微波仿真论坛_ADS之S2P元件
基于ADS的微波混频器设计分析
基于ADS的微波混频器设计分析微波混频器是一种常见的微波器件，其能够将两个不同频率的信号混合在一起，产生一个具有两个频率差值的新信号。
在实际应用中，混频器被广泛应用于微波通信、雷达和卫星通信系统中。
本文将介绍基于ADS的微波混频器设计分析。
1. 微波混频器的工作原理微波混频器的工作原理可以通过倍频器的工作原理来理解，其具有转换功能。
混频器通常包含两个端口：输入端口和输出端口，以及一个本振端口。
本振端口提供一个确定的参考信号，我们称之为本振信号，然后将其与输入信号进行混合。
混频器的输出信号是一个由输入信号和本振信号混合产生的新信号，具有他们两者中信号的和与差。
混频器的输出信号频率为本振频率加或减输入信号频率，即输出频率=本振频率±输入频率。
根据本振和输入信号的频率不同，可以分为以下四种类型的混频器：单边带上转换器（SSB）、单边带下转换器（LSB）、顶带混频器（SBM）和底带混频器（DBM）。
（1）分析混频器原理图，并确定所需的特性参数。
（2）基于所需的特性参数，进行混频器电路的设计。
（3）使用ADS仿真软件进行混频器参数优化。
（4）搭建不同频率的信号源，进行实验测试，检验混频器的性能，并对实际测量结果进行分析。
通过以上设计和测试，可以得到一个性能良好且满足设计要求的微波混频器。
以下是一个基于ADS的微波混频器设计样例：（1）设计要求设计一个工作频率为20GHz的底带混频器，其提供-40dBc的本振压控调节范围，增益为10dB，1dB压缩点为0dBm。
（2）电路设计底带混频器由一对反向二极管和变压器组成，其原理图如下图所示：其中，V1和V2分别为本振源和输入信号源。
Tx为变压器，其电容值为0.5pF。
（3）仿真参数优化通过ADS软件进行底带混频器的参数优化，可以得到下图所示的仿真结果：可以看出，通过仿真可以在满足设计要求的前提下，提高底带混频器的性能和稳定性。
（4）实验测试和分析通过实验测试，实际测量结果表明该底带混频器具有良好的性能和稳定性，能够满足设计要求，并且具有很高的精度和可靠性。
ADS通过Datasheet建模
) – by siwave一、为什么需要通过datasheet建立仿真模型ADS库中虽然提供了大量的库模型，但由于各种器件的种类五花八门，且新品更新太快，很多器件在ADS中实际上是无法找到对应的模型的。
但该器件的datasheet确是绝对存在的，根据经验，一般来说，如果器件厂商没有提供器件的S2P模型或者其他仿真模型，一般在datasheet中会有用于建立S2P模型的参考数据。
以AVAGO的6‐18GHz 1W的功放为例。
在datasheet对S参数的描述如下：Freq S11S21S12S22[GHz]dB Mag Phase dB Mag Phase dB Mag Phase dB Mag Phase6 -3.83 0.64 -7.36 18.46 8.37 -45.38 -49.36 3.41E-0359.85 -9.89 0.32 -112.357 -4.33 0.61 -37.59 22.06 12.67-160.68-47.90 4.03E-03-10.90 -24.54 0.06 -97.728 -4.35 0.61 -57.25 21.82 12.33105.82-55.02 1.78E-03-87.02 -12.59 0.23 -116.009 -2.87 0.72 -67.80 20.57 10.6730.27 -58.31 1.21E-03155.08-11.66 0.26 -123.3610 -2.18 0.78 -81.97 19.45 9.38 -34.10 -56.32 1.53E-0387.15 -9.47 0.34 -111.8111 -1.88 0.81 -99.66 19.28 9.21 -91.39 -50.78 2.89E-0336.92 -8.10 0.39 -107.6612 -2.85 0.72 -125.26 20.24 10.27-154.70-48.77 3.64E-03 5.73 -8.11 0.39 -96.6013 -5.02 0.56 -151.04 20.41 10.49130.30-45.72 5.17E-03-42.89 -5.74 0.52 -95.1914 -6.38 0.48 -177.19 19.28 9.20 56.72 -45.56 5.27E-03-90.74 -5.64 0.52 -116.8715 -6.79 0.46 167.29 18.74 8.65 -8.92 -46.62 4.67E-03-134.99-6.02 0.50 -158.2516 -8.64 0.37 129.42 19.07 8.98 -83.27 -47.25 4.34E-03-179.47-8.44 0.38 163.6317 -14.40 0.19 34.52 19.99 9.99 -174.68-45.92 5.06E-0331.89 -12.65 0.23 142.2618 -4.82 0.57 -87.84 18.06 7.99 61.47 -42.497.50E-03-86.04 -12.88 0.23 -156.3419 -3.86 0.64 -142.34 9.17 2.88 -58.13 -50.94 2.84E-03-115.71-5.42 0.54 127.8120 -19.84 0.10 171.38 -6.42 0.48 -160.84-39.18 1.10E-02-92.64 -6.15 0.49 -6.3121 -4.51 0.60 -70.79 -16.88 0.14 -164.95-42.227.74E-03-168.17-2.48 0.75 -89.9922 -1.76 0.82 -104.56 -24.20 0.06 137.84-64.23 6.15E-04172.50-1.13 0.88 -122.3123 -1.30 0.86 -129.94 -33.63 0.02 69.70 -46.41 4.78E-03-96.28 -1.28 0.86 -144.9424 -1.04 0.89 -159.31 -42.07 0.01 -90.70 -41.898.05E-03-130.89-1.01 0.89 -164.0325 -0.57 0.94 176.91 -50.13 0.00 109.52-50.58 2.96E-03122.04-0.82 0.91 173.0326 -0.12 0.99 158.94 -44.39 0.01 -58.10 -41.208.71E-03-50.18 -0.33 0.96 155.22二、S2P模型的介绍1.S2P模型的格式介绍模型由以下格式组成微波技术网管理员 siwave QQ: 11082621Email: liaojie123@‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐国内最大的微波综合社区欢迎您‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐。
