封装流程介绍.ppt
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4.封装流程介绍
![4.封装流程介绍](https://img.taocdn.com/s3/m/0b395a0c6c85ec3a87c2c50f.png)
入出料主要是将导线架 ( Lead Frame)由物料 盘 ) (Magazine)送上输送架 ) (Bar or Bridge)进入模具 ) 内做冲切;在机台中, 内做冲切;在机台中,入出 料机构的夹具动作大多以气 压作动。 压作动 magazine
F/S入料机构和D/T的入料机构大致相同,均以 F/S入料机构和D/T的入料机构大致相同, 入料机构和D/T的入料机构大致相同 magazine作为入料盒 至于出料方式,D/T为 作为入料盒, magazine作为入料盒,至于出料方式,D/T为 magazine, F/S工作行程最后均将IC从导线架 工作行程最后均将IC magazine,而F/S工作行程最后均将IC从导线架 上取出所以,出料机构总共分为二个部份: 上取出所以,出料机构总共分为二个部份: 1.Tray盘 2.Tube管 1.Tray盘 2.Tube管
固化后取出。 固化后取出。
Epoxy Molding Compound
IC塑胶封装材料为热固性环氧树脂 塑胶封装材料为热固性环氧树脂 塑胶封装材料为 (EMC)其作用为填充模穴 其作用为填充模穴(Cavity) 其作用为填充模穴 将导线架(L/F)完全包覆,使銲线好 完全包覆, 将导线架 完全包覆 的芯片有所保护。 的芯片有所保护。
Tie Bar
4.成型(Forming) 4.成型(Forming) 成型 的目的: 的目的:
将已去框( 将已去框(Singulation) ) Package之Out Lead以连 之 以连 续冲模的方式, 续冲模的方式,将产品脚 弯曲成所要求之形状。 弯曲成所要求之形状。
海 鸥 型 引 脚 插 入 型
Heat Slug Attach
Molding
MD(封胶 封胶) 封胶 (Molding)
生产工艺培训课件(PPT65张)
![生产工艺培训课件(PPT65张)](https://img.taocdn.com/s3/m/c5cb7513192e45361166f51b.png)
生产工艺培训
主讲:杨高平
主要内容:
一.封装生产工艺流程
二.清洗工序
三.焊接工序
四.层压工序
五.高压釜工序
一、封装工艺生产流程
裁切PVB
背玻璃清 洗
制备传来 的前电池
超声波焊 接
摊铺PVB
合背板
功率测试 装接线盒
合 格
检验
层压工序
不合格 成品层压
清洗包装 入库
返修
高压釜
半成品层压
二、清洗工序
清洗工序:
什么是钢化玻璃:
钢化玻璃是用普通平板玻璃或浮法玻璃加工处 理而成,是普通平板玻璃的二次加工产品; 普通平板玻璃要求用特选品或一等品;浮法玻 璃要求用优等品或一级品。
什么是钢化玻璃:
钢化玻璃的加工可分为物理钢化法和化学钢化 法。 这里只介绍物理法
什么是钢化玻璃:
物理钢化玻璃又称为淬火钢化玻璃。它时将普 通平板玻璃在加热炉中加热到接近玻璃的软化 温度(600℃)时,通过自身的形变消除内部 应力,然后将玻璃移出加热炉,再用多头喷嘴 将高压冷空气吹向玻璃的两面,使其迅速且均 匀地冷却至室温,即可制得钢化玻璃。 简单说:普通玻璃或浮法玻璃,先加热到600 度左右,再急速冷却,就得到钢化玻璃;
水分含量 % 拉伸程度 Mpa 断裂伸长率 % 雾度 % 收缩率 (60℃/15min) % 0.4-0.6 ≥20.0 ≥200 < 0.4 ≤12
PVB裁切的要求:
裁切的尺寸要符合要求; 不允许一次裁切大量PVB搁置很长时间后 才使用,原则上每次裁切最多30--60块, 裁切好的PVB要在30分钟内投入使用; 班长,要根据生产情况,安排好裁切PVB 的数量,严禁停产后仍然有大量的PVB没 有使用,出现此类情况追究班长责任;
主讲:杨高平
主要内容:
一.封装生产工艺流程
二.清洗工序
三.焊接工序
四.层压工序
五.高压釜工序
一、封装工艺生产流程
裁切PVB
背玻璃清 洗
制备传来 的前电池
超声波焊 接
摊铺PVB
合背板
功率测试 装接线盒
合 格
检验
层压工序
不合格 成品层压
