ZnO荧光薄膜的发光机理研究

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蓝宝石衬底ZnO薄膜的发光特性

蓝宝石衬底ZnO薄膜的发光特性
中图分 类号 : 0 4 8 4 文献 标识码 : A 文章编号 : 1 6 7 1 -1 5 8 0 ( 2 0 1 3 ) l l —0 l 5 3 —0 2
1引 言
强的吸收峰, 说 明我们 的 Z n O薄膜 质量是 比较 高
的L 2 J 。通过 能 量 换算 , 可 以得 到该 样 品 的禁 带 宽 度 E 一 3 . 3 2 e V, 这 与先前 的报道_ 3 , 4 ( 3 . 3 7 e V) 非 常
室温 下 , 在 五种 不 同的激 发 光 强度 下 我们 测 量
为 了解 该样 品光 致 发光 的激 发情 况 , 我 们 测 量 了该样 品 的激 发 光 谱 。监 测 波 长 选 择 为 4 6 6 n m, 实 验 结果 显示 其有 效 激发 峰 波 长位 于 3 7 O h m左右 , 由 此 看 出 激 发 光 谱 和 吸 收 光 谱 是 吻 合 的。 如 图 4
比较 高 , 化 学稳 定 性 也 很 好 , 材 料 来 源 亦 非 常 的 丰 富, 非常适 合 制造 紫外 光 电子器 件 。 2实验 结果 与讨 论 利用 激光 光谱 技术 对样 品的发 光特 陛进行 了研 究, 该样 品 的淬火 温度 为 7 0 0 。 C。 2 . 1吸收谱
接近 。
Z n O是一种结 构为六方 晶体结构 的半导体 材
料, 具有 光 电特 性 和压 电特 性 。 常温 下 它 的禁 带 宽 度为 3 . 3 7 e V, 是 比较 典 型 的直 接 带 隙宽 禁 带 的半 导

体材料 , 激子结合 能达到 6 0 m e V之高 , 具备 了室温 下紫 外发 光 的必 要 条 件 ¨ 】 。此 外 , Z n O 的导 电性 能

Zn取向对氧化法制备ZnO薄膜光致发光性能的影响研究

Zn取向对氧化法制备ZnO薄膜光致发光性能的影响研究
高 的 P 强 度 , 且 ( 0 ) 驱 金 属 膜 制 备 的 Z O 比 I 而 11 前 n
( 0 ) 驱 金 属 膜 制 备 的 试 样 具 有 更 高 的 P 强 度 。 02 前 I 未 完全氧化 的 Z n所 形 成 的 缺 陷 是 P 强 度 较 高 的 原 L
基 片上 制备 的薄膜 优先 生长方 向为( 0 ) 向 , 1 1方 另一 种 为( 0 ) 向 。接 着 , 两 种 Z 0 2方 将 n薄膜 暴 露 在 空气 中放 入 加热 炉 中 4 0 0 ℃保 温 3 , h 即可 制备 出 Z O 薄膜 。 n 利 用荷 兰帕 纳 科公 司生 产 的 X’ et r 射 线 P r P oX 衍 射装 置对制 备 的 Z O 薄膜 进 行 X D 分 析 , 用 场 n R 采 发射 电子 显 微 镜 J M一7 O S 6 0 F对 试 样 进行 表 面形 貌 分 析 。 同时还对 制备 的试样 分别 进 行 光 学 特性 测 量 , 分
光度 计 和铂 金 埃 尔 默 公 司 生 产 的 P r iEme ¥ 5 ekn l rL 5 荧光 分光 光 度计 进 行 了光 吸 收 谱 和 光 致 发 光 ( L 谱 P )
的测 量 。
3 结 果 与 讨 论
图 1 不 同取 向 的 Z 是 n薄 膜 和 经 4 0C氧 化 制 备 0。 的 Z O 试样 X n RD图谱 。
样 品有 较 好 的 光 致 发 光 特 性 口 Al o , i v等 人 _ v 1 不 同 在
氧分压 下 , 在各 种 基 片 上制 备 了 Z O 薄 膜 , 进 行 了 n 并 光学 和电学 测量 , 现 随着 温 度 的 升 高 以及 氧 分压 减 发 小情况 下 , 氧化薄膜 发光性 能得 到提 高 。 在 氧化法 制备 Z O薄膜 过程 中 , n 目前还 没 有前 驱 相Z n薄膜 的取 向对 制备 的 Z O 薄膜 性能 影 响 的相 关 n 研究 , 本文 中 , 者对 ( 0 ) ( 0 ) 向 的 Z 在 作 0 2 和 1 1取 n薄 膜 进行空气 中热处 理制 备 出 Z O 薄膜 , n 并研 究 了前驱 相

ZnO薄膜的制备与性能研究

ZnO薄膜的制备与性能研究

ZnO薄膜的制备与性能研究ZnO是众所周知的一种半导体材料,近年来,它的应用领域不断扩大,包括光电技术、传感器技术、气敏技术、生物技术等领域。

其具有较高的透明度、电阻率、热稳定性和高电子迁移率等优异特性,使得其在各个领域中拥有巨大市场前景。

在这些应用中,ZnO薄膜则是ZnO材料的重要组件之一。

本文主要探讨ZnO 薄膜的制备及其性能研究。

一、ZnO薄膜制备方法1.溶胶-凝胶法ZnO薄膜制备的一种常见方法为溶胶-凝胶法。

该方法主要涉及将预先制备好的ZnO溶胶放置于合适的基底上,然后通过热退火的方式完成ZnO薄膜的制备。

使用该方法,可以获得良好的薄膜质量和较大的薄膜面积,同时可以随意控制薄膜厚度。

2.物理气相沉积法物理气相沉积法是ZnO薄膜制备中最常用的方法之一。

其主要通过采用物理气相沉积设备将高温气体通入反应室,然后将蒸汽通过传输管道沉积在基底上完成ZnO薄膜的制备。

该方法具有制备ZnO晶体中空气杂质较少、晶粒精细等显著的优点。

3.MBE法MBE法是利用分子束外延设备在超高真空环境下生长晶体的方法。

该方法制备的ZnO薄膜具有非常高的晶体质量。

然而,需要难以实现的极限条件,如超高真空环境和较高的晶体表面温度。

二、ZnO薄膜性能研究1.光电性能ZnO薄膜是光学和电学交叉的半导体薄膜。

关于ZnO薄膜的光学性能,已有许多研究。

例如,有研究人员证实了ZnO条纹薄膜在光学上具有比等宽薄膜更高的透射比,这是由于条纹薄膜的形态依赖性的折射率引起的。

此外,ZnO薄膜具有优越的光电转换性能,可用于太阳能电池、传感器等领域。

2.气敏性能ZnO薄膜的气敏性能是其另一个重要的应用领域,具有广泛的市场前景。

研究表明,ZnO薄膜的气敏性能受到薄膜厚度、沉积温度和掺杂类型等多个因素的影响。

例如,掺杂ZnO薄膜的气敏性能不仅可以提高灵敏度,还可以增加电阻率等方面的特性。

3.化学性质关于ZnO薄膜的化学性质,研究人员通常需要从其表面性质、表面反应等多个方面进行分析。

ZnO薄膜发光特性的实验研究

ZnO薄膜发光特性的实验研究

司生产 的双光束 紫 外 可见 分 光 光度 计 测 得 的 , 型 其
号为 T 一9 1室 温下 , n U 10 . Z O薄膜 样 品 的 吸 收光 谱 如
图 1 示. 所
中代表 深 能级 发射 的缺 陷较 少 , 膜 的质 量 和结 晶 薄
状态都 很好 , 发光性 能有 了很大 的改善 .
47 .2 47 1 47 .O 46 .9 0 04 . 2 . 06 08 1 . 0 1 . 2 1 . 4 l l 6
1 m Vc ]V / m2
图 3 石 英 衬底 Z O 紫 外 发 光 强 度 与 a a
激发 光 强度 关 系图
14 激 发光谱 .
. I
1 实 验 结 果 与讨 论
利用激光 光 谱技 术 对 以 石 英 为 衬 底 的 Z O薄 n 膜 的发 光 特 性 进 行 了研 究 , 样 品 的淬 火 温 度 为 该
7 0℃ . 0
图 2是 激 发波 长 为 3 5n 5 / n时记 录的 室温 下 以
石 英 为衬底 的 Z O薄膜 的荧光 光谱 , 带 的 中心 位 n’ 谱 置在 3 3n 附 近 , 紫外 发 射 . 谱 中前 后 的两 个 9 / n 为 光 尖 峰是散 射 的激光信 号分别 为 3 5n 5 / 5 2n . n和 3 / 我 n
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20 0 8年 5月
第 2期
吉林 师 范大 学学报 ( 自然科 学版 ) Junl f inN r a U i r t N t a Si c d i ) ora o l o l nv sy( au l c neE i n Ji m ei r e t o

