零总线翻转静态随机存取存储器(ZBT)简介
静态随机存储器工作原理
静态随机存储器工作原理
静态随机存储器（Static Random Access Memory，SRAM）是
一种用于计算机内存的存储设备，其工作原理是利用存储电路中的稳定电荷储存信息。
SRAM由一组双稳态触发器构成，每个触发器可以储存一个
二进制位（bit），这些触发器以交叉反馈方式连接，形成稳
定的存储单元。
每个存储单元都有两个稳定的状态，即0和1，分别对应着低电平和高电平的电信号。
SRAM的读写操作是通过控制信号来完成的。
当要读取某个
存储单元的值时，控制电路将相应行线选通，并将其连接到读取电路，读取电路通过放大和判别电路将单元的电平状态转换为相应的输出信号。
当要写入某个存储单元的值时，控制电路将相应行线选通，并将写入数据送入存储单元，存储单元根据输入数据的电平状态来改变其状态。
SRAM相对于动态随机存储器（DRAM）来说，具有读写速
度快、读写可靠性高的特点，但也相应占用较大的面积和功耗较高。
因此，在计算机系统中，SRAM通常用于高速缓存等
需要快速读写的存储器部分。
主存储器随机存取的理解和认识
主存储器随机存取，简称随机存取，是一种计算机存储器的数据访问方式。
在随机存取中，存储器的每个存储单元都有一个唯一的地址，可以通过该地址直接访问存储单元。
这种存取方式可以使计算机更快地访问和修改存储器中的信息。
随机存取存储器，简称RAM，是一种常见的主存储器类型。
RAM存储器具有速度快、价格低廉等特点，被广泛应用于计算机、智能手机、平板电脑等设备中。
RAM存储器分为两类：静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）。
静态随机存取存储器（SRAM）的特点是速度快、功耗低，但价格较高。
SRAM通常用于高速缓存和寄存器等对速度要求较高的应用。
动态随机存取存储器（DRAM）的特点是价格较低、容量较大，但速度较慢、功耗较高。
DRAM被广泛应用于计算机的主存储器中。
随机存取存储器在计算机系统中发挥着重要作用。
例如，在操作系统中，随机存取存储器被用于存储正在运行的程序和所需的数据。
当计算机需要访问这些数据时，它可以直接通过随机存取方式快速访问存储器。
此外，随机存取存储器还被用于存储计算机的BIOS和其他基本输入输出系统。
随着科技的发展，随机存取存储器技术也在不断发展。
例如，新型的存储器技术如铁电随机存取存储器（FRAM）和相变随机存取存储器（PCM）正在逐渐兴起。
这些新型存储器技术在速度和功耗等方面具有更好的性能，有望在未来取代传统的随机存取存储器。
随机存取存储器名词解释
随机存取存储器名词解释
随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）是计算机中一
种用于临时存储数据的主要存储设备。
它是一种易失性存储器，意
味着在断电或重启计算机时，存储在RAM中的数据会被清空。
RAM具有随机访问的特性，这意味着可以直接读取或写入存储
器中的任何位置，而不需要按照顺序逐个访问。
这种随机存取的特
性使得RAM能够快速地存取和处理数据，比起其他存储设备（如硬
盘或固态硬盘）具有更快的读写速度。
RAM通常分为两种类型，静态随机存取存储器（Static RAM，SRAM）和动态随机存取存储器（Dynamic RAM，DRAM）。
SRAM由触
发器构成，能够在没有时钟信号的情况下保持数据的稳定性，因此
具有更快的访问速度，但相对较高的成本。
而DRAM则使用电容来存
储数据，需要定期刷新以保持数据的稳定，相对于SRAM，DRAM的访
问速度较慢，但成本较低。
RAM在计算机中扮演着重要的角色，用于存储正在运行的程序、操作系统和临时数据。
它的容量决定了计算机可以同时处理的数据量，较大的RAM容量可以提高计算机的性能和多任务处理能力。
然
而，由于RAM是易失性存储器，断电或重启计算机会导致数据丢失，因此需要将重要的数据定期保存到非易失性存储设备上，如硬盘或
固态硬盘。
4.3静态存储器工作原理
计算机组成原理第四章存储系统4.3 静态存储器工作原理1SRAM 存储单元结构•工作管： T 1、 T 2 (保存数据) V ss (0V)T 4T 3 T 1 T 2 T 7T 8T 5T 6V DD (5V)I/OO /IX 地址译码线•负载管： T 3、 T 4 （补充电荷）•门控管： T 5、T 6 、T 7、T 8 （开关作用）Y 地址译码线A B⏹Y 地址选通 （列选通）☐T7、T8管导通☐A 点电位输出到I/O 端2SRAM 存储单元工作原理V ss (0V)T 4T 3 T 1 T 2 T 7 T 8T 5T 6V DD (5V)I/OO /IX 地址译码线Y 地址译码线⏹X 地址选通（行选通） ☐T5、T6管导通☐A 点与位线相连 A B2SRAM 存储单元工作原理•写过程X 有效→ T 5、 T 6 通 → A 与 I/O 连通 Y 有效→ T 7、 T 8 通 → B 与 I/O 连通I/O=1 →A= 1→ T 2 通→ B=0 → T 1 截止I/O=0 →B= 0→ T 1截止→ A=1 → T 2通 此时, T 1、T 2形成了稳态: A=1、B=0此时， T1、T2形成了稳态，B=1、A=0I/O=0 →A= 0→ T 2截止 → B=1 → T 1通 I/O=1 →B= 1→ T 1 通→A=0 → T 2 截止写1写0V ss (0V)T 4T 3 T 1 T 2 T 7 T 8T 5T 6V DD (5V)I/OO /IX 地址译码线Y 地址译码线A B2SRAM 存储单元工作原理•读过程X 有效→ T 5、 T 6 通 → A 与 I/O 连通Y 有效→ T 7、 T 8 通 → B 与 I/O 连通V ss (0V)T 4T 3 T 1 T 2 T 7 T 8T 5T 6V DD (5V)I/OO /IX 地址译码线Y 地址译码线通过外接于I/O 与 I/O 间的电流放大器中的电流方向可判断读出的是1还是0(与写入时定义的1和0有关)无论读/写，都要求X 和 Y 译码线同时有效A B2SRAM 存储单元工作原理•保持X 、 Y 撤销后，由负载管 T 3、 T 4 分别为工作管T 1、 T 2 提供工作电流，保持其稳定互锁状态不变。
常用电子术语英文
. ETSI（European Telecommunications Standards Institute ）: 欧洲电讯标准协会. ANSI（American National Standards Institute）: 美国国家标准协会. DMT（Discrete Multitone modulation）: 离散多音调调制. ADSL（Asymmetric Digital Subscriber Lines）: 不对称数字用户环路. RADSL（Rate Adaptive ADSL）: 速率适应数字用户环路. MDSL (Moderate speed) : 中速数字用户环路. HDSL (High bit rate DSL) : 高比特速率数字用户环路. AMI（Alternate Mark Inversion）: 隔位标志翻转. DWMT (Discrete Wavelet MultiTone：a new muti-carrier technique) : 离散小波多音调，一种新的多载波技术。
. FTTB（Fibre-To-The-Building ）: 光纤到楼. FTTC（Fibre-To-The-Curb）: 光纤到小区. VDSL (Very high speed DSL) : 很高速数字用户环路. PMD (Physical media dependent) : 从属物理媒体. CAD (computer-aided design) : 计算机辅助设计. DIT（Design Implementation Technology ）: 设计实施技术. ASIC(Application-Specific Integrated Circuits) : 专用集成电路. GSM（rd Generation Global System for Mobile Communications）: 第三代移动通信的通用系统它在GSM网络中建立W-CDMA空中接口，以多种方式进行移动可视通信. 第三代移动通信的通用系统它在GSM网络中建立W-CDMA空中接口，以多种方式进行移动可视通信. GPRS（General Packet Radio Service）: 通用包无线服务它使用户经常连在网上，能提供大容量，基于互联网和信息包的数据服务，如在移动时进行彩色互联网接入，可视通信和多媒体信息通信等. UMTS (Universal Mobile Telecommunications System) : 通用移动通信系统. EDGE (Enhanced Data for GSM Evolution) : 增强数据速率的GSM 它是在GSM核心网上提供增强速率，能够在移动时下载射频图像，音乐，全媒体信息和高速彩色互联网接入。
