实验四二极管伏安特性曲线测量

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电路实验报告

实验四

二极管伏安特性曲线测量

学生

学生学号

专业班级

指导老师

2015 年10 月23 日

一、实验题目——二极管伏安特性曲线测量

二、实验摘要(关键信息)

1.先搭接一个调压电路,实现电压0.1-4V连续可调。

2.在面包板上搭接一个测量二极管伏安特性曲线的电路。

3.测量二极管正向和反向的伏安特性,记录所测的电流和电压。

4.用excel或matlab画二极管的伏安特性曲线。

三、实验环境(仪器用品等)

保护电阻2个,稳压二极管,变位器,导线若干,面包板,台式五位半自动量程数字万用表LINI-T UT805A ,可调直流稳压电源(IT6302)。

四、实验原理和实验电路

晶体二极管是常见的非线性元件,其伏安特性曲线如图所示。

当对晶体二极管加上正向偏置电压,则有正向电流流过二极管,且随正向偏置电压的增大而增大。开始电流随电压变化较慢,而当正向偏压增到接近二极管的导通电压(锗二极管为0.2左右,硅二极管为0.7左右时),电流明显变化。在导通后,电压变化少许,电流就会急剧变化。

当加反向偏置电压时,二极管处于截止状态,但不是完全没有电流,而是有很小的反向电流。该反向电流随反向偏置电压增加得很慢,但当反向偏置电压增至该二极管的击穿电压时,电流剧增,二极管PN结被反向击穿。

实验电路:

五、实验步骤和数据记录

注意事项:

1.为保护直流稳压电源,接通或断开电源前均需先使其输出为零;对输出调节旋钮的

调节必须轻而缓慢。

2.测定2AP型锗二极管的正、反向伏安特性曲线时,注意正向电流不要超过20mA,反向

电压不要超过31V。

3.设置两个保护电阻来保护电路,以免二极管损毁。

实验步骤:

1.先搭接一个调压电路,实现电压0.1-4V连续可调。

2.在面包板上搭接一个测量二极管伏安特性曲线的电路。

3.测量二极管正向和反向的伏安特性,记录所测的电流和电压。

4.用excel或matlab画二极管的伏安特性曲线。

二极管正向伏安特性曲线数据

开始电流随电压变化较慢,而当正向偏压增到接近稳压二极管的导通电压(0.73486左右时),电流明显变化。

二极管反向伏安特性曲线数据

估计该二极管已反向击穿,被损坏。

六、实验结果计算和分析

二极管反向伏安特性曲线与原理不符,判断该二极管已损坏。

七、实验总结

这次实验学会使用可调直流稳压电源,更熟练掌握对面包板和台式数字万用表的使用,学会搭接电路测量二极管的伏安特性。

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