肖特基二极管MBR系列命名规则
FOSAN富信电子 二极管 MBR0520-MBR0580-产品规格书
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.MBR0520-MBR0580SOD-123Schottky Barrier Rectifier Diode肖特基势垒整流二极管■Features 特点Low forward voltage drop 低正向压降High current capability 高电流能力Surface mount device 表面贴装器件Case 封装:SOD-123■Maximum Rating 最大额定值(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号MBR0520MBR0530MBR0540MBR0560MBR0580Unit 单位Device Marking 产品印字R2R3R4R6R8V Peak Reverse Voltage 反向峰值电压V RRM 2030406080V DC Reverse Voltage 直流反向电压V R 2030406080V RMS Reverse Voltage 反向电压均方根值V R(RMS)1421284256V Forward Rectified Current 正向整流电流I F 0.5A Peak Surge Current 峰值浪涌电流I FSM 5.5A Power Dissipation 耗散功率P D 410mWThermal Resistance J-A 结到环境热阻R θJA 245℃/WJunction/Storage Temperature 结温/储藏温度T J,T stg -50to+125℃℃■Electrical Characteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号MBR0520MBR0530MBR0540MBR0560MBR0580Unit 单位Condition 条件Reverse Voltage 反向电压V R 2030406080V I R =1mA Forward Voltage 正向电压V F 0.450.550.550.70.8V I F =0.5A Reverse Current 反向电流I R 80µA V R =V RRMDiode Capacitance 二极管电容C T30pFV R =4V,f=1MHz安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.MBR0520-MBR0580■Typical Characteristic Curve典型特性曲线■Dimension外形封装尺寸SOD-123。
MBR1040CT-MBR1040FCT ASEMI高压大功率肖特基二极管规格
MBR1040CT MBR1040FCT MBR1040DC肖特基二极管参数PDF规格书MBR1040FCT等肖特基均采用俄罗斯Mikron芯片，28条台湾健鼎测试线，确保MBR1040FCT的高可靠性肖特基二极管MBR1040FCT参数规格：肖特基二极管MBR1040FCT电流：10A；肖特基二极管MBR1040FCT电压：40V；肖特基二极管MBR1040FCT管装：50/管；盒装：1000PCS/盒。
肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
MBR1040CT ITO-220AB肖特基二极管PDF资料MBR1040CT肖特基类型：高结温芯片，品牌：ASEMI，应用市场：电源，小家电，LED电源，各式充电器，开关电源，LED显示屏等。
MBR1040CT肖特基相关参数如下：MBR1040CT电压Vrrm:40VMBR1040CT电流If平均：10AMBR1040CT正向电压Vf最大：0.54VMBR1040CT电流，Ifs最大：120AMBR1040CT工作温度范围：-40°C to+150°CMBR1040CT封装形式：TO-220/TO-220F/ITO-220MBR1040CT反向恢复电流，Irrm:20UA肖特基系列型号：MBR1040CT,MBR1045CT,MBR1060CT,MBR1060FCT,MBR10100CT,MBR10100FCT,MBR10150FCT,MBR10150CT,MBR10200FCT,MBR10200CT肖特基二极管封装：TO-251,TO-252,TO-263,TO-220,TO-247,TO-3P。
ASEMI肖特基二极管型号大全,找找MBR4045PT属于哪一类
编辑：GGASEMI肖特基二极管的型号众多，接下来所列型号主要以电流电压大小，分为大类，再以封装区分作为辅助分类。
ASEMI肖特基二极管型号大全，找找MBR4045PT属于哪一类1A~5A 20V~150V 肖特基二极管两者型号都在用SS封装：SS110 、SS14 。
10A 45V~200V 肖特基二极管采用TO-220AC封装的有：MBR10200AC、MBR10150AC、MBR10100AC、MBR1060AC、MBR1045AC、MBR1040AC采用TO-220封装的有：MBR1040FCT、MBR10200FCT、MBR10100FCT、MBR10150FCT、 MBR1040CT、MBR10200CT、MBR1040FCT、MBT1045FCT、 MBR1045CT、MBR1040CT、 MBR1045CT、MBR1060CT、MBR1060FCT、MBR10100CT、MBT10100FCT、MBR10150CT该封装有FCT和CT结尾的型号命名，区别于前者是塑封封装、后者是铁头封装。
