LED生产工艺及产品介绍-

后 工 艺
研 磨 抛 光
晶片背面朝上
研磨
陶瓷盘
切 割 裂 片
AA0234YBBT18
切割
裂片
AA0234YBBT18
激光切割后的切割线
从晶片背面劈裂， 劈开后晶粒完全分开
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• 点测分选的主要工作： 1.点测大圆片或方片上每一颗晶粒电性和光学性能； 2. 将大圆片按照条件表分成规格一致的方片； 3. 吸除外观不良部分，并贴上标签。 • 设备简介： 点测机、分选机、显微镜等
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点测机
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分选机
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FQC:负责检验各种规格的方片或 大圆片的电性和外观，合格后 判定等级入库。
方片
ORT:抽样进行封装、老化测试。
大圆片
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ESD（抗静电能力）
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二、后工艺
后工艺是将前工艺做成的含有数目众多管芯的晶片 减薄，然后用激光切割成一颗颗独立的管芯。 研磨切割设备：上蜡机、研磨机、抛光机、清洗台、 粘片机、切割机、裂片机。
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上蜡机
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曝光机
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ICP
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PECVD
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蒸镀机
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mask
做透明导电层 P--GaN
P--GaN N--GaN Substrate
ITO
N--GaN Substrate
1-MESA（刻台阶）
2-做透明导电层（ITO）
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发光颜色类型：红外，红，黄，绿，蓝，白，全彩，etc.
直径：Φ3，Φ5，Φ8，Φ10，etc.
Lamp 封胶类型：无色透明，无色扩散，有色透明，有色扩散 出光面外观类型：圆头，平头，草帽型，钢盔型，etc. LED SMD Top Chip Sideview 功率：1W，2W，3W，5W，7W，10W，12W，etc. Power LED 颜色：红外，红，黄，绿，蓝，白，etc. 结构：倒装芯片、布拉格反射层等
一、前工艺
前工艺主要工作就是在外延片上做成一颗颗晶粒。 简单的说就是Chip On Wafer的制程。利用光刻机、掩 膜版、ICP、蒸镀机等设备制作图形，在一个2英寸的 wafer片上做出几千~上万颗连在一起的晶粒。
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目前华磊生产的芯片主要有：
小功率：07*09mil、08*12mil、08*15mil 12*13mil、10*16mil… 背光源：10*23mil… 高功率：45*45mil…
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• 设备简介：
黄光室：匀胶机、加热板、曝光机、显影台、金相显微镜、 甩干机、台阶仪 清洗室：有机清洗台、酸性清洗台、撕金机、扫胶机、 甩干机 蒸镀室：ICP、ITO蒸镀机、合金炉管、Pad蒸镀机、PECVD、 扫胶机、手动点测机、光谱仪
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前工艺
电极
二氧化硅保护层
电极 做透明导电层 P--GaN ITO
N--GaN
P--GaN ITO 做透明导电层 N--GaN
Substrate
ห้องสมุดไป่ตู้
Substrate
4-做保护层
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3-做电极
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• 单颗晶粒前工艺后成品图
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研磨机
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NEW WAVE 激光切割机
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JPSA 激光切割机
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里德 劈裂机
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湘能华磊光电股份有限公司 研磨是减薄厚度的主要 抛光可以使背表面更光滑， 来源，衬底从450um减 并且可以减少应力 少至100um 抛光
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IPQC
（In-Process Quality Control） IPQC主要是对芯片的电性参数做检测，然后品保会根据电性参数 来判定晶片是继续下道工序还是需要返工，检测的电性参数主要有：
Vf （正向电压） Ir （逆向电流）
Iv （亮度）
Wd （波长）
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华磊芯片目前方向：
1、以08*15mil芯片成为小尺寸方片的市场主攻方向，光通 量可达到5lm以上； 2、不断提升10*23mil品质以满足背光源市场需求； 3、大功率芯片的研发 4、华磊下阶段将向下游延伸，封装线也正在筹划中，目前 小量验证线如SMD、Lamp及High-power的封装已经逐渐完 善，基本接近国内封装厂水平，为下一步封装线的建立 打下良好基础。
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P型InGaN-金属接触层 P型GaN：Mg 多量子阱有源区（InGaN/GaN） N型GaN : Si GaN缓冲层
蓝宝石衬底
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芯片工艺一般分为前工艺、后工艺、点测分选三部分
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外延生长
芯片前工艺
研磨、切割
检测入库
点测、分选
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• 外延生长：MO源及NH3由载气传输到反应室，以质量流量计控制气体 流量，反应物进入反应室后经载气传输到衬底表面反应形成外延薄膜。 • 主要设备有MOCVD、活化炉、PL 、X-Ray、PR、镭射打标机等。
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贴片式SMD
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中功率LED
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