我国光刻胶的市场现状及发展趋势
光刻胶行业行业痛点与解决措施ppt
07
结论
行业痛点的持续影响与挑战
要点一
技术突破困难
要点二
资金投入巨大
目前国内光刻胶行业面临技术壁垒， 高端光刻胶国产化率较低，关键核心 技术受制于人。
光刻胶的研发和生产需要大量的资金 投入，很多中小企业难以承受。
要点三
市场推广难度大
由于客户对国内产品的信任度不高， 国产光刻胶在市场上的竞争力较弱。
03
解决措施一：提升产品质量与性能
优化原料采购与配方
严格筛选原料来源，采用高品质化学原料，保证产品的一 致性和可靠性。
不断优化配方设计，加入高性能添加剂，提高光刻胶的各 项性能指标。
加强生产过程控制与检测
完善生产流程和操作规程，确保生产过程中的温度、压力、时间等参数得到精确 控制。
加强产品出厂检测与质量把控，采用先进检测设备和仪器，确保产品各项指标符 合要求。
解决措施的实践应用与推广价值
加强研发投入
政府和企业应加大对光刻胶研发的投入，通过技术攻关和产学研合作，突破关键核心技术。
拓展融资渠道
企业可以通过上市、寻求风险投资等方式拓展融资渠道，以支持光刻胶的研发和生产。
提高产品质量和品牌知名度
通过提高产品质量和品牌知名度，增加客户对国内产品的信任度，从而推动国内光刻胶行业的发展。
对未来的展望与建议
加强国际合作
通过国际合作，共同推进光刻胶技术的发展，提高国内光刻胶行 业的国际竞争力。
拓展应用领域
积极拓展光刻胶在新能源、5G等领域的应用，进一步扩大市场规 模。
政策支持和引导
政府应加大对光刻胶行业的政策支持和引导力度，鼓励企业加大 研发投入，加快技术突破和市场推广。
THANKS
引入自动化和智能化设备
光刻胶行业分析报告
光刻胶行业分析报告
摘要：随着信息技术、芯片技术和半导体工艺技术的发展，光刻胶在
电子行业中的使用非常普遍，因此光刻胶行业被认为是一个蓬勃发展的行业。
本文旨在分析光刻胶行业的现状和发展趋势，以及主要企业在行业的
地位和发展状况。
一、光刻胶行业概况
光刻胶行业是一个非常广泛的行业，由于其对电子工业的重要作用，
因此在近年来得到了广泛关注。
光刻胶有多种类型，其中包括高分子光刻胶、金属光刻胶、低分子光刻胶和硅油光刻胶，其应用广泛，从芯片制造、电路板制造到半导体零件装配等，都可用光刻胶替代传统的刻蚀过程。
二、光刻胶行业发展趋势
随着信息技术和半导体技术的发展，光刻胶市场也迅速发展，结构调
整也不断进行中，制造商正在努力开发新技术，以满足客户的需求。
1.高性能光刻胶
产品技术的不断提高，使得企业对光刻胶的性能要求越来越高，因此
高性能光刻胶的需求也在不断上升。
目前，企业正在努力开发出具有高性能、质量稳定的光刻胶产品，以满足客户的需求。
2.光刻胶的节能
由于光刻胶的应用范围变得越来越广泛，因此节能技术的应用也变得
越来越重要。
光学光刻技术现状及发展趋势
光学光刻技术现状及发展趋势光刻技术在半导体制造中起着非常重要的作用，其制造的集成电路的性能和功能直接决定了整个电子设备的性能。
当前，光刻技术主要应用于半导体工艺中的互连层和尺寸较大的图案制作。
光刻技术的主要设备是光刻机，它通过精密的光学投影系统将光源中的光通过掩模透射到光刻胶上，然后通过化学和物理的处理方式将图案转移到半导体材料上。
这种技术具有高分辨率、高精度和高效率的优点，已广泛应用于微电子制造领域。
在光刻技术的发展过程中，最主要的挑战就是以更高的分辨率和更小的尺寸来制造更复杂的微纳器件。
当前，光刻技术的分辨率已经达到了纳米级别，但随着芯片的尺寸越来越小，光刻技术面临着更大的挑战。
在光学光刻技术中，短波紫外（DUV）光刻技术是目前最常用的技术，其工作波长通常为193纳米或248纳米。