ADS元件库问题
ADS元件库问题ＡＤＳ导入器件模型的问题由于在设计ADS电路仿真软件的时候，不可能把目前市场上所有的器件模型都包含在自己的元件库中，因此很多设计人员在设计自己的电路的时候，常常在ADS的库中找不到自己所需的器件模型。
要继续进行电路仿真，通常采用的两种方法是：用S1P/S2P文件。
通常在芯片的DATASHEET中，厂家会提供片子的S参数、噪声性能等参数文件，可以用记事本或者写字板把这些参数按照一定的格式写入，保存为S1P/S2P文件，然后用Data Items面板中的S1P/S2P模块引用这些文件，那么该模块就可以作为芯片的一个S模型进行电路仿真。
由于DA TASHEET中的S参数和噪声性能是厂家的测量数据，是考虑了器件的封装结构的影响以后得到的，所以用S1P/S2P模块电路仿真，设计外围电路（输入/输出匹配电路）应该是比较接近实际电路的情况的。
但是，由于S参数仿真是小信号的线性仿真，对于大信号，如设计功放时能否也用这样的方法，暂时还没有实践过，做过的高手希望指点一下导入一些厂家为ADS提供的模型（单个芯片模型或者模型库）。
在Agilent 公司的网站上可以搜到该公司的很多芯片模型，后面将介绍自己的导入过程。
还有器件库可到[url=p\\zenith.deb，回车后就开始向ADS器件库中写入器件了。
斜体字部分是DEB文件存放的路径，为了避免当前路径和存放路径的不一致，最好是把DEB文件的完整路径写上。
DEB文件后缀名也要写上，它不是DOS认识的文件类型，所以不能偷懒。
此时，重新启动ADS，打开元件库，就可以找到zenith组件，打开，其中有四个器件，在器件面板上也出现了zenith组件。
这样就完成了导入的过程。
3 论坛币由于在设计ADS电路仿真软件的时候，不可能把目前市场上所有的器件模型都包含在自己的元件库中，因此很多设计人员在设计自己的电路的时候，常常在ADS的库中找不到自己所需的器件模型。
要继续进行电路仿真，通常采用的两种方法是：[用S1P/S2P文件。
10121@52RD_ADS设计低噪放~~~
低噪声放大器设计的依据和步骤：满足规定的技术指标：噪声系数（或噪声；功率增益；增益平坦度；工作频带；动态范围； 输入、输 出为标准微带线，其特征阻抗均为 50□步骤： 放大器级数（为了便于设计和学习，我们选择一级）晶体管选择 电路拓朴结构 电路初步设计 用 CAD 软件（如 ADS2009）进行设计、优化、仿真模拟一、 低噪声放大器的主要技术指标1．LNA 的噪声系数和噪声温度 放大器的噪声系数 NF 可定义如下NF = S in / NinS out / N out式中，NF 为微波部件的噪声系数；S in ，N in 分别为输入端的信号功率和噪声功率；S out ，N out 分别为输出端的信号功率和噪声功率。
噪声系数的物理含义是：信号通过放大器之后，由于放大器产生噪声，使信噪比变坏； 信噪比下降的倍数就是噪声系数。
通常，噪声系数用分贝数表示，此时NF (dB ) = 10 lg( N F )放大器自身产生的噪声常用等效噪声温度 T e 来表达。
噪声温度 T e 与噪声系数 NF 的关系是T e = T 0 ⋅ ( N F - 1)式中，T 0 为环境温度，通常取为 293K 。
2．LNA 的功率增益、相关增益与增益平坦度 微波放大器功率增益有多种定义，比如资用增益、实际增益、共扼增益、单向化增益等。
对于实际的低噪音放大器，功率增益通常是指信源和负载都是 50Ω 标准阻抗情况下实测的增益。
实际测量时，常用插入法，即用功率计先测信号源能给出的功率 P 1；再把放大器接到 信源上，用同一功率计测放大器输出功率 P 2，功率增益就是G =P 2P 11 2 2低噪声放大器都是按照噪声最佳匹配进行设计的。
噪声最佳匹配点并非最大增益点，因 此增益 G 要下降。
噪声最佳匹配情况下的增益称为相关增益。
通常，相关增益比最大增益 大概低 2－4dB 。
功率增益的大小还会影响整机噪声系数，下面给出简化的多级放大器噪声系数表达式：N f 2 - 1N f 3 - 1N f = N f 1 + G + G G + ...1 1 2其中： N f －放大器整机噪声系数；N f 1，N f 2，N f 3为第 1，2，3 级的噪声系数； －分别G ，G －分别为第 1，2 级功率增益。
ADS之S2P元件
此说明只作为学习用途，不得作为商业用途首先先进入原理图选择Display Component Library List,然后会弹出Component Library窗口，在里面选择Date Items,接着选择右边的S2P在原理图添加S2P元件。
新建一个文本或记事本，将芯片的S参数数据复制进去，格式参考附件，而后保存为后缀S2P文件，文件保存的路径不得有中文，且文件名也不能有中文。
保存之后然后双击S2P 元件，选择Browse…,找到你设置好的S2P文档，之后选择Edit，如果Edit失败的话证明你的路径不对或者出现中文。
成功Edit之后会看见你复制的芯片的数据资料，在里面看看格式，一列列对齐，两列之间至少得隔一个空格，否则ADS不能识别。
编辑完成之后，选择OK。
接着就是添加仿真工具了。
Simulation—S_Param，选择SP控件，设置频率。
选择Term控件，具体电路如图设置完成之后仿真就OK了。
