三极管课件 优质课件
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三极管工作原理(详解)课件
动态范围是指三极管能够放大的最小 信号和最大信号范围。在实际应用中， 三极管需要在一定的动态范围内工作， 以保证其正常性能。
放大பைடு நூலகம்数
三极管的放大倍数称为β值，它表示 集电极电流变化量与基极电流变化量 之比。放大倍数是三极管性能的重要 指标之一。
载流子的传
空穴与电子
在半导体材料中，空穴和电子是两种重要的载流子。空穴实际上是半导体原子缺失的电子 ，而电子则是自由移动的负电荷。
注意散热
对于大功率三极管，需要特别注意散热问题，采取适当的散热措施， 以防止过热损坏。
三极管的常见故障与排除方法
常见故障
三极管常见的故障包括开路、短路、性能不良等。
排除方法
针对不同的故障，可以采用相应的排除方法，如更换、调试 、修复等。同时，还需要注意检查外围电路，以确定故障是 否由外围电路引起。
超大规模集成电路的发展，三 极管的应用更加广泛，涉及到 通信、计算机、消费电子等多
个领域。
三极管的研究现状与进展
新材料
新型半导体材料如硅碳化物、氮化镓等具有更高的电子迁移率和 耐压能力，能够提高三极管的性能。
新结构
新型三极管结构如FinFET、GaN HEMT等能够提高三极管的开 关速度和降低能耗。
04
三极管的应用
放大电路中的应用
01
02
03
信号放大
三极管作为放大元件，通 过输入信号控制三极管的 电流放大，实现信号的线 性放大。
功率放大
利用三极管的电流放大作 用，将微弱的信号放大为 较大的功率信号，用于驱 动负载。
集成放大器
将多个三极管集成在一个 芯片上，实现多级放大， 提高放大倍数和稳定性。
06
三极管(课件)
• 电子制作中常用的三极管有90××系列，包括低频小功率硅管9013 （NPN）、9012（PNP），低噪声管9014（NPN），高频小功率管9018 （NPN）等。它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6（低频小功率硅管）、 3AX31（低频小功率锗管）等，它们的型号也都印在金属的外壳上。
图2.1.9 共发射极输入特性曲线
5．VBE与IB成非线性关系。
精选可编辑ppt
23
二、晶体三极管的输出特性曲线 基极电流IB一定时，集、射极之间的电压VCE与集电 极电流IC的关系曲线。
视频1
动画 三极管的输出特性
精选可编辑ppt
视频2
24
输出特性曲线可分为三个工作区: 1. 截止区 条件：发射结反偏或两端电压为零。 特点： IB0,ICICE。O 2 .饱和区
越高，即电流放大能力越大。
估测PNP管时，将万用表两只表笔对换位置。
图2.1.12估测精选β可的编电辑p路pt
32
三、估测ICEO
NPN管估测电路如图2.1.13所示。所测阻值越大， 说明管子的 ICEO 越小。若阻值无穷大，三极管开路； 若阻值为零，三极管短路。
测PNP型管时，红、黑表笔对调，方法同前。
图2.1.4 三极管电源的接法
精选可编辑ppt
15
二、晶体三极管在电路中的基本连接方式
有三种基本连接方式：共发射极、共基极和共集电 极接法。最常用的是共发射极接法。
如图2.1.5所示：
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16
2.1.3 三极管内电流的分配和放大作用 一、电流分配关系 测量电路如图
动画 三极管的电流分配关系
2.1.6 三极管的简单测试 一、硅管或锗管的判别
图2.1.9 共发射极输入特性曲线
5．VBE与IB成非线性关系。
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23
二、晶体三极管的输出特性曲线 基极电流IB一定时，集、射极之间的电压VCE与集电 极电流IC的关系曲线。
视频1
动画 三极管的输出特性
精选可编辑ppt
视频2
24
输出特性曲线可分为三个工作区: 1. 截止区 条件：发射结反偏或两端电压为零。 特点： IB0,ICICE。O 2 .饱和区
越高，即电流放大能力越大。
估测PNP管时，将万用表两只表笔对换位置。
图2.1.12估测精选β可的编电辑p路pt
32
三、估测ICEO
NPN管估测电路如图2.1.13所示。所测阻值越大， 说明管子的 ICEO 越小。若阻值无穷大，三极管开路； 若阻值为零，三极管短路。
测PNP型管时，红、黑表笔对调，方法同前。
图2.1.4 三极管电源的接法
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二、晶体三极管在电路中的基本连接方式
有三种基本连接方式：共发射极、共基极和共集电 极接法。最常用的是共发射极接法。
如图2.1.5所示：
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16
2.1.3 三极管内电流的分配和放大作用 一、电流分配关系 测量电路如图
动画 三极管的电流分配关系
2.1.6 三极管的简单测试 一、硅管或锗管的判别
三极管PPT教学讲义
收集 载流
基区的少数载流子——ICBO
子
VBB
VCC
电流分配与控制 IE= IEN+ IEP 且有IEN>>IEP IEN=ICN+ IBN 且有ICN>>IBN IC=ICN+ ICBO
IB=IEP+ IBN－ICBO
IE =IC+IB
VBB
VCC
电流分配与控制
• 使晶体管具有电流分配与控制能力的两个重要条件
– ③集电结对非平衡载流子的收集作用漂移为主
4.1.3 三极管各电极的电流关系
集电极电流IC和发射极电流IE之间的关系定义:
ICN/IE
称为共基极直流电流放大系数。
表示集电极收集到的电子电流ICN与总发射极电流IE的比
值。ICN与IE相比，因ICN中没有IEP和IBN，所以 的值小
于1, 但接近1，一般为0.98~0.999 。
BJT 结构
从外表上看两个N区,或两个P区是对称的,实际上: 发射区的掺杂浓度大,发射载流子 集电区掺杂浓度低,且集电结面积大,收集载流子 基区得很薄,控制载流子分配,其厚度一般在几个微米至几十
个微米.