但是，这些波长已经接近物理极限，无法进一步提高分辨率。
因此，目前研究人员正在积极寻求新的光刻技术来突破这一限制。
发展趋势方面，一种为发展新一代光刻技术的方向是使用更短波长的光源，如极紫外（EUV）光刻技术。
EUV光刻技术利用波长为13.5纳米的极紫外光源进行曝光，具有更高的分辨率和更小的尺寸。
然而，EUV技术目前仍面临一系列挑战，包括光源功率不足、镜面反射率低和衍射效应等问题。
因此，目前EUV技术还没有得到广泛的商业应用。
但是，随着技术的不断发展，相信EUV技术将会逐渐成熟并取代DUV技术，成为下一代光刻技术的主流。
另一种发展趋势是多重光刻技术的应用。
多重光刻技术是指将两个或多个光刻步骤结合起来，以实现更高的分辨率和更复杂的图案制作。
这一技术可以通过在光刻胶层上涂覆多层光刻胶和反射层，然后进行多次曝光来实现。
多重光刻技术可以大大提高分辨率，同时也可以保持较高的生产效率。
目前，多重光刻技术已经得到了广泛的应用，并在下一代半导体工艺中发挥了重要作用。
总之，光刻技术作为半导体制造中的关键工艺技术，其现状和发展趋势对整个电子行业发展起着重要的影响。
az5214光刻胶成分
az5214光刻胶成分摘要：一、光刻胶概述1.光刻胶的定义2.光刻胶的作用二、az5214 光刻胶成分1.主要成分2.辅助成分三、光刻胶的应用领域1.半导体制造2.微电子制造3.印刷电路板制造四、光刻胶的发展趋势1.技术创新2.环保要求3.市场前景正文：光刻胶是一种在光照作用下发生化学变化的材料，它被广泛应用于半导体制造、微电子制造和印刷电路板制造等领域。
az5214 光刻胶是一种高性能的光刻胶，它的成分主要包括以下几个部分：一、主要成分az5214 光刻胶的主要成分包括感光树脂、溶剂、添加剂等。
感光树脂是光刻胶的核心部分，它会在光照作用下产生化学变化，从而实现对材料的曝光。
溶剂是光刻胶的载体，它能够将感光树脂溶解并传递到所需的曝光区域。
添加剂主要用于提高光刻胶的性能，如提高感光度、分辨率等。
二、辅助成分az5214 光刻胶中还包含一些辅助成分，如表面活性剂、抗氧化剂、消泡剂等。
表面活性剂主要用于改善光刻胶的涂覆性能和抗蚀性能。
抗氧化剂可以保护光刻胶在储存和应用过程中免受氧化损伤。
消泡剂则可以消除光刻胶涂覆过程中产生的气泡，提高涂覆质量。
随着半导体、微电子和印刷电路板产业的快速发展，光刻胶市场也呈现出良好的发展态势。
未来光刻胶的发展趋势主要表现在以下几个方面：一、技术创新随着科技的进步，光刻胶的性能将不断提高，新的光刻技术也将不断涌现。
例如，高分辨率光刻胶、低k 介电光刻胶等新型光刻胶的研发和应用将推动光刻技术的发展。
二、环保要求环保意识的增强使得光刻胶的环保性能越来越受到重视。
水溶性光刻胶、低有机溶剂光刻胶等环保型光刻胶将成为未来市场的主流。
三、市场前景随着半导体、微电子和印刷电路板产业的持续增长，光刻胶市场也将保持稳定的增长。
预计未来几年，全球光刻胶市场规模将保持5% 左右的年复合增长率。
总之，az5214 光刻胶作为一种高性能的光刻胶，其成分的选择和应用领域的拓展将推动光刻胶技术的不断创新和市场的发展。
中国光刻胶市场发展前景分析
中国光刻胶市场发展前景分析光刻胶主要用于图形转移用耗材。
光刻胶是一种胶状的物质，可以被紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X射线等光照或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，是光刻工艺中的关键材料，主要应用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工。
