光电探测器器件研究课件
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光检课件2 光电器件
工作面积大,与大面积光电阴极配合可制成探测弱光的倍增管,但 极间电压高时,有的电子可能越级穿过,收集率较低,渡越时间零 散较大。
收集率较高(可达95%),结构紧凑,但极间电子渡越时间零散较 大。
第2章 光电探测器件
a) 百叶窗式 b) 盒栅式 c) 直瓦片式 d) 圆瓦片式
结构形式 非聚焦型
百叶窗式
路灯自动点熄控制
第2章 光电探测器件
(五)使用注意事项
通量
∫ ∫ 输出
电流
I0
=
λ0 dλ =
λ1
λ0 λ1
SλΦλdλ
∫ ∫ S =
λ0 λ1
S
(λ
)Φλ
dλ
∞ 0
Φ
λ
dλ
第2章 光电探测器件
一、有关响应方面的特性参数
4.响应时间
第2章 光电探测器件
一、有关响应方面的特性参数
5.频率响应
第2章 光电探测器件
二、有关噪声方面的特性参数
1.热噪声
恒功率偏置
RL = Rp
P
=
I LVL
≈
Vb2 4RL
第2章 光电探测器件
在小偏流时,输出信号电流线 性增加,噪声增加的较小,信 噪比增加;
偏流增加到一定时,信号增加 的慢,噪声增加的快,信噪比 下降;
探测器要工作在最佳偏置电 流,使信噪比最大。
第2章 光电探测器件
(四)应用
电子快门
第2章 光电探测器件
第2章 光电探测器件
IP
=
106 ×1.6 ×10−19 10 ×10−9
= 16µA
把幅值放大到mA级,就可以用脉冲计 数器正确计数。
第2章 光电探测器件
收集率较高(可达95%),结构紧凑,但极间电子渡越时间零散较 大。
第2章 光电探测器件
a) 百叶窗式 b) 盒栅式 c) 直瓦片式 d) 圆瓦片式
结构形式 非聚焦型
百叶窗式
路灯自动点熄控制
第2章 光电探测器件
(五)使用注意事项
通量
∫ ∫ 输出
电流
I0
=
λ0 dλ =
λ1
λ0 λ1
SλΦλdλ
∫ ∫ S =
λ0 λ1
S
(λ
)Φλ
dλ
∞ 0
Φ
λ
dλ
第2章 光电探测器件
一、有关响应方面的特性参数
4.响应时间
第2章 光电探测器件
一、有关响应方面的特性参数
5.频率响应
第2章 光电探测器件
二、有关噪声方面的特性参数
1.热噪声
恒功率偏置
RL = Rp
P
=
I LVL
≈
Vb2 4RL
第2章 光电探测器件
在小偏流时,输出信号电流线 性增加,噪声增加的较小,信 噪比增加;
偏流增加到一定时,信号增加 的慢,噪声增加的快,信噪比 下降;
探测器要工作在最佳偏置电 流,使信噪比最大。
第2章 光电探测器件
(四)应用
电子快门
第2章 光电探测器件
第2章 光电探测器件
IP
=
106 ×1.6 ×10−19 10 ×10−9
= 16µA
把幅值放大到mA级,就可以用脉冲计 数器正确计数。
第2章 光电探测器件
《光电导探测器》课件
详细描述
光电导探测器在光通信领域中用于光信号的接收和检测,在光谱分析中用于光 谱仪的光电转换,在环境监测中用于气体和液体的成分分析和浓度测量,在生 物医学中用于医疗诊断和生物分子检测等。
02
CHAPTER
光电导探测器的基本结构
半导体材料
光电导探测器的核心是半导体材料,它们能够吸收光子并产生电子-空穴对。常见的 半导体材料包括硅、锗、硫化铅等。
这些半导体材料具有直接带隙结构,使得它们能够有效地吸收特定波长的光子,产 生光生载流子。
半导体材料的性能决定了光电导探测器的响应速度、光谱响应范围和暗电流等关键 参数。
光敏元件
光敏元件是光电导探测器的核心部分 ,它负责吸收光子并转换为电信号。
光敏元件的形状和尺寸对探测器的性 能有重要影响,例如响应速度、光谱 响应范围和探测率等。
未来发展方向与挑战
交叉学科融合
光电导探测器的发展需要与物理、化学、生物等 多学科交叉融合,开拓新的应用领域。
环境适应性
提高光电导探测器的环境适应性,使其能够在恶 劣环境下稳定工作。
降低成本
通过优化工艺和材料,降低光电导探测器的制造 成本,促进其在民用领域的应用。
THANKS
谢谢
光谱响应
描述光电导探测器在不同波长光下的 响应特性,是决定探测器应用范围的 重要参数。
响应时间与恢复时间
响应时间
光电导探测器从接收到光信号到产生可观测电信号的时间间隔,反映了探测器的反应速 度。
恢复时间
探测器在持续光照下,从最大响应状态回到初始状态所需的时间,影响连续测量时的性 能。
温度稳定性与可靠性
03
CHAPTER
光电导探测器的性能参数
响应度与探测率
光电导探测器在光通信领域中用于光信号的接收和检测,在光谱分析中用于光 谱仪的光电转换,在环境监测中用于气体和液体的成分分析和浓度测量,在生 物医学中用于医疗诊断和生物分子检测等。
02
CHAPTER
光电导探测器的基本结构
半导体材料
光电导探测器的核心是半导体材料,它们能够吸收光子并产生电子-空穴对。常见的 半导体材料包括硅、锗、硫化铅等。
这些半导体材料具有直接带隙结构,使得它们能够有效地吸收特定波长的光子,产 生光生载流子。
半导体材料的性能决定了光电导探测器的响应速度、光谱响应范围和暗电流等关键 参数。
光敏元件