+
BJT的三种组态
CB Common Base ：共基极,基 极为公共电极
CE Common Emitter ：共发射极, 发射极为公共电极
强,IC增大. JC和JE都正偏, VCES约等于0.3V,
ic VCE=VBE
饱
6和 放
区 4
大
区
2
IC< IB 0
饱和时c、e间电压记为VCES,深 度饱和时VCES约等于0.3V.
截止区
246
三极管课件
Nhomakorabea04
三极管在模拟电路中应用 举例
共射极放大电路
原理
输入信号加在基极与发射极之间， 输出信号从集电极取出。
特点
电压放大倍数大，输出电压与输 入电压反相。
应用
音频放大、振荡器、调制器等。
共基极放大电路
原理
输入信号加在发射极与基极之间，输出信号从集电极取出。
特点
电压放大倍数小，但频带宽，适用于高频放大。
品牌与质量
选择知名品牌和质量可靠的三极管，可以 降低因器件质量问题导致的电路故障风险。
THANKS
感谢观看
3
极间反向电压测量
包括集电极-基极反向击穿电压BVCBO、集电极发射极反向击穿电压BVCEO、发射极-基极反向 击穿电压BVEBO的测量。
封装类型及识别方法
封装类型
常见的三极管封装类型有TO-92、TO-126、TO-220等，不同 封装类型的三极管在引脚排列、尺寸等方面存在差异。
识别方法
通过观察封装上的标记和引脚排列，可以识别出三极管的类型、 引脚定义等信息。例如，TO-92封装的三极管通常有一个突出 的引脚，即为发射极；而TO-220封装的三极管则通过引脚排列 和散热片的位置来识别。
工作原理简介
截止状态 当基极电流IB=0时，三极管处于截止状态，此时集电极电 流IC≈0，相当于开关断开。
放大状态 当基极电流IB介于截止电流和饱和电流之间时，三极管处 于放大状态。此时，集电极电流IC随基极电流IB的增大而 增大，且满足一定的电流放大倍数。
饱和状态 当基极电流IB增大到一定程度时，三极管进入饱和状态。 此时，集电极电流IC达到最大值，且不再随基极电流IB的 增大而明显增大。相当于开关闭合。
三极管在模拟电路中应用 举例
共射极放大电路
原理
输入信号加在基极与发射极之间， 输出信号从集电极取出。
特点
电压放大倍数大，输出电压与输 入电压反相。
应用
音频放大、振荡器、调制器等。
共基极放大电路
原理
输入信号加在发射极与基极之间，输出信号从集电极取出。
特点
电压放大倍数小，但频带宽，适用于高频放大。
品牌与质量
选择知名品牌和质量可靠的三极管，可以 降低因器件质量问题导致的电路故障风险。
THANKS
感谢观看
3
极间反向电压测量
包括集电极-基极反向击穿电压BVCBO、集电极发射极反向击穿电压BVCEO、发射极-基极反向 击穿电压BVEBO的测量。
封装类型及识别方法
封装类型
常见的三极管封装类型有TO-92、TO-126、TO-220等，不同 封装类型的三极管在引脚排列、尺寸等方面存在差异。
识别方法
通过观察封装上的标记和引脚排列，可以识别出三极管的类型、 引脚定义等信息。例如，TO-92封装的三极管通常有一个突出 的引脚，即为发射极；而TO-220封装的三极管则通过引脚排列 和散热片的位置来识别。
工作原理简介
截止状态 当基极电流IB=0时，三极管处于截止状态，此时集电极电 流IC≈0，相当于开关断开。
放大状态 当基极电流IB介于截止电流和饱和电流之间时，三极管处 于放大状态。此时，集电极电流IC随基极电流IB的增大而 增大，且满足一定的电流放大倍数。
饱和状态 当基极电流IB增大到一定程度时，三极管进入饱和状态。 此时，集电极电流IC达到最大值，且不再随基极电流IB的 增大而明显增大。相当于开关闭合。
三极管ppt课件完整版
常见故障现象及诊断方法
诊断方法
测量三极管的耐压值是否降低，观察电路是否有过载现象，若确认 损坏则更换三极管。
故障现象3
三极管漏电流过大。
诊断方法
测量三极管的漏电流是否超过规定值，若过大则检查电路是否存在漏 电现象，并更换三极管。
常见故障现象及诊断方法
故障现象4
三极管热稳定性差。
诊断方法
检查三极管的散热条件是否良好，测量其热稳定性参数是否在规定范围内，若异常则改善散热条件或 更换适合的三极管型号。
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
工作原理
共基放大电路的特点是输入回路与输出回路共用一个电极，即基极。输入信号加在三极管的发射极和基极之间， 输出信号从集电极取出。由于共基放大电路的输入阻抗低，输出阻抗高，因此具有电压放大倍数大、频带宽等优 点。
共集放大电路组成及工作原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源 。
真加剧。而截止频率则限制了三极管能够放大的信号频率范围。
03
三极管基本放大电路分析
共射放大电路组成及工作原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
工作原理
利用三极管的电流放大作用，将输入信号放大并输出。输入信号加在三极管的基 极和发射极之间，输出信号从集电极取出，经过耦合电容与负载相连。
共基放大电路组成及工作原理
偏置电路类型及其作用
固定偏置电路
01
提供稳定的基极电流，使三极管工作在放大区。
分压式偏置电路
02
通过电阻分压为基极提供合适的偏置电压，使三极管具有稳定
的静态工作点。
集电极-基极偏置电路
03
利用集电极电阻的压降为基极提供偏置电压，适用于某些特殊
三极管课件
选型注意事项
工作频率与功率
根据电路需求选择合适 的工作频率和功率等级
的三极管。
材料与极性
考虑三极管的材料和极 性，如硅管或锗管， NPN型或PNP型。
封装与散热
根据实际应用场景选择 合适的封装形式，并考
虑散热问题。
可靠性与品牌
优先选择可靠性高、品 牌知名度大的产品。
测试方法介绍
外观检查
检查三极管的外观是否完好，引脚是 否氧化或变形。
动态性能
共射极放大电路具有电压放大和电流放大作用，其电压放大倍数Au和电流放大倍数Ai均 大于1。
共集电极放大电路
1 2 3
放大原理