静态随机存取存储器(SRAM)
静态随机存取存储器(SRAM)目录1.前言： (1)2.关于静态存储器SRAM的简单介绍 (2)3.基本的静态存储元阵列 (2)4.基本的SRAM逻辑结构 (3)5.SRAM读/写时序 (7)6.存储器容量的扩充 (8)6.1.位扩展 (8)6.2.字扩展 (9)6.3.字位扩展 (10)1.前言：主存(内部存储器)是半导体存储器。
根据信息存储的机理不同可以分为两类：静态读写存储器(SRAM)：存取速度快动态读写存储器(DRAM)：存储密度和容量比SRAM大。
-VDD一CSDN@rn0_736794312.关于静态存储器SRAM的简单介绍SRAM是采用CMOS工艺的内存。
自CMOS发展早期以来，SRAM一直是开发和转移到任何新式CMOS工艺制造的技术驱动力。
SRAM它实际上是一个非常重要的存储器，用途非常广泛。
SRAM数据完整性可以在快速读取和刷新时保持。
SRAM以双稳态电路的形式存储数据。
SRAM 目前的电路结构非常复杂。
SRAM大部分只用于CPU内部一级缓存及其内置二级缓存。
只有少量的网站服务器及其路由器可以使用SRAM o半导体存储体由多个基本存储电路组成，每个基本存储电路对应一个二进制数位。
SRAM中的每一位均存储在四个晶体管中，形成两个交叉耦合反向器。
存储单元有两个稳定状态，一般为0和1。
此外，还需要两个访问晶体管来控制存储单元在读或写过程中的访问。
因此，存储位通常需要六个MoSFET。
SRAM内部包含的存储阵列可以理解为表格，数据填写在表格上。
就像表格搜索一样，特定的线地址和列地址可以准确地找到目标单元格，这是SRAM存储器寻址的基本原理。
这样的每个单元格都被称为存储单元，而这样的表也被称为存储矩阵。
地址解码器将N个地址线转换为2个N立方电源线，每个电源线对应一行或一列存储单元，根据地址线找到特定的存储单元，完成地址搜索。
如果存储阵列相对较大，地址线将分为行和列地址，或行，列重用同一地址总线，访问数据搜索地址，然后传输列地址。
存储器的工作原理
存储器的工作原理一、引言存储器是计算机系统中的重要组成部份，用于存储和检索数据。
它的工作原理涉及到数据的存储、访问和传输等方面。
本文将详细介绍存储器的工作原理。
二、存储器的分类存储器按照不同的工作原理和功能可以分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两大类。
其中，RAM又可分为静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM）。
三、静态随机存储器（SRAM）的工作原理SRAM是一种基于触发器的存储器，它的工作原理如下：1. SRAM由一组触发器组成，每一个触发器可以存储一个比特（0或者1）的数据。
2. 当写入数据时，控制电路将数据传输到指定的触发器中，并将写入信号传递给触发器，使其将数据存储起来。
3. 当读取数据时，控制电路将读取信号传递给指定的触发器，触发器将存储的数据输出给外部设备。
四、动态随机存储器（DRAM）的工作原理DRAM是一种基于电容的存储器，它的工作原理如下：1. DRAM由一组存储单元组成，每一个存储单元由一个电容和一个开关（通常是一个MOSFET）组成。
2. 当写入数据时，控制电路将数据传输到指定的存储单元的电容中，并将写入信号传递给开关，使其打开或者关闭，以控制电容的充放电状态。
3. 当读取数据时，控制电路将读取信号传递给指定的存储单元的开关，开关的状态决定了电容的充放电状态，从而输出存储的数据。
五、只读存储器（ROM）的工作原理ROM是一种只能读取数据而无法写入数据的存储器，它的工作原理如下：1. ROM中的数据是在创造过程中被编程的，无法在运行时修改。
2. ROM的存储单元通常由一个开关（通常是一个MOSFET）组成，其状态决定了存储的数据。
3. 当读取数据时，控制电路将读取信号传递给指定的存储单元的开关，开关的状态决定了存储的数据输出。
六、存储器的访问速度存储器的访问速度是指从发出读取或者写入指令到数据可用的时间间隔。
它受到存储器类型、存储单元数量、控制电路设计等因素的影响。
静态存储器的名词解释
静态存储器的名词解释静态存储器是一种计算机数据存储设备，它的主要作用是用来存储和读取计算机程序和数据。
相对于动态存储器来说，静态存储器具有较快的访问速度和较低的功耗。
在计算机系统中，静态存储器扮演着重要角色，它使得计算机能够高效地储存和使用数据。
静态存储器主要包括随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。
RAM 是一种可读写的存储器，它被用来暂时存储程序和数据。
当计算机加电启动时，操作系统和其他必要的软件程序会被加载到RAM中，这样CPU可以迅速访问和执行它们。
RAM通常被划分为许多小的存储单元，每个存储单元都有一个唯一的地址，通过地址可以访问到特定的数据。
ROM是一种只能读取的存储器，它的数据在出厂时就被固化到芯片中了。
这些数据通常包括计算机的基本输入输出系统（BIOS）和其他不需要经常修改的软件程序。
ROM的优点是数据的持久性和稳定性，即使断电重启，存储在ROM中的数据也不会丢失。
但是，由于ROM的数据无法被修改，因此它只适用于储存固定的程序和数据，无法灵活地满足计算机系统的需求。
静态存储器的特点是它们的存储单元不需要定期刷新，因此数据可以长时间地保留下来。
这使得静态存储器在计算机系统中扮演着重要的角色，特别是需要快速访问数据的应用。
然而，静态存储器也有一些限制。
首先，它相对于动态存储器来说更昂贵，这使得它在大容量存储需求的应用中不太经济实惠。
其次，静态存储器的能耗较高，这对于需要长时间运行的移动设备来说可能是个问题。
虽然静态存储器具有许多优势，但它也不是没有缺点。
静态存储器的主要问题之一是容量限制。
由于制造静态存储器需要更多的物理空间，因此相对于动态存储器，静态存储器的容量较小。
此外，静态存储器的制造成本也比较高，这使得大容量静态存储器的价格相对较高。
近年来，随着技术的不断进步，静态存储器的性能和容量得到了显著提升。
新一代静态存储器产品采用了更先进的制造工艺，使得存储单元的密度大大提高，容量也呈指数级增长。
一种高速ZBTSRAM控制器设计
（ ｈ ａＡ ｒｏｎ ｓ ｌ Ａｃｄｍｙ Ｌ ｏ ａｇ４ １０ Ｃ ｉａ Ｃ ｉ ｉ ｒｅＭｉ ｉ ａ ｅ ， ｕｙ ｎ ７ ０９， ｈ ） ｎ ｂ ｓｅ ｎ
Ａｂ ｔ ａ ｔ Ｆ ｓ ｒ ｃ ： ＰＧＡ ａ ｅ ｎ ｗｉ ｅｙ ｕ ｅ ｎ ｒ ｄ ｒ ｄ ｍａ ｎ ．Ｈｏ ｖ ｒ Ｐ ｈ ｓｂ ｅ ｄ ｌ ｓ ｄ ｉ ａ ａ ｏ ｉ ｓ ｗｅ ｅ ，Ｆ ＧＡ ｎ ｅ ａ ｍｏ ｙ ｓｏ ａ ｅ ｌ ｆｅ ｎ ｕ ｃ ｅ ｔｆ ｒ ｓ ｓｅ ｒ — ｉ ｔ ｒ ｌｍｅ ｒ ｔ ｒ ｇ ｓａ ｅ ｏ ｔ ｎ ｉ ｓ ｆ ｉｎ ｏ ｙ ｔｍ ｅ ｎ ｉ
１ Ｚ Ｔ Ｓ Ｍ 控 制器 设 计 Ｂ ＲＡ
Ｚ ＴＳ Ａ Ｂ Ｒ Ｍ按操作 时序不 同又可分为 Ｐｐ ｌ ｅ ｉ ｉ ｄ和 ｅｎ Ｆｏ ｔｒ ｇ ｌ ｈｏ ｈ两种类型 ， 中 Ｐｐｌ ｅ ｗ ｕ 其 ｉ ｉ ｄ的读写数 据 相 比 ｅｎ 时钟 有两个时钟的延 时 ， Ｆｏｔｒｕｈ相对 延 时则为 而 ｌ ｈｏｇ ｗ
必不 可 少 的选 择 。
位 。近年 来 ， 一 代 的 Ｆ Ｇ 内部 更 是 集成 了包 括 新 ＰＡ Ｐ Ｌ 查 找表 、 Ｌ 、 寄存 器 ， Ｒ Ｍ、 Ｓ 块 Ａ Ｄ Ｐ运算 块 、 微处 理器
核等诸多功能单元 ， 足以完成片上集 成系统 Ｓ Ｃ的开 Ｏ
发 …。
在雷达领域 中， 随着 现代信 号处理 算法 复杂度 的 日益提高 ， Ｆ Ｇ 而 Ｐ Ａ独有 的并行 运算 特性 可使其 性 能 超过传统 Ｄ Ｐ的数倍 甚 至数 十倍 。为达 到较 高 的 Ｓ