附件!ATF-55143!s-parameters at Vds=2.7V, Id=10mA. Last updated 17/05/01 AR.# GHZ S MA R 500.1 0.998 -6.4 11.044 174.9 0.006 86.2 0.819 -3.9 0.5 0.963 -31.2 10.549 155 0.026 70.4 0.786 -19.10.9 0.896 -53.8 9.641 137.5 0.043 57.3 0.737 -321.0 0.881 -59.2 9.376 133.4 0.047 54.4 0.72 -34.7 1.5 0.794 -83 8.133 115.6 0.06 42.2 0.651 -461.9 0.732 -99.5 7.284 103.3 0.068 34.4 0.602 -52.92.0 0.718 -103.4 7.087 100.6 0.07 32.6 0.592 -54.52.5 0.655 -122.3 6.267 87.1 0.076 24.8 0.538 -61.33.0 0.608 -140.2 5.599 74.8 0.082 17.9 0.485 -67.34.0 0.553 -175.9 4.615 51.7 0.089 5.6 0.39 -80.15.0 0.548 150.9 3.862 30.2 0.092 -5.4 0.321 -94.76.0 0.556 123.9 3.272 10.3 0.094 -14.6 0.280 -1097.0 0.573 100.9 2.83 -8.3 0.096 -23.9 0.247 -124.18.0 0.590 78.6 2.481 -26.5 0.096 -32.8 0.204 -134.39.0 0.625 58.4 2.224 -44.3 0.102 -38 0.152 -146.710.0 0.699 39.2 2.002 -63.6 0.112 -49.7 0.098 166.811.0 0.752 22.7 1.755 -82.3 0.115 -61.1 0.112 10012.0 0.789 8.4 1.546 -99.8 0.12 -72.4 0.167 62.313.0 0.815 -7 1.378 -117.8 0.122 -84.7 0.211 3714.0 0.838 -22.8 1.231 -137 0.124 -98.3 0.274 12.615.0 0.862 -37.2 1.044 -155.9 0.119 -111.8 0.387 -7.616.0 0.856 -50.5 0.864 -173.3 0.113 -124.4 0.491 -21.517.0 0.872 -59.7 0.730 171.9 0.111 -135.6 0.568 -35.918.0 0.915 -70 0.634 156 0.107 -149.4 0.628 -51.2!noise parameters at Vds=2.7V, Id=10mA! Freq FMIN GAMMA OPT Rn @ GA@50 Ohm! (GHz) (dB) Mag Ang 50 Ohm (dB)0.5 0.2 0.64 19 0.12 ! 25.290.9 0.26 0.59 22.7 0.12 ! 23.241.0 0.27 0.54 26 0.12 ! 22.761.9 0.39 0.54 48.3 0.11 ! 19.012.0 0.4 0.54 49.9 0.11 ! 18.662.4 0.48 0.45 59.8 0.1 ! 17.353.0 0.57 0.39 75.6 0.09 ! 15.693.9 0.72 0.26 108.7 0.07 ! 13.795.0 0.88 0.2 167.5 0.06 ! 12.265.8 1.02 0.22 -154.8 0.07 ! 11.526.0 1.04 0.21 -147.8 0.08 ! 11.377.0 1.19 0.26 -107.9 0.13 ! 10.768.0 1.39 0.32 -75 0.23 ! 10.29.0 1.54 0.41 -51.6 0.36 ! 9.4810.0 1.65 0.53 -33.6 0.54 ! 8.38。
微波仿真论坛_ADS应用详解—微波滤波器的设计制作与调试—实验1
（四）ADS软件的使用
本节内容是介绍使用ADS软件设计微带 带通滤波器的方法：包括原理图绘制， 电路参数的优化、仿真，版图的仿真 等。 下面开始按顺序详细介绍ADS软件的使 用方法。
ADS软件的启动
启动ADS进入如下界面
创建新的工程文件
点击File->New Project设置工程文件名 称（本例中为Filter）及存储路径 点击Length Unit设置长度单位为毫米
版图的仿真
首先要由原理图生成版图，生成版图前先要把原理图 中用于S参数仿真的两个Term以及接地去掉，不让他 们出现在生成的原理图中。去掉的方法与前面关掉优 化控件的相同，都是使用 按钮，把这些元件打上 红叉(见下页图)。 然后点击菜单中的Layout -> Generate/Update Layout，弹出一个设置窗口，直接点OK，又出现一个 窗口，再点OK，完成版图的生成，这时会打开一个显 示版图的窗口，里面有刚生成的版图(见后面几页的 图) 。
实验一 微波滤波器的设计 制作与调试
（一）实验目的
了解微波滤波电路的原理及设计方法。 学习使用ADS软件进行微波电路的设 计，优化，仿真。 掌握微带滤波器的制作及调试方法。
（二）实验内容
使用ADS软件设计一个微带带通滤波 器，并对其参数进行优化、仿真。 根据软件设计的结果绘制电路版图，并 加工成电路板。 对加工好的电路进行调试，使其满足设 计要求。
上页图中五个Mcfil表示滤波器的五个耦合线节，两 个MLIN表示滤波器两端的引出线 双击图上的控件MSUB设置微带线参数
H:基板厚度(0.8 mm) Er:基板相对介电常数(4.3) Mur:磁导率(1) Cond:金属电导率(5.88E+7) Hu:封装高度(1.0e+33 mm) T:金属层厚度(0.03 mm) TanD:损耗角正切(1e-4) Roungh:表面粗糙度(0 mm)
微波仿真论坛_用ADS设计VCO
宜选用特征频率几倍于工作频
率的微波晶体管 同时要求其噪声系数低 增益高 转角频率小 另外 为了获得低相噪特 性 应优选有载品质因数高的谐振回路 并取合适的工作状态 近可能减少电路元件的各种 损耗 在噪声性能方面 Ｓｉ 双极晶体管振荡器更为优越 其近载频相位噪声一般比 ＧａＡｓ ＦＥＴ 低 １０－２０ｄＢｃ 最好的可低至 ３０ｄＢｃ 以上 所以在低相噪 ＶＣＯ 设计中常常采用低噪声系数的 双极型晶体管 根据这一原则 我们在 Ａｇｉｌｅｎｔ 公司的双极型微波晶体管中进行选择 表 １ 给出设计 振荡器常用的管子型号及重要参数
基于 Ａ Ｄ Ｓ 软件的 Ｓ 波段低相噪 Ｖ Ｃ Ｏ 的研制
郑贵强 蔡钟斌 周邦华