具体流程如在光刻工艺中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过曝光(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。
根据在显影过程中曝光区域的去除或保留可分为正性光刻胶和负性光刻胶。
正性光刻胶之曝光部分发生光化学反应会溶于显影液，而未曝光部分不溶于显影液，仍然保留在衬底上，将与掩膜上相同的图形复制到衬底上。
而负性光刻胶之曝光部分因交联固化而不溶于显影液，而未曝光部分溶于显影液，将与掩膜上相反的图形复制到衬底上。
1、中国半导体材料市场稳步增长《2020-2026年中国光刻胶行业市场深度监测及投资战略决策报告》数据显示：中国半导体材料市场稳步增长。
2018年全球半导体材料销售额达到519.4亿美元，同比增长10.7%。
其中中国销售额为84.4亿美元。
与全球市场不同的是，中国半导体材料销售额从2010年开始都是正增长，2016年至2018年连续3年超过10%的增速增长。
而全球半导体材料市场受周期性影响较大，特别是中国台湾，韩国两地波动较大。
北美和欧洲市场几乎处于零增长状态。
而日本的半导体材料长期处于负增长状态。
全球范围看，只有中国大陆半导体材料市场处于长期增长窗台。
中国半导体材料市场与全球市场形成鲜明对比。
全球半导体材料逐步向中国大陆市场转移。
从各个国家和地区的销售占比来看，2018年排名前三位的三个国家或地区占比达到55%，区域集中效应显现。
其中，中国台湾约占全球晶圆的23%的产能，是全球产能最大的地区，半导体材料销售额为114亿美元，全球占比为22%，位列第一，并且连续九年成为全球最大半导体材料消费地区。
中国光刻胶行业发展概况及市场规模分析
中国光刻胶行业发展概况及市场规模分析一、光刻胶是电子制造重要材料1、光刻胶广泛应用于电子行业光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。
其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。
光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。
依据使用场景，这里的待加工基片可以是集成电路材料，显示面板材料或者印刷电路板。
在平板显示行业；主要使用的光刻胶有彩色及黑色光刻胶、LCD触摸屏用光刻胶、TFT-LCD正性光刻胶等。
在光刻和蚀刻生产环节中，光刻胶涂覆于晶体薄膜表面，经曝光、显影和蚀刻等工序将光罩（掩膜版）上的图形转移到薄膜上，形成与掩膜版对应的几何图形。
在PCB行业；主要使用的光刻胶有干膜光刻胶、湿膜光刻胶、感光阻焊油墨等。
干膜是用特殊的薄膜贴在处理后的敷铜板上，进行曝光显影；湿膜和光成像阻焊油墨则是涂布在敷铜板上，待其干燥后进行曝光显影。
干膜与湿膜各有优势，总体来说湿膜光刻胶分辨率高于干膜，价格更低廉，正在对干膜光刻胶的部分市场进行替代。
在半导体集成电路制造行业；主要使用g线光刻胶、i线光刻胶、KrF光刻胶、ArF光刻胶等。
在大规模集成电路的制造过程中，一般要对硅片进行超过十次光刻。
在每次的光刻和刻蚀工艺中，光刻胶都要通过预烘、涂胶、前烘、对准、曝光、后烘、显影和蚀刻等环节，将光罩（掩膜版）上的图形转移到硅片上。
光刻胶是集成电路制造的重要材料：光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。