采用TO-251封装的有：BD1045CT、BD1060CT、BD10100CT、BD10150CT、BD10200CT、BD1040CT采用TO-252封装的有：BD1040CS、BD1045CS、BD1060CS、BD10100CS、BD10150CS、 BD10200CS 采用TO-263封装的有：MBR10200DC、MBR1040DC、MBR1045DC、MBR1060DC、MBR10100DC、MBR10150DC20A 45V~200V肖特基二极管采用TO-220AC封装的有：MBR20200AC、MBR20150AC、MBR20100AC、MBR2060AC、 MR2045AC采用TO-251封装的有：BD2060CT、BD2045CT、BD20100CT、BD20150CT、BD20200CT、采用TO-252封装的有：BD20100CS、BD20150CS、BD20200CS、BD2045CS、BD2060CS采用TO-263封装的有：MBR2045DC、MBR2060DC、MBR20100DC、MBR20150DC、MBR20200DC采用TO-220封装的有：MBR2045CT、MBR2045FCT、MBR20200FCT、MBR2060CT、 MBR20100FCT、MBR2060FCT、MBR20100CT、MBR20100FCT、 MBR20150CT、MBR20150FCT、MBR20200CT、MBR20200FCT采用TO-247/3封装的有：MBR20200PT30A 45V~200V 肖特基二极管采用TO-247/3P封装的有：MBR3045PT、MBR3060PT、MBR30100PT、MBR30150PT、MBR30200PT采用TO-263封装的有：MBR30200DC、MBR3060DC、MBR30100DC、MBR30150DC、MBR3045DC采用TO-220封装的有：MBR3045CT、MBR3045FCT、MBR3060CT、MBR3060FCT、MBR30100CT、MBT30100FCT、MBR30150CT、MBR30150FCT、 MBR30200CT、MBR30200FCT 40A 45V~200V 肖特基二极管采用TO-263封装的有：MBR4045DC、MBR40200DC、MBR4060DC、MBR40100DC、MBR40150DC采用TO-247/3P封装的有：MBR40200PT、MBR4045PT、MBR4060PT、MBR40100PT、 MBR40150PT、采用TO-220封装的有：MBR4045FCT、MBR4045CT、MBR4060FCT、MB40100FCT、 MBR4060CT、MBR40100CT60A 45V~220V 肖特基二极管采用TO-247/3P封装的有：MBR6045PT、MBR6060PT、MBR60100PT、MBR60150PT、 MBR60200PT 10A~60A 20V~100V 肖特基二极管采用ITO-220AB封装的有：SBT10150UCT、SBT10100UCT、SBT1060UCT、SBT1045UCT、SBT10150VCT、SBT10100VCT、SBT1060VCT、SBT1045VCT、SBT30150UCT、SBT2045VCT、SBT2060VCT、SBT20100VCT、SBT20150VCT、SBT2045UCT、 SBT2060UCT、SBT20100UCT、 SBT20150UCT、SBT3045VCT、SBT3060VCT、SBT30100VCT、 SBT30150VCT、SBT3045UCT、SBT3060UCT、SBT30100UCT、SBT1045UFCT、SBT30100UFCT、SBT1060UFCT、SBT10150VFCT、SBT10100VFCT、SBT1060VFCT、SBT1045VFCT、SBT10100UFCT、SBT2045VFCT、SBT10150UFCT、 SBT2060VFCT、SBT20100VFCT、SBT20150VFCT、SBT2045UFCT、SBT2060UFCT、SBT20100UFCT、SBT20150UFCT、SBT3045VFCT、SBT3060VFCT、SBT30100VFCT、 SBT30150VFCT、SBT3045UFCT、SBT3060UFCT、SBT30150UFCT、SBT1045UFCT、 SB10100LCT、SB10150LCT、SB1045LFCT、SB1045LFCT、SB30100LFCT、 SB1060LFCT、SB30150LFCT、SB10100LFCT、SB2045LFCT、SB10150LFCT、SB2060LFCT、SB20100LFCT、SB3060LCT采用TO-220AB封装的有：SB1060LCT、SB30150LCT、SB30150LCT、SB10100LCT、SB2060LCT、SB10150LCT、SB20150LCT、SB3060LCT、SB30100LCT、SB1045LCT采用TO-277封装的有：10V45这款肖特基二极管型号是超低压降、贴片小封装的。
肖特基二极管MBR10100F ASEMI 10A 100V
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MBR1080 THUR MBR10100
Dual High-Voltage Schottky Rectifiers
REV:1.01
The forward voltage and forward current curve
The reverse leak current and the reverse voltage (single-device) curve
MBR1080 THUR MBR10100 Dual High-Voltage Schottky Rectifiers
