零总线翻转静态随机存取存储器(ZBT)简介

ZBT是Zero Bus Turnaround SRAM的缩写，即“零总线翻转静态随机存取存储器”。属于SRAM的一种，SRAM的类型有很多种，如下图所示：

1).ASRAM是普通异步静态随机存取存储器，该器件内部无参考时钟，读写时序比较简单，只要将控制信号选中指定地址和数据线即可读取或写入数据；

2).SSRAM是同步静态随机存取存储器，与ASRAM相比，内部多了一个参考时钟；

3).DPSRAM即Double Port SRAM，双口SRAM的意思；

4).Synchronous Burst SSRAM即同步突发SSRAM，读写速率比异步SRAM 快，主要有Flow-Through(直通方式)和Pipeline(流水线方式)两种操作方式；

5).DDR SRAM即双数据速率SRAM；

6).QDR SRAM即四倍数据速率SRAM，前面已经专题介绍过了；

7).ZBT SRAM即零总线翻转SRAM，也是本文的重点介绍内容。

记得之前在介绍RAM器件的时候介绍过，RAM器件在读/写操作间进行状态转换的时候，需要一些空闲指令周期NOP(No Operation)来进行过渡，普通SRAM

进行读操作时，数据滞后两个时钟周期，而写操作是即时的，从写操作状态切换到读操作状态需要等待两个时钟周期。

如果在某些需要频繁进行读/写操作切换的系统中使用普通SRAM的话，总线利用效率将会变得非常低。

为此，IDT公司联合推出ZBT SRAM，该器件通过简单的接口控制逻辑消除了读写操作转换的等待时间，在读写操作状态转换过程中无需等待，直接切换，总线利用率可达100%，非常适合读写操作频繁切换的场合。普通SRAM和ZBT SRAM读写状态切换对比图下图所示：

ZBT SRAM根据所带有的接口的不同，可分为两种即pipelined ZBT SRAM 和flow -through ZBT SRAM，在pipelined ZBT SRAM中，读命令发出两个时钟周期之后，可得到读取的数据，写命令发出两个时钟周期之后，可以写数据；在flow - through ZBT SRAM中读命令发出一个时钟周期之后，可得到读取的数据，写命令发出一个时钟周期之后，可以写数据。他们都支持TTL和COMS I/O口标准。其总线操作过程如下图所示。

ZBT SRAM的接口信号主要由时钟信号、控制总线、地址总线和数据总线等组成。其中，时钟信号是为ZBT SRAM实现包括读、写操作在内的各种操作提供驱动信号；

1).RW#是读写控制信号，RW# = 1允许读操作,RW# = 0允许写操作。

2).BW#是同步字节写使能信号，低电平有效。

3).ADV_LD#是地址控制信号，ADV_LD#= 0时内部的寄存器加载新的地址，

若在时钟的上升沿ADV_LD# = 1则内部地址计数器增加；

4).地址总线SA[ASIZE-1 ：0]，它为对ZBT SRAM读写操作存储器单元提供存储地址寻址信号。其位数由ZBT SRAM的存储容量决定；

5).数据总线DQ[DSIZE-1：0]是ZBT SRAM在读写操作时与外部进行数据交换的通道。