清洗包装 入库
返修
高压釜
半成品层压
二、清洗工序
清洗工序:
什么是钢化玻璃:
钢化玻璃是用普通平板玻璃或浮法玻璃加工处 理而成,是普通平板玻璃的二次加工产品; 普通平板玻璃要求用特选品或一等品;浮法玻 璃要求用优等品或一级品。
什么是钢化玻璃:
钢化玻璃的加工可分为物理钢化法和化学钢化 法。 这里只介绍物理法
什么是钢化玻璃:
物理钢化玻璃又称为淬火钢化玻璃。它时将普 通平板玻璃在加热炉中加热到接近玻璃的软化 温度(600℃)时,通过自身的形变消除内部 应力,然后将玻璃移出加热炉,再用多头喷嘴 将高压冷空气吹向玻璃的两面,使其迅速且均 匀地冷却至室温,即可制得钢化玻璃。 简单说:普通玻璃或浮法玻璃,先加热到600 度左右,再急速冷却,就得到钢化玻璃;
水分含量 % 拉伸程度 Mpa 断裂伸长率 % 雾度 % 收缩率 (60℃/15min) % 0.4-0.6 ≥20.0 ≥200 < 0.4 ≤12
PVB裁切的要求:
裁切的尺寸要符合要求; 不允许一次裁切大量PVB搁置很长时间后 才使用,原则上每次裁切最多30--60块, 裁切好的PVB要在30分钟内投入使用; 班长,要根据生产情况,安排好裁切PVB 的数量,严禁停产后仍然有大量的PVB没 有使用,出现此类情况追究班长责任;
功率器件封装工艺流程ppt
![功率器件封装工艺流程ppt](https://img.taocdn.com/s3/m/b6cf7c0c82c4bb4cf7ec4afe04a1b0717fd5b3f0.png)
目的
将功率器件按照电路连接需求装配到预定位置,实现电路功能。
主要步骤
定位:确定器件在封装板上的位置,确保器件与电路板连接的准确性;- 插入引脚:将器件引脚插入到封装板上的引脚孔中;- 固定:采用焊接、压接等方式固定器件在封装板上。
装配
检测
检测封装后的功率器件是否符合技术要求,保证产品的质量和可靠性。
目的
电性能检测:检测封装后的功率器件的电气性能指标是否符合设计要求;- 外观检测:检查封装后的器件表面及引脚是否完好无损,是否符合外观标准;- 环境适应性检测:模拟器件在实际使用中可能遇到的环境条件,检测其稳定性和可靠性。
主要步骤
封装工艺材料
03
03
介质损耗因数
绝缘材料在交流电压作用下消耗的能量与总能量之比,反映材料的介质损失。
封装工艺与功率器件性能
背景介绍
1
封装工艺重要性
2
3
良好的封装工艺能够保护功率器件免受环境影响,提高器件性能和稳定性。
提高器件性能
功率器件在工作过程中会产生大量热量,良好的封装工艺能够增强器件的散热能力,保证器件的正常运行。
增强散热能力
封装工艺对功率器件的电路设计具有重要影响,良好的封装设计方案能够优化电路布局和性能。
环境友好型封装技术
IPC及其他国际质量标准在封装行业的应用情况
06
IPC标准的制定
IPC标准是电子封装行业的基础标准之一,包括封装设计、制造、组装和测试等方面的标准,对提高封装质量和可靠性具有重要意义。
IPC在封装行业的应用情况
IPC标准的推广
IPC标准在电子封装行业得到了广泛的应用和推广,特别是在微电子、半导体等领域,已经成为封装企业必须遵守的基础标准之一。
半导体封装流程 ppt课件
![半导体封装流程 ppt课件](https://img.taocdn.com/s3/m/fb63826cbb4cf7ec4afed0fd.png)
第四,可靠性:任何封装都需要形成一定的可靠性,这是 整个封装工艺中最重要的衡量指标。原始的芯片离开特定的生 存环境后就会损毁,需要封装。芯片的工作寿命,主要决于对 封装材料和封装工艺的选择。
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半导体封装流程
Customer 客户
IC Design IC设计
SMT IC组装
Wafer Fab 晶圆制造
Logo
半导体封装流程
第一,保护:半导体芯片的生产车间都有非常严格的生产 条件控制,恒定的温度(230±3℃)、恒定的湿度(50±10% )、严格的空气尘埃颗粒度控制(一般介于1K到10K)及严格 的静电保护措施,裸露的装芯片只有在这种严格的环境控制下 才不会失效。但是,我们所生活的周围环境完全不可能具备这 种条件,低温可能会有-40℃、高温可能会有60℃、湿度可能 达到100%,如果是汽车产品,其工作温度可能高达120℃以上 ,为了要保护芯片,所以我们需要封装。