处理性能 ， 多采用 Ｆ Ｇ Ｐ Ａ芯片完成各 种复杂信 号处 理。
传统 的片外存储器主要分成静 态存储器 （ Ｒ Ｍ） ＳＡ
16-Mbit (1M x 16)静态随机存储器 CY62167DV30 用户手册说明书
16-Mbit (1M x 16) Static RAMCY62167DV30MoBLFeatures•Very high speed: 55 ns•Wide voltage range: 2.20V – 3.60V •Ultra-low active power— Typical active current: 2 mA @ f = 1 MHz — Typical active current: 15 mA @ f = f max •Ultra-low standby power•Easy memory expansion with CE 1, CE 2, and OE features•Automatic power-down when deselected •CMOS for optimum speed/power•Packages offered in a 48-ball BGA and 48-pin TSOPIFunctional Description [1]The CY62167DV30 is a high-performance CMOS static RAM organized as 1M words by 16 bits. This device features advanced circuit design to provide ultra-low active current.This is ideal for providing More Battery Life (MoBL ) in portable applications such as cellular telephones. The device also has an automatic power-down feature that significantlyreduces power consumption by 99% when addresses are not toggling. The device can also be put into standby mode when deselected (CE 1 HIGH or CE 2 LOW or both BHE and BLE are HIGH). The input/output pins (I/O 0 through I/O 15) are placed in a high-impedance state when: deselected (CE 1HIGH or CE 2LOW), outputs are disabled (OE HIGH), both Byte High Enable and Byte Low Enable are disabled (BHE, BLE HIGH),or during a Write operation (CE 1 LOW, CE 2 HIGH and WE LOW).Writing to the device is accomplished by taking Chip Enables (CE 1 LOW and CE 2 HIGH) and Write Enable (WE) input LOW.If Byte Low Enable (BLE) is LOW, then data from I/O pins (I/O 0through I/O 7), is written into the location specified on the address pins (A 0 through A 19). If Byte High Enable (BHE) is LOW, then data from I/O pins (I/O 8 through I/O 15) is written into the location specified on the address pins (A 0 through A 19).Reading from the device is accomplished by taking Chip Enables (CE 1 LOW and CE 2 HIGH) and Output Enable (OE)LOW while forcing the Write Enable (WE) HIGH. If Byte Low Enable (BLE) is LOW, then data from the memory location specified by the address pins will appear on I/O 0 to I/O 7. If Byte High Enable (BHE) is LOW, then data from memory will appear on I/O 8 to I/O 15. See the truth table at the back of this data sheet for a complete description of Read and Write modes.Note:1.For best-practice recommendations, please refer to the Cypress application note “System Design Guidelines” on .Logic Block Diagram1M × 16RAM ArrayI/O0 – I/O7R O W D E C O D E RA 8A 7A 6A 5A 2COLUMN DECODERA 11A 12A 13A 14A 15S E N S E A M P SDATA IN DRIVERSOE A 4A 3I/O8 – I/O15WE BLEBHE A 16A 0A 1A 17A 9 A 18A 10Power-down CircuitBHE BLECE 2CE 1CE 2CE 1A 19Pin Configuration [2, 3, 4, 5]FBGA48TSOPI (Forward)Notes:2.NC pins are not connected on the die.3.DNU pins have to be left floating.4.The BYTE pin in the 48-TSOPI package has to be tied HIGH to use the device as a 1M × 16 SRAM. The 48-TSOPI package can also be used as a 2M × 8 SRAM by tying the BYTE signal LOW. For 2M × 8 Functionality, please refer to the CY62168DV30 datasheet. In the 2M × 8 configuration, Pin 45 is A20.5.Ball H6 for the FBGA package can be used to upgrade to a 32M density.WE A 11A 10A 6A 0A 3CE 1I/O 10I/O 8I/O 9A 4A 5I/O 11I/O 13I/O 12I/O 14I/O 15V SS A 9A 8OE Vss A 7I/O 0BHE CE 2A 17A 2A 1BLE V CC I/O 2I/O 1I/O 3I/O 4I/O 5I/O 6I/O 7A 15A 14A 13A 12A 19A 18DNU326541D E B A C F G HTop ViewA 16 DNU Vcc Top View123456789101112131415161718192021222324484746454443424140393837363534333231302928272625A15A14A13A12A11A10A9A8A19NC WE CE2DNU BHE BLE A18A17A7A6A5A4A3A2A1A16BYTE VssI/O15/A20I/O7I/O14I/O6I/O13I/O5I/O12I/O4Vcc I/O11I/O3I/O10I/O2I/O9I/O1I/O8I/O0OE Vss CE1A0Maximum Ratings(Above which the useful life may be impaired. For user guide-lines, not tested.)Storage Temperature ................................