开关电源的传导发射和辐射发射

---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 开关电源的传导发射和辐射发射开关电源传导发射和辐射发射的产生原因及解决对策 1 概述目前，电子产品电磁兼容问题越来越受到人们的重视，尤其是世界上发达国家，已经形成了一套完整的电磁兼容体系，同时我国也正在建立电磁兼容体系，因此，实现产品的电磁兼容是进入国际市场的通行证。

对于开关电源来说，由于开关管、整流管工作在大电流、高电压的条件下，对外界会产生很强的电磁干扰，因此开关电源的传导发射和电磁辐射发射相对其它产品来说更加难以实现电磁兼容，但如果我们对开关电源产生电磁干扰的原理了解清楚后，就不难找到合适的对策，将传导发射电平和辐射发射电平降到合适的水平，实现电磁兼容性设计。

22.1开关电源传导骚扰传导发射的产生开关电源的传导骚扰是通过电源的输入电源线向外传播的电磁干扰。

在开关电源输入电源线中向外传播的骚扰，既有差模骚扰、又有共模骚扰，共模骚扰比差模骚扰产生更强的辐射骚扰。

传导骚扰的测试频率范围为 150KHz～30MHz，限值要求如下表 1 所示：表 1： A 级电源端口传导骚扰限值频率范围（MHz） 0.15～0.5 0.5～30 准峰值 dB（μV） 79 73 B 级电源端口传导骚扰限值0.15～0.5 0.5～5 5～30 66 56 60 56 46 50 平均值 Db（μV） 66 60在 0.15MHz～1MHz 的频率范围内，骚扰主要以共模的形式存在，1/ 16在 1MHz～10MHz 的频率范围内，骚扰的形式是差模和共模共存，在10MHz 以上，骚扰的形式主要以共膜为主。

传导发射的差模骚扰的产生主要是由于开关管工作在开关状态，当开关管开通时，流过电源线的电流线形上升，开关管关断时电流突变为 0，因此流过电源线的电流为高频的三角脉动电流，含有丰富的高频谐波分量，随着频率的升高，该谐波分量的幅度越来越小，因此差模骚扰随频率的升高而降低，另外，如下图 1 所示，由于电容 C5 的存在，它与电感 L3 组成低---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 开关电源传导发射和辐射发射的产生原因及解决对策通滤波器，因此，差模传导骚扰主要存在低频率段。

图1 共模骚扰的产生主要原因是电源与大地（保护地）之间存在有分布电容，电路中方波电压的高频谐波分量通过分布电容传入大地，与电源线构成回路，产生共模骚扰。

如上图 1 所示，L、N 为电源输入，C1、C2、C3、C4、C5、L1、L2 组成输入 EMI 滤波器，DB1 为整流桥，L1、VD1、C6 和 VT2 为功率因数矫正主电路，VT2 为开关管，开关管的 D 极与管子的散热器相连，开关管安装在散热器上时，与散热器之间形成一个耦合电容，如图 1 中的 C7 所示，开关管 VT2 工作在开关状态，其 D 极的电压为高频方波，方波的频率为开关管的开关频率，方波中的各次谐波就会通过耦合电容、L、N 电源线构成回路，产生共模骚扰。

电源与大地的分布电容比较分散，难以估算，但从上面的图 1 来看，开关管 VT2 的 D 极与散热器之间耦合电容的作用最大，在上面的图 1 中，从整流桥到电感 L3 之间的电压为 100Hz 的工频波形，而从电感 L3 到二极管 VD1 和开关管 VT2D 极之间的连线的电压均为方波电压，含有大量的高次谐波。

其次电感 L3 的影响也比较大，但 L3 与机壳的距离比较远，分布电容比开关管和散热器之间的耦合电容小的多，因此我们主要考虑开关管与散热器之间的耦合电容。

2.22.2.1传导骚扰的解决方法EMI 滤波器解决传导骚扰目前大3/ 16都采用无源滤波器，如上图 1 中所示，C1、C2、C3、C4、C5、L1、L2 组成一个 EMI 滤波器，L1、L2 是两个共模电感，一般来说，在共模电感当中，含有 20%左右的差模电感，与电容 C1、C2、C3 构成差模滤波器，C4、C5 是共模电容，与电感 L1、L2 构成共模滤波器。

共模电感量的计算：假设开关管集电极的干扰电压在 400V 左右，转换成 dB（μV）为：第2页共 11 页---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------开关电源传导发射和辐射发射的产生原因及解决对策400 20 log( ?6 ) =172 dB（μV） 10传导发射测试设备内部的去耦网络（LISN）内阻Zin 标准为50Ω。

则耦合电容 C7 与测试设备去耦网络的内阻 Zin 对骚扰电平的衰减为：Zin + 20 log(1 1 25 + 2 × 3.14 × 150 × 10 3 × 30 × 10 ?12 ) =57dB ωc ) = 20 log( 25 25则：如果不加 EMI 滤波器时，电源输出端口所测得的骚扰电平为： 172-63=112 dB（μV）表 1 中 A 级电源端口传导限值的要求为 79 dB（μV），显然大大超过了限制的要求。