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半导体封装流程
【Lead Frame】引线框架
➢提供电路连接和Die的固定作用; ➢主要材料为铜,会在上面进行镀银、
NiPdAu等材料; ➢L/F的制程有Etch和Stamp两种; ➢易氧化,存放于氮气柜中,湿度小 于40%RH; ➢除了BGA和CSP外,其他Package都会采用Lead Frame,
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半导体封装流程
Logo
半导体封装流程
一、概念
半导体芯片封装是指利用膜技术及细微加工 技术,将芯片及其他要素在框架或基板上布局、 粘贴固定及连接,引出接线端子并通过可塑性绝 缘介质灌封固定,构成整体立体结构的工艺。此 概念为狭义的封装定义。更广义的封装是指封装 工程,将封装体与基板连接固定,装配成完整的 系统或电子设备,并确保整个系统综合性能的工 程。将前面的两个定义结合起来构成广义的封装 概念。
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半导体封装流程
Customer 客户
IC Design IC设计
SMT IC组装
Wafer Fab 晶圆制造
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半导体封装流程
第一,保护:半导体芯片的生产车间都有非常严格的生产 条件控制,恒定的温度(230±3℃)、恒定的湿度(50±10% )、严格的空气尘埃颗粒度控制(一般介于1K到10K)及严格 的静电保护措施,裸露的装芯片只有在这种严格的环境控制下 才不会失效。但是,我们所生活的周围环境完全不可能具备这 种条件,低温可能会有-40℃、高温可能会有60℃、湿度可能 达到100%,如果是汽车产品,其工作温度可能高达120℃以上 ,为了要保护芯片,所以我们需要封装。
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半导体封装流程
【Lead Frame】引线框架
➢提供电路连接和Die的固定作用; ➢主要材料为铜,会在上面进行镀银、
NiPdAu等材料; ➢L/F的制程有Etch和Stamp两种; ➢易氧化,存放于氮气柜中,湿度小 于40%RH; ➢除了BGA和CSP外,其他Package都会采用Lead Frame,
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半导体封装流程
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半导体封装流程
一、概念
半导体芯片封装是指利用膜技术及细微加工 技术,将芯片及其他要素在框架或基板上布局、 粘贴固定及连接,引出接线端子并通过可塑性绝 缘介质灌封固定,构成整体立体结构的工艺。此 概念为狭义的封装定义。更广义的封装是指封装 工程,将封装体与基板连接固定,装配成完整的 系统或电子设备,并确保整个系统综合性能的工 程。将前面的两个定义结合起来构成广义的封装 概念。
功率器件封装工艺流程ppt
![功率器件封装工艺流程ppt](https://img.taocdn.com/s3/m/81f9ef861b37f111f18583d049649b6648d70984.png)
将多个功率器件集成在一个模块中 进行封装,提高器件的集成度和可 靠性。
微型化封装
采用微电子制造技术,实现功率器 件的小型化和微型化。
绿色封装
采用环保材料和工艺,降低封装过 程对环境的影响,实现绿色生产。
高温超导技术应用
利用高温超导材料制作功率器件, 提高器件的效率和性能。
02
封装工艺流程
芯片准备
环境适应性检测
01
02
03
检测目的
评估封装后的功率器件在 不同环境条件下的性能表 现,确保其具有较高的可 靠性和稳定性。
检测内容
包括温度循环测试、湿度 测试、机械应力测试等。
检测方法
在环境试验箱内进行模拟 测试。
05
封装工艺问题及解决方案
引脚焊接不良