–65°C to + 150°C Ambient Temperature withPower Applied............................................–55°C to + 125°C Supply Voltage to Ground Potential.......–0.2V to V CC + 0.3V DC Voltage Applied to Outputsin High-Z State[6, 7].................................–0.2V to V CC + 0.3V DC Input Voltage[6, 7].............................–0.2V to V CC + 0.3V Output Current into Outputs (LOW).............................20 mA Static Discharge Voltage.......................................... > 2001V (per MIL-STD-883, Method 3015)Latch-up Current.....................................................> 200 mA Operating RangeDevice RangeAmbientTemperature V CC[8] CY62167DV30L Industrial–40°C to +85°C 2.20V to3.60V CY62167DV30LLProduct PortfolioProductV CC Range (V)Speed(ns)Power DissipationOperating I CC(mA)Standby I SB2(µA)f = 1MHz f = f maxMin.Typ.[9]Max.Typ.[9]Max.Typ.[9]Max.Typ.[9]Max.CY62167DV30L 2.20 3.0 3.6055241530 2.530701225CY62167DV30LL55241530 2.522701225Electrical Characteristics Over the Operating RangeParameter Description Test ConditionsCY62167DV30-55CY62167DV30-70Unit Min.Typ.[9]Max.Min.Typ.[9]Max.V OH Output HIGH Voltage I OH = –0.1 mA V CC = 2.20V 2.0 2.0VI OH = –1.0 mA V CC = 2.70V 2.4 2.4V V OL Output LOW Voltage I OL = 0.1 mA V CC = 2.20V0.40.4VI OL = 2.1mA V CC = 2.70V 0.40.4VV IH Input HIGH Voltage V CC = 2.2V to 2.7V 1.8V CC+0.3V 1.8V CC+0.3VVV CC= 2.7V to 3.6V 2.2V CC+0.3V 2.2V CC+0.3VVV IL Input LOW Voltage V CC = 2.2V to 2.7V–0.30.6–0.30.6VV CC= 2.7V to 3.6V–0.30.8–0.30.8V I IX Input Leakage Current GND < V I < V CC–1+1–1+1µA I OZ Output LeakageCurrentGND < V O < V CC, Output Disabled–1+1–1+1µAI CC V CC Operating SupplyCurrent f = f MAX = 1/t RC V CC = V CCmaxI OUT = 0 mACMOS levels15301225mA f = 1 MHz2424mAI SB1Automatic CEPower-downCurrent — CMOSInputs CE1 > V CC − 0.2V or CE2 < 0.2VV IN > V CC – 0.2V, V IN < 0.2V)f = f MAX (Address and Data Only),f = 0 (OE, WE, BHE, BLE), V CC = 3.60VL 2.530 2.525µALL 2.522 2.522I SB2Automatic CEPower-downCurrent — CMOSInputs CE1 > V CC – 0.2V or CE2 < 0.2V,V IN > V CC – 0.2V or V IN < 0.2V,f = 0, V CC = 3.60VL 2.530 2.530µALL 2.522 2.522Notes:6.V IL(min.) = –2.0V for pulse durations less than 20 ns.7.V IH(Max) = V CC + 0.75V for pulse durations less than 20 ns.8.Full Device AC operation requires linear V CC ramp from 0 to V CC(min.)> = 500 µs.9.Typical values are included for reference only and are not guaranteed or tested. Typical values are measured at V CC = V CC(typ.), T A = 25°C.Capacitance [10, 11]ParameterDescriptionTest ConditionsMax.Unit C IN Input Capacitance T A = 25°C, f = 1 MHz,V CC = V CC(typ)8pF C OUTOutput Capacitance10pFThermal ResistanceParameterDescriptionTest ConditionsBGA TSOP I Unit ΘJA Thermal Resistance (Junction to Ambient)[10]Still Air, soldered on a 3 × 4.5 inch, two-layer printed circuit board5560°C/W ΘJCThermal Resistance (Junction to Case)[10]164.3°C/WAC Test Loads and WaveformsV CCV CC OUTPUTR250 pF INCLUDING JIG AND SCOPEGND90%10%90%10%Rise Time = 1 V/nsFall Time = 1 V/nsOUTPUT VEquivalent to:THÉ V ENIN EQUIVALENTALL INPUT PULSESR THR1Parameters2.50V3.0V Unit R1166671103ΩR2153851554ΩR TH 8000645ΩV TH1.201.75VData Retention Characteristics (Over the Operating Range)Parameter DescriptionConditionsMin.Typ.[9]Max.Unit V DR V CC for Data Retention 1.5V I CCDR Data Retention CurrentV CC = 1.5VCE 1 > V CC – 0.2V , CE 2 < 0.2V,V IN > V CC – 0.2V or V IN < 0.2VL 15µALL 10t CDR [10]Chip Deselect to Data Retention Time 0ns t R [12]Operation Recovery Timet RCnsData Retention Waveform [13]Notes:10.Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.11.This applies for all packages.12.Full device operation requires linear V CC ramp from V DR to V CC(min.) > 100 µs or stable at V CC(min.) > 100 µs.13.BHE.BLE is the AND of both BHE and BLE. Chip can be deselected by either disabling the chip enable signals or by disabling both BHE and BLE.V CC , min.V CC , min.t CDRV DR >1.5 VDATA RETENTION MODEt RCE 1 or V CCBHE .BLECE 2orSwitching Characteristics Over the Operating Range[14] Parameter Description55 ns70 nsUnit Min.Max.Min.Max.Read Cyclet RC Read Cycle Time5570nst AA Address to Data Valid5570nst OHA Data Hold from Address Change1010nst ACE CE1 LOW and CE2 HIGH to Data Valid5570nst DOE OE LOW to Data Valid2535nst LZOE OE LOW to LOW Z[15]55nst HZOE OE HIGH to High Z[15, 16]2025nst LZCE CE1 LOW and CE2 HIGH to Low Z[15]1010nst HZCE CE1 HIGH and CE2 LOW to High Z[15, 16]2025nst PU CE1 LOW and CE2 HIGH to Power-up00nst PD CE1 HIGH and CE2 LOW to Power-down5570nst DBE BLE/BHE LOW to Data Valid5570nst LZBE BLE/BHE LOW to Low Z[15]1010nst HZBE BLE/BHE HIGH to HIGH Z[15, 16]2025ns Write Cycle[17]t WC Write Cycle Time5570nst SCE CE1 LOW and CE2 HIGH to Write End4060nst AW Address Set-Up to Write End4060nst HA Address Hold from Write End00nst SA Address Set-Up to Write Start00nst PWE WE Pulse Width4045nst BW BLE / BHE LOW to Write End4060nst SD Data Set-Up to Write End2530nst HD Data Hold from Write End00nst HZWE WE LOW to High-Z[15, 16]2025nst LZWE WE HIGH to Low-Z[15]1010ns Notes:14.Test conditions for all parameters other than three-state parameters assume signal transition time of 1 ns/V, timing reference levels of V CC(typ)/2, input pulselevels of 0 to V CC(typ.), and output loading of the specified I OL/I OH as shown in the “AC Test Loads and Waveforms” section.15.At any given temperature and voltage condition, t HZCE is less than t LZCE, t HZBE is less than t LZBE, t HZOE is less than t LZOE, and t HZWE is less than t LZWE for anygiven device.16.t HZOE, t HZCE, t HZBE, and t HZWE transitions are measured when the outputs enter a high impedance state.17.The internal Write time of the memory is defined by the overlap of WE, CE1 = V IL, BHE and/or BLE = V IL, and CE2 = V IH. All signals must be ACTIVE to initiatea write and any of these signals can terminate a write by going INACTIVE. The data input set-up and hold timing should be referenced to the edge of the signalthat terminates the Write.Switching WaveformsRead Cycle 1 (Address Transition Controlled)[18, 19]Read Cycle 2 (OE Controlled)[19, 20]Notes:18.The device is continuously selected. OE, CE 1 = V IL , BHE and/or BLE = V IL , and CE 2 = V IH .19.WE is HIGH for read cycle.ADDRESSDATA OUTPREVIOUS DATA VALIDDATA VALIDt RCt AAt OHA50%50%DATA VALIDt RCt ACEt DOEt LZOEt LZCEt PUHIGH IMPEDANCE t HZOEt PD HIGH OECE 1I CC I SBIMPEDANCEADDRESSCE 2V CC SUPPLY CURRENTt HZBEBHE/BLEt LZBEt HZCEDATA OUT t DBEWrite Cycle 1 (WE Controlled)[17, 21, 22, 23]Notes:20.Address valid prior to or coincident with CE 1, BHE, BLE transition LOW and CE 2 transition HIGH.21.Data I/O is high-impedance if OE = V IH .22.If CE 1 goes HIGH and CE 2 goes LOW simultaneously with WE = V IH , the output remains in a high-impedance state.23.During this period, the I/Os are in output state and input signals should not be applied.Switching Waveforms (continued)t HDt SDt PWEt SAt HAt AWt SCEt WCt HZOEVALID DATACE 1ADDRESSCE 2WEDATA I/OOEBHE/BLEt BWSee Note 23Write Cycle 2 (CE 1 or CE 2 Controlled)[17, 21, 22, 23]Write Cycle 3 (WE