光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%-50%。
光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%，市场巨大。
因此光刻胶是半导体集成电路制造的核心材料。
按显示效果分类；光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。
负性光刻胶显影时形成的图形与光罩（掩膜版）相反；正性光刻胶形成的图形与掩膜版相同。
光刻胶原材料国内外研究现状和发展趋势
光刻胶原材料国内外研究现状和发展趋势光刻胶原材料，这个名字听起来有点晦涩，乍一听可能你会想：“这是什么高科技东西啊？”其实它就是我们日常生活中离不开的一些微电子产品背后的“秘密武器”。
说到这，很多人可能会皱眉，觉得这和自己的生活有啥关系？嘿，别急，听我慢慢道来。
光刻胶，简单来说，就是在半导体芯片制造过程中，用来“雕刻”微小图案的材料。
你能想象没有它，芯片得多难做吗？就像你做个蛋糕，如果没有模具，蛋糕上怎么可能有精致的花纹和图案？光刻胶在半导体生产中可不只是个装饰品，它可是决定着整个芯片性能的关键之一。
国内外的研究和发展动向，一直是科学家们争论的热点，而我们也可以从这个“芯片”背后窥探出不少精彩故事。
国内的光刻胶研究，近年来可是越来越火了，简直像是一个“小太阳”，在全球的半导体大舞台上越来越亮眼。
我们都知道，芯片技术一直被一些大国垄断，尤其是光刻技术，它几乎掌控了全球半导体产业的“脉搏”。
这些年，咱们国家可不甘落后。
国内的科研团队，像极了一个个不懈奋斗的“工匠”，努力在这条技术创新的道路上攻坚克难。
光刻胶的研究就像是修仙，你得一步步提升自己的“内力”，每一个细节都要精准到位。
别看光刻胶只是个小小的“辅助角色”，它的研发过程可是千头万绪，每一个小小的进步都能带来巨大的变化。
比如，早期的光刻胶只能在某些特定的条件下发挥作用，而现在，通过技术突破，光刻胶的稳定性和抗干扰能力大幅提升，极大地提升了芯片的精度和性能。
这种技术上的不断攀升，恰恰是中国半导体产业“逆袭”的力量之一。
不过，说到这里，不得不提国外的光刻胶技术。
毕竟，全球科技的格局可不是一朝一夕能改变的。
你知道，光刻胶的研发技术，尤其是在高端材料方面，欧美的科研团队已经领先了一段时间。
日本、美国，甚至是欧洲的几家公司，他们的技术已经走在了世界的前端。
特别是日本的几个光刻胶制造商，他们在细化材料的层次感和降低材料缺陷方面做得可谓是精益求精，堪称“无可挑剔”。
光刻胶当前行业现状与技术挑战
光刻胶行业与技术分析光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，耗时占整个芯片工艺的40-50%，是半导体制造中最核心的工艺。
而光刻胶是光刻工艺中不可或缺的核心材料，在半导体制造环节有着重要作用，并被誉为“半导体材料皇冠上的明珠”。
SEMI数据显示，2021年全球半导体光刻胶市场约为24.71亿美元，同比增速达19.49%，中国大陆市场保持最快增速，达4.93亿美元，同比增长43.69%。
近些年来，由于叠加产业转移因素，中国光刻胶市场的增长速度超过了全球平均水平。
根据中商产业研究院数据，2021 年中国光刻胶市场达93.3 亿元，16-21 年CAGR 为11.9%，21 年同比增长11.7%，高于同期全球光刻胶增速5.75%。
一、国内外行业现状（1）全球光刻胶供给高度集中，海外龙头已实现高端制程量产。