光敏元件是光电导探测器的核心部分 ,它负责吸收光子并转换为电信号。
光敏元件的形状和尺寸对探测器的性 能有重要影响,例如响应速度、光谱 响应范围和探测率等。
未来发展方向与挑战
交叉学科融合
光电导探测器的发展需要与物理、化学、生物等 多学科交叉融合,开拓新的应用领域。
环境适应性
提高光电导探测器的环境适应性,使其能够在恶 劣环境下稳定工作。
降低成本
通过优化工艺和材料,降低光电导探测器的制造 成本,促进其在民用领域的应用。
THANKS
谢谢
光谱响应
描述光电导探测器在不同波长光下的 响应特性,是决定探测器应用范围的 重要参数。
响应时间与恢复时间
响应时间
光电导探测器从接收到光信号到产生可观测电信号的时间间隔,反映了探测器的反应速 度。
恢复时间
探测器在持续光照下,从最大响应状态回到初始状态所需的时间,影响连续测量时的性 能。
温度稳定性与可靠性
03
CHAPTER
光电导探测器的性能参数
响应度与探测率
光电信号检测光电探测器概述概要课件
光电探测器广泛应用于光通信、光谱分析、环境监测、生物医学 等领域,是光电信号检测中的关键器件。
光电探测器的工作原理
光电探测器的工作原理基于光子与物质相互作用产生电子-空穴对或光生电场效 应,从而将光信号转换为电信号。
具体来说,当光子照射到光电探测器的敏感区域时,光子能量被吸收并产生电子 -空穴对,这些电子-空穴对在电场的作用下分离并形成光电流,从而完成光信号 到电信号的转换。
光电探测器的应用领域不断拓 展,如物联网、智能制造、无 人驾驶等新兴领域,为市场发 展带来更多机遇。
05
光电探测器的挑战与展望
光电探测器的挑战与展望
• 光电探测器是用于检测光信号并将其转换为电信号的器件,广泛应用于光通信、环境监测、安全监控等领域。随着光电子技术的发展,光电 探测器的性能不断提高,应用范围不断扩大。
THANK YOU
感谢聆听
04
光电探测器的市场前景
全球市场情况
光电探测器在全球范围内应用广泛,包括通信、工 业、医疗、安全等领域。
随着技术的不断进步和应用需求的增加,全球光电 探测器市场规模持续增长。
市场竞争激烈,各大厂商在技术研发、产品创新等 方面不断投入,以提高市场份额。
中国市场情况
02
01
03
中国光电探测器市场发展迅速,成为全球最大的光电 探测器市场之一。
光电探测器的分类
01
光电探测器可以根据工作原理、材料、波长响应范围、光谱响应特、光电发射型等;按材料可分为硅基、锗 基、硫化铅等;按波长响应范围可分为可见光、红外、紫外等;按光谱响应特 性可分为窄带、宽带等。
03
•·
02
光电探测器的应用
通信领域的应用
光纤通信
光电探测器在光纤通信中起到至关重要的作用。它们能够将光信 号转换为电信号,使得信息的传输和处理成为可能。
光电探测器的工作原理
光电探测器的工作原理基于光子与物质相互作用产生电子-空穴对或光生电场效 应,从而将光信号转换为电信号。
具体来说,当光子照射到光电探测器的敏感区域时,光子能量被吸收并产生电子 -空穴对,这些电子-空穴对在电场的作用下分离并形成光电流,从而完成光信号 到电信号的转换。
光电探测器的应用领域不断拓 展,如物联网、智能制造、无 人驾驶等新兴领域,为市场发 展带来更多机遇。
05
光电探测器的挑战与展望
光电探测器的挑战与展望
• 光电探测器是用于检测光信号并将其转换为电信号的器件,广泛应用于光通信、环境监测、安全监控等领域。随着光电子技术的发展,光电 探测器的性能不断提高,应用范围不断扩大。
THANK YOU
感谢聆听
04
光电探测器的市场前景
全球市场情况
光电探测器在全球范围内应用广泛,包括通信、工 业、医疗、安全等领域。
随着技术的不断进步和应用需求的增加,全球光电 探测器市场规模持续增长。
市场竞争激烈,各大厂商在技术研发、产品创新等 方面不断投入,以提高市场份额。
中国市场情况
02
01
03
中国光电探测器市场发展迅速,成为全球最大的光电 探测器市场之一。
光电探测器的分类
01
光电探测器可以根据工作原理、材料、波长响应范围、光谱响应特、光电发射型等;按材料可分为硅基、锗 基、硫化铅等;按波长响应范围可分为可见光、红外、紫外等;按光谱响应特 性可分为窄带、宽带等。
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•·
02
光电探测器的应用
通信领域的应用
光纤通信
光电探测器在光纤通信中起到至关重要的作用。它们能够将光信 号转换为电信号,使得信息的传输和处理成为可能。
光电探测器第一组PPT课件
8
第8页/共79页
1 光电效应
光生伏特效应:材料受光照后,光生载流子(电子-空穴对) 在空间分开而产生电位差的现象。
1. 光敏二极管:一个PN结,单向导电
光照
无光照时光敏二极管的反向
电阻很大,反向电流很小,
IP
此时的电流称为暗电流。有光照
PN
射时PN结附近产生光生电
RL
E
子-空穴对,并在反向电压作用
2.2 噪声特性
• 在一定波长的光照下光电探测器输出的电信号
并不是平直的,而是在平均值上下随机地起伏,
它实质上就是物理量围绕其平均值的涨落现象。
I i 1
T
i(t )dt
T0
用均方噪声来表示噪声值大小