Controlled, OE LOW)[22, 23]Switching Waveforms (continued)t HDt SDt PWEt HAt AWt SCEt WCt HZOEVALID DATACE 1ADDRESSCE 2WEDATA I/OOESee Note 23BHE/BLEt BWt SAVALID DATAt HD t SDt LZWEt PWEt SAt HAt AWt SCEt WCt HZWECE 1ADDRESSCE 2WEDATA I/Ot BW BHE /BLESee Note 23Write Cycle 4 (BHE/BLE Controlled, OE LOW)[22, 23]Truth TableCE 1CE 2WE OE BHE BLE Inputs/Outputs ModePower H X X X X X High Z Deselect/Power-Down Standby (I SB )X L X X X X High Z Deselect/Power-Down Standby (I SB )X X X X H H High ZDeselect/Power-DownStandby (I SB )L H H L L L Data Out (I/O 0–I/O 15)Read Active (I CC )L H H L H L Data Out (I/O 0–I/O 7); High Z (I/O 8–I/O 15)Read Active (I CC )L H H L L H High Z (I/O 0–I/O 7);Data Out (I/O 8–I/O 15)Read Active (I CC )L H H H L H High Z Output Disabled Active (I CC )L H H H H L High Z Output Disabled Active (I CC )L H H H L L High ZOutput DisabledActive (I CC )L H L X L L Data In (I/O 0–I/O 15)Write Active (I CC )L H L X H LData In (I/O 0–I/O 7);High Z (I/O 8–I/O 15)Write Active (I CC )LHLXLH High Z (I/O 0–I/O 7);Data In (I/O 8–I/O 15)WriteActive (I CC )Switching Waveforms (continued)DATA I/O ADDRESSt HDt SDt SAt HAt AWt WCCE 1 WEVALID DATAt BWBHE/BLEt SCECE 2t PWESee Note 23Ordering InformationSpeed(ns)Ordering Code PackageName Package TypeOperatingRange55CY62167DV30L-55BVI BV48B48-ball Fine Pitch BGA (8 mm × 9.5mm × 1 mm)Industrial CY62167DV30LL-55BVI55CY62167DV30L-55ZI Z48A48 Pin TSOP I Industrial CY62167DV30LL-55ZI70CY62167DV30L-70BVI BV48B48-ball Fine Pitch BGA (8 mm × 9.5mm × 1 mm)Industrial CY62167DV30LL-70BVI70CY62167DV30L-70ZI Z48A48-pin TSOP I Industrial CY62167DV30LL-70ZIPackage DiagramsCY62167DV30MoBLDocument #: 38-05328 Rev. *E Page 11 of 12© Cypress Semiconductor Corporation, 2004. The information contained herein is subject to change without notice. Cypress Semiconductor Corporation assumes no responsibility for the use of any circuitry other than circuitry embodied in a Cypress product. Nor does it convey or imply any license under patent or other rights. Cypress products are not warranted nor intended to be used for medical, life support, life saving, critical control or safety applications, unless pursuant to an express written agreement with Cypress. Furthermore, Cypress does not authorize its products for use as critical components in life-support systems where a malfunction or failure may reasonably be expected to result in significant injury to the user. The inclusion of Cypress products in life-support systems application implies that the manufacturer assumes all risk of such use and in doing so indemnifies Cypress against all charges.MoBL is a registered trademark and More Battery Life is a trademark of Cypress Semiconductor Corporation. All product and company names mentioned in this document may be the trademarks of their respective holders.Package DiagramsCY62167DV30MoBL Document #: 38-05328 Rev. *E Page 12 of 12 Document History PageDocument Title:CY62167DV30 MoBL 16-Mbit (1M x 16) Static RAMDocument Number: 38-05328REV.ECN NO.Issue DateOrig. ofChange Description of Change**11840809/30/02GUG New Data Sheet*A12369202/11/03DPM Changed Advanced to PreliminaryAdded package diagram*B12655504/25/03DPM Minor change: Changed Sunset Owner from DPM to HRT*C12784109/10/03XRJ Added 48 TSOP I package*D205701AJU Changed BYTE pin usage description for 48 TSOPI package*E238050See ECN KKV/AJU Replaced 48-lead VFBGA package diagram; Modified Package Name inOrdering Information table from BV48A to BV48B。
随机存取存储器的特点
随机存取存储器的特点
随机存取存储器（RAM）是指在计算机系统中用于存储程序和数据的主要存储设备。
与其他类型的存储设备相比，RAM具有以下几个特点：
1. 随机访问
RAM是随机访问存储器，这意味着任何存储单元都可以随时被读写，而且访问任何存储单元所需时间相同。