原因
引脚材料不纯或焊接温度不当,导致引脚与焊板焊接不牢固 。
引脚焊接
01
02
03
引脚准备
将引脚焊接在芯片上,并 调整引脚间距和高度。
焊接准备
清洁引脚和基板上的焊接 点,并涂上焊膏。
焊接操作
将引脚与基板上的焊接点 对齐,并使用焊接设备进 行焊接。
塑封固化
塑封材料准备
选择合适的塑封材料,并 进行称量和混合。
塑封操作
将塑封材料均匀涂抹在基 板上,并将芯片和引脚完 全覆盖。
环氧树脂具有优良的绝缘性能和加工性能,常用于高电压、高温、高频率的功率器件封装。硅酮树脂 具有优良的耐腐蚀性能和阻燃性能,常用于高电压、高温、高频率的功率器件封装。聚氨酯具有优良 的耐腐蚀性能和阻燃性能,常用于中低档功率器件封装。
04
封装质量检测与控制
外观检测
检测目的
确保封装后的功率器件外观符 合设计要求,无缺陷、无不良
微型化封装
采用微电子制造技术,实现功率器 件的小型化和微型化。
绿色封装
采用环保材料和工艺,降低封装过 程对环境的影响,实现绿色生产。
高温超导技术应用
利用高温超导材料制作功率器件, 提高器件的效率和性能。
02
封装工艺流程
芯片准备
环境适应性检测
01
02
03
检测目的
评估封装后的功率器件在 不同环境条件下的性能表 现,确保其具有较高的可 靠性和稳定性。
检测内容
包括温度循环测试、湿度 测试、机械应力测试等。
检测方法
在环境试验箱内进行模拟 测试。
05
封装工艺问题及解决方案
引脚焊接不良
原因
引脚材料不纯或焊接温度不当,导致引脚与焊板焊接不牢固 。
引脚焊接
01
02
03
引脚准备
将引脚焊接在芯片上,并 调整引脚间距和高度。
焊接准备
清洁引脚和基板上的焊接 点,并涂上焊膏。
焊接操作
将引脚与基板上的焊接点 对齐,并使用焊接设备进 行焊接。
塑封固化
塑封材料准备
选择合适的塑封材料,并 进行称量和混合。
塑封操作
将塑封材料均匀涂抹在基 板上,并将芯片和引脚完 全覆盖。
环氧树脂具有优良的绝缘性能和加工性能,常用于高电压、高温、高频率的功率器件封装。硅酮树脂 具有优良的耐腐蚀性能和阻燃性能,常用于高电压、高温、高频率的功率器件封装。聚氨酯具有优良 的耐腐蚀性能和阻燃性能,常用于中低档功率器件封装。
04
封装质量检测与控制
外观检测
检测目的
确保封装后的功率器件外观符 合设计要求,无缺陷、无不良
IC封装流程介绍ppt课件
![IC封装流程介绍ppt课件](https://img.taocdn.com/s3/m/89956656640e52ea551810a6f524ccbff021ca4f.png)
精选课件ppt
16
去胶/去纬 (Dejunk / Trimming)
去胶/去纬后
去胶/去纬前
精选课件ppt
17
去胶/ (Dejunk)
去胶(Dejunk)的目的:所谓去胶,是指利用机械模具将脚 尖的费胶去除;亦即利用冲压的刀具(Punch)去除掉介于胶 体(Package)与(Dam Bar)之間的多余的溢胶。
一. 二.IC内部结构
三.封装主要流程简介
四.产品加工流程
精选课件ppt
1
简介
In
Out
精选课件ppt
2
封装的目的
IC封装属于半导体产业的后段加工 制程,主要是将前制程加工完成
(即晶圆厂所生产)的晶圆上的IC 予以分割,黏晶、打线并加上塑封
及成型。
其成品(封装体)主要是提供一个
引接的接口,内部电性讯号可通过
Dam Bar
去胶位置
精选课件ppt
18
去纬 (Trimming)
去纬(Trimming)的目的: 去纬是指利用机械模具将脚间金属连接杆切除。
去纬位置
外腳位置
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19
去框 (Singulation)
去框(Singulation)的目的: 將已完成盖印(Mark)制程 的Lead Frame,以沖模的方 式将Tie Bar切除,使 Package与Lead Frame分开, 方便下一个制程作业。
精选课件ppt
7
晶粒黏贴 (Die Bond)
目的:将晶粒置于框架(Lead Frame) 上,并用银胶(Epoxy)黏着固定。
导线架是提供晶粒一个黏着的位置 (称作晶粒座,Die Pad),并预设有 可延伸IC晶粒电路的延伸脚。黏晶完 成后之导线架则经由传输设备送至金 属匣(Magazine)内,以送至下一制 程进行焊线。