i(t)2 1 T [i(t) i(t)]2 dt T0
20
第20页/共79页
2.2 噪声特性
折射率分布 光源 纤芯 包层 折射率分布
阶跃型
渐变型
30
第30页/共79页
3 光纤传感器
3. 光纤的传光原理(全反射现象)
纤芯n1 包层n2
空气n0
0
1
1
n1 n0 n1 n2
全反射条件: 1 c arcsinn2 / n1
0
0c
1 ar c si n
n0
n1 2
n22
1 arcsin
5
第5页/共79页
1 光电效应
入
K
射
光
D1
D2
-E R1
R2
Dn-1
……
Dn Rn-1
A
IA
Uo
RL
Rn
入K
射
光
D1
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1 光电效应
光生伏特效应:材料受光照后,光生载流子(电子-空穴对) 在空间分开而产生电位差的现象。
1. 光敏二极管:一个PN结,单向导电
光照
无光照时光敏二极管的反向
电阻很大,反向电流很小,
IP
此时的电流称为暗电流。有光照
PN
射时PN结附近产生光生电
RL
E
子-空穴对,并在反向电压作用
2.2 噪声特性
• 在一定波长的光照下光电探测器输出的电信号
并不是平直的,而是在平均值上下随机地起伏,
它实质上就是物理量围绕其平均值的涨落现象。
I i 1
T
i(t )dt
T0
用均方噪声来表示噪声值大小
i(t)2 1 T [i(t) i(t)]2 dt T0
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2.2 噪声特性
折射率分布 光源 纤芯 包层 折射率分布
阶跃型
渐变型
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3 光纤传感器
3. 光纤的传光原理(全反射现象)
纤芯n1 包层n2
空气n0
0
1
1
n1 n0 n1 n2
全反射条件: 1 c arcsinn2 / n1
0
0c
1 ar c si n
n0
n1 2
n22
1 arcsin
5
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1 光电效应
入
K
射
光
D1
D2
-E R1
R2
Dn-1
……
Dn Rn-1
A
IA
Uo
RL
Rn
入K
射
光
D1
《S2光电探测器》幻灯片
④ 半导体激光器 半导体激光器的基本结构
激光工作物质:直接带隙半导体材料------砷化稼(GaAs)、砷 化铟(InAs)、铝稼砷(A1xGaAs)、铟磷砷(InPxAs)等等
谐振腔:半导体介质的自然解理面构成平行 平面腔
泵浦源:通常采用电压很低的直流电源
LOGO
LOGO
④ 半导体激光器
半导体的能带结构
④ 半导体激光器
LOGO
为了形成稳定振荡,激光媒质必 须能提供足够大的增益 以弥补谐振腔引起的光损耗及从 腔面的激光输出等引起的损耗, 不断增加腔内的光场。这就必须 要有足够强的电流注入,即有足 够的粒子数反转,粒子数反转程 度越高,得到的增益就越大,即 要求必须满足一定的电流阈值条 件。当激光器达到阈值时,具有 特定波长的光就能在腔内谐振并 被放大,最后形成激光而连续地 输出。
发光二极管(LED)是以特殊材 料掺杂制成的半导体电致发 光器件。
当PN结加上正向电压后,结区势垒降低,P区的空穴载流子 p向N区扩散,N区的电子n向P区扩散。空穴与电子在结区 相遇复合并释放能量而发光。
发光二极管种类很多,可由不同的材料制成。
Ge ——1850nm Si ——1110nm GaAs ——867nm GaP ——550nm SiC ——435nm
④ 伏安特性
LOGO
类似于普通二极管的 正偏状态 正向工作电压低。 1.5 - 2V
⑤ 响应时间
LOGO
❖ 二极管的上升时间 随电流的增加而近 似呈指数衰减。
❖ 响应快,ns量级。
LOGO
⑥ 寿命
二极管的寿命定义为亮度降低到原有亮度一半时所经历 的时间。LED寿命可达百万小时以上。 随着工作时间的加长,亮度下降的现象叫老化。工作电 流加大,老化变快,寿命变短。
第十二章光电探测器 PPT
计量起伏噪声(以起伏噪声电压 n为(t)例,噪声电流 i类n (似t) )
n (t) 0噪声电压平均值得瞬间振幅与相位随时间呈无规则变化
___
n2 均方值完全确定,表示单位电阻上所消耗得噪声平均功率
___
n2 —计量噪声电压大小
___
n2 —起伏噪声电压有效值
____记__为_____V_ n2
光电导探测器
利用光电导效应可以制成各种用途得光电元件,如光敏电阻(光 电导探测器)、光电管等。其中光敏电阻具有体积小、坚固耐用、 价格低廉、光谱响应范围宽等优点,广泛用于微弱辐射信号得探 测领域。
#
光电导探测器
光电导效应
本征半导体:
光电导增量
e(nn pp )
n和p
分别就是电子与空穴得迁移率
i
生得具有电量为e得光电子数量
量子效率
Ip / e
单位时间内光子所激励得光电子数
Pi /h
单位时间内入射到探测器表面得光子数
代表入射到探测器得单个光子所能产生得光电子数目
#
光电探测器得性能参数
时间常数
探测器得惰性:
当入射光功率发生突然变化时(如开始或停止照射),光电探测器
得输出总不能完全跟随输入而变化。通常用时间常数 来衡 量
在阶跃输入光功率条件下,光电探测器输出电流 为
is
当is
(t
)
i
[1
exp(t 时,(稳态值
/
)]
)
称is (为t)参数
频率响应
——探测器得响应度随入射光调制频率得变化特征 多数探测器得响应度与调制频率得关系为
(f )
0
1
(1+4 2f 2 2 ) 2
《光电探测器》PPT课件
t 响应速度受三个因素的限制:载流子的扩散时间
t ,耗尽层中漂移时间 diff
dr
和耗尽层电容C与负载电阻R之乘积所决定的RC时间常数。
2021/4/24
28
8.3光敏二极管
6、光敏二极管的一般特性 c、噪声特性 噪声源:热噪声、散粒噪声 热噪声-主要负载; 散粒噪声-信号光电流,背景光电流,反向饱和电流
2021/4/24
8
8.2光敏电阻
1 、 光敏电阻简介
特点:
•光谱响应范围宽(特别是对于红光和红外辐射); •偏置电压低,工作电流大; •动态范围宽,既可测强光,也可测弱光; •光电导增益大,灵敏度高; •无极性,使用方便; •在强光照射下,光电线性度较差 •光电驰豫时间较长,频率特性较差。
2021/4/24
本征半导体的光电导效应。当光子能量E光大于或等于禁带宽度Eg时,光 子把价带中的电子激发到导带,出现自由电子和自由空穴时,从而使材料的
电阻率降低。电导率增加。
E光 =
hc
1240
Eg
1240
Eg
引入长波限λ0,若波长长于λ0, 即无本征吸收
2021/4/24
11
8.2光敏电阻
3、光敏电阻工作原理
2021/4/24
16
8.2光敏电阻
4、光敏电阻的参数与特性 b.响应灵敏度 能够产生光致导电的光主要是波长接近光谱响应峰值的光,这种
光能把电子直接由价带激发导导带。但是,实际上,光把光电导体
中的杂质和晶格缺陷所形成的能级中的电子激发到导带的情况是很
多的,而这些能级与导带间的宽度比禁带宽度要窄的多。这就意味
着,光电导体对波长长于峰值波长的光也具有响应灵敏度,而且,
光电子器件结型光电探测器课件ppt
在辐射检测领域,结型光电探测器可以用于探测和测量放射性粒子和电磁辐射等,保障人员和环境的安全。
在光通信领域,结型光电探测器可以用于接收和检测光信号,实现高速、高效的数据传输。
应用领域
02
结构与特性
03
结型光电探测器的电极结构
结型光电探测器的电极结构通常采用金属薄膜或金属网格制成,以提高光的吸收效率和电子的收集效率。
能带工程的原理和方法
通过改变材料的能带结构,可以实现对光电子器件性能的优化。
常用的能带工程方法
包括离子注入、薄膜沉积、外延生长等。
01
02
03
量子效率的定义
量子效率是描述光电子器件将光子转化为电子的能力的参数。
量子效率的影响因素
主要包括入射光的波长、温度、晶体结构、界面态等。
提高量子效率的方法
包括优化材料结构、采用多层膜结构、使用光学共振等。
结型光电探测器在光电子器件中具有重要地位
技术瓶颈
结型光电探测器的性能受到多种因素的影响
如暗电流、灵敏度、响应速度等
这些问题限制了结型光电探测器的应用和发展
发展趋势
通过优化材料、结构、工艺等方面来提高结型光电探测器的性能
同时,与其他光电子器件的集成和多功能化也是未来发展的重要趋势
结型光电探测器的发展趋势是向着高灵敏度、高响应速度、高稳定性等方向发展
采用先进的封装和测试技术,保证器件的稳定性和可靠性,同时实现与其他电路模块的集成和兼容。
制程挑战
制程稳定性
优化制程工艺参数和流程,提高制程的稳定性和重复性,降低生产成本。
制程兼容性
综合考虑不同材料、不同工艺和不同封装方式之间的兼容性,以实现器件性能的最优和可靠性的提高。
制程污染控制
在光通信领域,结型光电探测器可以用于接收和检测光信号,实现高速、高效的数据传输。
应用领域
02
结构与特性
03
结型光电探测器的电极结构
结型光电探测器的电极结构通常采用金属薄膜或金属网格制成,以提高光的吸收效率和电子的收集效率。
能带工程的原理和方法
通过改变材料的能带结构,可以实现对光电子器件性能的优化。
常用的能带工程方法
包括离子注入、薄膜沉积、外延生长等。
01
02
03
量子效率的定义
量子效率是描述光电子器件将光子转化为电子的能力的参数。
量子效率的影响因素
主要包括入射光的波长、温度、晶体结构、界面态等。
提高量子效率的方法
包括优化材料结构、采用多层膜结构、使用光学共振等。
结型光电探测器在光电子器件中具有重要地位
技术瓶颈
结型光电探测器的性能受到多种因素的影响
如暗电流、灵敏度、响应速度等
这些问题限制了结型光电探测器的应用和发展
发展趋势
通过优化材料、结构、工艺等方面来提高结型光电探测器的性能
同时,与其他光电子器件的集成和多功能化也是未来发展的重要趋势
结型光电探测器的发展趋势是向着高灵敏度、高响应速度、高稳定性等方向发展
采用先进的封装和测试技术,保证器件的稳定性和可靠性,同时实现与其他电路模块的集成和兼容。
制程挑战
制程稳定性
优化制程工艺参数和流程,提高制程的稳定性和重复性,降低生产成本。
制程兼容性
综合考虑不同材料、不同工艺和不同封装方式之间的兼容性,以实现器件性能的最优和可靠性的提高。