光刻胶属于技术和资本密集型行业，目前核心技术主要掌握在日、美等国际大公司手中，全球供应市场高度集中，日本JSR 等五家龙头企业占据全球光刻胶市场87%的份额。
同时，海外龙头已实现高端制程量产，其中日本主要厂商已实现领域内最先进的EUV光刻胶的量产，以陶氏、德国默克、锦湖石化为代表的其他光刻胶厂商也已实现ArF光刻胶的量产。
（2）国内光刻胶以中低端产品为主，高端领域逐步突破我国光刻胶行业起步较晚，生产能力主要集中在PCB光刻胶、TN/STN-LCD光刻胶等中低端产品，其中PCB光刻胶占比达94%。
先进制程半导体光刻胶方面，g/i线胶自给率约10%，KrF胶自给率不足5%，ArF胶基本依靠进口，而EUV胶还仍处研发阶段。
（3）国内企业产能持续扩张目前，光刻胶专用电子化学品主要被日本、欧美企业占据较大市场份额。
但经过多年技术积累，国内已形成一定光刻胶用电子化学品产能，国内相关公司市场份额逐步提升，国产替代正持续进行。
作为支撑5600多亿美元芯片市场的重要耗材，光刻胶市场规模仅占芯片市场的1%左右，却是实施芯片制裁的最佳工具。
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收稿日期：２００８－０８－３１ 作者简介：郑金红（１９６７－），教授级高工，主要从事微电子化学品光刻胶的研究工作，发表过论文９篇，申请发明专利２ 项，舍著著作１部。 编者注：该文章是作者在２００８年９月苏州“２００８电子化学品产品开发及市场信息交流会”上的发言稿。文章刊出前进行了 内容更新。
浸没式光刻早期存在的水印、气泡 和残余物等缺陷问题已解决．已成为一 种主流性的光刻技术．水为介质的浸没 式光刻技术在２００８年已用于４５ｎｍ技术 节点的量产。采用的光刻胶大多为 １９３ｎｍ干法光刻胶加顶部涂层．顶部涂 料（ｔｏｐｅｏａｔ）是涂制在光刻胶膜表面的 一层材料．在光刻胶膜上形成一层保护 层．避免光刻胶与浸没液体的直接接触， 是解决光刻胶组分在浸没液体中的浸出 及污染等系列问题的有效手段。
德州大学奥斯汀分校Ｒａｓｈｉｄ ＥｎｇｉＩｌｅｅｒｉｎｇ董事会主席Ｇｒａｎｔ Ｗｉｉｌｓｏｎ 认为纳米压印光刻被用于３２ｒｉｍ节点的 可能性是很低的。存在的最大问题是 需要ｌ：ｌ的无缺陷的模板。
无掩膜电子束光刻胶由于曝光区 域小。生产效率低．不适合大规模生 产。ＭＩＴ的Ｓｍｉｔｈ认为电子柬光刻用 于３２ｎｍ节点的可能性实际上等于零。
能将其变为现实。 ＪＳＲ和ＤｕＰｏｎｔ都成功的实现了第
二代浸没液体（折射率．１．６５）。Ｓｃｈｏｔｔ Ｌｉｔｈｏｔｅｃ在镥铝石榴石（ＬｕＡＧ）高折射
率镜头材料方面取得重大进展。 ＪＳＲ宣布开发出对应３２ｎｍ级丁艺的 ＡｒＦ浸没光刻的无顶涂层光刻 胶．并且同尼康及东京电子共 同进行了光刻性能、缺陷、生 产性等方面的评估．评估显示 可用于先进内存及３２ｎｍ半导 体量产． Ｓｅｍａｔｅｃｈ进行了高折射 率光刻胶材料的开发．目标 是使光刻胶的折射率能够＞ １．９．并取得了很大进展。但 只有在采用第三代浸没流体
２８ 万方数据
产业市场
２００９年５月６日 第十七卷第９期
随着浸没式光刻技术的发展．以 水为浸没介质的１９３ｎｍ浸没式光刻技 术的数值孔径达到了理论极限１．３５． 这项技术的下一个发展方向是使用高 折射率的浸没液体和镜头材料。而通 过采用第二代浸没液体（折射率。 １．６５），其ＮＡ能够达到１．４５。如果再 配合使用高折射率镜头材料（镥铝石 榴石），其ＮＡ就可以增加到１．５５。采 用第ｉ代折射率达到一１．８的浸没液体 及高折射率镜头材料．ＮＡ就可以增加 到１．７５．这时需要具有近似折射率的 高折射率光刻胶。
斥５（
产业市场
我国光刻胶的 市场现状及发展趋势
