第三章集成逻辑门电路例题补充
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第三章集成逻辑门电路例题补充
第2章 逻辑门电路
2.1解题指导
【例2-1】 试用74LS 系列逻辑门,驱动一只V D =1.5V ,I D =6mA 的发光二极管。
解:74LS 系列与之对应的是T4000系列。与非门74LS00的I OL 为4mA ,不能驱动I D =6mA 的发光二极管。集电极开路与非门74LS01的I OL 为6mA ,故可选用74LS01来驱动发光二极管,其电路如图所示。限流电阻R 为
Ω
=--=--=
k V V V R OL D CC 5.06
5
.05.156
【例2-2】 试分析图2-2所示电路的逻辑功能。
解:由模拟开关的功能知:当A =1时,开关接通。传输门导通时,其导通电阻小于1k Ω,1k Ω与200k Ω电阻分压,输出电平近似为0V 。
而A =0时,开关断开,呈高阻态。109Ω以上的电阻与200k Ω电阻分压,输出电平近似为V DD 。
V V V 0200
11
DD
F
≈+=DD
DD
4
4
DD
5
9
9
F
2
1010
1021010V V V V ≈+≈⨯+=
故电路实现了非逻辑功能。
【例2-3】试写出由TTL门构成的逻辑图如图2-3所示的输出F。
&
≥1
F ≥1
A
B
图2-3 例2-3门电路
解:由TTL门输入端悬空逻辑上认为是1可写出
【例2-4】试分别写出由TTL门和CMOS 门构成的如图2-4所示逻辑图的表达式或逻辑值。
&&
B F
10kΩ
图2-4 例2-4门电路
解:由TTL门组成上面逻辑门由于10kΩ大于开门电阻R ON,所以,无论A、B为何值。
由CMOS门组成上面逻辑门由于CMOS无开门电阻和关门电阻之说,所以,。
2.2 例题补充
2-1 一个电路如图2-5所示,其三极管为硅管,β=20,试求:ν1小于何值时,三极管T截止,ν1大于何值时,三极管T饱和。
解:设v BE=0V时,三极管T截止。T
截止
V CC
v I
v O +10V
A
B
A
F=
+
+
⋅
=1
1
≡
F
AB
F=
时,I B =0。此时
10
)
10(020I --=-v v I =2V
T 临界饱和时,v CE =0.7V 。此时
mA
I 0465.010
207
.010BS =⨯-=
mA
v I I 0465.010
)10(7.027.0I BS
B =----== v I =4.2V
上述计算说明v I <2V 时,T 截止;v I >4.2V 时,T 饱和。
2-2 一个电路如图2-6所示。
⒈ 已知V CC =6V ,V CES =0.2V ,I CS =10mA ,求集电极电阻R C 的值。
⒉ 已知三极管的β=50、V 高电平V IH =2V ,当电路处于临界饱和时,R b 值应是多少? 解:⒈
Ω=-=-=
k I V V R 58.010
2
.06CS CES CC C
⒉ 临界饱和时,I B =I BS 。
mA I 2.050
CS
BS ===
β
Ω=-=-=
k I V V R 5.62
.07
.02BS BE I b
2-3 在图2-6所示电路中,当电路其他参数
不变,仅R b 减小时,三极管的饱和程度是减轻还是加深?仅R C 减小时,三极管的饱和程度是减轻还是加深?
解:R b 减少时,I B 增加,在I C 不变的前提下,三极管的饱和程度加深了。R C 减小时,I CS 增加,在I B 不变的前提下,三极管随着I C 增加,
T
R
C
R b
V CC v I
v
O
图2-6 三极管电路
饱和程度将减轻。
2-4 为什么说TTL与非门输入端在以下三种接法时,在逻辑上都属于输入为0?
⒈输入端接地;
⒉输入端接低于0.8V的电源;
⒊输入端接同类与非门的输入低电平
0.4V.
解:因为四种系列的TTL与非门的V IL(max)都等于0.8V,所以小于、等于0.8V的输入在逻辑上都为0。
2-5 为什么说TTL与非门输入端在以下三种接法时,在逻辑上都属于输入为1?
⒈输入端接同类与非门的输出高电平
3.6V;
⒉输入端接高于2V电源;
⒊输入端悬空。
解:四种系列的TTL与非门的V IH(min)=2V,当v I≥2V时,逻辑上为1。此时,发射极电流不会从发射极流出。当输入端悬空时,因没有发射极电流的通路,也不会有发射极电流从发射极流出,与输入端接高电平等效,故TTL门输入端悬空,逻辑上认为是1。
2-6 在挑选TTL门电路时,都希望选用输入低电平电流比较小的与非门,为什么?
解:负载门的输入端电流小,驱动门的负载电流才小,才可能带更多的门。
2-7 在实际应用中,为避免外界干扰的影