10 2 0 3 0 4 0 0 0 0 0 50 6 0 7 0 8 0 0 0 0 0

ZnO半导体薄膜的研究进展

ZnO半导体薄膜的研究进展

1 Z O半导体薄膜 的制备技术 n
ZO薄膜的制备方法多种 多样 , 以适应不 同的需 求 。传 n 可
统的方 法主要有重力沉淀法 、 电泳法等 。重力沉淀法( 简称沉淀 法) 是在液体介质 中依靠 重力作用沉 淀荧光物 质来制造荧 光屏 的方法 , 其原理是基 于胶体溶液 的形成 和破坏 。电泳方法 是利 用 直流电场使悬浮溶液 中的带 电离子包 裹住 粒子在 电性相反的 电极板 上沉积一层均匀 的薄膜 。
( olg fS in e C l eo ce c ,U nv riyo h n h ifrS in ea dTeh oo y,S a g a 0 0 3 e iest fS a g a o ce c n c n lg hnhi 09 ) 2
Absr c ta t
S v rld p st n meh d fZ O i a e ito u e , icu ig ma n to s u tr g h mia e ea e o ii t o so n fl r nr d c d n ldn g er p tei ,c e c l o m n
种 自激 活 的半 导 体 材 料 , 有 六 角 纤 锌 矿 结 构 , 带 宽 度 为 具 禁
3 2 V, . e 属于宽禁 带 直接 间隙 半导 体 。Z O 的激 子能 量 大 ( 0 n 6
Me , V) 有望在室 温下实现紫外 受激辐射 。Z O还具 有熔点 高、 n 制备简单 、 沉积温度低 等优点_ , 2 从理论上 分析 , 该具备蓝 光 ] 应
Ke r s y wo d
Z O e c n u trt i i ,I n s mi d co hn fl o m TO i ,f l miso ah d tras fm l i de s in c to emaeil,LED e

ZnO薄膜的制备及其光学性质的研究

ZnO薄膜的制备及其光学性质的研究
其次,我们研究了溅射功率对ZnO薄膜结构和光学性质的影响。通过X射 线衍射分析了ZnO薄膜的结构和结晶情况,结果表明,溅射功率分别为100W、 120W和150W条件下制备的ZnO薄膜均为c轴择优取向,增大溅射功率,有 利于提高薄膜的结晶质量。应用原子力显微镜研究了薄膜的表面形貌,分析了
山东建筑大学硕士学位论文
关键词:ZnO薄膜,射频磁控溅射,光波导,X一射线衍射,c轴取向
山东建筑大学硕士学位论文
Preparation and Investigation of Optical Properties of ZnO Films
ABSTRACT
Zinc oxide(ZnO)is an important II-IV compound semiconductor with a wide direct band gap of 3.3eV at room temperature and a large excitation binding enery of 60meV.ZnO films have many realized and potential applications in many fields, such as surface acoustic wave devices,transparent electrodes,ultraviolet photodetectors,light emitting diodes,piezoelectric devices,gas sensors and planar optical waveguides,etc,due to their excellent optical and piezoelectric properties.In recent years,with widespread developing in short wavelength luminescent devices,

ZnO薄膜近带边紫外发光的研究

ZnO薄膜近带边紫外发光的研究

lsrdp s i P D)me o n s gZ O crmi t gt srsuc ae a.T ep o lm — ae eoio t n( L t dad ui n ea c a e a eo rem tr 1 h h t u i h n r i o
n se c P ee n e( L)oii fte Z O ti l s dsu sd i eald L se tu o n hn r n o h n hn f mswa ic se n d ti .P p cr m fZ O ti g i e
(1 colfMaea c ne S eze nvrt;Seze e aoaoyo .Sh o o t il i c, hnhn U i sy hnhnK yL brt r Se ei rf
S e i lFu c in lMa ei l ,S e z e 8 6 p ca n to a tr s a h n h n 51 0 0,C i a; hn
¥Co rs o d n t o .E— i :y u@ S U e u c rep n i g Au h r ma l ml Z .d . n
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
A b t a t:Hi h oi n ae n p d Zn t i l s we e p e a e n c A1O3s b tae y p le sr c g re tt d u do e O h n f m r r p r d o - 2 u sr ts b u s d i
b n tao n . 0 V ( a d A a ru d3 3 9 e T=1 0 K)c n b lal b ev d w t n ra ei e eaueu o a e ce r o s re i ice s n tmp rtr p t y h

zno发光特点

zno发光特点

ZnO发光特点1. 引言ZnO(氧化锌)是一种广泛研究的半导体材料,具有良好的电子传导性和光学性能。

由于其特殊的晶格结构和能带结构,ZnO能够发出可见光和紫外光,具有较高的光致发光性能。

本文将探讨ZnO的发光特点和相关性质。

2. ZnO晶格结构2.1. 六方晶系结构ZnO晶体结构属于六方晶系,具有紧密堆积的排列方式。

它的晶格常数为a=b≠c,晶格中的Zn和O离子通过共价键和离子键相互连接,形成稳定的结构。

3. ZnO能带结构3.1. 能带理论根据能带理论,ZnO晶体具有导带和价带。

导带是一系列能量较高的电子轨道,而价带是一系列能量较低的电子轨道。

能带之间的能隙决定了材料的电子传导和光学性质。

3.2. ZnO的带隙结构ZnO的能带结构非常有趣,具有大约3.37eV的直接带隙。

这意味着当外部能量激发ZnO晶体时,电子可以直接跃迁到导带中,从而产生发光现象。

4. ZnO的发光机制4.1. 缺陷相关发光ZnO晶体中的缺陷可以导致光致发光。

具体来说,氧空位和氧空位相关的缺陷在激发时会产生电荷载流子,从而引发发光现象。

这种发光被称为紫外发光,其波长通常在380-400nm之间。

4.2. 缺陷复合发光除了缺陷相关发光外,ZnO还可以通过掺杂和复合过程发出可见光。

通过控制掺杂材料的种类和浓度,可以实现可见光的发射。

例如,镍离子的掺杂可以产生蓝色发光,铜离子的掺杂可以产生绿色发光。

5. ZnO发光应用5.1. 发光二极管ZnO作为半导体材料,被广泛应用于发光二极管(LED)的制造。

通过合理设计LED 结构和掺杂材料,可以实现高亮度、高效率的发光效果。

ZnO发光二极管具有低成本、高稳定性和可调控性等优点,在照明和显示领域有着广阔的应用前景。

5.2. 激光器ZnO晶体还可以用于激光器的制造。

在控制紫外光激光器的工作条件下,可以获得高纯度的紫外光输出。

这对于生物医学、信息存储和材料加工等领域具有重要意义。

5.3. 光催化由于ZnO具有较高的光致发光性能,它在光催化领域也有着广泛的应用。

ZnO薄膜的光电性能及应用

ZnO薄膜的光电性能及应用

ZnO薄膜的应用
压电传感器
所示ZnO压电薄膜表面 微机械传感器示意图。这种 新结构的器件既充分发挥了 表面微机械加工技术的优点, 又可利用ZnO材料的多功能 特性,与用体微机械技术制 作的集成化ZnO器件相比,可 大大简化其制作工艺和减小 器件尺寸,为研制集成ZnO薄 膜器件提供了一种有效的手 段。
空穴旋转,与氢原子类似。
ZnO的光致发光谱通常有紫外发射带和可见光发射带。紫外发射
带是来自于近带边的发射,是由于激子的复合。可见光发射带通常
与缺陷或杂质有关的深能级有关。
ZnO薄膜简介
ZnO薄膜主要用于太阳能电池,它与之前所 用的氧化铟锡( ITO) 和二氧化锡透明导电薄膜 相比,具有生产成本低,无毒,稳定性高( 特 别是在氢等离子体中) , 对促进廉价太阳电池 的发展具有重要意义 。
ZnO薄膜的应用
湿度传感器
右图为ZnO薄膜湿 度传感器的结构示意 图。它是在陶瓷、玻 璃等绝缘基片上形成 一对叉指的检测电极, 再在叉指电极上部覆 盖用作湿敏元件的 ZnO薄膜。
ZnO薄膜湿度传感器的结构
ZnO薄膜的应用
ZnO镀膜光纤传感器
右图所示为ZnO镀膜 光纤传感器的几何结构, 其中的压电层为氧化锌 镀膜层,当内电极层和 外电极层之间的电压发 生变化时,光纤内产生 振荡声波,使得光纤的 折射率改变,在有光信 号通过时,其相位发生 变化,其本质是一种声 光谐振器。
ZnO薄膜的光电性质
纯净的理想化学配比的ZnO由于带隙较宽,是绝缘体,而不是 半导体,但是由于本身的缺陷,如氧空位、锌填隙等施主缺陷,使 其常常表现出N型导电。 在ZnO晶体的空位形成过程中,由于形成氧空位所需的能量比形 成锌空位所需的能量小,因此,在室温下ZnO材料通常是氧空位, 而不是锌空位。而氧空位产生了2价施主,使其表现出N型导电。同 时根据自补偿原理,氧空位的浓度和氧填隙的浓度之积是常数,当 氧空位的浓度很大时,氧填隙的浓度很小。锌空位的浓度较小,而 锌填隙的浓度则较大,因此,当在ZnO的晶体中氧空位占主导时, 表现出N型导电。