郑金红 （北京科华微电－Ｉ＇Ｍ料有限公司，北京１０１３１２）
现代微电子技术按照摩尔定律在不 断发展．光刻技术也经历了从Ｇ线 （４３６ｎｍ），Ｉ线（３６５ｎｍ），到深紫外 ２４８ｎｍ．及目前的１９３ｒｉｍ光刻的发展历 程．相对应于各曝光波长的光刻胶也应
运而生，光刻胶中的关键组分，如成膜 树脂、感光剂、添加剂也随之发生变 化．使光刻胶的综合性能能更好地满足 集成丁艺制程要求。目前集成电路制作 中使用的主要光刻胶见表ｌ。
材料时才会需要使用高折射率的光刻
胶。 由于高折射率透镜材料的吸光率
问题还没有得到完全解决．目前还没 有一家光刻设备制造商开发出整合有 第二代流体材料、具有高ＮＡ投影光路 的全尺寸、高ＮＡ的浸没式光刻设备。
２ ＥＵＶ（极紫外）光刺技术 由于对高折射率技术成功与否存 在疑虑．在浸没式光刻技术发展的同 时．业界也在不断推动ＥＵＶ技术。在 ３２ｎｍ技术以下．ＥＵＶ光刻技术最有可 能取代ＡｒＦ浸没式光刻技术．进而成 为主流的生产技术解决方案．ＥＵＶ光 刻技术中最为关键、紧迫的难题是光 源的功率和使用寿命、光刻胶的分辨 率和敏感度以及光掩膜版的缺陷密度。 高能光源是实现大规模量产并降
，＿巴剁股俸乐ｌ
成腰僻膳
环化橡胶一双叠．环化橡胶
氮负胶
ｆ璺）ｔ开ｑ
双叠氮化合物
嵫光敬倪 紫外全谱 ３００－４５０ｎｍ
土鹫，Ｈ｜述 ２ｔｘｍ以上集成电路及半
导体分立器件的制作
酚醛树脂一重氮：酚醛树脂
重氯萘醌化合物 Ｇ线．４３６ｎｍ
萘醌正胶
Ｉ线．３６５ｎｍ
２４８ｎｍ光刻胶 聚对羟基苯乙烯 光致产酸剂
ＫｒＦ．２４８ｎｍ
１．１ １９３ｎｍ浸没式光刺技术＋双重 成像技术
一开始．半导体业界普遍相信曝 光波长为１３．５ｎｍ的极紫外光刻技术 （ＥＵＶＬ）将在２００９．２０１０进入市场， 满足３２ｎｍ的需求。然而事与愿违，在 过去的几年中这项技术进展缓慢．相 反．得益于双重成像技术（ｄｏｕｂｌｅ ｐａｔｔｅｒｕｉｎｇ。ＤＰ）的ＡｒＦ浸没式光刻技 术已经成为联系１９３ｎｍ光刻技术和 ＥＵＶＬ之间的纽带。１９３ｎｎｌ浸没式光刻 （ＮＡ：１．３５）单步曝光工艺．能够实现 ３２ｎｍ的分辨率。双重成像技术的成像 原理是通过将密集的电路图形一分为 二．从而降低每次图形密度。使分辨 率接近２２ｎｍ。
万方数据
斥５（
产业市场
我国光刻胶的市场需求
２００７年年底统计．我国已投产的 芯片生产线超过５０条．其中１２英寸线 ３条．８英寸线１２条．６英寸线１２条． ５英寸及以下２３条。从数量上看。国内 ８／１２英寸芯片生产线已经占国内芯片生 产线总数的１／４；从产能上看．８／１２英寸芯 片生产线产能占国内芯片总产能２，３。 可以说．８英寸以上的高端生产线已经开 始成为国内芯片制造行业的主体．国内 芯片制造行业开始迈向高端．
电子束
掩膜版制作
其共聚物
下一代光刻技术的发展趋势
在２００７年的的国际半导体技术线 路图中．对３２ｎｍ的下一代光刻技术提 出了５种可能方案：１９３ｎｍ浸没式光 刻＋双重曝光／双重图形，ＥＵＶ（极紫 外）光刻．１９３ｎ１１１浸没式光刻＋高折射 率浸没流体＋高折射率透镜．无掩膜电 子柬光刻．纳米压印。
１ １９３ｎｍ浸没式光捌技术 曝光机的数值孔径ＮＡ＝ｎＳｉｎ０．ｎ为
在液晶显示器方面．我国已有京东 方、上广电、龙腾光电３条５代Ｔ丌’－Ｉ．ＣＤ 面板生产线．上海天马一条４５代生产线： 深超广电一条５代线在建：京东方成都、 武汉东湖高新区２条４．５代线在建．