中国工程物理研究院电子工程研究所 绵阳 ６２１９００ 摘 要 首先阐述了 Ｓ 波段低相位噪声 高频稳度 ＶＣＯ 设计所遵循的一般原则 然后详细分析 了基于 ＡＤＳ 软件的 ＶＣＯ 的设计和仿真过程 最后给出了实验结果 实验结果比较理想 对于 发射机调频源的设计具有重要的参考价值 关键词 低相噪 ＶＣＯ 变容管 特征频率 一 引 言 在再入遥测 ＰＣＭ 发射机设备中 ＶＣＯ 是最关键的部件之一 ＶＣＯ 设计的好坏 直接关系 到信号传输的质量问题 随着武器系统复杂度的提高 被测参数和被测对象越来越多 ＰＣＭ 发射机的码速率需要提高到 ２Ｍｂｐｓ 以上才能满足目前战术飞行试验的要求 为了有效的对 ２Ｍｂｐｓ 以上码速率的信号实现准线性调频 需要设计低相噪 高频稳度 大调制频偏的 ＶＣＯ 同时要求 ＶＣＯ 具有调制线性好 输出功率增益大而且体积小等优点 二 低相噪 Ｖ Ｃ Ｏ 的设计分析 对 Ｓ 波段振荡器设计来说 晶体管的噪声系数是个非常重要的性能参数 晶体管噪声来 源主要有三方面 １．热噪声 ２．散弹噪声 ３．闪烁噪声 其中闪烁噪声是与频率成反比的噪 声 又称 １／ｆ 噪声 它是微波晶体管振荡器近载频相位噪声的主要来源 通过器件的非线性 效应上变频对微波频率发生作用 降低微波晶体管噪声系数的主要途径是 提高晶体管的特征频率 f T 和减小集电极电流 I C 为了获得低相噪 Ｓ 波段压控振荡器 降低基区电阻 Rb
s2p文件建立_HFSS仿真文件转到ADS中
首先讲一下怎么将HFSS里面仿真的结果放到ADS中去
其实讲一下怎么在ADS里面建立S2P文件，并使用。
第一步：将HFSS中的仿真数据，即S参数放入s2p文件中。
1. 我的仿真结果
2. 按顺序点击HFSS---->RESULTS----->solution data---->matrix data
3. 在2点击进去之后的图形，点击Export Matrix Data
4. 默认保存就行了。
5. 用记事本方式打开coupler_HFSSDesign2这个文件，即可以看到如下结果（由于篇幅原因，这里仅显示一部分）
第二步：将HFSS中的仿真数据，即S参数放入s2p文件中。
1. 在ADS中新建或打开一个原理图
2.在左边下拉框中选择Data Items
3.点击S2P_2 Port S_paramater File
4.双击这个元器件，找到coupler_HFSSDesign2这个文件的保存路径，将之录入，分别如下两图所示：
之后就点击OK.
5.s2p的调用就结束了，将电路搭立起来就可以仿真了
6.仿真结果如下图所示，和在HFSS里面仿真出来的结果是一样的。
总结：
按照这些步骤来实现HFSSg以ADS里的模块转换，理论上是没有改变的，
该例子证明它的S参数基本上没有多大的改变。
ADS实验的建立原理图、仿真控件、 仿真2
e．改变仿真频率为1850MHz到1950MH以生成更少的数据点（圆）。
检查原理图，确认控制器中的噪声计算（noise calculation）处于开（on）状态并仿真。
f．数据显示打开后，在如图所示在Smith圆图上，对NsCircle1和Gacircle1测量方程绘图。
g．在矩形图中如下添加Miul和MuPrimel。
h．引入nf(2),Fmin和Sopt的列表。
关于结果的备注——在Smith圆图上，增益圆内的区域表示负载阻抗会产生30dB增益。
噪声圆与它不同，其圆心表示，源反射系数的优化值，即最小噪声系数（NFmin），噪声圆圆心也在增益圆内，增益和NFmin都可获得。
两条曲线Mu(load)和MuPrime(Source)其中一个的值要比另一个值大，这表示电路在100MHz带宽内是稳定的（不震荡）。
最后，nf(2)的列表值是当端口2为输出端时的噪声系数。
当源反射系数等于sopt时（最佳源匹配），其值会更好。
i．保存并关闭所有的设计和数据显示窗口。
在此基础上，可以用非线性仿真器和谐波平衡法检测放大器。
但是在此之前，你必将先回到下一实验中的系统任务中，并建立两个RF系统的滤波器。
15.选学——对S2P文件读/写S参数数据你可以用Touchstone，MDIF或Citifile格式读写数据。
ADS可把它支持的数据格式转为ADS数据组格式。
特别是将这些数据文件被放入任务目录，但也可发送至数据目录，因此不管它们位于何处，都可进行控制管理。
a．打开一个新的原理图，并保存为S2p_date。
b．如下图点击下拉菜单Tools＞Data File Tool。
c．当对话框打开后，点击WRITE框，选择写至”file”，并选择Touchstone 格式。
你就将把一个已存在的ADS数据组（s_params）写入（转为）一个Touchstone文件。
它描述了网络的测量数据。
d．在“文件名”（FileName）栏中，输入my_file.s2p,它将作为从ADS数据中转换过来的Touchstone格式文件。
ADS仿真分析资料
微波电路ADS仿真一．微带传输线设计 (1)（A1）经验公式法 (1)（A2）使用matlab编程分析 (2)（A3）相关程序结果 (2)（B1）ADS建模仿真 (5)（B2）设置控件MSUB微带线参数 (5)（B3）帮助文件 (6)（B4）初始结果 (7)（B5）手动调整导带宽度 (8)（C1）微带线自带计算工具 (8)（D1）优化方法 (10)（D2）优化后的仿真结果 (10)（E）相关参数改变 (11)二：微带电容的设计 (12)（1）交流电路分析 (12)（2）使用交流扫频方法并使用理想电容等效 (12)（3）使用微带线设计 (13)（4）使用交指微带设计 (14)（5）S参数电路分析 (16)（6）使用微带电容MTFC模块设计 (17)三：微带电感的设计 (19)（1）交流电路分析 (19)（2）S参数电路分析 (20)（3）使用方形微带电感实现 (20)组员：周亮、张扬一．微带传输线设计要求：设计50欧姆的微带线，首先使用公式计算的方法，然后使用软件优化设计的方法（添加随机函数和变量），其中参量的值为，基片介电常数为2.3，金属导带使用copper，研究介电常数、金属线宽、长度对特性阻抗和频带的影响。
几种方法：（1）经验公式法（2）手动设置法（3）计算法，需要ADS的计算控件（4）优化法（A1）经验公式法001-r r 2e 00=601=601+[2(2h 2h1+-110h ++228h =60n +h 4h120=h Z Z W W Ln e h WW Z L W Z W ππππ≥ ≥εεε=≤微带线的特性阻抗计算方法：（W h ）这个公式近似度差些，若要求稍微更精确些的计算，可采用下列的计算公式:（W h ）+0.94）]（1或者使用另一组计算公式：（），W 6h h h +2.42-0.44+-W W ≥，W （1） 本设计中使用介电常数2.3的介质，那么对于不同的W/h ，使用matlab 编程计算：（A2）使用matlab 编程分析disp('微带线阻抗计算')er=2.3;wh=1:0.1:10ee=(1+er)/2+(er-1)/2*(1+10*(1./wh)).^(-0.5);z0=120*pi./(wh+2.44-0.44./wh+(1-1./wh).^6)z1=60*pi*pi*sqrt(1./ee)./(1+pi*wh+log(1+pi/2.*wh))subplot(1,2,1)plot(wh,z0)subplot(1,2,2)plot(wh,z1)最终得到WH 比为1.95（A3）相关程序结果（B1）ADS建模仿真新建工程，选择【File】→【New Project】，系统出现新建工程对话框。