◆ Half Bridge Rectified、Common Cathode Structure. Multilayer Metal -Silicon Potential Structure. Low Power Waste，High Efficiency. Beautiful High Temperature Character. Have Over Voltage protect loop，high reliability. RoHs Product.
MBR10100
XXXX
修订内容
ＷＷＷ．ＳＵＮＮＹＳＥＭＩ．ＣＯＭ
Page 3
VRRM= 100V IF(AV)= 10A
Circuit and Protection Circuit.
■ MBR1080、MBR1090、MBR10100 Schottky diode,in the manufacture uses the main process technology includes: Silicon epitaxial substrate, P+ loop technology,The potential metal and the silicon alloy technology, the device uses the two chip, the common cathode, the plastic package structure.
MBR40200FCT丨MBR40200CT全塑封半塑封ASEMI半导体选型参数
编辑：DD摘要:ASEMI肖特基二极管MBR40100FCT全塑封封装和铁头封装哪种性能比较好？这两种封装各有它的有点？不着急，接下来，就由ASEMI工程就为大家详细介绍这两款封装的区别及优点台湾ASEMI肖特基二极管MBR40200FCT全部采用：进口高性能俄罗斯Mikron扩散高抗击芯片，内置130Mil大规格整流芯片；确保平均最大输出40A 的电流；反向耐压值达到100V；通俗的来讲，MBR40200FCT可以通过正向40A的电流，而反向可以承受100V的电压。
MBR40200FCT是一款常规型肖特基二极管，广泛应用于高频电源等领域。
电性参数方面都被大家广为熟知。
那么有关于它的封装问题，又有多少朋友知道呢？MBR40200FCT既有全塑封封装又有铁头封装，这也是工程或者采购朋友们一直困惑的问题，到底应该采购哪种比较好呢？不着急，接下来，就由ASEMI工程就为大家详细介绍这两款封装的区别及优点。
ASEMI肖特基二极管MBR40200FCT-用全塑封装绝缘性更好我们经常所说采用塑封或者全塑封，就是指MBR40200FCT肖特基二极管内部框架、芯片、焊片等等电路全部被一体包封住，与外界隔绝。
它所采用的材料是环氧树脂，这种高级环氧材料具有非常好的抗热性,防氧化性及绝缘性都非常好。
我们知道MBR40200FCT应用领域多为电源高频整流环节,所以对安全性要求比较高，需要拥有很好绝缘性来避免电路短路等故障发生。
正是这样，采用全塑封装的能有效避免内部电路与外界接触，更好的保护电路安全。
ASEMI肖特基二极管MBR40200FCT-用铁头封装散热性表现更佳这款肖特基二极管除了有采用为保障电路安全的全塑封装外，还有另外一种封装，那就是为解决散热性问题的铁头封装。
采用铁头封装的型号打标方式为MBR40200CT与全塑封装相区别。
这种封装能大幅提升电源的有效散热效率，针对发热严重或者对散热要求高的电路非常适用。
综上所述，就是MBR40200全塑封与铁头的详细介绍了，不知工程及采购朋友掌握了没有呢？仅供参考,希望对大家在以后应用货采购上有所帮助。
安森美MBRA340T3-D 肖特基功率二极管 用户手册说明书
Surface MountSchottky Power RectifierSMA Power Surface Mount PackageMBRA340, NRVBA340,NRVBA340NEmploying the Schottky Barrier principle in a large area metal −to −silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity diodes in surface mount applications where compact size and weight are critical to the system.Features•Small Compact Surface Mountable Package with J −Bent Leads •Rectangular Package for Automated Handling •Highly Stable Oxide Passivated Junction •Very Low Forward V oltage Drop •Guardring for Stress Protection•NRVBA Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC −Q101Qualified and PPAP Capable*•These Devices are Pb −Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS CompliantMechanical Characteristics:•Case: Epoxy, Molded•Weight: 70 mg (approximately)•Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal Leads are Readily Solderable•Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes:260°C Max. for 10 Seconds•Polarity: Cathode Lead Indicated by Polarity Band •ESD Ratings:♦Machine Model = C♦Human Body