半导体封装制程及其设备介绍-PPT
![半导体封装制程及其设备介绍-PPT](https://img.taocdn.com/s3/m/1c98640be418964bcf84b9d528ea81c758f52e91.png)
Substrate
Solder paste pringting
Stencil
Chip shooting
Nozzle Capacitor
Reflow Oven
Hot wind
DI water cleaning
Automatic optical
inpection
DI water
Camera
PAD PAD
Wafer tape
Back Grind
Wafer Detape
Wafer Saw
Inline Grinding & Polish -- Accretech PG300RM
Coarse Grind 90%
Fine Grind 10%
Centrifugal Clean
Alignment & Centering
Die distance Uniformity
4。PICKING UP
3。EXPANDING
No contamination
TAPE ELONGATION
WEAK ADHESION
3.Grinding 辅助设备
A Wafer Thickness Measurement 厚度测量仪 一般有接触式和非接触式光学测量仪两种;
Solder paste
Die Prepare(芯片预处理) To Grind the wafer to target thickness then separate to single chip
---包括来片目检(Wafer Incoming), 贴膜(Wafer Tape),磨片(Back Grind),剥膜(Detape),贴片(Wafer Mount),切割(Wafer Saw)等系列工序,使芯片达到工艺所要求的形状,厚度和尺寸,并经过芯片目 检(DVI)检测出所有由于芯片生产,分类或处理不当造成的废品.
集成电路封装工艺流程-PPT文档资料
![集成电路封装工艺流程-PPT文档资料](https://img.taocdn.com/s3/m/4ffc16fabb4cf7ec4bfed00b.png)
凸块式芯片TAB,先将金属凸块长成于IC芯片的铝键合 点上,再与载带的内引脚键合。预先长成的凸块除了提供引 脚所需要的金属化条件外,可避免引脚与IC芯片间可能发生 短路,但制作长有凸块的芯片是TAN工艺最大的困难。
第二章 封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术
芯片凸点制作技术 凸点因形状不同可分为两种
板上的金属焊区相连接。 芯片互连常见的方法:
打线键合(WB wire bonding)
倒装芯片键合(FCB flip chip bonding,C4)
载带自动键合(TAB tape automate bonding)
这三种连接技术对于不同的封装形式和集成电路 芯片集成度的限制各有不同的应用范围。
打线键合适用引脚数为3-257;载带自动键合的适 用引脚数为12-600;倒装芯片键合适用的引脚数为616000。可见C4适合于高密度组装。
IC芯片制作完成后其表面均镀有钝化保护层,厚度高于 电路的键合点,因此必须在IC芯片的键合点上或TAB载带的 内引线前端先长成键合凸块才能进行后续的键合,通常TAB 载带技术也据此区分为凸块化载带与凸块化芯片TAB两大类。
地状金属凸块;单层载带可配合铜箔引脚的刻蚀制成凸 块,在双层与三层载带上,因为蚀刻的工艺容易致导带变形, 而使未来键合发生对位错误,因此双层与三层载带较少应用 于凸块载带TAB的键合。
这两种方法都很好地避免了或减少了减薄引起 的硅片翘曲以及划片引起的边缘损害,大大增强了 芯片的抗碎能力。
第二章 封装工艺流程
2.3 芯片贴装 芯片贴装,也称芯片粘贴,是将芯片固定于封装基板或引
脚架芯片的承载座上的工艺过程。
贴装方式
• 共晶粘贴法 • 焊接粘贴法 • 导电胶粘贴法 • 玻璃胶粘贴法
第二章 封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术
