单层光刻掩膜版的制备流程

单层光刻掩膜版的制备流程

1.制备衬底：衬底可以选择硅片、石英片等材料。首先需将衬底清洁

干净，并对其表面进行处理，使其能够接受光刻胶。

2.喷涂光刻胶：利用喷涂机在衬底上均匀喷涂光刻胶，厚度一般为几

微米至数十微米不等。喷涂过程需要注意胶层的厚度和均匀性。

3.预烘烤：将衬底上的光刻胶进行预烘烤处理，将其加热至预定温度，使得胶层能够均匀收缩。

4.软烤：将衬底进行软烤处理，将其加热至一定温度，使得胶层变得

坚硬，能够承受后续操作。

5.掩膜对位：将制备好的掩膜对位于光刻胶表面，并确保对位精度达

到要求。

6.曝光：利用曝光机将掩膜的图案投射到光刻胶表面，使得胶层呈现

出所需的图案形状。

7.显影：将曝光后的光刻胶进行显影处理，使得未曝光的胶层被溶解，从而呈现出完整的图案形状。

8.后烘烤：将显影后的光刻胶进行后烘烤处理，将其加热至一定温度，使得胶层能够更加硬化。

9.去胶：最后，利用去胶液将衬底上多余的光刻胶溶解掉，从而得到

单层光刻掩膜版。