制程污染控制
光电探测器概况课件
噪声干扰
灵敏度
光电探测器在工作中容易受到环境噪 声的干扰,如热噪声、散粒噪声等, 这些噪声会影响探测器的性能和精度 。
光电探测器的灵敏度也是一大挑战, 尤其是在低光强度或弱光信号的探测 中,需要提高探测器的灵敏度和信噪 比。
响应速度
光电探测器的响应速度是另一个挑战 ,尤其在高速或瞬态光信号的探测中 ,需要提高探测器的响应速度和带宽 。
光电探测器技术的起源
19世纪末
物理学家发现光电效应,为光电 探测器技术奠定理论基础。
20世纪初
科学家开始研究光电材料,探索 光电转换原理。
光电探测器技术的发展阶段
20世纪中叶
半导体材料的发展推动了光电探测器 技术的进步,硅基光电探测器逐渐成 为主流。
20世纪末至今
新型光电材料和器件不断涌现,光电 探测器技术应用领域不断拓展。
光电探测器可以检测空气中的污染物,如烟雾、灰尘等。
光电探测器在医疗领域的应用
医学影像
光电探测器用于医学影像设备,如CT、 MRI等,将X射线或磁共振信号转换为图像 。
激光治疗
在激光治疗中,光电探测器用于检测激光光 束的强度和位置,确保治疗的准确性和安全
性。
06
光电探测器的挑战与 展望
光电探测器面临的主要挑战
• 噪声等效功率:描述光电探测器在特定信噪比下所能探测到的 最小光功率。它反映了探测器在低光功率条件下的探测能力, 是衡量光电探测器性能的重要指标。
探测率与探测极限
探测率
描述光电探测器在单位时间、单位面积内探测到的光子数。它是衡量光电探测器探测能力的关键参数 。
探测极限
指光电探测器在特定噪声等效功率下的最小可探测光功率。它反映了探测器在高信噪比下的探测能力 。
光 电 探 测 器ppt课件
*
PIN 光电二极管
(1)结构与工作原理: 为改善PN结耗尽层只有几 微米,长波长的穿透深度 比耗尽层宽度还大,大部 分入射光被中性区吸收, 使光电转换效率低,响应 时间长,响应速度慢的特 性,在PN结中设置一层掺 杂浓度很低的本征半导体 (称为I),这种结构便是 PIN光电二极管。
P+
I
N+
耗尽层
c
hc Eg
• 量子效率的光谱特 性取决于半导体材 料的吸收系数 α (λ)
0.2 0 0.7 0.9 1.1
10%
1.3
1.5
1.7
PIN响应度、量子效率 与波长的关系
3. 响应时间及频率特性
当光电二极管具有单一的时间常数 前沿和脉冲后沿相同,且接近函数 exp(t / 0 ) 和 exp(t /0 ) , 由此得到脉冲响应时间为 2 . 2 r f 0
R
P+
N+
PIN光电二极管原理图
抗反射膜
电极
Ⅱ(N) 掺杂浓度很低; P P+和N+掺杂浓度很高 Ⅱ(N) 。 且I层很厚,约有 N 5~5 0μm,吸收系数 电极 很小,入射光很容易进 PIN光电二极管结构 入材料内部被充分吸收 而产生大量的电子-空 穴对 ,因而大幅度提高 P+层和N+层很薄,吸 了光电转换效率,两侧
0
时,其脉冲
具有一定时间常数的光电二极管,对于幅度一定 ,频率为 f c 的正弦调制信号,截止频率 2 f 1 0.35
fc
20
r
谢谢!
响应度分为电压响应度和电流响应度
• 电压响应度Rv
光电探测器件输出电压与入射光功率之比 • 电流响应度RI
PIN 光电二极管
(1)结构与工作原理: 为改善PN结耗尽层只有几 微米,长波长的穿透深度 比耗尽层宽度还大,大部 分入射光被中性区吸收, 使光电转换效率低,响应 时间长,响应速度慢的特 性,在PN结中设置一层掺 杂浓度很低的本征半导体 (称为I),这种结构便是 PIN光电二极管。
P+
I
N+
耗尽层
c
hc Eg
• 量子效率的光谱特 性取决于半导体材 料的吸收系数 α (λ)
0.2 0 0.7 0.9 1.1
10%
1.3
1.5
1.7
PIN响应度、量子效率 与波长的关系
3. 响应时间及频率特性
当光电二极管具有单一的时间常数 前沿和脉冲后沿相同,且接近函数 exp(t / 0 ) 和 exp(t /0 ) , 由此得到脉冲响应时间为 2 . 2 r f 0
R
P+
N+
PIN光电二极管原理图
抗反射膜
电极
Ⅱ(N) 掺杂浓度很低; P P+和N+掺杂浓度很高 Ⅱ(N) 。 且I层很厚,约有 N 5~5 0μm,吸收系数 电极 很小,入射光很容易进 PIN光电二极管结构 入材料内部被充分吸收 而产生大量的电子-空 穴对 ,因而大幅度提高 P+层和N+层很薄,吸 了光电转换效率,两侧
0
时,其脉冲
具有一定时间常数的光电二极管,对于幅度一定 ,频率为 f c 的正弦调制信号,截止频率 2 f 1 0.35
fc
20
r
谢谢!
响应度分为电压响应度和电流响应度
• 电压响应度Rv
光电探测器件输出电压与入射光功率之比 • 电流响应度RI
光电检测器PPT课件
3. 为了不使阳极脉动电流引起极间电压发生大的变 化,常在最后几级的分压电阻上并联电容器。
C1
Ι ΑΜ τ LV DD
C1δC2δ2C3
C1 C2 C3
光电倍增管供电. 电路图
32
32
§2-2 真空光电探测器件
光电倍增管 光电倍增管的供电电路
4. 接地方式:倍增管的接地方式有两种,即阴极接地或 阳极接地.
.