Model = 3B•Device Meets MSL 1 RequirementsDevicePackageShipping †ORDERING INFORMATIONSCHOTTKY BARRIERRECTIFIER 3.0 AMPERES 40 VOLTSMARKING DIAGRAMSMA CASE 403D STYLE 1A34AYWWGMBRA340T3G NRVBA340T3G NRVBA340T3G −VF01NRVBA340NT3G*Cathode AnodeA34= Device Code A = Assembly Location**Y = Year WW = Work Week G = Pb −Free Package12SMA (Pb −Free)5,000 / Tape & Reel†For information on tape and reel specifications,including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specification Brochure, BRD8011/D.**The Assembly Location code (A) is front side optional. In cases where the Assembly Location is stamped in the package bottom (molding ejecter pin),the front side assembly code may be blank.(Note: Microdot may be in either location)MAXIMUM RATINGSRatingSymbol Value Unit Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking VoltageV RRM V RWM V R 40VAverage Rectified Forward Current (At Rated V R , T L = 100°C)I O 3.0A Non −Repetitive Peak Surge Current(Surge Applied at Rated Load Conditions Halfwave, Single Phase, 60 Hz)I FSM 100A Storage/Operating Case Temperature T stg , T C −55 to +150°C Operating Junction Temperature (Note 1)T J −55 to +150°C Voltage Rate of Change (Rated V R , T J = 25°C)dv/dt10,000V/m sStresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.1.The heat generated must be less than the thermal conductivity from Junction −to −Ambient: dP D /dT J < 1/R q JA .THERMAL CHARACTERISTICSCharacteristicSymbol Value Unit Thermal Resistance − Junction −to −Lead (Note 2)Thermal Resistance − Junction −to −Ambient (Note 2)R θJL R θJA1581°C/W2.Mounted on 2″ Square PC Board with 1″ Square Total Pad Size, PC Board FR4.ELECTRICAL CHARACTERISTICSCharacteristicSymbol ValueUnit Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 3)(I F = 3.0 A)V FT J = 25°C T J = 100°C Volts0.4500.390Maximum Instantaneous Reverse Current (V R = 40 V)I R T J = 25°CT J = 100°CmA 0.315Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.3.Pulse Test: Pulse Width ≤ 250 μs, Duty Cycle ≤ 2.0%.TYPICAL CHARACTERISTICSFigure 1. Typical Forward VoltageFigure 2. Maximum Forward Voltage1010.1V F , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)I F , IN S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T (A M P S )1010.1V F , MAXIMUM INSTANTANEOUS FORWARDVOLTAGE (VOLTS)I F , I N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T (A M P S )Figure 3. Typical Reverse CurrentFigure 4. Maximum Reverse CurrentV R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)100E −10E −10E −100E −I R , R E V E R S E C U R R E N T (A M P S )100E −100E −1E −1E −10E −1E −V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)100E −10E −10E −100E −I R )1E −1E −Figure 5. Current Derating02.5I O , A V E R A G E F O R W A R D C U R R E N T (A M P S )T L , LEAD TEMPERATURE (°C)Figure 6. Forward Power Dissipation1.800.6I O , AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)P F O , A V E R A G E P O W E R D I S S I P A T I O N (W A T T S )Figure 7. Capacitance0.511.52533.54.50.20.41.00.81.6Figure 8. Typical Operating TemperatureDeratingV R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)C , C A P A C I T A N C E (p F )V R , DC REVERSE VOLTAGE (VOLTS)115T J , D E R A T E D O P E R A T I N G T E M P E R A T U R E (°C )1.41.24Figure 9. Thermal Response, Junction −to −Ambient (min pad)t, TIME (S)R (t ), T R A N S I E N T T H E R M A L R E S I S T A N C E (°C /W )Figure 10. Thermal Response, Junction to Ambient (1 inch pad)t, TIME (S)R (t ), T R A N S I E N T T H E R M A L R E S I S T A N C E (°C /W )1100SCALE 1:1SMA CASE 403D ISSUE JDATE 22 OCT 2021xxxx = Specific Device Code A = Assembly Location Y = YearWW = Work WeekG= Pb −Free PackageSTYLE 1:PIN 1.CATHODE (POLARITY BAND)2.ANODESTYLE 2:NO POLARITYSTYLE 1STYLE 2STYLE 1STYLE 2xxxx AYWWG xxxx AYWW G GENERICMARKING DIAGRAM**This information is generic. Please refer to device data sheet for actual part marking.Pb −Free indicator, “G” or microdot “G ”, may or may not be present. Some products maynot follow the Generic Marking.MECHANICAL CASE OUTLINEPACKAGE DIMENSIONSPUBLICATION ORDERING INFORMATIONTECHNICAL SUPPORTNorth American Technical Support:Voice Mail: 1 800−282−9855 Toll Free USA/Canada Phone: 011 421 33 790 2910LITERATURE FULFILLMENT :Email Requests to:*******************onsemi Website: Europe, Middle East and Africa Technical Support:Phone: 00421 33 790 2910For additional information, please contact your local Sales Representative。
关于肖特基MBR系列
关于肖特基MBR系列：为什么要取名为“MBR”？M：是以最早MOTOROLA的命名，取MB：Bridge 桥，整流桥R：Rectifier，整流器SCHOTTKY：肖特基SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....、1、肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
2、肖特基二极管的结构肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N 外延层（砷材料）、N型硅基片、N阴极层及阴极金属等构成。
在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。
当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。
采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。
它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。
肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式。
采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有A~19种管脚引出方式。