芯片凸点制作技术 凸点因形状不同可分为两种
板上的金属焊区相连接。 芯片互连常见的方法:
打线键合(WB wire bonding)
倒装芯片键合(FCB flip chip bonding,C4)
载带自动键合(TAB tape automate bonding)
这三种连接技术对于不同的封装形式和集成电路 芯片集成度的限制各有不同的应用范围。
打线键合适用引脚数为3-257;载带自动键合的适 用引脚数为12-600;倒装芯片键合适用的引脚数为616000。可见C4适合于高密度组装。
IC芯片制作完成后其表面均镀有钝化保护层,厚度高于 电路的键合点,因此必须在IC芯片的键合点上或TAB载带的 内引线前端先长成键合凸块才能进行后续的键合,通常TAB 载带技术也据此区分为凸块化载带与凸块化芯片TAB两大类。
地状金属凸块;单层载带可配合铜箔引脚的刻蚀制成凸 块,在双层与三层载带上,因为蚀刻的工艺容易致导带变形, 而使未来键合发生对位错误,因此双层与三层载带较少应用 于凸块载带TAB的键合。
这两种方法都很好地避免了或减少了减薄引起 的硅片翘曲以及划片引起的边缘损害,大大增强了 芯片的抗碎能力。
第二章 封装工艺流程
2.3 芯片贴装 芯片贴装,也称芯片粘贴,是将芯片固定于封装基板或引
脚架芯片的承载座上的工艺过程。
贴装方式
• 共晶粘贴法 • 焊接粘贴法 • 导电胶粘贴法 • 玻璃胶粘贴法
功率器件封装工艺流程课件
![功率器件封装工艺流程课件](https://img.taocdn.com/s3/m/3b791b876bd97f192379e908.png)
包装
入库
aging
Packing Ware house
打印 marking
管脚上锡 plating
功率器件后封装工艺流程 ——划片
圆硅片
划片及绷片 后的圆片
划片
划片:将圆片切割成单个分离的芯片 划片特点:日本DISCO划片机,具有高稳 定性,划片刀的厚度25um,芯片损耗小。
功率器件后封装工艺流程-划片车间
2、使用有N2保护的 烘箱,防止管子在高 温下氧化。
功率器件后封装工艺流程
电镀
切筋
老化
测试
检验
测试流程
成品管
测试分选 合格
QC 抽检 合格
成品包装
不合格品 不合格
QA 检验 合格
入成品库
不合格
抽检 合格
不合格
客户使用
粉碎 返工 返工 返工
包装
功率器件后封装工艺流程 ——测试设备
分选机 KT9614与DTS-1000
焊料
表面清洁光亮,无氧化及 斑点、粘污等不良现象。
工艺保证
每片先试粘一条,试推力, 符合工艺规范才下投。
与芯片、框架两者之间的浸 润性良好,溶化后无颗粒状。
引线框架 粘接强度
表面平整、清洁、光亮无 焊料点上熔化后,焊料与之
氧化,无斑点。
的浸润好。
1、推力:mm2>1kg
2、焊料覆盖芯片面积 >95%(空洞面积<5%)
打印
塑封:压机注 塑,将已装片的 管子进行包封
塑封体 框架管脚
塑封示意图
塑封的特点
采用环氧树脂塑封材料 封装,阻燃,应力 小,强度高,导热 性好,密封性好, 保证晶体管大功率 使用情况下具有良 好散热能力,管体 温度低。
封装工艺流程PPT122页
![封装工艺流程PPT122页](https://img.taocdn.com/s3/m/3592f94154270722192e453610661ed9ad5155bc.png)
第二章 封装工艺流程
• 2.3 芯片贴装 芯片贴装,也称芯片粘贴,是将芯片固定于封装基板或引
脚架芯片的承载座上的工艺过程。
贴装方式
• 共晶粘贴法 • 焊接粘贴法 • 导电胶粘贴法 • 玻璃胶粘贴法
第二章 封装工艺流程
• 2.3.1共晶粘贴法 共晶反应 指在一定的温度下,一定成分的液体同时结晶出两种一定
凸块式芯片TAB,先将金属凸块长成于IC芯片的铝键合点 上,再与载带的内引脚键合。预先长成的凸块除了提供引脚 所需要的金属化条件外,可避免引脚与IC芯片间可能发生短 路,但制作长有凸块的芯片是TAN工艺最大的困难。
第二章 封装工艺流程
• 2.4.2 载带自动键合技术
芯片凸点制作技术 凸点因形状不同可分为两种
第二章 封装工艺流程
• 2.4.1 打线键合技术
打线键合技术
超声波键合(Ultrasonic Bonding ,U/S bonding)