29
29
§2-2 真空光电探测器件
光电倍增管 光电倍增管的供电电路
1. 倍增管各电极要求直流供电,从阴极开始至各级 的电压要依次升高,一般多采用电阻链分压办法来 供电。一般情况下,各级电压均相等,约80~100V, 总电压约1000~1300V。
C1 C2 C3
光电倍增管供电. 电路图
30
30
§2-2 真空光电探测器件
3.阳极伏安特性曲线是指阳极电流与阳极和最 末一级倍增极之间电压的关系。
4.在电路设计时,一般使用阳极伏安特性曲线来 进行负载电阻、输出电流、输出电压的计算。
.
24
24
阳极伏安特性曲线
.
25
25
§2-2 真空光电探测器件
光电倍增管
光电特性
光电倍增管的的主要参量与特性
1. 阳极光电流与入射
于光电阴极的光通量之 间的函数关系。
2.噪声等效功率(NEP)表述倍增管阳极信号与噪
声有效值之比等于1时,入射于倍增管光电阴极的光功率
(通量)的有效值。即
IA/InA=1时, NEP=InA/SA
它是倍增管可能探测到的信号光功率(通量)的最小值。
.
28
28
§2-2 真空光电探测器件
第四章光电导探测器课件
光子作用于光电导材料产生 本征吸收:
杂质吸收:产生附加的光生载流子。 光电导效应——光照射到光电导 (半导体) 材料 上,使半导体的电导率发生变化。
多数半导体和绝缘体存在这种效应 本征半导体
杂质半导体 4
5
光激发: 产生空穴、电子,跃迁到导带。 杂质半导体: n型:施主能带靠近导带,电子获得足够能量进入 导带参与导电。 p型:受主能带靠近价带,价带电子吸收光子能量 跃迁受主能带,使价带产生空穴参与导电。 表征光电导效应主要有三个参数:
①增大增益系数可得到很高的光谱响应率 ②增益与响应速度是相矛盾的
43
光电导探测器典型光谱曲线
两种类型光电导探 测器光谱特性
44
四、比探测率 D*是包含噪声性能的一个重要参数
1.受热噪声限制 多数光电导探测器工作频率在 1MHz 以上,其
噪声源主要来自热噪声
2.受产生——复合噪声限制 当工作频率在1kHz~1MHz时:主要是
在直线性光电导中, 恒定光照下决定光电导上升规
律的微分方程:
量子产额
以光子计算的 入射光光强
光电导体对光 的吸收系数
光生载流
子 2命
根据上式初始条件: t=0时, Δn=0,方程解 取消光照后,决定光电导下降的微分方程为 设光照停止时(t=0), Δn=Inαβτ,则上式解:
13
直线性光电导上升和下降曲线 直线性光电导的弛豫时间与光强无关。 因为上升和下降是对称的
19
二、光电导探测器的工作原理
半导体受到光照时将产生非平衡载流子,电 导率增加,在外加电压的作用下,将在光电导探 测器输出回路中产生光电流。
分析光电导探测器输出的光电信号 1.光电导探测器的光电流
设样品为 n 型材料,光功 率为P的光辐射沿x方向均
杂质吸收:产生附加的光生载流子。 光电导效应——光照射到光电导 (半导体) 材料 上,使半导体的电导率发生变化。
多数半导体和绝缘体存在这种效应 本征半导体
杂质半导体 4
5
光激发: 产生空穴、电子,跃迁到导带。 杂质半导体: n型:施主能带靠近导带,电子获得足够能量进入 导带参与导电。 p型:受主能带靠近价带,价带电子吸收光子能量 跃迁受主能带,使价带产生空穴参与导电。 表征光电导效应主要有三个参数:
①增大增益系数可得到很高的光谱响应率 ②增益与响应速度是相矛盾的
43
光电导探测器典型光谱曲线
两种类型光电导探 测器光谱特性
44
四、比探测率 D*是包含噪声性能的一个重要参数
1.受热噪声限制 多数光电导探测器工作频率在 1MHz 以上,其
噪声源主要来自热噪声
2.受产生——复合噪声限制 当工作频率在1kHz~1MHz时:主要是
在直线性光电导中, 恒定光照下决定光电导上升规
律的微分方程:
量子产额
以光子计算的 入射光光强
光电导体对光 的吸收系数
光生载流
子 2命
根据上式初始条件: t=0时, Δn=0,方程解 取消光照后,决定光电导下降的微分方程为 设光照停止时(t=0), Δn=Inαβτ,则上式解:
13
直线性光电导上升和下降曲线 直线性光电导的弛豫时间与光强无关。 因为上升和下降是对称的
19
二、光电导探测器的工作原理
半导体受到光照时将产生非平衡载流子,电 导率增加,在外加电压的作用下,将在光电导探 测器输出回路中产生光电流。
分析光电导探测器输出的光电信号 1.光电导探测器的光电流
设样品为 n 型材料,光功 率为P的光辐射沿x方向均
最新常用光电探测器PPT课件
V
Pmax Rg
RL Rg
光敏电阻
时间响应特性
光敏电阻受光照后或被遮光后,回路电流并不立即增 大或减小,而是有一响应时间。响应时间常数是由电流上 升时间和衰减时间表示。
光敏电阻的响应时间与入射光的照度,所加电压、负 载电阻及照度变化前电阻所经历的时间(称为前历时间) 等因素有关。
光敏电阻
稳定特性
P3
- V
+
u2 RL1
u1 o i1
RL2
i2
i
RL1
RL2 RL
i
▪ 第三象限是反偏压状态。这时iD=iS0,是普通二极管中的反向饱和电流,
称为暗电流(对应于光功率P=0),数值很小,这时的光电流(等于i-iS0)是 流过探测器的主要电流,对应于光导工作模式。通常把光导工作模式的
光伏探测器称为光电二极管,因为它的外回路特性与光电导探测器十分
几种国产硅光电池的特性
硅光电池——太阳电池
硅光电池——太阳电池
硅光电池——太阳电池
硅光电池——太阳电池
硅光电池——太阳电池
硅光电池——太阳电池
硅光电池——太阳电池
短路电流和开路电压
短路电流——RL=0 开路电压——RL=∞
光电池等效电路
Cj:结电容 ish:pn结漏电流,很小 Rsh:等效泄露电阻,很大 Rs:引出电极-管芯接触电阻
HgxCd1-xTe探测器:化合物本征型光电导探测器,由 HgTe和GdTe两种材料混在一起的固溶体,其禁带宽度 随组分x呈线性变化。当x=0.2时响应波长为8~14μm, 工作温度77K,用液氮致冷;内电流增益约为500,低 内阻,广泛用于10.6μm的CO2激光探测。
光敏电阻
《光电探测器概述》课件
光电探测器概述
本次PPT课件将详细介绍光电探测器的定义、工作原理、分类、应用领域、 性能指标、市场前景等内容,以及总结和展望。
光电探测器的定义
1 什么是光电探测器?