基于ADS的全极化微波辐射计建模仿真
基于ADS的全极化微波辐射计建模仿真作者：党鹏举陈文新李浩来源：《现代电子技术》2013年第15期摘要：全极化微波辐射计是一种用于海洋表面风场测量的新型被动微波遥感器，主要对水平极化和垂直极化分量进行自相关和互相关处理。
针对全极化微波辐射计接受到的数字信号高带宽高采样率的特点，基于ADS软件平台对全极化微波辐射计进行了系统仿真，重点针对通道和相位不平衡对极化分量的测量影响进行了理论分析和仿真测试，并对结果误差进行了简要分析。
关键字：全极化； ADS；极化分量；通道和相位不平衡中图分类号： TN911.7⁃34 文献标识码： A 文章编号： 1004⁃373X（2013）15⁃0014⁃03 Modeling and ADS⁃based simulation of full polarimetric microwave radiometerDANG Peng⁃ju， CHEN Wen⁃xin， LI Hao（Academy of Space Information System，Xi’a n 710000， China）Abstract： Full polarimetric microwave radiometer is a novel passive microwave remote sensor applied to measuring the surface wind field of the ocean， mainly executing autocorrelation and cross⁃correlation processing of horizontally and vertically polarized components. According to the characteristics of high bandwidth and high sampling rate digital signal received by full polarimetric microwave radiometer， a system simulation of full polarimetric microwave radiometer was carried out based on ADS software platform. The influence of imbalance between channel and phase on the measurement polarization components is analyzed theoretically and corresponding simulative test is performed. The final error is also analyzed briefly.Keywords： full polarimetric； ADS； polarization component； channel and phase imbalance0 引言海洋表面风场的研究在海洋学以及气候学中有重要的意义。
06124@52RD_如何导入自己的S2p文件--About ADS 使用
.s2p file is two port s-parameter data from low frequency to high frequency, including s11,s12, s21 and s22, which may b e generated by network analyzer or any EM simulator like SONNET and Momentum. You can find the e xplaination for the 2-port s-parameter in any microwave textbook. Given a two port device which you don't know the real circu it model, you use network analyzer to measure 2-port s-parameter, and then you can use the result in HP ads to do both frequency response and transient analysis simulation in your circuits.以上就是一个.s2p文件部分内容。
“！”后内容为注示部分，“#”后内容为正文部分。
# HZ S MA R 50# HZ （频率）S MA （四组s参数）R 50（50欧姆系统）比如我已经知道某个器件的spice模型，在ads里面有没有能够直接导入这个模型的操作，总不会spice模型的元件参数，都要我一个一个输入吧？请大家帮我！可以直接导入。
此主题相关图片如下：我从器件厂商那儿得到的spice模型文件是：T506.TXT*************************************************************** * SIEMENS Discrete & RF Semiconductors* GUMMEL-POON MODEL CHIP PARAMETERS IN SPICE 2G6 SYNTAX* VALID UP TO 6 GHZ* >>> T506 <<< (CHIP)* Extracted by SIEMENS Semiconductor Group HL HF SI CDB* (C) 1998 SIEMENS AG* Version 1.0 December 1998*************************************************************** .MODEL T506 NPN(+ IS =1.5E-17 NF =1 NR =1+ ISE=2.5E-14 NE =2 ISC=2E-14+ NC =2 BF =235 BR =1.5+ VAF=25 VAR=2 IKF=0.4+ IKR=0.01 RB =11 RBM=7.5+ RE =0.6 RC =7.6 CJE=2.35E-13+ VJE=0.958 MJE=0.335 CJC=9.3E-14+ VJC=0.661 MJC=0.236 CJS=0+ VJS=0.75 MJS=0.333 FC=0.5+ XCJC=1 TF=1.7E-12 TR=5E-08+ XTF=10 ITF=0.7 VTF=5+ PTF=50 XTB=-0.25 XTI=0.035+ EG=1.11)*************************************************************** 在ads中新建一个schematic，选择file，选择import，就是上面贴得图了！。