输入信号加在基极与发射极之间，输出信号从发 射极取出。由于集电极是共同输出端，故称共集 电极放大电路。
静态工作点
与共射极放大电路相同，为了使三极管工作在放 大区，必须给三极管的发射结加正向偏置电压， 集电结加反向偏置电压。
保护电路
设计过流、过压和过热保护电路，确保电源和负载的安全。
其他模拟电路应用
模拟开关
利用三极管的开关特性，实现模拟信号的通断控 制。
模拟运算放大器
将三极管作为运算放大器的核心元件，实现加、 减、乘、除等模拟运算。
信号发生器
利用三极管的振荡特性，构建信号发生器，产生 所需频率和幅度的正弦波、方波等信号。
三极管结构特点
01
02
03
三个区域
发射区、基区和集电区， 分别对应三极管的三个电 极。
两个PN结
发射结和集电结，是三极 管实现放大和控制功能的 关键。
电流放大原理
利用发射结正向偏置时， 基区载流子的扩散和漂移 运动，实现电流的放大。
三个引脚名称与功能
三极管的结构及工作原理解读ppt课件
2
1
T
1
3
1
T
2
1
3
(a)
(b)
唐东自动化教研室
电子技术基础 主编 吴利斌
例2图所示的电路中，晶体管均为硅管,β=30，试分析各晶体管的
工作状态。 解: （1）因为基极偏置电源+6V大于管子的导通电压，
故管子的发射结正偏，管子导通,基极电流：
+6V 5K IB
+10V 1K IC
-2V 5K IB
IC
10 0.3
+2V
9.7mIBA
5K
1K IC
因为IC ICS ,所以饱和
(a)
(b)
(c)
（2）因为基极偏置电源-2V小于管子的导通电压，管
子的发射结反偏，管子截止，所以管子工作在截止区。
(3)因为基极偏置电源++21V0V大于管子的导通电压+，10故V管
+10
子的发射结正偏,管子导通基极电流:：
UCC
继续增
增大大UUCCCC 0
U特U特C性EC性=E曲0=曲.15线VV线的的 UCE>1V的 特性曲线
UBE /V
继续增大UCC使UCE=1V以上的多个值，结果发现：之后 的所有输入特性几乎都与UCE=1V的特性相同，曲线基本不 再变化。
实用中三极管的UCE值一般都超过1V，所以其输入特性通 常采用UCE=1V时的曲线。从特性曲线可看出，双极型三极 管的输入特性与二极管的正向特性非常相似。
电区而形成集电极电流IC 。之后即 使UCE继续增大，集电极电流IC也不 会再有明显的增加，具有恒流特性。
0
IB=0 UCE / V
《三极管工作原理》课件
功率放大
在音频放大器或射频放大器中，三极管能够将较小的音频或射频信 号放大成足够推动扬声器或无线发射的功率。
运算放大器
三极管构成的运算放大器在模拟电路中广泛应用，用于信号运算、 处理和转换。
开关电路中的应用
01
02
03
逻辑门电路
三极管可以组成逻辑门电 路，如与门、或门、非门 等，用于实现基本的逻辑 运算和控制。
开关电源
在开关电源中，三极管起 到开关作用，控制电源的 通断，实现电源的高效转 换。
继电器
三极管可以作为电子继电 器使用，代替传统的机械 继电器，实现小型化、快 速响应和长寿命。
其他应用领域
振荡器
三极管可以组成各种振荡 器，如RC振荡器、LC振荡 器等，用于产生特定频率 的信号。
传感器
利用三极管的电流放大作 用，可以制作各种传感器 ，如光电传感器、磁敏传 感器等。
三极管分类
总结词
三极管有多种分类方式，按材料可分为硅管和锗管，按结构可分为NPN和PNP 型。
详细描述
根据制作材料，三极管可以分为硅管和锗管两类。根据内部电荷类型，三极管 可以分为NPN型和PNP型两类。不同类型的三极管具有不同的工作特性和用途 。
三极管结构
总结词
三极管由三个半导体区域构成，形成PN结，通过电流控制实现放大和开关功能。
传输过程中，载流子会受到半导体材料中杂质和 晶格结构的影响，产生散射和碰撞等行为。
电流分配关系
01
在三极管中，基极、集电极和发射极之间的电流分配关系是由三极管的材料和 结构决定的。
02
在理想情况下，基极电流、集电极电流和发射极电流之间存在一定的比例关系 ，这种比例关系称为电流放大倍数（β值）。
在音频放大器或射频放大器中，三极管能够将较小的音频或射频信 号放大成足够推动扬声器或无线发射的功率。
运算放大器
三极管构成的运算放大器在模拟电路中广泛应用，用于信号运算、 处理和转换。
开关电路中的应用
01
02
03
逻辑门电路
三极管可以组成逻辑门电 路，如与门、或门、非门 等，用于实现基本的逻辑 运算和控制。
开关电源
在开关电源中，三极管起 到开关作用，控制电源的 通断，实现电源的高效转 换。
继电器
三极管可以作为电子继电 器使用，代替传统的机械 继电器，实现小型化、快 速响应和长寿命。
其他应用领域
振荡器
三极管可以组成各种振荡 器，如RC振荡器、LC振荡 器等，用于产生特定频率 的信号。
传感器
利用三极管的电流放大作 用，可以制作各种传感器 ，如光电传感器、磁敏传 感器等。
三极管分类
总结词
三极管有多种分类方式，按材料可分为硅管和锗管，按结构可分为NPN和PNP 型。
详细描述
根据制作材料，三极管可以分为硅管和锗管两类。根据内部电荷类型，三极管 可以分为NPN型和PNP型两类。不同类型的三极管具有不同的工作特性和用途 。
三极管结构
总结词
三极管由三个半导体区域构成，形成PN结，通过电流控制实现放大和开关功能。
传输过程中，载流子会受到半导体材料中杂质和 晶格结构的影响，产生散射和碰撞等行为。
电流分配关系
01
在三极管中，基极、集电极和发射极之间的电流分配关系是由三极管的材料和 结构决定的。
02
在理想情况下，基极电流、集电极电流和发射极电流之间存在一定的比例关系 ，这种比例关系称为电流放大倍数（β值）。
三极管ppt课件
生变化。
晶体管截止频率影响
晶体管的截止频率限制了其放大高频信号 的能力，当输入信号频率接近或超过截止 频率时，晶体管放大倍数急剧下降。
负载效应影响
在高频段，负载效应对信号产生较大的影 响，使得输出信号的幅度和相位发生变化 。
05
三极管功率放大电路设计 与应用
功率放大电路类型及特点
甲类功率放大电路
采用单电源供电，输出端通过大容量电容与负载耦合，具 有电路简单、成本低等优点，但电源功率利用率较低且存 在较大的非线性失真。
