电流、电压测量需要改换插头，对于测量会造成一定的不便，因此我们选择采用间接测量的方法，在此法中总电压保持 不变，测量变阻箱电压 ，由于电阻箱阻值和其两端的压降测量都是相对精确的，我们进而测得二极管电压 ，电路中电流由 求得，即可得到二极管的电流—电压关系，画出相应的伏安特性曲线，为保证二极管在串接较低电阻时也不会烧坏，我们加入了470欧姆的限流保护电阻。
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3.352
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3.215
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3.346
四、
发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如砷化镓、磷化镓、磷砷化镓等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向 截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流（多子）复合而发光，如下图所示：
图1我们重点研究的二极管
实验原理
一、发光二极管结构
二、
以红色发光二极管为例，我们将其切开，可以清楚的看到其内部结构，它的核心是PN结，正是由于PN结的单向导电性，所以发光二极管只有通以正向电压时才可以发光，当PN结承受反向电压时，电阻趋于无穷大，二极管截止，不会发光。
图2剖开的红色LED
三、LED发光原理
图3LED发光原理图
五、LED的电学特性
六、
1.LED的常见电学参数
2.
通过查找资料，我们找到了LED的一些常用参数：
1.1允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。
1.2最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。
项目说明书
张益鑫39032517 赵正39032510 王冬39032526
第一部分：发光二极管特性的研究
摘要：
在我们的生活中，随处可见到各种各样的发光二极管，包括半导体发光二极管（简称LED）、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏（简称矩阵管）等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管，在众多类型的发光二极管中，我们选择了使用较为普遍的红色LED（图1）做为重点，研究了它的内部结构，电学特性，发光特性。
4.
5.记录和分析实验数据，并注意发光二极管中心与滑块中心的偏差，测量修正值，在数据处理中使用修正值使得结果更为精确。
6.
数据处理和误差分析
一、发光二极管的伏安特性
二、
1.伏安特性数据记录（变阻箱电压和电阻）
R（欧wk.baidu.com）
U（伏）
R（欧姆）
U（伏）
R（欧姆）
U（伏）
90000
3.425
2500
3.262
2.LED的伏安特性
在LED两端加上不同的电压，测得多组（U—I）值，可以得到LED的伏安特性曲线，从实验得出的伏安特性曲经可以看出，在正向电压正小于某一值（叫阈值）时，电流极小，不发光，而当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，二极管发光。由V-I曲线可以得出发光管的正向电压，反向电流及反向电压等参数。正向的发光管反向漏电流IR<10μA以下。
图7伏安特性测试电路
1.改变变阻箱的阻值，记下多组（R，U）的值，此过程中保持电源总电压不变。
2.
3.由记录的数据算出二极管两端的电压和电流并列表。
4.
5.对数据进行处理，画出伏安特性曲线并进行分析。
6.
测试二极管的光强分布
1.测量发光二极管法线方向光强与距离的关系。
2.
如图8所示，在本次测量实验中，我们通过电学特性测量与查找资料，在保持电源电压5V的情况下，串入150欧姆电阻，使得二极管的工作电流为20mA,这样的工作电流是二极管的正常工作电流，连好线路后，我们保持单一变量是发光二极管中心到光功率计接收孔的距离，使发光二极管正对光功率计，改变接收器的位置，记录光源到接收器原位置和光功率计的读数，在这里为了使实验现象更为明显，我们选择了光功率计的200uw量程，与直径为6mm的接收孔，从较近位置到较远位置合理选择了一系列的测试点，得到光强与距离的关系。
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