激光分子束外延ZnO薄膜的缺陷发光研究

激光分子束外延ZnO薄膜的缺陷发光研究

后通人纯度为 9 .9 %的高纯氧 , 9 99 氧压分别为 5 0 。1 1 和 3 a衬底在超声波 中用丙酮和无水 ×1 。、 、0 0P .
乙醇分别 清洗 1小 时 , 出 后 用 去 离 子 水 冲洗 干 净 , 后 用 高 纯 氮 气 吹 干 . 验 用 激 光 来 自于 德 国 取 最 实 Lmba 司生产 的 Kr a d公 F准分 子激 光器 , 波长 为 2 8n 脉宽 为 2 s脉 冲重 复 频率 为 5Hz脉 冲能量 4 m, 0n, , 为 2 0m . 0 J激光 束经 聚焦 后 以 4 。 射到 锌靶 上 . 积 时间为 1h 等样 品冷 却 至室 温后取 出 . 5照 沉 , 利用 德 国 B u e公 司 D vne型 X射线 粉末 衍射 仪 ( )C rkr 8Adac Ⅺ ( uKa辐 射 波长 0 140 n .5 6m)测
收稿 日期 :0 0 1 4 2 1 —0 —0
基金项 目 : 山东省 中青年科学 家项 目( .0 8 S 4 3 ) 山东省 教育 厅科技计 划资助项 目( o J8 I3 , 城大学 No2 0 B 0 0 6 ; N .0 L I )聊
中 图 分 类 号 : 4 2 3 0 8 . 0 7 .; 44 4 文献标识码 : A
Z O薄膜是 一种 用 途 十分 广 泛 的 纳 米 材 料 , 以被 用 来 做成 发 光器 件 、 电器 件 、 明 导 电 材 料 n 可 压 透 等, 特别 是 Z O薄膜 在 光学 方 面 的应用 更是倍 受 关 注 . n 目前 , 研究 重 点主要 集 中在光 致 发光 现 象及 不 同 缺 陷对发 光 的影 响u . 于 深 能级 发光 , 在很 多种 解 释 . ige 和 G acs j对 存 Dn l rrer 等人 认 为绿 色 深 能 级 发光来 源于铜 杂质 ;tdnkn等 人 观 察 到 发 光 中心 在 2 4 V 的 宽 绿 光 激 发 , 认 为来 源 于 氧 空 Su eii 8 .3e 并 位[1; 90 而有 的研 究认 为 绿色 深 能级发 射 来源 于氧 占位 …]锌空 位 和 氧替 锌位 )O g r4等人 的 研 ’] 、 . zO[] 1 究结果 表 明来 源 于不 同缺 陷 的深 能级 发光具 有 类似 的发光 中心位 置 . 上述 的研 究 是通 过 发 光 中心 的 位 置判定其 缺 陷原 因 , 而揭 示 薄膜 的发 光机 理 . 进 而薄膜 晶粒 尺寸 和 内部应 力会 对缺 陷发 光位 置有 明显 的 影响, 因此仅从 发光 位 置来 判 断缺 陷存 在着 一定 的局 限性 . 本文 在制 备 Z O 薄膜 时 , 过控 制 不 同氧压 n 通 得 到不 同 的缺 陷 , 究 了缺 陷对 薄 膜发 光 的影 响 , 时研 究 了 Z O 薄膜 在 低 温 下缺 陷 的变 化 以及 对 发 研 同 n 光特性 的影 响 , 图揭 示 Z O 薄膜 的发 光机 理 . 试 n

磁控溅射制备ZnO薄膜的结构及发光特性研究

磁控溅射制备ZnO薄膜的结构及发光特性研究



采用射频反 应磁 控溅射法在 玻璃衬 底上制 备 出具有 C 高择优 取 向的 Z O薄膜 ,利 用 X射 线衍 轴 n
射、 扫描探针显微镜及荧光分光光度法研究了生长温度对 Z O薄膜微 观结构及 光致发光特性 的影响 。结果 n
表明 , 合适 的衬底温度有利于提高 Z O薄膜 的结 晶质量 ;在室温下 测量样 品的光 致发光谱 ( L ,观察到波 n P)
引 言
随着信息领域科学技术 的飞速发展 ,对蓝光 和紫 外光波 段器件 、 技术和材料 的要求越来越迫 切。人们 不断寻 找适 合
响薄膜质量 的主要工艺参数 以及保证制备 工艺 的稳定 性。由 于反应溅射现象相 当复杂 ,目前 尚无完 整的溅射理论 可 以用
来分析溅射现 象 ,多数 学者 一般 是 通过 分析 薄 膜 的微 观状 态 、 能与工艺参数 之间的关 系探索最 佳生长 条件 ,但缺乏 性 比较系统 的研究[ 1 。在众多工艺参数 中,我们发现衬底温度
的 发 光特 性 具 有 十分 重 要 的 意义 。
1 实

到 目前 为止 ,Z O薄膜可见光发射 的来源仍存在 较大争 n 议L ] 6 ,已有 的研究表 明氧空位 ( _ 、锌空位 ( ) 锌 填隙 V0 ) V 、 ( I) Zl 等薄膜 内部 的本 征缺陷对 Z O薄膜 的可见 光发射 有着 i n 重要 影响 , 但影响本征缺陷种类和浓度的因素则存在 着多种 推测 , 如结 晶质量和化学计量 比等[ ,具体 的发 光机理有 待 7 ] 更深入 的研究 。目前 ,已经有大量关 于用不 同方 法在各种 衬 底上 生长 Z O薄膜方面的报道 _ ] n 7 ,利用反应 磁控溅射 法 “
证。
关键词

ZnO发光机理

ZnO发光机理

氧化锌的能带隙和激子束缚能较大,透明度高,有优异的常温发光性能,在半导体领域的液晶显示器、薄膜晶体管、发光二极管等产品中均有应用。

此外,微颗粒的氧化锌作为一种纳米材料也开始在相关领域发挥作用。

在纯净的ZnO薄膜材料中,电子和空穴能形成激子,激子的束缚能约为60 meV,激子的复合能发射出窄的谱线。

激子复合发光包括自由激子复合发光、束缚激子发光、激子-激子碰撞发光,还有声子参与的激子发光以及电子-空穴等离子体复合受激发光等情况。

2.带间跃迁发光在非平衡状态下,导带的电子跃迁到价带和和价带的空穴复合产生带间跃迁发光。

由于氧化锌材料室温下的禁带宽度高达 3.37 eV,其带间跃迁引起的发光波长都在375 nm以下,处在紫外光波段上。

ZnO是直接带隙半导体,具有相同k值的电子态之间的跃迁,其动量守恒,因此其发光效率比间接带隙半导体要高。

3.能带与缺陷能级之间的电子跃迁发光。

掺杂ZnO薄膜发光特性的研究进展

掺杂ZnO薄膜发光特性的研究进展
性 能 ,发 现在 5 0C 片 温度 下 制备 的 薄膜 具有 较 0  ̄基 强的 P L发射 峰 和较 窄 的半 高 宽 。J nZ u等[ 研 u o 2 1 人 究 了用 P D法 在 LA O (0 ) 片上 制 备 的 Z O薄 L i I 0基 1 n 膜 的性 能, 发现 在 5 0C 片温度 下制 备 的薄 膜具 有 5  ̄基 好 的结 构性 能和较 强 的 P L发 射性 能 。另外 , 随着 基 片温 度 的升高 ,基 片 中 的 I 扩散 到 Z O 薄膜 中。 J i n 从
制 备 及其 发光 特 性 。

1 9 1・
张爱 民 : 杂Z O薄膜发 光特性 的研 究进展 掺 n
杂质 形成 的局 域能级 。
新 的短波 长半 导体材 料 的研究 热点[ Z O激子束 缚 3 n 1 。 能高 达 6 me 在 室 温下 即 可产 生 基 于激 子 复合 的 0 V,
激光 发射 行为 。关 于 紫外 发光 机理 。人们 认 为是 由 Z O 的近带 边跃 迁产 生 发光, n 即激 子复 合发 光 。对 于 4 3 m 附近 的紫 光发 射峰 和 4 6a 3n 6 m处 蓝光 发 射 峰发 光 机理 , 目前 尚未 统一认 识 。对于蓝 色发 光峰 , 孙 成 伟 等人 认 为 可 见 光 区f1 . 0 a ) 4 56 m 的发光 主要 2 由薄 膜 中的缺 陷浓度 所决 定 。通常认 为 Z O的可见 n 荧 光 主要 来 源 于 0空 位 、n空 位 、 Z O填 隙 、 n填 隙 z 和 0错 位 等 内部 缺 陷 , 对 此仍 存 争论 。Z O发 光 但 n 的谱 线 范 围十 分丰 富 , 括红 、 、 、 、 、 、 包 橙 黄 绿 蓝 紫 紫

微纳结构ZnO荧光薄膜的电沉积及其物理特性研究

微纳结构ZnO荧光薄膜的电沉积及其物理特性研究
r o t mp r t r h t l mi e e c p c r m a u e y t eFl o o x P f o o t y o m e e a u e p o o u n s n e s e tu i me s r d b h u r ma - l r me r .Th e lw- r e miso s u ey l o g e ne s in p a c t d a 5 n i b e v d e k l a e t5 0 m o s r e .Th c a im ft e y l w- r e miso u g s e h tt e y l w- r e — o s e me h n s o h e l g e n e s in i s g e t d t a h e l g e n l o s o u m i e c n e p a rg n t sf o o y e t r tt ld f c s n s e e e k o i i a e r m x g n i e s ii e e t .Th i r n e ld i a u a 0  ̄ ,a d t e s r c n a e fl a ea n ae n v c m t5 0 C ms n h tu — t r n o d c i iy a e i p o e fe n e l g u ea dc n u t t r v m r v d a t r a n ai .Be i e ,t e e t c e l mi e e c ft e fl i l o o s r e . n sd s h a h ) -u n c n e o h i d m Sa s b e v d Ke r s y wo d e e to e o i o l c r d p st n,zn x d h n fl ,a n a ig,p o o u n s n e s e t u i i co i e t i i m n el n b t l mi e e c p c r m