集成功率放大器简介与应用
集成功率放大器概述
将功率放大电路与必要的辅助电路集成在同一芯片上，具 有体积小、重量轻、可靠性高等优点。
集成功率放大器的应用
广泛应用于音响设备、电视机、计算机等电子设备中，用 于驱动扬声器、耳机等负载，提供足够的输出功率和良好 的音质效果。
工作点设置在截止区，主要用于高频功率放大，效率很高但非线性失 真严重。
OCL和OTL功率放大电路设计实例
要点一
OCL（Output Capacitor Less ）功…
采用双电源供电，输出端与负载直接耦合，具有低失真、 高效率等优点，但需要较大的电源功率和输出电容。
要点二
OTL（Output Transformer Less…
02
三极管基本放大电路
共射放大电路组成及原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直 流电源
特点
电压放大倍数大，输出电阻较大，输 入电阻适中
原理
利用三极管的电流放大作用，将输入 信号放大并
共基放大电路组成及原理
01
02
03
组成
输入回路、输出回路、耦 合电容、直流电源
晶体管截止频率影响
晶体管的截止频率限制了其放大高频信号 的能力，当输入信号频率接近或超过截止 频率时，晶体管放大倍数急剧下降。
负载效应影响
在高频段，负载效应对信号产生较大的影 响，使得输出信号的幅度和相位发生变化 。
05
三极管功率放大电路设计 与应用
功率放大电路类型及特点
甲类功率放大电路
采用单电源供电，输出端通过大容量电容与负载耦合，具 有电路简单、成本低等优点，但电源功率利用率较低且存 在较大的非线性失真。
集成功率放大器简介与应用
集成功率放大器概述
将功率放大电路与必要的辅助电路集成在同一芯片上，具 有体积小、重量轻、可靠性高等优点。
集成功率放大器的应用
广泛应用于音响设备、电视机、计算机等电子设备中，用 于驱动扬声器、耳机等负载，提供足够的输出功率和良好 的音质效果。
工作点设置在截止区，主要用于高频功率放大，效率很高但非线性失 真严重。
OCL和OTL功率放大电路设计实例
要点一
OCL（Output Capacitor Less ）功…
采用双电源供电，输出端与负载直接耦合，具有低失真、 高效率等优点，但需要较大的电源功率和输出电容。
要点二
OTL（Output Transformer Less…
02
三极管基本放大电路
共射放大电路组成及原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直 流电源
特点
电压放大倍数大，输出电阻较大，输 入电阻适中
原理
利用三极管的电流放大作用，将输入 信号放大并
共基放大电路组成及原理
01
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组成
输入回路、输出回路、耦 合电容、直流电源
《三极管基本知识》PPT课件
背景
三极管是电子电路中的重要元件，广泛应用于放大、开关、振荡等电路中。随 着电子技术的发展，三极管的应用领域不断扩大，对电子工程师的要求也越来 越高。
课程内容和结构
课程内容
本课程将介绍三极管的基本原理、结构、特性、参数以及应用等方面的知识。
课程结构
本课程将按照“由浅入深、循序渐进”的原则，先介绍三极管的基本概念和原理，然后逐步深入讲解三极管的特 性和应用。具体内容包括：三极管的基本原理、结构和分类；三极管的放大原理和特性；三极管的参数和选型； 三极管的应用电路和实例等。
输入特性曲线
输入特性曲线表示三极管在放 大状态下，基极电流（Ib）与 基极-发射极电压（Vbe）之
间的关系。
输入特性曲线与二极管的伏 安特性曲线类似，呈指数关
系。
当Vbe较小时，Ib几乎为零， 当Vbe超过一定值后，Ib随 Vbe的增大而迅速增大。
输出特性曲线
输出特性曲线表示三极管在放大状态下，集电极电流 （Ic）与集电极-发射极电压（Vce）之间的关系。
工业控制领域
三极管在工业控制电路中也有 着广泛的应用，如电机控制、
温度控制等。
消费电子领域
音响、电视、冰箱等消费电子 产品中也需要使用三极管进行
信号放大或电路控制。
03
三极管结构与工作原理
三极管内部结构
掺杂浓度
发射区掺杂浓度最高，基区很薄且 掺杂浓度最低，集电区掺杂浓度较 高。
PN结
三极管内部包含两个PN结，分别 是发射结和集电结。
三极管主要参数
01
02
03
电流放大系数
表示三极管对电流的放大 能力，是判断三极管放大 性能的重要参数。
极间反向电流
包括集电极-基极反向饱和 电流和集电极-发射极反向 饱和电流，反映了三极管 的截止性能。
三极管是电子电路中的重要元件，广泛应用于放大、开关、振荡等电路中。随 着电子技术的发展，三极管的应用领域不断扩大，对电子工程师的要求也越来 越高。
课程内容和结构
课程内容
本课程将介绍三极管的基本原理、结构、特性、参数以及应用等方面的知识。
课程结构
本课程将按照“由浅入深、循序渐进”的原则，先介绍三极管的基本概念和原理，然后逐步深入讲解三极管的特 性和应用。具体内容包括：三极管的基本原理、结构和分类；三极管的放大原理和特性；三极管的参数和选型； 三极管的应用电路和实例等。
输入特性曲线
输入特性曲线表示三极管在放 大状态下，基极电流（Ib）与 基极-发射极电压（Vbe）之
间的关系。
输入特性曲线与二极管的伏 安特性曲线类似，呈指数关
系。
当Vbe较小时，Ib几乎为零， 当Vbe超过一定值后，Ib随 Vbe的增大而迅速增大。
输出特性曲线
输出特性曲线表示三极管在放大状态下，集电极电流 （Ic）与集电极-发射极电压（Vce）之间的关系。
工业控制领域
三极管在工业控制电路中也有 着广泛的应用，如电机控制、
温度控制等。
消费电子领域
音响、电视、冰箱等消费电子 产品中也需要使用三极管进行
信号放大或电路控制。
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三极管结构与工作原理
三极管内部结构
掺杂浓度
发射区掺杂浓度最高，基区很薄且 掺杂浓度最低，集电区掺杂浓度较 高。
PN结