3、常用的肖特基二极管常用的有引线式肖特基二极管有1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200等型号。
常用的表面封装肖特基二极管，SCHOTTKY取第一个字母“S”，片式表面贴片SMD取第一个字母“S”，即为SS，如：SS12、SS14....电流最小的肖特基是BAT42（0.2A)；BAT54、BAT54A、BAT54C（0.3A）；电流最大的肖特基是440A，如：440CMQ030、444CNQ045；超过440A的必定是模块。
肖特基二极管MBR系列命名规则
肖特基二极管MBR系列命名规则肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode）Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管简称：SBDSchottky:肖特基（发明人名称）Barrier：势垒SB:即为肖特基势垒二极管MBR、SR、SL、SB、SBT、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。
各厂家命名有不同。
肖特基二极管也称肖特基势垒二极管，国内厂家也有叫做"SB1045CT、SR10100、SL…、BL…看懂肖特基二极管MBR系列：M:是以最早MOTOROLA的命名，取MB:Bridge桥；Barrier:势垒R:Rectifier,整流器"MBR"意为整流器件SCHOTTKY RECTIFIER DIODES:肖特基整流二极管例1：MBR10100CTM:MOTOROLA缩写MB:Barrier缩写BR:Rectifier缩写R10:正向电流10A100:反向耐压100VC:表示TO-220AB封装，常指半塑封（铁封）。
T:表示管装例2：MBR6045PTM:MOTOROLA缩写MB:Barrier缩写BR:Rectifier缩写R60:正向电流60A45:反向耐压45VP:表示TO-247(3P)封装T:表示管装例3：MBR20200FCTM:MOTOROLA缩写MB:Barrier缩写BR:Rectifier缩写R20:正向电流20A200:反向耐压200VF:表示ITO-220AB(TO-220F)全塑封T:表示管装肖特基二极管有哪些主要参数呢？IF(IO)：正向电流（A)VRRM：反向耐压(V)IFSM：峰值瞬态浪涌电流(A)IF：测试电流(A)VF:正向压降(V)IR：反向漏电流(UA)TRR:反向快恢复时间(NS)肖特基二极管常见选型型号：。
常用肖特基二极管、型号的命名、字母含义
SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
例如：MBR10200CT
M：MOTOROLA
缩写 M
B：Barrier1
缩写 B
R：Rectifier
缩写 R
10：电流 10A
200：电压 200V
C：表示 TO-220AB 封装，常指半塑封。
T：表示管装
MBR1045CT，其中的“C”：表示 TO-220 封装；MBR6045PT，其中的“P”：表示 TO-3P 封装
MBR30150CT，30A，150V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；
MBR30200CT，30A，200V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；
MBR3045PT， 30A， 45V，TO-247、TO-3P；
MBR3060PT， 30A， 60V，TO-247、TO-3P；
MBR30100PT，30A，100V，TO-247、TO-3P；
MBR1045CT、MBR10100CT：TO-220AB（三脚半塑封），10A
M
BMBR1535CT、MBR1545CT：TO-220AB（三脚），15A RFMBR2045CT、MBR20200CT：TO-220AB（三脚），20A 1MBR2535CT、MBR2545CT：TO-220AB（三脚），25A 0MBR3045CT、MBR3060CT：TO-220AB（三脚），30A
MBR40150PT，40A，150V，TO-247、TO-3P；
MBR40200PT，40A，200V，TO-247、TO-3P；
MBR6045PT， 60A， 45V，TO-247、TO-3P；
MBR6060PT， 60A， 60V，TO-247、TO-3P；
MBR20100FCT-ASEMI肖特基二极管怎么选用？
MBR20100FCT-ASEMI肖特基二极管怎么选用？编辑-zASEMI肖特基二极管MBR2O1OOFCT是电子产品生产中不可缺少的重要保护器件,MBR2O1OOFCT尤其广泛应用于便携式电子产品和开关电源，深受电子行业的喜爱。
然而, 在肖特基二极管市场，如何选择合适产品的肖特基二极管呢？MBR20100FCT参数描述型号：MBR2O1OOFCT封装：TO-220特性：大功率肖特基二极管电性参数:20A 100V芯片材质：Mikron正向电流(⑹:20A芯片个数：2正向电压(VF)： 0.8V芯片尺寸：102mil浪涌电流Ifsm： 200A漏电流(lr)： 0.05mA工作温度：∙65~+175"C恢复时间(Trr)： 5nS引线数量：3MSEMII肖特基二极管MBR20100FCT选型的关键参数：1：VR连续反向电压。
如果肖特基MBR20100FCT两端的反向电压超过这个电压，肖特基就会被击穿并导通。
2： VF正向导通压降。
这是导通时肖特基MBR20100FCT两端的电压降。
3： IF连续正向电流。
如果肖特基MBR20100FCT的正向电流超过这个值，肖特基将被烧断。
4： IR反向漏电流。
根据肖特基MBR20100FCT的特性，该参数会随着温度的升高而增大。