光电探测器是一种将光信 号转化为电信号的器件, 常用于光通信、光电子计 算、光电测量等领域。
2 光电探测器的组成
光电探测器主要由光电转 换器、电子放大器、信号 处理电路等组成。
量子效率
探测器有效响应光子数与入射 光子数之比,常用百分比表示, 值越大,效率越高。
工作波长范围
光电探测器可以工作的光波长 范围,常用纳米、微米等单位 表示。
光电探测器的市场前景
1
新能源行业需求
2
太阳能、光催化、新型半导体等新兴产
业的发展,都需要大量应用光电探测器
的技术。
3
高速互联网需求
随着5G网络、云计算、物联网等技术的 发展,光电ห้องสมุดไป่ตู้测器在高速互联网领域的 应用需求也将持续增长。
3 光电探测器的特点
具有高精度、高速度、高 灵敏度、低噪音等特点, 是光电子技术的核心器件 之一。
光电探测器的工作原理
1
内部光电效应
通过光电效应,将入射光子能量转换成电子,再经由电荷隔离、放大、输出等处 理步骤,获得探测信号。
2
外部光电效应
借助半导体结构中PN结、PIN结等,并通过将入射光子和电子进行复合,使得 PN结两端出现电压,获得探测信号。
军事与安防
光电探测器在红外夜视、导弹制导、火力控制和远 程探测等领域有广泛应用。
新能源领域
光电探测器在太阳能电池、光催化电池等应用中发 挥重要作用。
医疗
光电探测器在CT、MRI、PET、胶片扫描等医疗领 域有广泛应用,可提供更清晰、准确的成像效果。
本次PPT课件将详细介绍光电探测器的定义、工作原理、分类、应用领域、 性能指标、市场前景等内容,以及总结和展望。
光电探测器的定义
1 什么是光电探测器?
光电探测器是一种将光信 号转化为电信号的器件, 常用于光通信、光电子计 算、光电测量等领域。
2 光电探测器的组成
光电探测器主要由光电转 换器、电子放大器、信号 处理电路等组成。
量子效率
探测器有效响应光子数与入射 光子数之比,常用百分比表示, 值越大,效率越高。
工作波长范围
光电探测器可以工作的光波长 范围,常用纳米、微米等单位 表示。
光电探测器的市场前景
1
新能源行业需求
2
太阳能、光催化、新型半导体等新兴产
业的发展,都需要大量应用光电探测器
的技术。
3
高速互联网需求
随着5G网络、云计算、物联网等技术的 发展,光电ห้องสมุดไป่ตู้测器在高速互联网领域的 应用需求也将持续增长。
3 光电探测器的特点
具有高精度、高速度、高 灵敏度、低噪音等特点, 是光电子技术的核心器件 之一。
光电探测器的工作原理
1
内部光电效应
通过光电效应,将入射光子能量转换成电子,再经由电荷隔离、放大、输出等处 理步骤,获得探测信号。
2
外部光电效应
借助半导体结构中PN结、PIN结等,并通过将入射光子和电子进行复合,使得 PN结两端出现电压,获得探测信号。
军事与安防
光电探测器在红外夜视、导弹制导、火力控制和远 程探测等领域有广泛应用。
新能源领域
光电探测器在太阳能电池、光催化电池等应用中发 挥重要作用。
医疗
光电探测器在CT、MRI、PET、胶片扫描等医疗领 域有广泛应用,可提供更清晰、准确的成像效果。
光电仪器原理与设计第6章光电探测器课件
• 光电倍增管特点
✓ 响应速度快 ✓ 响应度极高 ✓ 稳定度线性度较好
光电倍增管的应用
单光子探测技术 正电子发射断层扫描仪PET 紫外/可见/近红外光光度计 发光分光光度计
23
内光电效应原理
• 当光照射某种物质时,若入射光子能量足够大,和物质中 的电子相互作用,受激发产生的自由电子仍留在物体内部, 导致物体导电性加强、出现电势差或产生其他效应
• 取不同的参数为参变量可得到
✓ 伏安特性,灵敏度/响应度,光谱灵敏度,幅频特性等
17
第二节 光电探测器的工作原理与分 类
• 客观光探测原理的分类
✓ 光照后探测器材料产生物理或化学变化 ✓ 光子效应:探测器吸收光子后,直接引起原子或分子的内部电子
状态的改变。对光波频率有选择性。响应速度一般较快。 • 外光电效应:光电子发射、光电子倍增 • 内光电效应:光电导、光生伏特效应等
✓ 这样如光电管(灵敏度低)、光敏电阻(线性度差)、光电池 (响应速度慢)之类的器件难以满足要求。其它如光电倍增管、 雪崩光电二极管虽然有优越的探测性能,尤其是灵敏度极高,但 本系统是常规激光光强探测,没有微弱信号探测方面的需求,没 有必要选用这两种器件。
(l)
e
Pel d l
e
l Pel d l
R(l)hc el
✓ h:普朗克常量h,c:光速,e:电hc子电量
13
光电特性——噪声等效功率
• NEP(noise equivalent power)
✓ 指明器件可检测的最小辐射功率 ✓ 探测器输出信号电压的有效值Vs等于噪声均方根电压值Vn时,对
应的入射光功率(单位:W)
19
外光电效应器件——光电管
• 光电管(photocell)
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2.石墨烯/硅异质结光电探测器的光谱灵敏度
的 刻 蚀
金 属 电 极 的 淀 积
石 墨 烯 的 复 合
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1.二极管电桥嵌入InGaN /GaN的双向开 关