三极管内部包含两个PN结，分别 是发射结和集电结。
三极管主要参数
01
02
03
电流放大系数
表示三极管对电流的放大 能力，是判断三极管放大 性能的重要参数。
极间反向电流
包括集电极-基极反向饱和 电流和集电极-发射极反向 饱和电流，反映了三极管 的截止性能。
《三极管教学》课件
《三极管教学》ppt课件
三极管概述三极管工作原理三极管基本应用三极管特性参数三极管的选择与使用
三极管概述
01
总结词
三极管是一种电子元件，由三个半导体区域组成，具有放大和开关电流的功能。
详细描述
三极管是电子学中非常重要的基本元件之一，由三个半导体区域组成，分别是基极（base）、集电极（collector）和发射极（emitter）。这三个区域在结构上有所不同，从而使得三极管具有了放大和开关电流的功能。
详细描述
பைடு நூலகம்
总结词
三极管的符号通常由三个电极的图形和字母组成，用于表示三极管的类型和功能。
要点一
要点二
详细描述
在电路图中，三极管的符号通常由三个电极的图形和字母组成。其中，字母B表示基极，E表示发射极，C表示集电极。根据三极管的类型和功能，这些符号会有所不同。例如，NPN型硅三极管的电路符号中，基极是箭头朝里的三角形，集电极是箭头朝外的三角形，发射极是竖线；PNP型硅三极管的电路符号中，基极是箭头朝外的三角形，集电极是箭头朝里的三角形，发射极是竖线。这些符号能够帮助我们理解和分析电路的工作原理。
根据结构和材料的不同，三极管可以分为双极型和场效应型两大类。
总结词
双极型三极管是由半导体材料制成的，其工作原理基于电子和空穴两种载流子的运动。常见的双极型三极管有硅三极管和锗三极管。场效应型三极管则是由金属-氧化物-半导体结构制成的，其工作原理基于电场对载流子的调控。常见的场效应型三极管有NMOS和PMOS两种。
考虑三极管工作时产生的热量，合理设计散热措施，保证管子工作在安全温度范围内。
散热设计
在某些应用中，需要将多个三极管配对使用，以获得更好的性能。
配对使用
三极管概述三极管工作原理三极管基本应用三极管特性参数三极管的选择与使用
三极管概述
01
总结词
三极管是一种电子元件，由三个半导体区域组成，具有放大和开关电流的功能。
详细描述
三极管是电子学中非常重要的基本元件之一，由三个半导体区域组成，分别是基极（base）、集电极（collector）和发射极（emitter）。这三个区域在结构上有所不同，从而使得三极管具有了放大和开关电流的功能。
详细描述
பைடு நூலகம்
总结词
三极管的符号通常由三个电极的图形和字母组成，用于表示三极管的类型和功能。
要点一
要点二
详细描述
在电路图中，三极管的符号通常由三个电极的图形和字母组成。其中，字母B表示基极，E表示发射极，C表示集电极。根据三极管的类型和功能，这些符号会有所不同。例如，NPN型硅三极管的电路符号中，基极是箭头朝里的三角形，集电极是箭头朝外的三角形，发射极是竖线；PNP型硅三极管的电路符号中，基极是箭头朝外的三角形，集电极是箭头朝里的三角形，发射极是竖线。这些符号能够帮助我们理解和分析电路的工作原理。
根据结构和材料的不同，三极管可以分为双极型和场效应型两大类。
总结词
双极型三极管是由半导体材料制成的，其工作原理基于电子和空穴两种载流子的运动。常见的双极型三极管有硅三极管和锗三极管。场效应型三极管则是由金属-氧化物-半导体结构制成的，其工作原理基于电场对载流子的调控。常见的场效应型三极管有NMOS和PMOS两种。
考虑三极管工作时产生的热量，合理设计散热措施，保证管子工作在安全温度范围内。
散热设计
在某些应用中，需要将多个三极管配对使用，以获得更好的性能。
配对使用
三极管经典教程PPT课件
静态工作点
为了使三极管工作在放大区，需要设置合适的静态工作点，即合适的基极电流和集电极电压。静态工作点的设置对放大电 路的性能有很大影响。
动态性能 共射放大电路具有较高的电压放大倍数和较好的频率响应特性。但由于三极管的非线性特性，输出信号 会产生失真。
共基放大电路
原理分析
共基放大电路中，信号源与三极管的发射极和基极相连， 集电极作为输出端。与共射放大电路相比，共基放大电路 具有更高的电流放大倍数和更宽的频带宽度。
放大状态：当加在三极管发射结的电 压大于PN结的导通电压，并处于某一 恰当的值时，三极管的发射结正向偏 置，集电结反向偏置，这时基极电流 对集电极电流起着控制作用，使三极 管具有电流放大作用，其电流放大倍 数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。
饱和导通状态：当加在三极管发射结 的电压大于PN结的导通电压，并当基 极电流增大到一定程度时，集电极电 流不再随着基极电流的增大而增大， 而是处于某一定值附近不怎么变化， 这时三极管失去电流放大作用，集电 极与发射极之间的电压很小，集电极 和发射极之间相当于开关的导通状态。 三极管的这种状态我们称之为饱和导 通状态。
电极电流IC与基极电流IB之比。
极间反向电流 包括集电结反向饱和电流ICBO和发 射极反向电流IEBO，用于衡量三极管
的稳定性。
截止频率fT 表示三极管的高频性能，定义为当β 下降到低频时β值的0.707倍时所对应 的频率。
动态特性参数的意义 用于全面评价三极管的性能，为电路 设计提供重要依据。
03
解调概念
从已调信号中提取出低频信号的过程。
解调方式
对应不同的调制方式，有相应的解调方法，如包络检波、鉴频和鉴相等。
07
三极管应用实例与选型指南
为了使三极管工作在放大区，需要设置合适的静态工作点，即合适的基极电流和集电极电压。静态工作点的设置对放大电 路的性能有很大影响。
动态性能 共射放大电路具有较高的电压放大倍数和较好的频率响应特性。但由于三极管的非线性特性，输出信号 会产生失真。
共基放大电路
原理分析
共基放大电路中，信号源与三极管的发射极和基极相连， 集电极作为输出端。与共射放大电路相比，共基放大电路 具有更高的电流放大倍数和更宽的频带宽度。
放大状态：当加在三极管发射结的电 压大于PN结的导通电压，并处于某一 恰当的值时，三极管的发射结正向偏 置，集电结反向偏置，这时基极电流 对集电极电流起着控制作用，使三极 管具有电流放大作用，其电流放大倍 数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。