则需要滤波器在 150HKz 处的衰减为： 112-79=33 dB，考虑到至少有 6dB 的裕量，EMI 滤波器的在 150KHz 处的衰减应大于 39dB，我们取 40dB。

二阶滤波器的衰减特性是-40dB/10 倍频，在图 1 中有两个二阶滤波器，衰减特性是-80dB/10 倍频，则滤波器的转折频率应在：47KHz 左右，考虑到其他因素的影响，滤波器的转折频率取为40KHz。

共模电容 C4、C5 取 4700P（考虑到漏电流的问题，不能取太大），则：C=C4+C5=9400P。

根据1 2π LC= f计算得：L=1.7mH 在设计 EMI 滤波器的时候，为了有效的抑制骚扰信号的目的，必须对滤波器两端将要连接的源阻抗进行合理的搭配，当滤波器的输出阻抗 Zo 和负载阻抗 RL 不相5/ 16等时，在这个端口会产生，反射系数ρ由下式来定义：ρ=（Zo- RL ）/（Zo+ RL）当 Zo 和 RL 相差越大，端口产生的反射越大。

EMI 滤波器中的共模电感含有 20%左右的差模电感，与 X2 电容构成差模滤波器，在上面的原理图中，X2 电容 C1、C2、C3 对传导骚扰的低频端影响比较大，主要原因是因为在低频段，骚扰的方式主要以差模的方式存在，增大 C1、C2、C3，可以减小低频段的骚扰电平，但取值一般不超过 0.47～2.2μF，如果适当增大电容，低频段仍然超标，可以增加差模电感来解决。

2.2.2 其他方法EMI 滤波器是采用切断传播途径的方法来减小传导发射的骚扰电平，另外我们也可以从第3页共 11 页---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 开关电源传导发射和辐射发射的产生原因及解决对策发射的源来着手，减小发射源向外发射的电平。

1：如下图 2 所示：图2 图 2 中，在 PFC 升压电感上增加一个辅助绕组，该绕组的匝数与主绕组相同，方向与主绕组相反，C7 是开关管与散热器之间的耦合电容，如图所示增加一个与 C7 容量大致相同的一个电容接到散热器与辅助绕组之间，这样 C7、C8 耦合到散热器的骚扰信号幅度相同，方向相反，两个信号刚好可以相互抵消，大大减小向外发射的骚扰电平。

2：如下图 3 所示：图3 在图 3 中，增加一个高频电容 C8，接在开关管散热器与输出地之间，该电容与散热器的连接处离开关管越近越好，该电容选用安规电容，容量在 4700P 到0.01μf 之间，太大会使电源的漏电流超标，经过电容 C7 耦合到散热器上的骚扰信号经过 C8 衰减，衰减的系数为1 ωc8 1 1 + ωc7 ωc8由于 C8 比 C7 大许多，上式可以简化为：c7 c8可见，假设 C7 为 30P，C8 为 4700P，则向外发射的骚扰信号被衰减了 157 倍，近 45dB。

第4页共 11 页7/ 16开关电源传导发射和辐射发射的产生原因及解决对策33.1开关电源的辐射骚扰辐射骚扰的空间传输 1. 远场和近场电磁能量以场的形式向四周传播，就形成了辐射骚扰，场可以分为近场、和远场，近场又称为感应场，它的性质与场源有密切的关系，如果场源是高电压小电流的源，则近场主要是电场，如果场源是低压大电流，则场源主要是磁场。

无论近场是磁场或是电场，当离场源的距离大于λ/2π时，均变成远场，又称为辐射场。

由于开关电源工作在高电压，大电流的状态下，近场即有电场，又有磁场。

2. 骚扰的辐射方式单点辐射，主要模拟各相同性的较小的辐射源，辐射的强度可表示为：E = 30 P / r式中，P 表示发射的功率，r 表示离发射源的距离。

可见，单点辐射强度与距离成反比，与发射源的功率的平方根成正比。

平行双线环路的辐射主要模拟差模电流回路的辐射源，其辐射强度可以表示为： E =120π 2 IA rλ2式中 A 为差模电流所包围的面积，I 是差模电流的大小，r 是离辐射源的距离，λ是波长。

可见差模辐射强度与差模电流的大小和差模电流所包围的面积成正比，与距离成反比，与频率的平方成正比。

因此应在高频噪声源处加高频去耦电容，以免高频噪声流入电源回路中。

---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 单导线的辐射单导线的辐射公式可以用来估算共模电流产生的辐射的大小：E=Il 60π （V/m）rλ3. 共模电流辐射条件是l ≤λ4式中，I 是共模电流的大小，r 是到共模电流源的距离， l 是导线的长度，λ是波长。

两根相近的导线，如果流过差模电流，则导线产生的电磁场由于方向相反，大小相等而相互抵消，但如果流过共模电流，时两根导线产生的电磁场相互叠加。