ZnO材料的性质及其薄膜研究现状

ZnO材料的性质及其薄膜研究现状

ZnO材料的性质及其薄膜研究现状【摘要】近几年,ZnO作为宽禁带半导体受到人們越来越多的重视。

和目前最成功的宽禁带半导体材料GaN相比,ZnO具有很多优点。

本文综述了ZnO材料的主要性质,并深入探讨了ZnO薄膜的研究现状。

【关键词】ZnO薄膜;应用近几年,由于短波长激光二极管LD激光器在信息领域具有很大的应用前景,人们对宽禁带半导体的研究产生了极大的兴趣。

目前已经制造出GaN和ZnSe基的蓝光发光二极管和激光器。

蓝色发光器件的研制成功,使得全色显示成为可能,而且可以制作出高亮度和高效率的白光发射器件。

用GaN制造的蓝光激光器可代替GaA红外激光器,使光盘的光信息存储密度大大提高,这将极大的推动信息技术的发展。

但这些蓝光材料也有明显的不足,ZnSe激光器在受激发射时容易因温度升高而造成缺陷的大量增殖,所以寿命很短,而GaN材料的制备需要昂贵的设备,缺少合适的衬底材料,薄膜需要在高温下生长,难度较大,找到性质与之相近的发光材料,并克服GaN材料的不足,这个工作具有十分重要的意义。

ZnO材料无论是在晶格结构,晶格常数还是在禁带宽度上都与GaN很相似,对衬底没有苛刻的要求而且很容易成膜。

同时ZnO材料在室温下具有高的激子束缚能约60meV,在室温下激子不会被电离可以获得有效地激子发射。

这将大大降低室温下的激射域值。

目前国内外关于ZnO材料的研究正蓬勃发展,覆盖面十分广阔。

本文综述了ZnO材料的主要性质,并深入探讨了ZnO薄膜的研究现状。

一、ZnO的性质1、ZnO薄膜的光电性质ZnO是一种宽禁带的n型半导体材料,具有优良的光电性质。

其光电性质与化学组成、能带结构、氧空位数量及结晶程度密切相关[1]。

在适当的制备条件及掺杂下,ZnO薄膜表现出很好的低阻特征。

B.Joeph等人[2]利用化学喷雾沉积法在沉积温度为450℃及真空煅烧的条件下,制得厚度为175nm的未掺杂ZnO薄膜的电阻率仅为3某10-3Ωm,而T.Schuler等以ol-gel法制备的厚度为174nm的掺Al等杂质的ZnO的电阻率也仅为5某10-3Ωm。

Zno和Zns光学薄膜性能的研究对比重点内容

Zno和Zns光学薄膜性能的研究对比重点内容

一.本课题的意义锌基Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体是一类重要的直接宽带隙半导体,ZnO和ZnS是其中的代表。

氧化锌的禁带宽度为3.37eV,硫化锌的禁带宽度则可达3.7eV。

与其它重要的宽带隙半导体(如氮化稼25meV)相比,它们具有较大的激子束缚能(ZnO~60meV,ZnS~38meV),远高于室温下的热能(26meV),是制作紫外/蓝光发光器件的理想材料[1]。

ZnO易于制成各种形貌的纳米结构,尤其是一维纳米结构,如纳米棒、纳米带、纳米管、纳米线和纳米弹簧等。

在薄膜晶体管的制作中,ZnO也有很好的应用。

同时,通过控制掺杂水平,可以使ZnO的电学性质实现从绝缘体到n型半导体到导体的转变而保持器光学透过性不变,使得ZnO非常适合做平板显示器或太阳电池的透明电极[2]。

另外,ZnO还是一种极有前途的自选电子器件候选材料。

ZnS是人们最早发现的半导体材料之一。

因其带隙宽、化学稳定性好、无毒环保、成本低等特点,硫化锌在光催化、光敏电阻、电/光致发光、非线性光学器件、传感器及注入激光中有着广泛应用。

它在可见光到远红外波段有着优良的透过性,加之其良好的化学、热血稳定性,使得ZnS成为光学窗口的首选材料之一。

随着技术的突破,ZnO和ZnS在光电器件、大功率、高温电子器件等方面展现出越来越巨大的潜力,成为新型光显示、光存储、光照明、激光打印、光探测器件以及医疗和军事等领域应用中的关键材料,因此研究ZnO和ZnS光学薄膜性能具有重要的实践意义和研究价值。

二.国内外状况早在上世纪六十年代,ZnO材料就已被观察到具有紫外受激辐射现象,到1996年ZnO 微晶薄膜获得了紫外激光的输出,ZnO才又重新引起了人们的注意。

1997年,美国《科学》杂志发表了题为“Will UV Laser Beat the Blues?”文章,称ZnO薄膜紫外发光发射研究见是一项伟大的工程[3]。

ZnO薄膜在发光领域的应用研究得到了广泛的重视,浙江大学季振国等人在石英玻璃衬底上制备出C轴择优生长取向的ZnO薄膜中科大在ZnO外延层和衬底上生长Zn缓冲层,获得了择优取向的ZnO薄膜,山东大学制备出了具有快速紫外光响应的六角密排结构的ZnO薄膜[4]。

ZnO中本征缺陷和掺杂与发光的关系及其作用机理

ZnO中本征缺陷和掺杂与发光的关系及其作用机理

ZnO中本征缺陷和掺杂与发光的关系及其作用机理一、本文概述氧化锌(ZnO)作为一种宽禁带直接带隙半导体材料,因其独特的物理和化学性质,在发光二极管、太阳能电池、透明导电薄膜、气体传感器等领域具有广泛的应用前景。

然而,ZnO中本征缺陷和掺杂的存在对其性能产生了显著影响。

因此,深入研究ZnO中本征缺陷和掺杂与发光的关系及其作用机理,对于优化ZnO基器件的性能和推动相关领域的科技进步具有重要意义。

本文旨在全面综述ZnO中本征缺陷和掺杂与发光的关系及其作用机理。

我们将介绍ZnO的基本性质和制备方法,为后续研究奠定基础。

接着,我们将详细分析ZnO中的本征缺陷类型及其对发光性能的影响,包括氧空位、锌空位、锌间隙原子等。

在此基础上,我们将进一步探讨掺杂元素对ZnO发光性能的影响,包括掺杂类型、掺杂浓度等因素。

我们将总结ZnO中本征缺陷和掺杂的作用机理,并提出未来研究方向和潜在应用。

通过本文的综述,我们期望能够为相关领域的研究人员提供有益的参考和启示,推动ZnO基器件的性能优化和科技进步。

二、ZnO的本征缺陷与发光ZnO作为一种宽禁带半导体材料,其本征缺陷在发光性质中起着至关重要的作用。

ZnO的本征缺陷主要包括锌间隙原子(Zn_i)、氧空位(V_O)、锌空位(V_Zn)以及反位缺陷(O_Zn和Zn_O)等。

这些缺陷的存在不仅影响了ZnO的电子结构,还在很大程度上决定了其发光性质。

锌间隙原子(Zn_i)和氧空位(V_O)作为施主型缺陷,它们可以在ZnO的导带中引入额外的电子,从而改变其电子浓度和费米能级位置。

这种电子浓度的变化会进一步影响ZnO的光致发光(PL)性质,导致可见光波段的发光增强。

锌空位(V_Zn)和反位缺陷(O_Zn和Zn_O)通常作为受主型缺陷存在,它们可以在价带中引入空穴。

这些空穴与导带中的电子复合时,会释放出能量,表现为发光现象。

特别是深能级缺陷,如锌空位和反位缺陷,它们的发光通常位于近红外或红外波段,对于ZnO在光电器件中的应用具有重要意义。

射频磁控溅射法生长p型氧化锌(ZnO)薄膜及特性研究

射频磁控溅射法生长p型氧化锌(ZnO)薄膜及特性研究

射频磁控溅射法生长p型氧化锌(ZnO)薄膜及特性研究王鹏ZnO是一种II-VI族直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,拥有较高的激子束缚能(~60meV)。

是制造蓝光、紫光甚至紫外光发光器件的理想材料。

最近,ZnO薄膜的p型掺杂成为研究的热点。

目前,p型ZnO虽已有大量的报道,但是其重复性和性能还不理想。

而且,受主杂质在ZnO中的形成机理还不清楚。

这些都制约着ZnO基短波长光电器件的实现。

本工作采用射频磁控溅射方法,以五氧化二磷(P2O5)粉末作为磷源按一定比例与ZnO粉末混合制成溅射靶材,在Si(111)衬底上溅射生长磷(P)掺杂的ZnO薄膜材料。