因此，设计人员在设计PCB或考虑使用环境时，应在设计中考虑反向泄漏。
5： TRR反向恢复时间。
这个参数决定了肖特基MBR20100FCT可以在多高频的电路中使用。
6： IFSM最大浪涌电流。
肖特基MBR20100FCT允许过大的电流流动，但电流必须是瞬时的。
肖特基二极管在电源中的优缺点：肖特基二极管MBR20100FCT优点：1：低压降，低损耗电压。
2：开关速度快，损耗低，适用于高频电路。
肖特基二极管MBR20100FCT的缺点：1：反向偏压较低，不能承受过大的反向电压。
2：反向漏电具有正温度系数，当温度升高时，IR反向泄漏会增加（这是设计人员容易忽略的参数）。
MBR10100FCT-ASEMI肖特基二极管MBR10100FCT
MBR10100FCT-ASEMI 肖特基二极管MBR1O1OOFCT编辑-zMBR1O1OOFCT在TO-220封装里采用的2个芯片，是一款肖特基二极管。
MBR1O1OOFCT的浪涌电流∣fsm为150A,漏电流(上)为0.05mA,其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。
MBR10100FCT采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。
MBR10100FCT的电性参数是：正向电流(I。
)为10A,反向耐压为100V,正向电压(VF)为0.8V,其中有3条引线。
MBR10100FCT参数描述型号:MBR10100FCT封装：TO-220特性：肖特基二极管电性参数：10A, 100V芯片材质：SI正向电流(⑹：10A芯片个数：2正向电压(VF)： 0.8V芯片尺寸：86MIL浪涌电流Ifsm： 150A漏电流(Irj： 0.05mA工作温度：-65~+175C恢复时间(Trr)： <5nS引线数量：3MBR10100FCT 的TO-220封装系列。
它的木体长度为15.4mm,加引脚长度为29.2mm,宽度 为10.3mm,高度为4.8mm 。
MBR10100FCT 的特性有：可燃性分类94V-O 、阻燃环氧模塑料、 金属硅结，多数载流子传导、低功耗、高效率、高电流能力、用于过压保护的保护环、用于 低压、高频逆变器续流和极性保护应用、符合欧盟RoHS 200羽yEC 指令。
以上就是关于MBR10100FCT-ASEMI 肖特基二极管MBR10100FCT 的详细介绍。
ASEMI 产品广 泛应用于：开关电源、LED 照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽 车电子以及液晶电视、1。
丁、智能家居、医疗仪器、电磁炉等大小家电。
DO-41/27/15 全系列封装 KBU SMA/B/C KB P DIP-7 电源器件专业制造商肖特基、快恢更 整流桥、电源IC。
MBR10100CT 肖特基二极管 ASEMI参数详解
MBR10100CT 肖特基二极管10A100V，ASEMI品牌
型号：MBR10100CT
品牌：ASEMI
封装：TO-220
特性：肖特基二极管
★电性参数：10A，100V
★芯片材质：SI
★正向电流(Io)：10A
★芯片个数：2
★正向电压(VF)：0.79V
★芯片尺寸：86MIL
★浪涌电流Ifsm：120A
★是否进口：是
★漏电流(Ir)：20UA
★工作温度：-50~125
★恢复时间(Trr)：<5nS
★引线数量：3
★编辑人：李绚
肖特基二极管MBR10100CT参数规格：肖特基二极管MBR10100CT电流：10A ；肖特基二极管MBR10100CT电压：
40V；肖特基二极管MBR10100Ct管装：50/管；盒装：1000PCS/盒。
肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
欢迎咨询取样测试。
肖特基二极管MBR10100
肖特基二极管MBR10100|MBR10150|MBR10200|原理!发起投票| 修改浏览权限| 删除一、肖特基二极管原理肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。
因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。
显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。
随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。
但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。
当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。
阳极（阻档层）金属材料是钼。
二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。
N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。
在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。
通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。
加负偏压-E时，势垒宽度就增加。
综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。
肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。
其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。
MBR2060FCT-MBR2060CT-MBR2060DC肖特基七大参数【ASEMI】用三张图解释清楚!