这有利于实现快速地读写操作。
与之相比，磁带等线性存储设备只能顺序读写。
2. 读写速度快
RAM的读写速度非常快，通常可以达到纳秒级别。
因为RAM使用电子信号来读写数据，而电子信号在空气中的传播速度非常快。
与之相比，机械式存储设备如硬盘等则要慢得多。
3. 可重写
RAM可以多次重写，也就是说，存储单元的内容可以被更新。
这对于需要频繁更改数据的应用来说非常重要。
与之相比，只能一次性编程的只读存储器（ROM）则无法被更新。
4. 容量较小
RAM的容量相对较小，通常只有几兆甚至几十兆字节。
这是因为RAM的成本较高，而且随着容量的增加，读写速度和稳定性会下降。
通常需要大量存储数据的应用会使用硬盘等机械式存储设备。
5. 电源断电会导致数据丢失
RAM是一种易失性存储器，这意味着当电源断电时，存储在其中的数据会被清除。
因此，在使用RAM存储数据时，需要注意及时备份数据，以免数据丢失。
与之相比，只读存储器（ROM）和闪存等非易失性存储器则不会丢失数据。
总之，RAM是一种常用的存储设备，具有随机访问、快速读写、可重写、容量较小等特点。
但同时，也需要注意它的易失性，及时备份数据以免数据丢失。
微机原理半导体存储器
位地址线）。
虚拟存储器程序占用存储空间，可达246字节。
实存储器
由32位 RAM
地址
ROM
232＝4G
虚存储器 磁盘 设备
246＝64T
•虚拟存储器实际上是由磁盘等外存储器旳支持来 实现旳，即由操作系统把磁盘存储器当主存来使 用，以扩大内存。
所以，存储器和CPU旳连接，有三个部分： （1）、地址线旳连接； （2）、数据线旳连接； （3）、控制线旳连接。 在详细连接时应考虑下面问题：
1、CPU总线旳负载能力
在微机系统中，CPU经过总线与数片存储器和若干I/O 芯片相连，而这些芯片可能为TTL器件，或MOS器 件，所以构成系统时CPU总线能否支持其负载是必须 考虑旳问题。
24 ——VCC ——A8 ——A9 ——WE ——OE ——A10 ——CE ——D7 ——D6 ——D5 ——D4
13 ——D3
引脚功能
D0－D7 8位数据输入／输出 A0-A10地址输入 ,11位
CE 片选（芯片允许） WE 写允许 OE 输出允许
一般RAM都有这三个控制端
• 2K*8=2024*8=16384个基本元电路，用11根地址 线对其进行译码，以便对2K个单元进行选择，选 中旳8bit位同步输入/输出，数据旳方向由CE， WE，OE一起控制。
旳存取时间tRC或tWC；一般以CPU旳时序来拟定对存储
器旳存储速度旳要求 ；在存储芯片已拟定旳情况下， 则应考虑是否需要迁入TW周期等。
• 背面设计，假设能配合，不考虑插入电路。
3、存储器旳地址分配和片选问题
因为目前单片存储器旳容量依然是有限旳，所以 总是要由许多片才干构成一定容量旳存储器。
四倍数据速率静态随机存取存储器(QDR)简介
QDR是Quad Data Rate Static Random Access Memory(QDR SRAM)的缩写，也就是四倍数据速率静态随机存取存储器的意思。
QDR的四倍数据速率是相对普通SRAM而言的。
普通SRAM使用半双工总线，即在同一时刻只能进行读或者写操作(读/写共用一条数据通道)，所以普通SRAM又称作SDR(Single Data Rate) SRAM，即“单倍数据速率静态随机存取存储器”。
DDR(Double Data Rate) SRAM在SDR SRAM的基础上做了改进，与SDR SRAM只在参考时钟的上升沿采样数据不同，DDR SRAM在参考时钟的上升沿和下降沿都采样数据，这样，DDR SRAM在一个时钟周期内可以传输双倍数据，DDR SRAM(双倍数据速率SRAM)也是由此得名的。
QDR在保留DDR特征的基础上，对其数据总线进行了升级，DDR只有一条数据通道，数据读/写操作共用，属于半双工工作方式，而QDR拥有两独立条数据通道，数据读/写操作可以同时进行，属于全双工工作方式，因此，QDR的数据存取速率又是DDR的两倍。
这样计算下来，QDR的数据存取速率是SDR的四倍，四倍数据速率的雅称也因此而来。
QDR1/2/3的最高工作频率分别为200/333/500MHz。
在高速通信系统中(40G/100G)基本上都使用QDR。
QDR器件规范是由Cypress、IDT、NEC、Samsung和Renesas等公司组成的QDR联盟共同定义和开发的。
QDR联盟的官方网站是：。
同DDR一样，QDR也分为QDR1、QDR2和QDR3。
与QDR1相比，QDR2增加了一对源同步时钟，可以帮组SRAM控制器捕获数据，此时钟被称为反馈时钟(CQ和CQ#)，这个反馈时钟与QDR2的输入参考时钟保持同步，同时又与QDR2输出路径的数据总线保持沿对齐。
这样，QDR2产生的整体数据有效视窗便会比同频率的QDR1增大约35%，而延迟却比QDR1少了二分之一个周期，这额外的半周期可容许在最低的延迟下进行更高频率和更大带宽操作。
SRAM（静态随机存取存储器）
SRAM（静态随机存取存储器）SRAM静态随机存取存储器本词是多义词共3个含义静态随机存取存储器（S tatic R andom-A ccess M emory，SRAM）是随机存取存储器的一种。
所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。
相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。
然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。
中文名静态随机存取存储器外文名Static Random Access Memory缩写SRAM优点较高的性能缺点集成度低朗读段落意见反馈基本简介3张静态随机存取存储器SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
而DRAM （Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，功耗较DRAM大[1]，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。
同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。
[2]朗读段落意见反馈主要规格一种是置于cpu与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory）；另一种是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。
还有为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在Pentium CPU 就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache是建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU 的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故Pentium Pro的体积较大。
随机存储器
随机存取存储器随机存取存储器RAM（随机存取存储器）RAM -random access memory 随机存储器。
存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。
这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。
按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（DynamicRAM,DRAM)。
目录随机存取所谓“随机存取”，指的是当存储器中的消息被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置无关。
相对的，读取或写入顺序访问（Sequential Access）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系（如磁带）。
易失性当电源关闭时RAM不能保留数据。
如果需要保存数据，就必须把它们写入静态随机存取存储器一个长期的存储设备中（例如硬盘）。