研究了在750℃原位退火处理过程中,不同的氧气压强对样品的电学特性的影响。

室温下的霍尔测试表明:样品在没有氧气的情况下进行退火处理后,表现为n型导电类型,电子浓度为~1017cm-3。

当氧气作为退火气氛,压强在1.3×10-3~3.9×10-3Pa时,样品转变为p型导电类型。

空穴浓度为1016~1017cm-3,载流子迁移率为4~13cm2/Vs。

当退火过程中采用更高的氧气压强时(5.2×10-3、6.5×10-3Pa),样品的导电类型又转变为n型。

并且电子浓度随着氧气压强的增强而升高。

我们的实验结果表明:原位退火过程中是否通入氧气,以及氧气的压强大小对P掺杂的ZnO薄膜的导电性有重要的影响。

在退火温度一定的情况下,一定压强范围内的氧气作为退火气氛能够实现ZnO薄膜的p型掺杂。

另外,我们还对P杂质在ZnO中的存在状态进行了简单的讨论。

认为P在ZnO中有可能存在P Zn(施主)和P O(受主)两种状态,其导电类型是这两种杂质竞争作用的结果,并且退火过程中氧气的多少对这两种杂质的多少有重要影响。

由于衬底为n型的Si,与p型ZnO薄膜形成了异质p-n结结构。

于是我们测量了该结构的I-V特性。

结果表现具有明显的整流特性。

退火温度对ZnO薄膜结构和发光特性的影响

退火温度对ZnO薄膜结构和发光特性的影响

退火温度对Z nO 薄膜结构和发光特性的影响3孙成伟 刘志文 张庆瑜(大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连 116024)(2005年4月28日收到;2005年6月6日收到修改稿) 采用反应射频磁控溅射法在S i (100)基片上制备了高c 轴择优取向的ZnO 薄膜,研究了退火温度对ZnO 薄膜的晶粒尺度、应力状态、成分和发光光谱的影响,探讨了ZnO 薄膜的紫外发光光谱和可见发光光谱与薄膜的微观状态之间的关系.研究结果显示,在600—1000℃退火温度范围内,退火对薄膜的织构取向的影响较小,但薄膜的应力状态和成分有比较明显的变化.室温下光致发光光谱分析发现,薄膜的近紫外光谱特征与薄膜的晶粒尺度和缺陷状态之间存在着明显的对应关系;而近紫外光谱随退火温度升高所呈现的整体峰位红移是各激子峰相对比例变化的结果.此外,研究结果显示,薄膜的可见发光光谱对退火温度极为敏感.关键词:ZnO 薄膜,退火,光致发光,射频反应磁控溅射,可见光发射PACC :6855,7840,78553国家自然科学基金(批准号:50240420656)资助的课题. E 2mail :qyzhang @11引言氧化锌作为新一代的宽带半导体,具有广泛的应用,如ZnO 薄膜可以制成表面声波谐振器[1],压电器件[2],G aN 蓝光薄膜的过渡层[3]以及太阳能电池的透明导电膜和过渡层[4]等.ZnO 具有纤锌矿晶体结构,禁带宽度为3137eV ,激子束缚能为60meV ,可以实现室温下的激子发射.自从1997年T ang 等人[5]报道了ZnO 薄膜的光抽运近紫外受激发射现象以后,ZnO 再次成为当今半导体材料研究领域的热点.目前,已经有大量关于用不同方法在各种衬底上生长ZnO 薄膜方面的报道[6—10],研究的重点主要是ZnO 薄膜的光致发光现象.ZnO 薄膜的光致发光光谱(P L )一般包含两部分:近紫外光谱和可见光发光带.对于近紫外发射,大多数都认为其来源于自由激子跃迁[12—15],而对于可见光的发射一般认为是由薄膜内部本征缺陷造成的[6,16—18],包括氧空位,锌空位,锌填隙,氧填隙和氧错位,但影响本征缺陷种类和浓度的因素则存在着多种推测,如结晶质量和化学剂量比等.还有人认为可见光的发射与杂质Cu有关[19],但具体的发光机理还无定论.本文采用反应射频磁控溅射方法在硅衬底上成功制备了高c 轴择优取向的氧化锌薄膜.研究了薄膜的微观结构、晶粒尺度、应力状态和薄膜成分随退火温度的变化规律,并对不同温度退火后的紫外发射光谱和可见光光谱解谱分析.本文的研究目的是探讨薄膜的结晶状态、缺陷状态和薄膜成分等因素对光致荧光的影响.21实验 ZnO 薄膜的制备是在J G PG 2450型超高真空磁控溅射设备上采用射频反应溅射方式完成的.磁控溅射靶是直径为60mm 的金属锌靶,纯度优于99199%.反应溅射的气体为纯度优于99199%的Ar和O 2混合气体,Ar 和O 2表观质量流量分别为20sccm 和19sccm.ZnO 薄膜的生长基片为n 型(100)取向的单晶Si 片,厚度为420μm ,电阻率2—4ΩΠcm.溅射前对基片Si 进行处理,方法为将Si 片放入丙酮、乙醇、去离子水中各超声波清洗5min ;在H 2S O 4+H 3PO 4(体积比=3∶1)的溶液中浸泡20h ;用5%的HF 酸腐刻2min ,去离子水冲洗后N 2气吹干快速放入真空室.基片与溅射靶的间距为70mm ,射频溅射第55卷第1期2006年1月100023290Π2006Π55(01)Π0430207物 理 学 报ACT A PHY SIC A SI NIC AV ol.55,N o.1,January ,2006ν2006Chin.Phys.S oc.功率为100W ,衬底温度为750℃,沉积时间2h ,沉积的薄膜厚度约为400nm.在薄膜的制备过程中,本底真空为410×10-4Pa ,工作气压为015Pa ,基片台以418°Πs 自转以保证沉积薄膜的均匀性.沉积的ZnO 薄膜在空气环境中进行了不同温度的退火处理.退火温度范围为600—1000℃,退火时间为2h.退火后的样品自然冷却至室温.薄膜的结构表征主要采用X 射线衍射(XRD )分析和高分辨透射电子显微镜(HRTE M )观察.XRD 是在D ΠM AX 22400衍射分析仪(Cu K α,λ=0115418nm )上进行的.HRTE M 观察是在Philips T ecnai F30上进行的.此外,还利用电子探针(EPM A 21600)对不同退火温度下的薄膜成分进行了分析.光致发光光谱测量是在室温下完成的,采用He 2Cd 激光器作为激发源,激光波长为325nm ,发光光谱波长范围为350—750nm.利用Peak Fitting M odule 710软件对光致发光光谱进行拟合分析处理.图3 未退火样品横截面的(a )透射电镜照片和(b )高分辨透射电镜照片31结果与分析3111结构与成分分析 图1是未退火和经900℃退火2h 的ZnO 薄膜典型的XRD 谱.从图中可以看出,无论是未退火的样品还是退火后的样品均只有ZnO 的(002)和(004)衍射峰,表明薄膜具有良好的c 轴取向.我们发现在600—1000℃范围内,退火温度对ZnO 薄膜的晶体取向基本没有影响,不同退火温度下的XRD 谱均只有ZnO 的(002)和(004)衍射峰.但是仔细分析发现:不同退火温度下ZnO 薄膜的XRD 半峰宽(FWH M )略有不同,薄膜退火后的(002)衍射峰的FWH M (最小0117°)均小于未退火薄膜(0123°),这说明退火改善了ZnO 薄膜的结晶质量.为了进一步分析退火对结图1 退火前后ZnO 薄膜的XRD 谱图2 晶粒尺寸及应力随退火温度变化关系晶质量的影响,我们利用Sherrer 公式[11]对ZnO 薄膜的晶粒进行了简单估算.图2是通过Sherrer 公式计算的晶粒尺寸随退火温度的变化关系.从图中可以看出,在900℃退火温度以下,薄膜的晶粒尺寸随退火温度增加而单调上升.说明在退火温度低于900℃时,随退火温度的升高,薄膜的结晶性能略有改善.当温度高于900℃时,(002)峰的FWH M 有所宽化,说明薄膜的结晶质量可能变差.1341期孙成伟等:退火温度对ZnO 薄膜结构和发光特性的影响为了确认Sherrer公式估算的可靠性和进一步了解ZnO薄膜的结晶性能,我们利用电子显微镜对ZnO薄膜进行了截面分析.图3(a)和(b)分别给出了未退火样品截面的透射电镜照片和高分辨透射电镜照片.从图3(a)可以看到,从界面到表面的绝大部分区域内,ZnO薄膜呈现柱状晶结构,柱状晶的直径在30nm左右,与Sherrer公式估算的结果基本一致.同时,图3(b)的HRTE M像显示,ZnO薄膜在膜基界面处已经相当完整,柱状晶ZnO与Si基体之间的界面很窄,过渡层在3nm左右.根据电子显微镜分析结果,我们认为,ZnO晶粒尺度随退火温度变化幅度较小的原因主要与薄膜高c轴取向的柱状晶结构有关.我们对ZnO薄膜的平面电子显微镜观察发现,沉积温度为750℃时的ZnO薄膜尽管呈高c轴取向,但柱状晶之间的平面取向关系是随机分布的.因此,在薄膜的退火过程中,柱状晶之间的合并长大相对比较困难,退火只能导致局域调整晶粒之间的界面状态和薄膜与基体界面附近的成核区域的晶粒尺寸.通过对XRD谱进行仔细分析发现,退火导致ZnO薄膜的衍射峰发生了一定的位移,说明薄膜的c轴晶格常数发生了变化.晶格常数的变化在一定程度上反映了薄膜的应力状况,为此,我们根据下面的薄膜应力公式对ZnO薄膜的应力进行了估计[20]:σ=2c213-c33(c11+c12)2c13c-c0c0=-233c-c0c0(GPa),(1)式中c11,c12,c13,c33为ZnO晶体的弹性常数,其中c11=20818G Pa,c33=21318G Pa,c12=11917G Pa,c13 =10412G Pa;c和c0分别是ZnO薄膜和完整晶体c 轴的点阵常数.利用(1)式计算的薄膜应力随退火温度的变化如图2所示.从图中可以看到,在退火温度低于900℃时,ZnO薄膜中一直呈拉应力,且在数值上变化不大;当退火温度升至1000℃时,ZnO薄膜中的应力状态由拉应力变为压应力,且在数值上发生较大变化.