ADS软件在电磁场与微波技术教学中的应用
CLin3
W2=w2mm MSUb
L=l2mm W1=w1mm W2=w3mm
MSUB MSub1 H=0.8mm Er=4.3 Mur=1 Cond=5.88e+7
VAR VAR1 w2=1.0{o}
SWSLWWu===12bsl3==w3smtmww3=“m22mmmmMmmmSub1”MCSWSLWWu==LC=12bsli2==Fw2nsmtmwwI42=“Lm22mmmmMmmmSub1”MCSWSLu==LC=bsli1Fw1nsmtmI51=“LmmmMmSub1”MTSWLuL=L=b22I1s.N5t.=5“m2mmMmSub1” W1=w2mm W2=1.52mm
①本文系西安科技大学教学方法与手段改革专题项目（项目编号：ZX16032）的研究成果。 作者简介：孙翠珍（1981—），女，山西永济人，硕士，讲师，主要从事电磁场与微波技术方面的研究工作。
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专业教学
课题
型参数修正等一整套过程，还可以培养学生分析问题、解决问题的科研能力。 下面以微波滤波器为例来阐述 ADS 软件在射频微波电路中的应用及特点。 （一）仿真目标 微波滤波器的设计要求：带内衰减小于 2dB；通带 3-3.1GHz；端口反射系数小于-20dB；2.8GHz 以下，3.3GHz
专业教学
课题
ADS 软件在电磁场与微波技术教学中的应用①
孙翠珍
（西安科技大学通信与信息工程学院，陕西 西安 710054）
［摘
要］ 针对“电磁场与微波技术”课程理论性强、概念抽象、教学难等特点，在教学过程中引入了
电磁场微波类的辅助教学工具 ADS 软件。可以较大程度地提高学生学习微波射频电路的
兴趣，从而达到改善教学效果，提高教学质量的目的。
(完整word版)基于ADS仿真wilkinson功分器
微带wilkinson功分器的仿真设计实验报告学院电子科学与工程学院姓名学号指导教师2016年10月21日一、实验目的● 了解功率分配器电路的原理及设计方法。
● 学习使用ADS 软件进行微波电路的设计，优化，仿真。
● 掌握功率分配器的制作及调试方法。
二、设计要求指标● 通带范围0.9 — 1.1GHz 。
● 双端输出，功分比为1:1。
● 通带内个端口反射系数小于-20dB 。
● 两个输出端口的隔离度小于-20dB 。
●传输损耗小于3.1dB 。
三、设计思路图一：设计思路示意图四、理论分析设计1. 基本工作原理分析功率分配器是三端口电路结构，其信号输入端的输入功率为P1，而其它两个输出端的输出功率分别为P2和P3。
理论上，由能量守恒定律可知：P1=P2+P3。
端口特性为：(1) 端口1无反射(2) 端口2和端口3输出电压相等且相同(3) 端口2、端口3输出功率比值为任意指定值1/k 2 由这些条件可以确定Z o2、Z o3以及R 2、R 3的值。
2.功分器技术指标计算 (1) 输入端口回波损耗理论学习尺寸计算绘制ADS 原理图原理图仿真优化设计版图仿真输入端口1的回波损耗根据输入端口1的反射功率和输入功率之比来计算s11=−10Log(P r P i )(2)插入损耗输入端口1的回波损耗根据输出端口的输出功率和输入端口1的输入功率之比来计算S21=−10Log(P2P1) S31=−10Log(P2P1)(3)输出端口间的隔离度输出端口2和输出端口3间的隔离度可以根据输出端口2和输出端口3的输出功率比来计算S23=−10Log(P2 P3 )(4)功分比当其它端口没有反射时，功分比根据输出端口3和输出端口4的输出功率比来计算K2=P2 P3(5)相位平滑度在做功率分配器时，输出端口的平滑度直接影响功率合成效率。
五、尺寸计算使用ADS软件自带的计算工具计算出微带线的尺寸。
图5.1 50Ω的微带线宽度计算图5.2 75Ω的微带线宽度计算输入Z0=50Ohm,可以算出微带线的宽度为1.52mm。
ADS中几种常用的数据文件及其引用仿真
ADS中几种常用的数据文件及其引用仿真1、.SnP文件：线性S参数文件(也可以是G-, H-, Y-, and Z-参数)，n可以是1～99之间的数。
当n＝2时，即两端口器件时，可以包含噪声参数。
生成.SnP文件有两种方式，一种是自己手动编辑文本文件，一种是从现有数据（可以是ADS仿真得到的数据，也可以是网络分析仪等仪器测试得到的数据）导出生成。
（1）手动编辑用记事本把厂家提供的datasheet中的S参数按照规定的格式写入，保存为.SnP 文件，然后用Data Items中的SnP模块引用该文件，即可把该模块作为一个S 参数模型进行电路级、系统级的仿真。
格式的规定如下：！开头的语句作为注释语句的前缀，这些语句仔程序运行时将被忽略文件的开头要说明语句的定义格式，内容包括频率单位、参数类型、数据格式和归一化电阻值，用＃号做前导：For .s1p files: # [HZ/KHZ/MHZ/GHZ] [S/Y/Z] [MA/DB/RI] [R n]For .s2p files: # [HZ/KHZ/MHZ/GHZ] [S/Y/Z/G/H] [MA/DB/RI] [R n]For .s3p/.s4p files: # [HZ/KHZ/MHZ/GHZ] [S] [MA/DB/RI] [R n]例如：# GHZ S MA R 501-port Component，Magnitude-Angle format:(Columns: f Mag Ang)f |S11| <S112-port Component，Magnitude-Angle format:f |S11| <S11 |S21| <S21 |S12| <S12 |S22| <S22加入噪声参数的格式是：x1 x2 x3 x4 x5x1 = 频率单位x2 = 最小噪声系数（dB）x3 = 实现最小噪声系数的源反射系数(MA)x4 = 反射系数的相位（角度）(MA)x5 = 归一化噪声电阻例如：! NOISE PARAMETERS4 .7 .64 69 .3818 2.7 .46 -33 .40（2）导出数据生成：用HP-IB控件的“write”命令。