热压键合(Thermocompression Bonding T/C bonding) 热超声波键合(Thermosonic BoBiblioteka ding,T/S bonding)
第二章 封装工艺流程
• 2.4 芯片互连 芯片互连是将芯片焊区与电子封装外壳的I/O引线或基
板上的金属焊区相连接。 芯片互连常见的方法:
打线键合(WB wire bonding)
倒装芯片键合(FCB flip chip bonding,C4)
载带自动键合(TAB tape automate bonding)
• 2.4.1 打线键合技术介绍 (2)热压键合
第二章 封装工艺流程
• (3)热超声波键合
热超声波键合是热压键合与超声波键合的混合技术。在工 艺过程中,先在金属线末端成球,再使用超声波脉冲进行金 属线与金属接垫之间的接合。
《LED封装介绍》课件
![《LED封装介绍》课件](https://img.taocdn.com/s3/m/e1d4bc444b7302768e9951e79b89680203d86b3d.png)
智能化与联网化 随着物联网技术的发展,LED封 装产品趋向于智能化和联网化, 实现远程控制、智能调节等功能 。
LED封装面临的挑战
技术创新
LED封装技术需要不断进行创新,提高 光效、降低成本,以满足市场需求。
产能与供应链管理
随着市场的不断扩大,LED封装企业 需要加强产能和供应链管理,确保产
品的及时供应。
表面贴装LED封装技术是一种将LED直接粘贴在电路板上的封装形式,具有体积 小、易于自动化生产等特点。
详细描述
表面贴装LED封装技术采用小型化的封装体和引脚,可以直接将LED粘贴在PCB 板上,简化了组装过程。这种封装形式广泛应用于消费电子产品中,如手机、电 视等。
功率型LED封装技术
总结词
功率型LED封装技术是一种高功率、高可靠性的LED封装形式 ,具有较长的使用寿命和较好的散热性能。
LED封装发展趋势
高效能化 随着LED照明技术的不断进步, 高效能、高光效的LED封装产品 成为发展趋势,能够满足市场对 节能照明的需求。
环保化 随着环保意识的提高,无铅、无 汞等环保型LED封装产品成为发用领域的拓宽,LED封装 产品趋向于小型化和集成化,以 适应不同空间和设计要求。
详细描述
功率型LED封装技术采用较大的芯片和特殊的散热设计,能 够承受较高的工作温度和电流密度。这种封装形式广泛应用 于照明、汽车等领域,需要解决的关键问题是散热和可靠性 问题。
05
LED封装应用领域
显示屏
01
02
03
广告牌显示屏
利用LED封装技术制作的 大型广告牌,具有高亮度 、长寿命和低能耗的特点 。
和散热的作用。
环氧树脂的质量和配比对LED的 透光率、耐热性和寿命有很大影
LED封装面临的挑战
技术创新
LED封装技术需要不断进行创新,提高 光效、降低成本,以满足市场需求。
产能与供应链管理
随着市场的不断扩大,LED封装企业 需要加强产能和供应链管理,确保产
品的及时供应。
表面贴装LED封装技术是一种将LED直接粘贴在电路板上的封装形式,具有体积 小、易于自动化生产等特点。
详细描述
表面贴装LED封装技术采用小型化的封装体和引脚,可以直接将LED粘贴在PCB 板上,简化了组装过程。这种封装形式广泛应用于消费电子产品中,如手机、电 视等。
功率型LED封装技术
总结词
功率型LED封装技术是一种高功率、高可靠性的LED封装形式 ,具有较长的使用寿命和较好的散热性能。
LED封装发展趋势
高效能化 随着LED照明技术的不断进步, 高效能、高光效的LED封装产品 成为发展趋势,能够满足市场对 节能照明的需求。
环保化 随着环保意识的提高,无铅、无 汞等环保型LED封装产品成为发用领域的拓宽,LED封装 产品趋向于小型化和集成化,以 适应不同空间和设计要求。
详细描述
功率型LED封装技术采用较大的芯片和特殊的散热设计,能 够承受较高的工作温度和电流密度。这种封装形式广泛应用 于照明、汽车等领域,需要解决的关键问题是散热和可靠性 问题。
05
LED封装应用领域
显示屏
01
02
03
广告牌显示屏
利用LED封装技术制作的 大型广告牌,具有高亮度 、长寿命和低能耗的特点 。
和散热的作用。
环氧树脂的质量和配比对LED的 透光率、耐热性和寿命有很大影