为了了解退火对薄膜成分的影响、揭示导致薄膜应力状态变化的原因,我们利用电子探针对不同退火温度的薄膜进行了成分分析.图4是电子探针给出的ZnO薄膜中ZnΠO原子数比随退火温度的变化关系.需要指出的是尽管电子探针对轻元素的定量存在一定的偏差,特别是对导电性能较差的样品图4 Zn,O原子数比随退火温度的变化关系定量不是很准确,但是电子探针的分析结果还是可以在一定程度上反映薄膜成分的变化趋势.从图中可以看出,退火温度高于600℃时,ZnΠO原子数比随退火温度升高有比较明显的下降.结合薄膜应力随退火温度的变化规律,我们认为,高温退火可能导致空气中的O向ZnO薄膜中扩散,形成O填隙原子,从而导致O含量的增加,缓解薄膜的拉应力;当温度达到1000℃时,过多的O填隙原子导致薄膜应力状态从拉应力转变成压应力.同时,我们注意到,薄膜成分的变化与薄膜应力的变化并不完全一致,说明在薄膜O含量增加的同时,可能存在着晶格上的氧离子和锌离子离位现象,即原子脱离晶格位置形成空位和填隙原子,从而导致1000℃时填隙原子的激增,进而使得薄膜应力状态发生了显著变化.3121光致发光特性 我们利用325nm He2Cd激光器作激发源,研究了350—750nm波长范围内的光致发光光谱.我们发现,未退火处理和退火后的ZnO薄膜均具有紫外发光,在退火温度为900℃时紫外发光最强.与紫外发光不同,ZnO薄膜的可见发光带(415—620nm)与退火温度之间有着明显的依赖关系.我们只在800℃和900℃两个退火温度下观察到了可见光发光,而且800℃退火的样品的可见光发光远远强于900℃退火的样品.图5是几个典型温度条件下的紫外发光光谱,从图中可以看出,光谱呈多峰特征,并且随退火温度的增加发光谱变得复杂.为了进一步了解紫外发光机理,我们对近紫外发光光谱进行了分峰处理,如图5所示.从分峰结果上看,未退火样品只有3128eV, 3122eV和3119eV三个发光峰.随退火温度增加,又出现了3116eV和3109eV的发光峰.同时,我们注234物 理 学 报55卷意到3128eV 的发光峰与3122eV 的发光峰强度比随退火温度的增加而下降,而3116eV 和3122eV 的强度比随退火温度的增加而增加,因此,紫外发光谱随退火温度的提高所出现的整体红移现象实际上是各紫外峰之间的相对强度变化的结果.此外,我们注意到,在1000℃时,各紫外发光峰的峰位均出现约0101eV 的蓝移.目前,人们对室温下ZnO 薄膜的紫外发光机理主要持两种观点.一种观点认为:ZnO 的紫外发光是ZnO 中自由激子(FX )的贡献[5,21,22]以及单光学声子辅助自由激子跃迁(FX 2LO )和双光学声子辅助自由激子跃迁(FX 22LO ).另一种观点认为:室温下ZnO 的紫外发光是束缚在杂质和缺陷产生的局域态上激子的贡献[23,24].Hamby 等人[22]的实验结果表明缺陷产生的局域态对激子的束缚能量在10—20meV 之间,因此室温下很难观测到束缚激子.结合我们的实验结果3128eV ,3122eV 和3116eV 发光峰之间间距相等,约为60meV ,与考虑室温影响后的LO 声子能量相吻合.所以,我们认为这些近紫外发光峰应该是自由激子跃迁产生的,其中3128eV ,3122eV 和3116eV 发光峰分别来源于FX 、FX 2LO 和FX 22LO.而1000℃时的发光峰蓝移可能与薄膜的应力状态有关.薄膜应力状态从拉应力转变成压应力,使得薄膜的晶格常数发生了变化,从而改变了能带间隙,进而导致发光峰的蓝移.另外,根据Bagnall 等人[25]的实验结果3118eV 发射峰是由自由激子间的非弹性碰撞散射产生的.Jeong 等人[26]的结果表明3109eV 附近的紫峰来源于锌空位.图5 不同退火温度下样品的近紫外P L 谱 从紫外光谱的发光强度和各激子峰之间的比例关系随退火温度的变化趋势上看,ZnO 薄膜的紫外发光强度及各激子峰的相对比例可能与晶粒尺度和缺陷状态有关.在未退火的紫外发光谱中,发光强度比较弱,主要是能量为3128eV 的FX 激子峰,这说明此时薄膜中激子的密度比较低,而薄膜中微量Ar的存在所导致的晶格畸变和晶粒尺度较小可能是导致激子密度低的重要因素;随着退火温度的增加,紫外发光谱逐渐展宽,发光强度也明显增加,LO 声子辅助激子跃迁峰的相对强度增加显著,这说明薄膜中微量Ar 的释放和晶粒尺度长大有利于激子密度的增加,而激子密度的增加又导致激子与晶格之间3341期孙成伟等:退火温度对ZnO 薄膜结构和发光特性的影响相互作用的增强;当退火温度达到1000℃时,紫外发光强度下降可能与薄膜中氧含量的增加和离子离位的增加有关.一方面,缺陷密度增加有可能导致激子密度的下降以及非辐射跃迁过程增加.另一方面,氧含量和离子离位的增加以及薄膜的晶粒尺度下降,使得激子密度降低;此外,通过比较不同作者的实验结果(如表1所示),我们注意到ZnO的FX跃迁能量与制备条件之间也有一定的关系.Chen等人[27,28]制备的ZnO薄膜的晶粒尺度比较大,其激子能级较宽;而K im[29]等人制备的ZnO纳米线的尺度与我们制备的柱状晶的尺度很相近,激子能级宽度也相同.表1 不同方法制备的ZnO室温自由激子峰峰位制备方法Π温度Π℃紫外峰位置EΠeV Chen等人[27]P2M BEΠ7203131Chen等人[28]P2M BEΠ6003129K im等人[29]热氧化法Π5003128本工作磁控溅射Π7503128ZnO的可见发光问题是ZnO薄膜研究中的另一个热点.对于可见发光带的产生通常认为是由氧空位、锌空位、锌填隙、氧填隙和氧错位造成的[6,16—18].图6是我们在800℃退火条件下获得的可见发光光谱及按高斯分布进行分解的结果.从分峰结果上看,可见发光光谱主要由2181eV,2165eV和2142eV三个发光峰组成.我们发现:ZnO薄膜的可见光发射谱对退火温度的依赖性很强.在退火温度为800℃时,可见发光谱的强度很强;当退火温度升至900℃时,可见发光强度明显降低;而其他退火温度下,均未观察到明显的可见发光谱.目前,对于2142eV附近的绿峰起源问题存在着较大的争议.Vanheusden等人[30]的实验指出2142eV的绿峰是由单价氧离子空位造成的.G arces 等人[19]认为是杂质Cu造成的绿光发射.Dijken等人[31]的结果表明,导带附近的电子到禁带中心不含电子的氧空位跃迁可以产生绿光,而Lin等人[6]的结果支持氧空位产生了绿光发射.此外,Liu等人[18]认为绿光是由锌空位产生的,而Li等人[32]的实验表明绿光发射可能与表面状态有关.我们的实验结果表明,可见发光仅存在于一个比较小的温度范围,且与Vanheusden等人[30]的实验结果是非常符合的.根据王卿璞等人[33]的结果,2181eV的蓝峰可能是由于氧空位形成的浅施主能级上的电子跃迁到价带的结果.而2165eV的峰已有文献报道[33],但准确发光机理仍不清楚.图6 800℃退火后样品的可见光发射结合薄膜的微观结构和成分分析,我们认为,退火温度主要是通过改变薄膜中缺陷种类及浓度而影响着ZnO薄膜的可见发光特性.对于特定的缺陷发光类型,缺陷浓度是决定其可见发光主要因素,过高的缺陷浓度将导致荧光淬灭.因此,ZnO薄膜的可见光发射不仅与退火温度有关,而且其可见发光特性随退火温度的变化规律与薄膜的初始状态有关.正是这一原因导致不同作者的实验结果之间会存在一定的差异,如方泽波等人[34]和K ang等人[35]的实验得到可见光发射强度随退火温度的升高而减弱.林碧霞等人[36]的结果表现出随退火温度的升高可见光发射强度先增后减.41结论 11在600—1000℃范围内,退火温度对ZnO薄膜的晶体取向基本没有影响.在900℃退火温度以下,薄膜的晶粒尺寸随退火温度增加而单调上升.当温度高于900℃时,薄膜的结晶质量变差.21在退火温度低于900℃时,ZnO薄膜呈拉应力,且在数值上变化不大;当退火温度升至1000℃时,ZnO薄膜中的应力状态由拉应力变为压应力,且在数值上发生较大变化.31近紫外发光峰主要是自由激子跃迁产生的,其中3128eV,3122eV和3116eV发光峰分别来源于FX,FX2LO和FX22LO.而1000℃时的发光峰蓝移与薄膜的应力状态有关.ZnO薄膜的紫外发光强度及各激子峰的相对比例与晶粒尺度和缺陷状态有关.41ZnO薄膜的可见发光光谱主要由2181eV, 2165eV和2142eV三个发光峰组成.