微波仿真论坛_从电路图到创建层
从电路图到创建层这个例子说明了如何使用MWO从电路图创建一个图层。
它包含一下几个步骤：●导入层处理文件LPF●编辑数据库单元和缺省的栅格尺寸●导入单元库●在电路图中导入和放置数据文件●改变电路符号●在放置层的微带线●指定电路元件中的ARTWORK单元●查看分层●创建ARTWORK单元●描定层单元●在层中巧妙处理MTRACE文件●层中的Snapping功能●导出层创建新项目：选择File > New Project；选择File > Save Project As，显示保存对话框输入项目名（如"layout_example"），然后单击Save保存；导入层处理文件：层处理文件LPF定义了层试图的缺省设置，包括绘制层、层映射、三维视图和电磁视图绘制。
在窗口的左下方单击Layout键显示层管理器；在层管理器中右击Layer Setup，选择Import Process Definition，显示打开的对话框；查找目录然后双击打开C:\Program Files\AWR\A WR2002（这是缺省的MWO的安装文件目录。
如果你改变了缺省的安装目录，那么你双击安装MWO的目录打开）；单击选择文件MIC_English.lpf再单击Open打开。
层管理器的下面的透明窗口如下显示：编辑数据库单元和缺省的网格尺寸：数据库单元被定义为层中精密度最高的单元。
这个参量在曾经设置的参量中是不会改变的。
改变数据库单元会产生舍入误差导致层文件的问题。
网格尺寸很重要因为许多集成电路设计必须依附于网格。
网格必须大于等于数据库单元。
因为乘法器最小的单元是1X，推荐使用网格为数据库单元的10倍。
这是预防比数据库单元更小的网格。
选择Options > Layout Options；在Grid Spacing栏输入".1"，Database unit size栏输入".01"，然后单击OK确定；导入GDSII单元库：在MWO中单元库常被用来提高印制电路板和混合设计程序中的物理包和动力包，包括用在MMIC和RFIC设计程序上的标准ARTWORK单元。
微波仿真论坛_微波实验室中的线性仿真
微波实验室中的线性仿真线性仿真器是利用节点分析法来仿真电路特性的。
线性仿真被用在低噪声放大器、滤波器和输入矩阵特性的耦合器中。
线性仿真器能算出的测量值有：输出值、噪声系数、反射系数和噪声环。
如何创建集总滤波器这个例子教会我们在微波实验室中如何利用线性仿真器来仿真基本的集总滤波器。
一般包含一下步骤：●创建电路图●添加曲线图和测量值●分析电路●调整电路●创建变量●最优化电路创建电路图创建一个项目：选择File > New Project ；选择File > Save Project As，弹出另存为对话框；命名项目的文件名（如"linear_example"），然后点击Save。
设置缺省的项目单位选择Options > Project Options，打开项目选项对话框；点击Global Units项目栏；点击右边的箭头找到你所要的单位，然后点击OK。
创建电路图选择Project > Add Schematic > New Schematic。
弹出Create New Schematic对话框；输入文件名"lpf",然后点击OK。
在活动区域电路图纸被打开，在项目浏览器中Circuit Schematics下方多出一个Schematic文件。
在电路图中放置元件在电路图窗口的右上方通过滑动箭头来查看你所需要的电路部分元件。
先在环境浏览窗口点击窗口左下方的Elem栏；在环境浏览窗口中点击图标左边的+号弹出Lumped Element子菜单；单击Lumped Element下的Inductor，在下面的窗口显示一组inductor模块；单击模块，把它放置到电路图中；按照图示的位置放好，然后单击鼠标放置提示：在电路图中连接两个元件的捷径是把两个元件的节点放在一起会自动连接。
当连接后，节点会显示蓝色小方块。
如果你第一次没有连接好，只要单击元件图标，按下鼠标拖动元件到适当的位置就可以了。
电子科技大学硕士学位论文微波宽带...
电子科技大学硕士学位论文微波宽带自动增益控制技术研究姓名：***申请学位级别：硕士专业：电磁场与微波技术指导教师：***20070601第四章ＡＧＣ方案拟定和关键电路设计图４．５ＡＧＣ电路增益和噪声计算图４．６．１宽带ＬＮＡ设计指标由图４．５可以知道，为了满足噪声系数的要求，电调衰减器不能位于第一级，而必须放置一个低噪声放大器，这个放大器至少提供１０ｄＢ增益，并且噪声系数小于２．５ｄＢ。
再加上对带宽和平坦度的要求，最终得出对第一级ＬＮＡ的设计要求：◆频率范围：８００－－４０００ＭＨｚ◆增益：≥１０ｄＢ◆增益平坦度：≤２ｄＢ◆噪声系数：≤２．５ｄＢ◆输入输出驻波：≤２４．６．２宽带ＬＮＡ设计一般而言，晶体管的ｓ２ｌ参数都随频率升高而呈６ｄＢ／倍频程下降，ｓ１２参数却随频率升高而呈６ｄＢ／倍频程上升【２ｌ】。
所以要在这么宽的频率范围内，实现增益平坦度在±ｌｄＢ有～定难度。
这里，课题拟定选用Ａｇｉｌｅｎｔ公司的ＭＧＡ－８２５６３放大器，在它的基础上进行二次开发，设计制作满足要求的ＬＮＡ。
首先给出放大器ＭＧＡ－８２５６３的电路性能：它是ＳＯＴ－３６３的表贴放大器，＋３ｖ单电源供电，ＤＣ／－６ＧＩ－Ｉｚ，电子科技大学硕士学位论文写成：ｓ２。
（国）＝兀鑫（国）（４·１）ｆ－ｌ把式洚１）写成插入衰减的形式：工（缈）＝∑厶（Ｄ）（ｄ：日）（４－２）ｔ＊１可见，网络插入损耗可以看作是以陷波器响应作为基函数的某个响应波形展开，根据级数展开理论，用无数多的陷波器响应总可以合成任意响应波形。
因此，可以设想，以图４－７所示的陷波单元作为基本电路形式，选择合适的级数、谐振频率、以及Ｑ值（通过电阻改变）就可以得到任意的钟形均衡器响应。
图４－８陷波器级联网络形式有了上面的理论知识，下面就可以用ＡＤＳ软件对ＭＧＡ．８２５６３作二次开发了。
根据ＭＧＡ．８２５６３的增益特性，这里设计的均衡器必须要频率低端衰减大而频率高端衰减小．仿真图如图４－９所示：图４－９ＭＧＡ．８２５６３＋均衡技术仿真图电子科技大学硕士学位论文由仿真结果可以看出：ＭＧＡ－８２５６３在８００～４０００ＭＨｚ频率范围内其增益大于１０ｄＢ，波动在０．６ｄＢ内，噪声系数小于２ｄＢ，输出驻波小于１．８，不过输入驻波稍微差些，小于２．１３。
射频微波天线及ADS仿真135页PPT