饱和导通状态：当加在三极管发射结 的电压大于PN结的导通电压，并当基 极电流增大到一定程度时，集电极电 流不再随着基极电流的增大而增大， 而是处于某一定值附近不怎么变化， 这时三极管失去电流放大作用，集电 极与发射极之间的电压很小，集电极 和发射极之间相当于开关的导通状态。 三极管的这种状态我们称之为饱和导 通状态。
电极电流IC与基极电流IB之比。
极间反向电流 包括集电结反向饱和电流ICBO和发 射极反向电流IEBO，用于衡量三极管
的稳定性。
截止频率fT 表示三极管的高频性能，定义为当β 下降到低频时β值的0.707倍时所对应 的频率。
动态特性参数的意义 用于全面评价三极管的性能，为电路 设计提供重要依据。
03
解调概念
从已调信号中提取出低频信号的过程。
解调方式
对应不同的调制方式，有相应的解调方法，如包络检波、鉴频和鉴相等。
07
三极管应用实例与选型指南
三极管的结构及工作原理课件
在数字电路中的应用
逻辑门电路
三极管可以组成基本的逻 辑门电路，如与门、或门 、非门等，用于实现数字 信号的处理和运算。
触发器
利用三极管可以设计各种 触发器电路，用于存储二 进制数据。
编码器与解码器
三极管在编码器和解码器 电路中也有广泛应用，用 于实现数字信号的编码和 解码。
在放大器中的应用
音频放大器
制作工艺流程
材料准备
选择合适的半导体材料，如硅或锗，准备电 极材料和封装材料。
集电极制作
在半导体材料上掺杂特定元素形成集电极。
基极和发射极制作
通过化学气相沉积或外延生长技术在半导体 材料上形成基极和发射极。
封装
将制作好的三极管进行封装，以保护管芯和 引脚，提高机械强度和使用寿命。
封装形式与材料
金属封装
转移特性曲线
总结词
描述三极管基极电流与集电极电流之间的关 系。
详细描述
转移特性曲线表示当集电极电压一定时，基 极电流与集电极电流之间的关系。不同的集
电极电压下，转移特性曲线会有所不同。
特性曲线的应用
要点一
总结词
描述如何利用三极管的特性曲线实现电子电路的功能。
要点二
详细描述
通过分析三极管的输入、输出和转移特性曲线，可以了解 三极管在不同工作条件下的性能表现，从而在电子电路设 计中合理选用三极管，实现所需的功能。例如，利用三极 管的开关作用实现信号的放大、传输和处理等。
详细描述
三极管在不同工作状态下，其输入电 阻和输出电阻表现出不同的特性，从 而影响输入电压和输出电压之间的关 系，实现电压的放大。
功率放大原理
总结词
功率放大是利用三极管的高放大 倍数和高输出电流能力，实现对 功率的放大。
2024版15三极管ppt课件(完整)pptx
输入信号加在基极与发射极之间， 输出信号从集电极取出。当输入 信号为正弦波时，输出信号也是 正弦波，但幅度被放大，相位与
输入信号相反。
放大倍数
共射放大电路的放大倍数主要由 三极管的β值决定，同时受输入 电阻、输出电阻和电源电压等因
素的影响。
2024/1/26
13
共基放大电路组成及工作原理
2024/1/26
2024/1/26
7
02
三极管主要参数及性能指标
2024/1/26
8
直流参数
2024/1/26
共射直流电流放大系数B
01
反映三极管对直流信号的放大能力，是三极管最重要的参数之
一。
共基直流电流放大系数α
02
反映三极管在共基极接法下对直流信号的放大能力。
极间反向电流ICBO和ICEO
03
反映三极管的漏电流大小，是三极管质量的重要指标。
考虑温度对偏置电阻的影响
温度变化会影响偏置电阻的阻值，因此在选取偏置电阻时应考虑其 温度系数。
18
偏置电路稳定性提高措施
2024/1/26
采用负反馈电路
通过引入负反馈电路，可以减小三极管静态工作点的漂移，提高 偏置电路的稳定性。
采用温度补偿电路
通过引入温度补偿电路，可以减小温度变化对三极管静态工作点的 影响，提高偏置电路的稳定性。
偏置电路
性能测试
设置合适的偏置电路，使三极管工作在放大 区，避免进入饱和或截止状态。
2024/1/26
对音频放大器进行性能测试，包括频率响应、 失真度、输出功率等指标，确保满足设计要 求。
31
THANKS
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2024/1/26
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输入信号相反。
放大倍数
共射放大电路的放大倍数主要由 三极管的β值决定，同时受输入 电阻、输出电阻和电源电压等因
素的影响。
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13
共基放大电路组成及工作原理
2024/1/26
2024/1/26
7
02
三极管主要参数及性能指标
2024/1/26
8
直流参数
2024/1/26
共射直流电流放大系数B
01
反映三极管对直流信号的放大能力，是三极管最重要的参数之
一。
共基直流电流放大系数α
02
反映三极管在共基极接法下对直流信号的放大能力。
极间反向电流ICBO和ICEO
03
反映三极管的漏电流大小，是三极管质量的重要指标。
考虑温度对偏置电阻的影响
温度变化会影响偏置电阻的阻值，因此在选取偏置电阻时应考虑其 温度系数。
18
偏置电路稳定性提高措施
2024/1/26
采用负反馈电路
通过引入负反馈电路，可以减小三极管静态工作点的漂移，提高 偏置电路的稳定性。
采用温度补偿电路
通过引入温度补偿电路，可以减小温度变化对三极管静态工作点的 影响，提高偏置电路的稳定性。
偏置电路
性能测试
设置合适的偏置电路，使三极管工作在放大 区，避免进入饱和或截止状态。
2024/1/26
对音频放大器进行性能测试，包括频率响应、 失真度、输出功率等指标，确保满足设计要 求。
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《任务3三极管》课件
