《半导体光电子学课件》下集4.1 异质结半导体激光器概述(1)
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5
第四章 异质结半导体激光器
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1
§4.1 概述
Байду номын сангаас一.形成激光器的具备条件
❖ ①有源介质→有源层
②谐振腔→解理面
③泵浦源→
直流
→电流源
⊥结平面 d
交流 --- 调制
w ∥结平面
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2
二.LD的分类
①依据有源层的结构、材料
同质结 LD
LD
单异
宽面LD
异质结 LD
质结 双异
块状材料（Bulk）
（有源层由一种材料组成） 条形LD
质结
量子阱（QW）
SQW
（有源层由多层异质结组成）
MQW
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3
条形 ②依电极或有源层的宽窄划分
宽面
③依据有源区是否存在应变
应变LD 无应变LD
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4
❖ 1967年用液相外延生长出 G1axAxlAsGaA 异质结（单异质结）
❖ 1970年双异质结LD → 条形LD
❖ 70代中期，DBF（分布反馈）、DBR（分布 布拉格反射）、QW LD