可见光发射谱对退火温度的依赖性很强.434物 理 学 报55卷[1]Ono S,K iy otaka K,Hayakawa S1977Wave Electronics335[2]K rupanidhi S B,Sayer M1984J.Appl.Phys.563308[3]He H B,Fan Z X,Y ao Z Y,T ang Z S2000Science in Chin.Series E30127(in Chinese)[贺洪波、范正修、姚振钰、汤兆胜2000中国科学(E辑)30127][4]Nakada T,T om oyuki K,M ise T et al1998Jpn.J.Appl.Phys.37Part2(5A)L499[5]T ang Z K,W ong G KL,Y u P1998Appl.Phys.Lett.723270[6]Lin B,Fu Z,Jia Y2001Appl.Phys.Lett.79943[7]W ang J Z,Du G T,Zhang Y T et al2004J.Cryst.Growth263269[8]Qiu D J,Wu H Z,Chen N B,Xu T N2003Chin.Phys.Lett.20582[9]Qiu D J,Wu H Z,Xu X L,Chen N B2002Chin.Phys.Lett.191714[10]Zhang D H,W ang Q P,Xue Z Y2003Acta.Phys.Sin.521484(in Chinese)[张德恒、王卿璞、薛忠营2003物理学报521484] [11]Cullity B D1978The Elements o f X2ray Diffraction(Addision2W esley:Reading M A)p102[12]W ang Y G,Lau S P,Lee W H et al2003J.Appl.Phys.94354[13]K ang H S,K ang J S,K imJ W et al2004J.Appl.Phys.951246[14]Hur T B,Jeen G S,H wang Y H et al2003J.Appl.Phys.945787[15]Zhao D X,Liu Y C,Shen D Z,Lu Y M,Zhang L G,Fan X W2003J.Appl.Phys.945605[16]Bylander E G1978J.Appl.Phys.491188[17]Vanheusden K,Seager C H,W arren W L et al1996Appl.Phys.Lett.68403[18]Liu M,K itai A H,M ascher P1992J.Lumin.5435[19]G arces N Y,W ang L,Bai L,G iles N C,Halliburton L E,CantwellG2002Appl.Phys.Lett.81622[20]W ang Y G,Lau S P,Lee H W et al2003J.Appl.Phys.941597[21]W ang L J,G iles N C2003J.Appl.Phys.94973[22]Hamby D W,Lucca D A,K lopfstein M J et al2003J.Appl.Phys.933214[23]Ohashi N,Sekiguchi T,A oyama K et al2002J.Appl.Phys.913658[24]K oyama T,Chichibu S F2004J.Appl.Phys.957856[25]Bagnall D M,Chen Y F,Zhu Z et al1998Appl.Phys.Lett.731038[26]Jeong S H,K im B S,Lee B T2003Appl.Phys.Lett.822625[27]Chen Y F,Tuan N T,Segawa Y et al2001Appl.Phys.Lett.781469[28]Chen Y,Bagnall D M,K oh H J et al1998J.Appl.Phys.843912[29]K im T W,K awaz oe T,Y amazaki S et al2004Appl.Phys.Lett.843358[30]Vanheusden K,Seager C H,W arren W L et al1996Appl.Phys.Lett.68403[31]Dijken A V,M eulenkam p E,Vanmaekelbergh D,M eijerink A2000J.Lumin.90123[32]Li D,Leung Y H,Liu Z T et al2004Appl.Phys.Lett.851601[33]W ang Q P,Zhang D H,Xue Z Y,Chen S H,M a H L2003Chin.J.Lumin.2469(in Chinese)[王卿璞、张德恒、薛忠营、陈寿花、马洪磊2003发光学报2469][34]Fang Z B,G ong H X,Liu X Q,Xu D Y,Hang C M,W ang Y Y2003Acta Phys.Sin.521748(in Chinese)[方泽波、龚恒翔、刘雪芹、徐大印、黄春明、王印月2003物理学报521748] [35]K ang H S,Jeong S,Pang S S,Shim E S,Lee S Y2003Mater Sci.Eng.B102313[36]Lin B X,Fu Z X,Jia Y B,Liao G H2001Acta.Phys.Sin.502208(in Chinese)[林碧霞、傅竹西、贾云波、廖桂红2001物理学报502208]5341期孙成伟等:退火温度对ZnO薄膜结构和发光特性的影响634物 理 学 报55卷Influence of annealing temperature on the micro structure andphotolumine scence of ZnO films3Sun Cheng2W ei Liu Zhi2W en Zhang Qing2Y u(State K ey Laboratory o f Materials Modification by Laser,Ion and Electron Beam,Dalian Univer sity o f Technology,Dalian116024,China)(Received28April2005;revised manuscript received6June2005)AbstractZnO thin films with strong c2axis prefered orientation have been success fully deposited on S i(100)substrate at750℃by using reactive radio frequency magnetron sputtering.The in fluence of annealing tem perature ranging from600to1000℃on the m icrostructure and photolum inescence(P L)properties of ZnO films was investigated by X2ray diffraction(XRD),transm ission electron m icroscopy(TE M)and photolum inescence measurement at room tem perature.The XRD and TE M results show that the grain size of ZnO film increases and the residual stress in the film is tensile and remains constant at about1G Pa with the increase of annealing tem perature below900℃.A fter annealed at1000℃,the grain size decreases and the residual stress in the film changes into com pressive with the value about-2G Pa.The P L spectra of the ZnO films show tw o em ission bands,namely that originating from ultraviolet(UV)exciton transition and the visible defect photolum inescence.The intensity of UV P L spectrum and the relative intensity of different exciton em ission are dependent on the grain size and defects in the ZnO film.The red shift of UV P L spectrum results from the change of the relative intensity of different exciton em ission with annealing tem perature.The visible P L spectrum is sensitive to the change of annealing tem perature.The relationship between P L spectra and m icrostructure and defects in the films is discussed.K eyw ords:ZnO films,annealing,RF magnetron,radio frequency magnetron sputtering,photolum inescencePACC:6855,7840,78553Project supported by the National Natural Science F oundation of China(G rant N o.50240420656). E2mail:qyzhang@。