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汇报人：
共集电极放大电路 的应用：常用于信 号放大、功率放大 等场合。
共集电极放大电路 的组成：输入信号 、三极管、输出信 号、电源等。
共集电极放大电路的 工作原理：输入信号 通过三极管放大后， 输出信号与输入信号 同相位，但幅度增大 。
任务3三极管的应 用
开关作用：三 极管在数字电 路中常用作开 关，控制电流
输入特性曲线可 以用来分析三极 管的工作状态、 性能和稳定性等 参数。
输入特性曲线：描述三极管在不同 输曲线：描述三极管在 不同输入电压和电流以及输出电压 和电流下的输出特性
添加标题
添加标题
添加标题
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输出特性曲线：描述三极管在不同 输出电压和电流下的输出特性
特性曲线的应用：在电路设计中， 通过特性曲线可以了解三极管的工 作状态和性能指标
转移特性 曲线是三 极管最重 要的特性 曲线之一
描述了三 极管在不 同工作状 态下的电 流、电压 关系
包括线性 区、饱和 区和截止 区
线性区： 三极管工 作在放大 状态，电 流、电压 关系近似 线性
饱和区： 三极管工 作在开关 状态，电 流、电压 关系近似 饱和
任务3三极管PPT课件
汇报人：
目录
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任务3三极管简介
任务3三极管特性
任务3三极管放大电 路
任务3三极管的应用
任务3三极管的选择 与使用注意事项
添加章节标题
任务3三极管简介
三极管是一种半 导体器件，由两 个PN结组成
三极管有三个电 极：发射极、基 极和集电极
三极管具有电流 放大作用，可以 用于放大信号
的通断
放大作用：三 极管在数字电 路中可以放大 信号，提高信
三极管优秀课件
iC(mA )
1
2
3
4
uCE(V)
3
6
9
12
IB=0
20A
40A
60A
80A
100A
此区域满足iC=iB称为线性区（放大区:发射结正偏，集电结反偏）。
iC只与iB有关，iC=iB。
iC(mA )
1
2
3
4
uCE(V)
3
6
9
12
IB=0
20A
40A
60A
80A
100A
此区域中UCEUBE, 发射结、集电结正偏，iB>iC，UCE0.3V称为饱和区。
五、温度对晶体管参数的影响（P36)：
温度升高： ICBO （集电极---基极反向饱和电流） 增大，导致ICEO （穿透电流）增大； IB增大，导致IC增大 UBE减小（负温度系数）。
0.7V
4V
0
0.7V
0.3V
0
0
1）根据电路的节点定律：
IB
IC
IE
3.晶体管的三个极电流分配原则及关系
2）根据晶体管内部结构形成的电流分配原则：
共射直流电流放大系数，取值范围在20~200之间。
IB
IC
IE
3.晶体管的三个极电流分配原则及关系
由于基极电流 IB<<集电极IC；或 ：
3）根据以上电流关系：
iB(A)
uBE(V)
20
40
60
80
0.5
1.0
工作压降： 硅管UBE0.6~0.7V, 锗管UBE0.2~0.3V。
死区电压： 硅管0~0.5V，锗管0~0.2V。
晶体管的输入特性曲线与二极管的正向特性曲线基本一致，uCE ≥ 1V以后特性曲线基本稳定。
1
2
3
4
uCE(V)
3
6
9
12
IB=0
20A
40A
60A
80A
100A
此区域满足iC=iB称为线性区（放大区:发射结正偏，集电结反偏）。
iC只与iB有关，iC=iB。
iC(mA )
1
2
3
4
uCE(V)
3
6
9
12
IB=0
20A
40A
60A
80A
100A
此区域中UCEUBE, 发射结、集电结正偏，iB>iC，UCE0.3V称为饱和区。
五、温度对晶体管参数的影响（P36)：
温度升高： ICBO （集电极---基极反向饱和电流） 增大，导致ICEO （穿透电流）增大； IB增大，导致IC增大 UBE减小（负温度系数）。
0.7V
4V
0
0.7V
0.3V
0
0
1）根据电路的节点定律：
IB
IC
IE
3.晶体管的三个极电流分配原则及关系
2）根据晶体管内部结构形成的电流分配原则：
共射直流电流放大系数，取值范围在20~200之间。
IB
IC
IE
3.晶体管的三个极电流分配原则及关系
由于基极电流 IB<<集电极IC；或 ：
3）根据以上电流关系：
iB(A)
uBE(V)
20
40
60
80
0.5
1.0
工作压降： 硅管UBE0.6~0.7V, 锗管UBE0.2~0.3V。
死区电压： 硅管0~0.5V，锗管0~0.2V。
晶体管的输入特性曲线与二极管的正向特性曲线基本一致，uCE ≥ 1V以后特性曲线基本稳定。
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2019/11/25
海南科技职业学院
2下页
电工电子技术
作者： 符庆
第7章 常用半导体器件
1. 半导体 2. PN结 3. 二极管 4. 双极型晶体管BJT 5. 场效应晶体管FET 6. 晶闸管(可控硅)
结构 检测 放大原理 特性曲线 主要参数 三种状态 三大作用
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海南科技职业学院
区的载流子，减少载流子在基区复合的机会。
集电区面积比发射区大——便于收集由发射区来的 载流子和散热。
2019/11/25
基极b(base)
集电极c(collector) 发射极e(emitter)
下8 页
7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
（2）外部条件：
发射结加正向电压(也叫正偏置)；Vb>Ve
作者：符庆
掺杂浓度高
三极管的结构并不是对称的，所以发射极和集电极不能对调使用。
2019/11/25
下6 页
二、三极管的检测
作者：符庆
NPN型三极管的直流测量等效电路如图3-5，
PNP型三极管的直流测量等效电路如图3-6。 将数字多用表置于 档，按图3-3、图3-4的接法测量 三极管（接B极的表笔不变换，而另一支表笔分别接三极管