21、要知道对好事的称颂过于夸大，也会招来人们的反感轻蔑和嫉妒。——培根 22、业精于勤，荒于嬉；行成于思，毁于随。——韩愈
23、一切节省，归根到底都归结为时间的节省。——马克思 24、意志命运往往背道而驰，决心到最后会全部推倒。——莎士比亚
25、学习是劳动，是充满思想的劳动。——乌申斯基
谢谢！
射频微波天线及ADS仿真
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6、黄金时代是在我们的前面，而不在 我们的 后面。
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7、心急吃不了热汤圆。
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8、你可以很有个性，但某些时候请收 敛。
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9、只为成功找方法，不为失败找借口 (蹩脚 的工人 总是说 工具不 乎 能克服 任何恐 惧。因 为，请 记住， 除了在 脑海中 ，恐惧 无处藏 身。-- 戴尔． 卡耐基 。
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首先先进入原理图
选择Display Component Library List,然后会弹出Component Library窗口，在里面选择Date Items,接着选择右边的S2P
在原理图添加S2P元件。
新建一个文本或记事本，将芯片的S参数数据复制进去，格式参考附件，而后保存为后缀S2P文件，文件保存的路径不得有中文，且文件名也不能有中文。
保存之后然后双击S2P 元件，选择Browse…,找到你设置好的S2P文档，之后选择Edit，如果Edit失败的话证明你的路径不对或者出现中文。
成功Edit之后会看见你复制的芯片的数据资料，在里面看看格式，一列列对齐，两列之间至少得隔一个空格，否则ADS不能识别。
编辑完成之后，选择OK。
接着就是添加仿真工具了。
Simulation—S_Param，选择SP控件，设置频率。
选择Term控件，具体电路如图
设置完成之后仿真就OK了。
附件
!ATF-55143
!s-parameters at Vds=2.7V, Id=10mA. Last updated 17/05/01 AR.
# GHZ S MA R 50
0.1 0.998 -6.4 11.044 174.9 0.006 86.2 0.819 -3.9 0.5 0.963 -31.2 10.549 155 0.026 70.4 0.786 -19.1
0.9 0.896 -53.8 9.641 137.5 0.043 57.3 0.737 -32
1.0 0.881 -59.2 9.376 133.4 0.047 54.4 0.72 -34.7 1.5 0.794 -83 8.133 115.6 0.06 4
2.2 0.651 -46
1.9 0.732 -99.5 7.284 103.3 0.068 34.4 0.602 -5
2.9
2.0 0.718 -10
3.4 7.087 100.6 0.07 32.6 0.592 -5
4.5
2.5 0.655 -122.3 6.267 87.1 0.076 24.8 0.538 -61.3
3.0 0.608 -140.2 5.599 7
4.8 0.082 17.9 0.485 -67.3
4.0 0.553 -17
5.9 4.615 51.7 0.089 5.6 0.39 -80.1
5.0 0.548 150.9 3.862 30.2 0.092 -5.4 0.321 -94.7
6.0 0.556 123.9 3.272 10.3 0.094 -14.6 0.280 -109
7.0 0.573 100.9 2.83 -8.3 0.096 -23.9 0.247 -124.1
8.0 0.590 78.6 2.481 -26.5 0.096 -32.8 0.204 -134.3
9.0 0.625 58.4 2.224 -44.3 0.102 -38 0.152 -146.7
10.0 0.699 39.2 2.002 -63.6 0.112 -49.7 0.098 166.8
11.0 0.752 22.7 1.755 -82.3 0.115 -61.1 0.112 100
12.0 0.789 8.4 1.546 -99.8 0.12 -72.4 0.167 62.3
13.0 0.815 -7 1.378 -117.8 0.122 -84.7 0.211 37
14.0 0.838 -22.8 1.231 -137 0.124 -98.3 0.274 12.6
15.0 0.862 -37.2 1.044 -155.9 0.119 -111.8 0.387 -7.6
16.0 0.856 -50.5 0.864 -173.3 0.113 -124.4 0.491 -21.5
17.0 0.872 -59.7 0.730 171.9 0.111 -135.6 0.568 -35.9
18.0 0.915 -70 0.634 156 0.107 -149.4 0.628 -51.2
!noise parameters at Vds=2.7V, Id=10mA
! Freq FMIN GAMMA OPT Rn @ GA@50 Ohm
! (GHz) (dB) Mag Ang 50 Ohm (dB)
0.5 0.2 0.64 19 0.12 ! 25.29
0.9 0.26 0.59 22.7 0.12 ! 23.24
1.0 0.27 0.54 26 0.12 ! 2
2.76
1.9 0.39 0.54 48.3 0.11 ! 19.01
2.0 0.4 0.54 49.9 0.11 ! 18.66
2.4 0.48 0.45 59.8 0.1 ! 17.35
3.0 0.57 0.39 75.6 0.09 ! 15.69
3.9 0.72 0.26 108.7 0.07 ! 13.79
5.0 0.88 0.2 167.5 0.06 ! 12.26
5.8 1.02 0.22 -154.8 0.07 ! 11.52
6.0 1.04 0.21 -14
7.8 0.08 ! 11.37
7.0 1.19 0.26 -107.9 0.13 ! 10.76
8.0 1.39 0.32 -75 0.23 ! 10.2
9.0 1.54 0.41 -51.6 0.36 ! 9.48
10.0 1.65 0.53 -33.6 0.54 ! 8.38。