zno发光特点

zno发光特点

zno发光特点ZnO(氧化锌)是一种广泛应用于发光材料中的半导体材料,具有许多优异的光电性能和化学稳定性。

在此,我们将重点讨论ZnO在发光方面的特点。

1. 宽波长范围的发光ZnO材料在紫外到绿色波长范围内都能够发出强烈的荧光。

其中,ZnO的紫外荧光主要来自于ZnO的自由激子(free exciton),而绿色荧光则来自于材料中的缺陷(如氧空位、氧杂质、锌空位等)和掺杂(如锂、氢等元素掺杂)所引起的。

因此,ZnO在宽波长范围内都具有很高的发光效率和色纯度。

2. 高亮度和短寿命的发光ZnO作为一种半导体材料,具有高亮度和短寿命的发光特点。

由于ZnO的能隙为3.37 eV,属于紫外光范围,因此其带隙发光(band-edge emission)的波长很短,约为380 nm,这使得ZnO的发光强度非常高。

同时,ZnO的缺陷态发光(defect-related emission)的寿命很短,通常只有几纳秒到几十纳秒的时间,这说明了ZnO材料在发光速度方面的优异性能。

3. 可控的发光波长ZnO的发光波长可以通过控制其晶体结构、掺杂和表面处理等方式来实现。

例如,通过在ZnO晶体中引入氧空位和氧杂质等缺陷,可以使其绿色发光的波长范围从500 nm到600 nm不等。

另外,通过掺入一些稀土元素(如Eu、Tb等)或者有机染料,也可以实现对ZnO发光波长的调控。

4. 高稳定性和耐久性ZnO作为一种无机材料,具有很高的化学稳定性和耐久性,可以在多种环境中长期稳定地发光。

此外,ZnO的光学性质不受温度、湿度等环境因素的影响,这使得其可以在各种极端条件下应用于发光领域。

ZnO具有宽波长范围的发光、高亮度和短寿命的发光、可控的发光波长以及高稳定性和耐久性等特点。

这些优异的性能使得ZnO成为一种重要的发光材料,在照明、显示、生物成像等领域有着广泛的应用前景。

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电性,以承受较高的电流密度;(3)低的放气率,不能释放有害于阴极的
气体。ZnO:Zn 具有较低的阈值电压(几伏 ~ 十几伏)和较高的发光效
率,同时它的放气率较低,导电、导热性能良好,并且是一种非常稳定的
氧化物,因而 ZnO 作为样机荧光薄膜必然会具有良好的工作特性。
1. ZnO 绿光的发光机制
+
1.1 单个电离的氧空位 VO与价带之间的复合跃迁
宽度 3.2eV,同时由于人们普遍所认为 VO 为浅能级的施主,作者判定
VZn 为受主,从而推断出绿光来自于电子从浅能级施主 VO 到浅能级受
主 VZn 之间的跃迁。
1.3 锌填隙 Zni ZnO 的绿光的发射源于 ZnO 中的锌填隙也是较为普遍的一种观
点。例如:M.Liu[7]等人通过研究压缩的多晶粉体 ZnO 的阴极射线发光谱
论,则应减少薄膜中氧的含量。所以,可见薄膜绿光的发光机理仍需进
一步的研究。
2. 其它光的发光机制
除了蓝 - 绿光的发射外,ZnO 薄膜紫外光的发射也是人们关注的
焦点。然而不同于蓝 - 绿光的是紫外光的发光机理得到了人们的共识,
即:紫外光源于带边激子的复合[9,10],其发光强度受薄膜结晶质量的影
响,结晶质量好的薄膜发射的紫外光的强度高。
此外,在研究 ZnO 薄膜的发光过程中,人们发现 ZnO 还可发射红
光、橙光、黄光和紫光。对于这些谱带的解释为:ZnO 红光与橙光与富氧
的 ZnO 结构[11]或与沉积过程中形成的自然缺陷[12]有关。黄光的发射与过
剩的氧形成的氧填隙[7]、或者与一种 ZnO2 的配比结构[3]有关。紫光来自 于晶界产生的辐射缺陷能级与价带之间的跃迁[13]。
tin orbital)计算 ZnO 中的几种本征缺陷:氧空位 VO、锌空位 VZn、氧填隙 Oi、锌填隙 Zni 以及氧位错缺陷 OZn 的能级如图 1 所示。计算得到从导带 底到 OZn 能级的能量差为 2.38eV,与绿风的能量大致相等,导带底与 Oi 的能量差为 2.28eV,也近似等于绿光的能量,但由于氧离子的半径
光与锌填隙[7,4,12]有关。此外,最近几年有些人提出与上述解释相反的观
点,认为绿光来自导带底到氧空位缺陷能级之间的跃迁[8]。但大部分研
究者都支持氧空位与价带空穴之间的复合跃迁产 (下转第 86 页)
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科技信息
高校理科研究
钠、叔丁醇。叔丁基过氧化氢较为活泼,易与还原剂发生反应生成叔丁 醇,叔丁醇为生物难降解物质。安息香酸钠为生物可降解物质,但超过 一定浓度时,对微生物活动会产生一定的抑制作用。根据有关资料,安 息香酸钠对降解生物的毒性浓度限值为 480mg/l。叔丁醇虽然难以生物 降解,但因含量相对较小,所以能够达标排放。安息香酸钠含量相对较 小,且可生化去除一部分,也能够达标排放。
衍射角比退火之前增加了 0.4℃,说明退火之后样品的晶格常数减小。
作者将此归结于样品的退火处理导致薄膜中产生了一些空位。根据
Liu[7]等人曾分析出的 ZnO 中存在 VO 及 VZn 两种空位,作者推断薄膜的 发光必然与 VO 及 VZn 有关。由于绿光的能量 2.36eV 远小于 ZnO 的禁带
+
+
降,并且探测出 ZnO:Zn 粉末中的 VO全部以 VO的形式存在。可见 VO浓
+
度高的 ZnO:Zn 粉末比 VO 浓度低的 ZnO 粉末具有更高的绿光发光强
+
度,并且随着 ZnO:Zn 粉末中 VO浓度的降低,其绿光的强度也随之降
低。此外作者结合粒子表面的弯带效应,推断出绿光源于单个电离的氧
+
别进行了研究。研究发现,ZnO 发射绿光的强度与 ZnO 中 VO 的浓度密
切相关。施主氧空位 VO 在 ZnO 中以三种形式存在[5]:束缚两个电子的氧
+
空位 V(O 相对晶格而言为中性)、单个电离的氧空位 VO(相对晶格带一
++
个正电荷)以及双电离的氧空位 VO(相对晶格带两个正电荷)。对于 ZnO
表 1 废有机溶液主要成分
成分
柴油稀释前(%) 柴油稀释后(%)
过氧化物
11.4
3.8
环己醇
6.3
2.10
乙基己醇
12.8
4.27
脂肪酸如:特戊酸、乙基己酸、异 34.3
壬酸、新癸酸等
11.43
丙酮
7.9
2.63
无臭溶剂油
0.9
0.30
其它柴油
0
66.67
总计
100
100
根据该企业国外同类项目环保经验,废有机溶液用柴油进行稀释, 将混合物中的活性氧降到 1%以下或有机过氧化物含量降到 10%以下, 可有效保证安全性。
的 ZnO 的表面发光谱中心波长为 520nm,而块体的发光中心波长为黄
光区的 573nm。此外研究发现掺 Mn 对 ZnO 发光谱线(绿区 530nm,黄
区的 570nm)的形状并未有影响,只是随掺 Mn 量的增加,发光强度有所
减弱。同时作者发现掺入 Mn 的样品并未出现新的 XRD 衍射峰,但是却 明显增加 ZnO 了电阻率,表明 Mn 在 ZnO 中是以填隙原子 Mni 的形式 存在。此外根据正电子寿命谱的结果,作者认为绿光的发射与 Zni 有关, 同时认为由于 Mni 与 Zni 的相互作用的结果从而减弱了绿光的强度,同 理由于 Mn 的掺入也减弱了黄光的强度,那么黄光的发射也必然与某些 填隙原子有关。作者又进一步分析,在湿润的空气中处理过的 ZnO 其表 面过剩的 Zn 会与水蒸气发生反应:Zn+H2O(g)→ZnO(s)+H(2 g),从而导 致块体内的 Zn 空位 VZn 与氧填隙 Oi 会相应增多,从而推断出黄光与氧 填隙 Oi 有关。
+
粉末,随还原退火温度的升高,绿光强度以及 VO 密度呈现出相同的变
+
化趋势,在 800℃时两者均达到最高值。VO与 ne 密度的变化虽然具有一
+
定的相关性,但是在数量上有较大的差别,这表明 VO 并不是 ZnO 粉末
中施主的主要形式。实验还发现 ZnO:Zn 粉末发射的绿光强度约为 ZnO
+
粉末的 50 倍,但其绿光强度、VO 以及 ne 密度随氧化温度的升高而下
EC
紫外峰
3.06eV Zni
1.62eV
2.38eV
2.28eV
3.18eV
VO
绿峰 Eg=3.36eV
2.9eV VZn
Oi OZn
EV
图 1 利用全势线性多重轨道的方法计算的 ZnO 本征缺陷的能级
1.4 导带底到氧位错缺陷能级之间的跃迁[8]
Sun 等人利用全势的线性多重轨道方法(full- potential liner muffin-
3. 结论
目前人们普遍关注的是 ZnO 薄膜蓝 - 绿光发射的特性,以便使其
作为一种绿色荧光材料应用于平板显示领域,或用于制备短波长二极
管。对子本征 ZnO 薄膜发射绿光的解释已提出了多种模型。研究者普遍
认为绿光与氧空位有关,例如认为绿光来自氧空位与价带空穴之间的
复合跃迁[3,4],氧空位与锌空位之间的跃迁[13]等。也有不少研究者认为绿
3.3 固废污染防治措施 废水预处理产生的废有机溶液经柴油混合后,外运委托有处理能 力的资质厂商焚烧处理。 该项目装运原辅材料的废空桶洗涤后出售给废品收购站。运盐的 废编织袋也出售给废品收购站。拟建项目产生的生活垃圾由当地环卫 部门处理。 废水预处理设施分离的废有机溶液较为复杂,稀释前后主要成分 见表 1。
0. 引言
场发射平板显示(Field Emission Display,FED)是一种兼具传统的
CRT 和平板显示优点的显示器件。FED 具有优异的性能及良好的发展
前景,但其发展会受到诸多因素的影响。就显示材料而言,根据 FED 工
作在低电压、高电流且处于真空的环境特点,FED 萤光层必须满足以下
几点要求[1,2]:(1)较低的发光电压下具有较高的发光效率;(2)一定的导
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高校理科研究
ZnO 荧光薄膜的发光机理研究
郑州轻工业学院技术物理系 杨艳丽 石 开 常玉花
[摘 要]氧化锌是宽禁带(3.3eV)直接带隙 n 型半导体材料,并具有较高的的激子束缚能(60eV)。这使其成为紫外激光器和真空荧 光显示的理想材料。在荧光显示方面,人们比较关注的是 ZnO 薄膜蓝 - 绿光发射特性,以便使其作为绿色荧光材料应用于平板显 示领域。本文主要探讨了 ZnO 的发光机理。 [关键词]ZnO 薄膜 发光机理
+
空位 VO与价带空穴之间的复合跃迁。
1.2 氧空位 VO 到锌空位 VZn 之间的复合跃迁 FU[6]等人利用磁控溅射的方法制备了近似单晶的 ZnO 薄膜,研究
发现退火之前 ZnO 薄膜不发光,然而经 800℃退火之后,薄膜发射绿光
和紫外光。通过比较退火前后薄膜的 XRD 结果,发现退火之后薄膜的
研究者普遍认为 ZnO 绿光的发射与氧空位有关。例如:K.Van-
heusden[3,4]等人将 ZnO 粉末在还原气氛(N2:H2=95:5)中进行了热处理,
同时将 ZnO:Zn 粉末在氧气中进行了热处理,热处理温度 500~1050℃。
然后利用 EPR,光吸收以及 PL 谱测量技术对这两种粉末的相关特性分
该项目根据废水水质情况,必要时在废水处理中加入 FeSO4 还原 剂,混凝沉淀,以充分去除叔丁基过氧化氢,减少对后续微生物处理的 抑制作用。
该企业国外工厂,如墨西哥、纽约、巴西、印度等,同类项目废水处 理均采用此类预处理撇去有机物,加入其他低盐分废水进行生化处理 的方法。韩国、日本、德国等其他企业同类项目废水也采用类似的方法 处理,均能够达标排放。
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