工 艺 过 程 ;psi 衬 底 利 用 cl2/Bcl3 的 等 离子体刻蚀栅 极的凹槽,平 坦化表面,使 其实现常断的 功能,淀积 400nm 的 AL2O3 , 在 180 摄 氏 度 下进行热退火, 用 al/Ti/Mo/Au 形成欧姆接触, 接触电阻为 0.5 欧 姆 , 方 块 电 阻 为 385 欧姆/毫米。
国外焦平面红外探测器的生产厂商 主要分布在美国 英国 法国 德国 日 本及以色列等 美国Northrop Grumman公司研制 的硒化铅探测器被认为是焦平面红 外探测的一大突破 法国Sofradir公司的红外探测器产 品较多,包括HgCdTe,InSb, InGaAs,QWIP以及微测辐射热计 覆盖了短波 红外中波 红外 长波红外光谱
4.用于气敏的中红外表面发射和探测量子级联 装置
SEM环状的QCL探测器以及所 有接触区,外径400um
发射和检测区域,AR-active region(有源区)在AR(有源 区)由包层覆盖,以提供激光 器的环形腔的波导。探测器底 部接触是通过一个可选的保护 环包围。
激光远场测试,无任何镜头,显 示循环强度的条纹,在4度时,强 度最强。
反偏状态下,石墨烯/si 的能带图
光照时,入射光子在石墨烯和 n型Si上面产生电子空穴对, 通过施加反向电压,n-si的空 穴加速进入石墨烯,从而形成 较大的电流。
3.高灵敏度太赫兹量子点红外探测器
红外探测器分类研究
红外探测器按探测机理 分类:热探测器和光探 测器 按其工作中载流子类型 分类:多数载流子器 件和少数载流子器件
国外探测器 性能指标
高灵敏度太赫兹量子点红外探测器
不同量子高度对应的吸收峰, 我们发现:h=3.5nm,对应 的峰值在46nm和51nm。 h=3nm,对应的 峰值是34nm和38nm。
图1a显示的是σ=1ev,不同 偏振角对应的吸收;图1b显 示的是σ=3ev,不同偏振角 的吸收。趋势不变,只是整 体缩小1/3.
2.石墨烯/硅 异质结光电探测器的光学灵敏度
石墨烯的特点:高载流子迁移率高导热率. 优良的光学透过率 优良的力学特性等 这些性质使得石墨烯在纳米领域的应用范围非常广泛。
石墨烯的应用:场效应晶体管, 光 电 器 件储 能, 太 阳 能 电池等方面获得了越来越多的应用 二硫化钼的特点:透明度高 柔韧性好 容易制备 优异的性能使MoS2在光学和电学方面有很大的前途。
圆形波纹强度
NAME
人有了知识,就会具备各种分析能力, 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书,广泛阅读, 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍,我们能丰富知识, 培养逻辑思维能力; 通过阅读文学作品,我们能提高文学鉴赏水平, 培养文学情趣; 通过阅读报刊,我们能增长见识,扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操, 给我们巨大的精神力量, 鼓舞我们前进。
对应于不同电压下的 响应度,随着电压变 大,响应度变大,是 由于电压变大,载流 子的迁移速率变大。
相同角度时,各 向异性度越大, 对应的光暗电流 比大; 相同各向异性度, 相同角度时,随 着温度升高,光 暗电流比下降。
4.用于气敏传感器的中红外表面发射和探测量 子级联装置
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量子级联探测器QCDs
传统的量子阱红外探测器往往存在 较大的暗电流和较低的工作温度等 限制量子级联探测器( QCDs )是 一种新型的光伏型量子阱红外探测 器 其工作原理基于电子吸收光子后 在量子阱的子带间跃迁并且激发态 电子通过人工设计的势能阶梯形成 无需外加偏置电压的定向输运 这种 基于新原理的红外探测器一经出现 便引起人们高度的关注并经历了快 速的发展
姓名:沙婷婷 学号:511251213027 导师:李文武
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Satish Kumar Singh and Jitendra Kumar,Member, IEEE
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典型的I-V曲线 工作原理
SBD电压是导通时的导通损耗,该设备存在较大的导 通损耗是由于肖特接触时较大的功函数引起的。改进 方法:采用较低的逸出功函数,肖特基接触可以显著降 低关断电压,从而减少导通时的损耗。
该设备优点:可以显著减小IC尺寸和寄生元器件,寄 生电阻,寄生电感,允许较大的切换过程,在高效率 的功率开关,高效转换器应用方面有巨大的潜力。
S1基态,S2,S3是激发态。
显示了s1~s2,s1~s3吸收系数 对于不同各向异性度,偏振角 度的影响的灵敏度。 s1~s2,相同各向异性度,随 偏振角度变大,吸收变大。相 同角度,随着各向异性度变大 而变大。 s1~s3,相同各向异性度,随 着偏振角度的变大而变小。相 同角度,随着各向异性度变大 而变大。