RAM和ROM 相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM不会。
高访问速度现代的随机存取存储器几乎是所有访问设备中写入和读取速度最快的，取存延迟也和其他涉及机械运作的存储设备相比，也显得微不足道。
需要刷新现代的随机存取存储器依赖电容器存储数据。
电容器充满电后代表1(二进制)，未充电的代表0。
由于电容器或多或少有漏电的情形，若不作特别处理，数据会渐渐随时间流失。
刷新是指定期读取电容器的状态，然后按照原来的状态重新为电容器充电，弥补流失了的电荷。
需要刷新正好解释了随机存取存储器的易失性。
对静电敏感正如其他精细的集成电路，随机存取存储器对环境的静电荷非常敏感。
静电会干扰存储器内电容器的电荷，引致数据流失，甚至烧坏电路。
故此触碰随机存取存储器前，应先用手触摸金属接地。
随机存储器rom -read only memory 只读存储器①简单地说，在计算机中，RAM 、ROM都是数据存储器。
RAM 是随机存取存动态随机存取存储器储器，它的特点是易挥发性，即掉电失忆。
plc中的数据类型
plc中的数据类型PLC中的数据类型在PLC编程中，数据类型是非常重要的概念，它定义了变量的存储方式和取值范围，使得程序能够正确地运行。
在本文中，我们将介绍几种常见的PLC数据类型，以帮助读者更好地理解和应用这些数据类型。
1. 位（BOOL）类型位（BOOL）类型是最基本的数据类型之一，它只能存储0或1两种取值。
在PLC编程中，位类型通常用于表示开关的状态，例如一个输入信号的开关状态或一个输出信号的控制状态。
位类型在逻辑运算和控制逻辑中起着重要作用，是编程中不可或缺的一部分。
2. 字节（BYTE）类型字节（BYTE）类型是一种基本的整数类型，用于存储8位二进制数据。
在PLC编程中，字节类型通常用于表示一个字节的数据，例如一个传感器的数值或一个控制指令。
字节类型可以进行数值运算和逻辑运算，是编程中常用的数据类型之一。
3. 整型（INT、DINT、SINT）类型整型（INT、DINT、SINT）类型是用于表示整数的数据类型，其中INT表示16位整数，DINT表示32位整数，SINT表示8位整数。
在PLC编程中，整型类型通常用于表示计数器的数值或存储整数数据。
整型类型可以进行数值运算和比较运算，是编程中常用的数据类型之一。
4. 浮点型（REAL、LREAL）类型浮点型（REAL、LREAL）类型是用于表示浮点数的数据类型，其中REAL表示单精度浮点数，LREAL表示双精度浮点数。
在PLC编程中，浮点型类型通常用于表示传感器的模拟数值或进行浮点数运算。
浮点型类型可以进行数值运算和比较运算，是编程中常用的数据类型之一。
5. 字符串（STRING）类型字符串（STRING）类型是用于表示文本数据的数据类型，可以存储任意长度的文本数据。
在PLC编程中，字符串类型通常用于表示文本信息或进行文本处理。
字符串类型可以进行字符串连接和比较运算，是编程中常用的数据类型之一。
6. 时间（TIME、LTIME）类型时间（TIME、LTIME）类型是用于表示时间数据的数据类型，其中TIME表示毫秒级时间，LTIME表示微秒级时间。
静态存储器的介绍
Slide1. SRAM的全称是static random access memory，它是一种最常用的memory,核心部分是两个cross-coulped inverter 组成的bi-stable latching circuit，通常称为flip-flop的电路。
SRAM static的特性主要是它不需要像DRAM那样定期对存储的数据进行刷新，只要Vdd 不掉电，数据就可以稳定存储。
SRAM最主要的应用就是缓存，缓存的作用是在CPU和内存之间进行数据缓冲。
像智能手机这样的一些高端电子产品，SRAM是必不可少的。
SRAM之所以可以做缓存是因为它有一个最为重要的优点：speed, SRAM的读写频率可以到几个Giga Hz，比DRAM至少快一个order。
SRAM最大的劣势在于density 比较低，用的最多的SRAM是所谓的6T traditional SRAM, 1个bitcell有六个MOSFET组成，与SRAM对应的DRAM只需要一个MOSFET加一个capacitor。
bitcell占用面积大导致desity低,density低造成cost 高，具体表现是同样容量的缓存会比内存条造价高很多。
Slide 2. 这是一个目前典型的memory 架构，CPU+3级缓存再加内存条，其中一级缓存经常用8T dual port SRAM,可以用两个port同时读写，速度最高，集成度也最低，三级缓存会用high-density design的SRAM，集成度最高，速度最低。
从下面这幅实物图可以清楚看到multi-core 和三级缓存做在一起，stand alone的SRAM已经很少看到，一些低端的电子产品在介绍CPU性能参数的时候不会把缓存的信息单独列出来，但是对于像智能手机这样高端的电子产品，缓存的容量和工作频率绝对是一个重要的性能指标。
下面这张图根据价格和读写速度对memory进行一个排列，硬盘速度最低，价格最便宜，内存条其次，缓存速度最高，造价也最高。
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ZBT是Zero Bus Turnaround SRAM的缩写，即“零总线翻转静态随机存取存储器”。
属于SRAM的一种，SRAM的类型有很多种，如下图所示：
1).ASRAM是普通异步静态随机存取存储器，该器件内部无参考时钟，读写时序比较简单，只要将控制信号选中指定地址和数据线即可读取或写入数据；
2).SSRAM是同步静态随机存取存储器，与ASRAM相比，内部多了一个参考时钟；
3).DPSRAM即Double Port SRAM，双口SRAM的意思；
4).Synchronous Burst SSRAM即同步突发SSRAM，读写速率比异步SRAM 快，主要有Flow-Through(直通方式)和Pipeline(流水线方式)两种操作方式；
5).DDR SRAM即双数据速率SRAM；
6).QDR SRAM即四倍数据速率SRAM，前面已经专题介绍过了；
7).ZBT SRAM即零总线翻转SRAM，也是本文的重点介绍内容。
记得之前在介绍RAM器件的时候介绍过，RAM器件在读/写操作间进行状态转换的时候，需要一些空闲指令周期NOP(No Operation)来进行过渡，普通SRAM
进行读操作时，数据滞后两个时钟周期，而写操作是即时的，从写操作状态切换到读操作状态需要等待两个时钟周期。
如果在某些需要频繁进行读/写操作切换的系统中使用普通SRAM的话，总线利用效率将会变得非常低。
为此，IDT公司联合推出ZBT SRAM，该器件通过简单的接口控制逻辑消除了读写操作转换的等待时间，在读写操作状态转换过程中无需等待，直接切换，总线利用率可达100%，非常适合读写操作频繁切换的场合。
普通SRAM和ZBT SRAM读写状态切换对比图下图所示：
ZBT SRAM根据所带有的接口的不同，可分为两种即pipelined ZBT SRAM 和flow -through ZBT SRAM，在pipelined ZBT SRAM中，读命令发出两个时钟周期之后，可得到读取的数据，写命令发出两个时钟周期之后，可以写数据；在flow - through ZBT SRAM中读命令发出一个时钟周期之后，可得到读取的数据，写命令发出一个时钟周期之后，可以写数据。
他们都支持TTL和COMS I/O口标准。
其总线操作过程如下图所示。
ZBT SRAM的接口信号主要由时钟信号、控制总线、地址总线和数据总线等组成。
其中，时钟信号是为ZBT SRAM实现包括读、写操作在内的各种操作提供驱动信号；
1).RW#是读写控制信号，RW# = 1允许读操作,RW# = 0允许写操作。
2).BW#是同步字节写使能信号，低电平有效。
3).ADV_LD#是地址控制信号，ADV_LD#= 0时内部的寄存器加载新的地址，
若在时钟的上升沿ADV_LD# = 1则内部地址计数器增加；
4).地址总线SA[ASIZE-1 ：0]，它为对ZBT SRAM读写操作存储器单元提供存储地址寻址信号。
其位数由ZBT SRAM的存储容量决定；
5).数据总线DQ[DSIZE-1：0]是ZBT SRAM在读写操作时与外部进行数据交换的通道。