MFS结构钛酸铋铁电薄膜掺铌改性研究

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源极
铁
ຫໍສະໝຸດ Baidu
栅极
漏极
极
将发生改变；极化强度与外加电场间，可形成类似于磁滞回线的电滞回线 … 。当外加电场撤去后，将仍保留一部分极化强度，称之为剩余极化。剩余极化
强度有正负两种。分别代表两种不同的状态，可例如
Ｉ
Ｉ一Ｉ，
ｗｉｈＭＦＳＳｒｃｕｅｔｔｕｔｒ
ＺＵＯｉｕ，ＷｅｈａＷＡＮｉｉＬｌ
（ｅａｔｅｔｆＰｙｉｎｆｒａｉｎＥｇｎｅｎｕｉｕｎｖｒｔ，ｕｉｕｕａ１００，ｈｎ）ＤｐｒｎｈｓｓａｄＩｏｍｔｎｉｅｒｇＨａｈａＵｉｓｙＨａｈａＨｎｎ４８０Ｃｉａｍｏｃｎｏｉｅｉ
ｎ沟道．
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数字电路中的“ ” １状态：０和“ ” 且它不会因外加电场的撤消而立即消失．种性质称为铁电材料的非挥这发性．正是由于不同的极化方向及其非挥发性，使得铁电材料非常适合于非挥发性存储器［］２。图１为以铁电薄膜取代传统场效应管中的二氧化硅层，构成的金属一电材料一铁半导体（ｅ１ｅＭｔ．ｒａＦ－ｒｌｔｃＳｍｃｎｕｔ。Ｆ）ｏｅｒ．ｅｉｄｃｒＭＳ结构的铁电存储单元ｅｃｉｏｏ
第３４卷第５期
２１０１年１０月
电子器件
ＣｉｅｅＪｕｎｌｆＥｅｔｎＤｖｃｓｈｎｓｏｒａｌｃｏｅｉｅｏｒ
Ｖｏ．４Ｎｏ５１３．Ｏｃ．２１ｔ０１
ＲｓａｃｎＦｒｏｌｔｃＰｏｅｔｓｆｂＤｐｄＢ４ｉｏ２ｅｅｒｈｏｅｒｅｃｉｒｐｒｅ－ｏｅｉＴ３１ｅｒｉｏＮ
ＥＡＣＣ：５０２１Ｅ０２；８８
ｄｉ１．９９ｊｉｎ１０ — ４０２１．５０３ｏ：０３６／．ｓ．０５９９．０１０．０ｓ
ＭＦＳ结构钛酸铋铁电薄膜掺铌改性研究水
左伟华，万莉莉
（湖南省怀化学院物理与信息工程系，湖南怀化４８０）１００
ＡｂｔａｔＴｕｌｔｅｎｅｆｆｒｏｌｃｒｔｒｇｔＳｓｕｔｒ，４ｉ０１ｆｍｓｗａｒｐｒｄｏ－ｉｓｒｃ：ｏｆｍｌｈｅｄｏｅｒｅｅｔｃｓｏａｅｗｉＭＦｔｃｕｅＢｉ３２ｉｓｐｅａｅｎｐＳｉｈｒＴｌｓｂｔｔｗｈｓｉｉｌｍｅｔｗｓｒｐａｅｙＮｂｅｅｎ．ｈｌｃｒｄａｈｎｇｏｎｏｈｕｆｃｆｕｓａｅ．ｏｅＢｓｅＴｅｎａｅｌｃｄｂｌｍｅｔＴｅＡｇｅｅｔｅｗｓｔｅｒｗｎｔｅｓｒａｅｏｒｔｅｏｔｅｆｍｓｕｉｇｅｅｔｐａｉｇｍｅｈｄｔｏｍｈＳｓｃｕｅＷｅｒｓａｃｅｉｔｅｅｆｃｓｏｅａｕｔｆｏｈｌｓｌｃｒｌｔｔｏｏｆｒｔｅＭＦｔｔｒ．ｅｅｒｈｄＯｌｈｆｔｆｔｍｏｎｔｉｎｏｎｕｒｅｈｏＮｂｔｅｓｒｃｕｅｎｈｅｒｅｅｔｉｒｐｒｉｓｏｈｌ．ｈｓａｃｅｓｏｈｔｗｉｈ５ＣｎｅｌｈｔｔｒｓａｄｔｅｆｒｏｌｃｒｃｏｅｔｆｔｅｆｍｓＴｅＲｅｅｈｓｈｗｔａｔｔｅ６０ｏａｎａｕｐｅｉｒｈｔｍｐｒｔｒｎｈ％ｒｐａｅｉｂｂ．ｈＴｌｅｈｅｔｃｙｔｌｓｒｃｕｅａｄｔｅｂｓｆｒｏｌｅｒｅｅａｕｅａｄｔｅ２ｅｌｃｄＴｙＮｔｅＢＮｆｍｓｇｔｔｅｂｓｒｓａｔｔｒｎｈｅｔｅｒｅｅｔｃｉｕｉｐｏｅｔｓｗｔｒ９．１￣／ｍ。ａｄＥ２０ｋ／ｍ．ｒｐｒｅｉＰ＝１０ｉｈＣｃｎｃ＝０ＶｃＫｅｒｓｆｒｅｅｔｉｆｍｓｆｒｏｌｃｒｔｒｇ；ｉＴ３２ＳｌｌＢｓｅｄｐｄ；ｂｅｅｎｙｗｏｄ：ｒｌｃｒｌ；ｅｒｅｅｔｅｓｏａｅＢ４ｉＯ１；ｏ — ，ｉｏｅＮｌｍｅｔｅｏｃｉｉＧｅｔ
关键词：铁电薄膜；铁电存储器；钛酸铋；溶胶一凝胶工艺；位掺杂；Ｂ铌元素
中图分类号：Ｂ４Ｔ３
文献标识码：Ａ
文章编号：０５９９（０１０ — ４４０１０ — ４０２１）５０９ —４
铁电材料在外加电场作用下，内部极化强度其
摘要：基于ＭＳＦ结构铁电存储器的需要，采用溶胶一凝胶工艺， —ｉ在ｐｓ衬底上制备了对ＢＴ，。ｉｉＢＴ元素铌元素取代的Ｏ进行位ｉ
铁电薄膜，并电镀上银电极构成ＭＳ结构。研究了掺杂浓度对薄膜的微观结构及铁电性能的影响。研究表明，５Ｆ６０℃进行退火的ＢＮ薄膜生长形态良好；％掺杂取代的薄膜铁电性能最佳，Ｔ２剩余极化强度Ｐ可达到１．１ｆ／ｍ，ｒ９０Ｃｃ２矫顽场为２０ｋｃ。￣０Ｗｍ