电工电子技术 11级模具(1)班 共60学时
第1章 直流电路 第2章 交流电路 第3章 磁路和变压器 第4章 直流电机 第5章 交流异步电动机和控制电机 第6章 常用电动机控制电路 第7章 常用半导体器件 第8章 基本放大电路 第9章 集成运算放大器及其应用 第10章 直流稳压电源 第11章 数字电子技术基础 第12章 组合逻辑电路 第13章 时序逻辑电路 2019/11/25 第14章 电工电子技术的计算机辅助分析与设计
c IC
集电结加反向电压(也叫反偏置)。Vc>Vb
ICBO
c
NPN管：Vc>Vb>Ve c
b
PNP管：Vc<Vb<Ve b
IB
b
e
工作过程： e
（3）C区收集B区扩散过来的电子
Rb
（2）电子在B区复合、扩散
U BE
e
IE
作者：符庆
N
Rc
P
N
U CE
（1）E区向B区扩散电子
微小的基极电流 IB，可以控制较大的集电极电流 IC，
ebc ecb c be bce
的另外两脚），表头会有读数（一般为700～900Ω左右）；
2019/11/25
7
下页
7.2.1 双极型晶体管
作者：符庆
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
三极管的放大作用 电流放大
（1）内部条件（结构特点）：
发射区掺杂浓度高——以便有足够的载流子供“发 基射区”很。薄，掺杂浓度低——控制由发射区运动到集电
3下页
作者：符庆
第7章 常用半导体器件
7.2 双极型晶体管和场效应晶体管
三极管
双极型晶体管 BJT
Bipolar Junction Transistor
场效应晶体管 FET
Field Effect Transistor
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下4 页
作者：符庆
第7章 常用半导体器件
7.2 双极型晶体管和场效应晶体管
Rb
UBE eIE源自U CCU BB60
UCE1V
40
IB ( A)
20
0 0.2 0.8 UBE(V)
阀值电压VBE
硅 Si：0.5~0.7V 锗Ge：0.2~0.3V
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UCE 0 UCE 1V
U BE (V )
0
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7.2.1 双极型晶体管
作者：符庆
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
＝β
——交流电流放大系数
IC＝β IB IE＝IB+ IC
IE＝ (1+β ) IB
IE=IC+IB
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7.2.1 双极型晶体管
作者：符庆
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
四、特性曲线（输入曲线、输出曲线） c IC
1.输入曲线：
IB b
UCE
Rc
IB(A) 80
四、特性曲线（输入曲线、输出曲线）
1.输入曲线： IB(A)
80
2.输出曲线：
ICM IC(mA ) 20
β
IC Ib
100A
60
UCE1V
饱和区 15
40
20
IC＝β IB 10
0 0.2 0.8 UBE(V)
5
阀值电压VBE
硅 Si：0.5~0.7V 锗Ge：0.2~0.3V
放大区
80A 60A 40A
海南科技职业学院
作者： 符庆
1
电工电子技术
作者： 符庆
第7章 常用半导体器件
7.1 PN结和半导体二极管………………143
7.2 双极型晶体管和场效应晶体管……147 7.2.1 双极型晶体管………………147 7.2.2 场效应晶体管………………151
7.3 晶闸管和单结晶体管………………156 7.3.1 晶闸管………………………156 7.3.2 单结晶体管…………………158
四、特性曲线（输入曲线、输出曲线） c IC
2.输出曲线： IC
IB b
UCE
Rc
Rb
UBE e
IE
U CC
U BB
IB 一定
IB ( A)
0
UCE
饱和
压降
UCE 1V
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U BE (V )
0
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7.2.1 双极型晶体管
作者：符庆
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
VBE≥ 0.7V
所以三极管是电流控制元件。 IE=IC+IB
2019/11/25
下9 页
7.2.1 双极型晶体管
作者：符庆
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
（2）外部条件：集发电射结 结加加反正向向电电压压((也也叫叫反正偏偏置置))。；
Vb>Ve Vc>Vb
IC IB
＝β
——直流电流放大系数
△IC △IB
20A IB=0
三极管的三种工作状态：
1.截止 2.放大 3.饱和
2019/11/25
3 饱和压降：
0.2~0.3V
6 9 12 UCE(V)
截止区
1下3 页
三极管的三种工作状态：
(NPN 硅管)
作者：符庆
IB b
c IC
UCE
RC
RBVBE e
UCC
IE
UBB
1.截止状态 2.放大状态
VBE＜ 0.5V IB= 0 UCE= VCC
三极管
硅管 锗管
NPN管 PNP管
NPN管 PNP管
NPN
PNP
2019/11/25
三极管是组成各种电子电路的核心器件。 三极管的发明，使PN结的应用发生了质的飞跃。
下5 页
7.2.1 双极型晶体管
BJT---双极 结型晶体管 一、基本结构（集电结、发射结）
面积大， 掺杂浓度适度
区域薄， 掺杂浓度低