我国集成电路、液晶显示器行业的 蓬勃发展对光刻胶的需求量快速增长． 我国的光刻胶市场在２００３年市场规模 为ｌ亿元．而２００５年的光刻胶市场规 模已增长到２．５亿元左右．年增长率超 过５０％．远远超过国际光刻胶的增长速 度。预计２０１０年光刻胶市场规模将达 到２０亿元．光刻胶需求量将占全球总 量２０％左右．从对光刻胶的需求量来 看．目前及今后的相当一段时间之内． 紫外光刻胶的用量还将占据主导地位． 紫外负型光刻胶的用量约１００ｔ／ａ．紫外 正型光刻胶的用量（包括Ｉ。ＣＤ）在５０Ｑ以 上．而深紫外光刻胶的市场需求将呈快 速上升态势．预计到“十一五”末至 “十二五”初．对于深紫外光刻胶的需 求将突破百吨的规模。
浸没式光刻和双重成像技术是目 前能获得最高分辨率的光刻技术。
ＮＡＮＤ芯片的制造商认为在３２ｎｍ 技术节点中将采用双重成像加上基于 水的浸没式光刻技术。ＩＢＭ公司坚信 １９３ｎｍ浸没式光刻技术肯定可以用于 ３２ｎｍ制程的芯片生产．如此便可降低 更换新设备所需的成本。
１．２ １９３ｎｍ浸没式先刻技术＋高折 射率浸没流体＋高折射率透镜
低成本的前提和保障。根据预测．功 率＞１１５Ｗ的光源可以确保涂有敏感度
为５ｍＪ／ｃｍ２光刻胶的硅片的产能＞１００ 片／ｈ．对于敏感度达到１０ｍＪ／ｃｍ：的光 刻胶就需要１８０Ｗ的光源．而敏感度高 于２０ｍＪ／ｃｍ２的光刻胶甚至需要２００Ｗ 以上的光源以满足量产需求。目前 ＥＵＶ光源的功率可达到１００～１１５Ｗ．而 化学增幅型光刻胶的敏感度大多在１０～
３０ｍＪ／ｅｍ２。ＥＵＶ光源的功率与大规模量 产要求（产能＞１００片／ｈ）还有距离。
业界大多认为ＥＵＶ的机会在２２ｎｍ 或１６ｎｍ之后。
Ｓｅｍａｔｅｃｈ宣布通过与主要的光刻 胶供应商的合作。开发出了化学特性 放大的ＥＵＶ光刻胶．可支持２２ｒｉｍ半 节距分辨率。Ｒｏｈｍ＆Ｈａａｓ声称其 ＥＵＶ光刻胶研发也已经达到２５ｒｉｍ的技 术水平。
于水在１９３ｎｍ波长的折射率为１．４４．比 空气大．一方面提高了透镜的ＮＡ值． 另一方面光通过水介质后．波长变短． 由１９３ｎｍ变成１９３ｒｉｍ／１．４４＝１３４ｒｉｍ。双 重作用使分辨率提高． 除了提高ＮＡ 值和分辨率外．浸没式光刻技术还有 第二个优越性．它可在相同的ＮＡ下 提供比干法设备更大的焦深．这可提 高丁艺极限．能在较难的Ｔ艺流程中 得到更高的良率。
我国光刻胶现状
目前我国光刻胶与国际先进水平相 比．在产品上大约相差４代以上。国外 已经推出用于４５ｎｍ技术节点的商品化 １９３ｎｍ浸没式光刻胶，我国只有低档ｇ 线正胶产品。高分辨ｇ、ｉ线正胶、 ２４８ｎｍ和１９３ｎｍ深紫外光刻胶均需依 赖进口．
“十五”期间．科技部为了尽快缩 小光刻技术配套用材料与国际先进水平 的差距．将新型高性能光刻胶列入了
０．５ｐ．ｍ以Ｉ：集成电路制作 ０．３５．０．５ｐ．ｍ集成电路制作 ０．２５—０．１５ｌｔｌ，ｍ集成电路制作
１９３ｎｍ光刻胶
晃瓣剂 及其衍生物
聚脂环族丙烯酸 酯及其共聚物
ＡｒＦ．１ ９３ｎｍ干法 １３０一６５ｎｍ集成电路制作
ＡｒＦ，１９３ｒｉｍ
４５ｒｉｍ以下集成电路制作
浸湿法
电子束光刻胶 甲基丙烯酸酯及 光致产酸剂
采用第二代浸没液体（折射率一 １．６５）．再结合使用高折射率透镜 （ＬｕＡＧ透镜）．ＮＡ就可以增加到１．５５。 如果再结合使用双重曝光技术．那么 可成为对半节距为２２ｎｍ技术节点的理 想解决方案．
采用第ｉ代折射率达到．１．８的浸 没液体及高折射率透镜．ＮＡ就可以增 加到１．７０．再结合使用高折射率光刻 胶（折射率＞１．９）．再结合其他光刻技 术．可能成为半节距为２２ｎｍ、甚至是 １６ｎｍ技术节点提供光刻的解决方案。 但这些解决方案不是天上掉馅饼．还 存在很多问题．需要进行不断研发才
“十一五”期间重点发展１２英寸 集成电路生产线．建设５条以上１２英 寸芯片生产线：建设１０条８英寸芯片 生产线。