编辑：DDMBR2060FCT-MBR2060CT-MBR2060DC肖特基七大参数【ASEMI】用三张图解释清楚！经过前面的介绍，你已经知道半塑封与全塑封的差别和应用的不同方法，接下来，就差来看一眼MBR2060FCT-MBR2060CT-MBR2060DC【ASEMI】的参数规格书了！MBR2060FCT-MBR2060CT-MBR2060DC肖特基二极管参数PDF规格书MBR2060CT ITO-220AB肖特基二极管PDF资料技术支持首选：深圳市强元芯电子！企业QQ：800023533，服务热线：400-9929-667，强元芯电子李航MBR2060CT肖特基类型：高结温芯片，品牌：ASEMI，应用市场：电源，小家电，LED电源，各式充电器，开关电源，LED显示屏等。
MBR2060CT肖特基相关参数如下：MBR2060CT电压Vrrm:60VMBR2060CT电流If平均：20AMBR2060CT正向电压Vf最大：0.58VMBR2060CT电流，Ifs最大：150AMBR2060CT工作温度范围：-40°C to+150°CMBR2060CT封装形式：TO-220/TO-220F/ITO-220MBR2060CT反向恢复电流，Irrm:20UA肖特基系列型号：MBR2045FCT MBR2045CT,MBR2060CT,MBR2060FCT,MBR20100FCT,MBR20100CT,MBR20150FCT,MBR20150CT,MBR20200FCT,MBR20200CT肖特基二极管封装：TO-251,TO-252,TO-263,TO-220,TO-247,TO-3P。
关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释
关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释肖特基二极管的命名：肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode缩写成SR），也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode缩写成SBD）的简称。
肖特基：Schottky整流：RectifierSR：即为肖特基整流二极管Schottky Rectifier Diode：肖特基整二极管，简称：SR，比如：SR107，SR10100CT......肖特基：Schottky势垒：BarrierSB：即为肖特基势垒二极管肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管，简称：SB，比如：SB107，SB1045CT......Schottky Barrier Diode：也有简写为：SBD来命名产品型号前缀的。
但SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
关于肖特基MBR系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？因为最早是世界著名半导体公司－摩托罗拉半导体命名的产品型号M：是以最早MOTOROLA的命名，取MB：Bridge 桥；Barrier：势垒R：Rectifier，整流器 “MBR”意为整流器件SCHOTTKY：肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
例如：MBR10200CTM：MOTOROLA 缩写MB：Barrier缩写BR：Rectifier 缩写R10：电流10A200：电压200VC：表示TO-220AB封装，常指半塑封。
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肖特基二极管MBR系列命名规则
肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode）
Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管简称：SBD
Schottky:肖特基（发明人名称）
Barrier：势垒
SB:即为肖特基势垒二极管
MBR、SR、SL、SB、SBT、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。
各厂家命名有不同。
肖特基二极管也称肖特基势垒二极管，国内厂家也有叫做"SB1045CT、SR10100、SL…、BL…
看懂肖特基二极管MBR系列：
M:是以最早MOTOROLA的命名，取M
B:Bridge桥；Barrier:势垒
R:Rectifier,整流器
"MBR"意为整流器件
SCHOTTKY RECTIFIER DIODES:肖特基整流二极管
例1：MBR10100CT
M:MOTOROLA缩写M
B:Barrier缩写B
R:Rectifier缩写R
10:正向电流10A
100:反向耐压100V
C:表示TO-220AB封装，常指半塑封（铁封）。
T:表示管装
例2：MBR6045PT
M:MOTOROLA缩写M
B:Barrier缩写B
R:Rectifier缩写R
60:正向电流60A
45:反向耐压45V
P:表示TO-247(3P)封装
T:表示管装
例3：MBR20200FCT
M:MOTOROLA缩写M
B:Barrier缩写B
R:Rectifier缩写R
20:正向电流20A
200:反向耐压200V
F:表示ITO-220AB(TO-220F)全塑封T:表示管装
肖特基二极管有哪些主要参数呢？IF(IO)：正向电流（A)
VRRM：反向耐压(V)
IFSM：峰值瞬态浪涌电流(A)
IF：测试电流(A)
VF:正向压降(V)
IR：反向漏电流(UA)
TRR:反向快恢复时间(NS)
肖特基二极管常见选型型号：。