辉光放电质谱-GDMS思考题

GDMS思考题

1.简述辉光放电质谱法的基本原理、特点和它的应用。

2.如何计算无机质谱分析中的分辨率？要使质量数为56处的56Fe+

（M=55.93）和40Ar16O+（M=55.95）谱峰分开，质谱分辨率至少应不低于多少？

3.试述辉光放电质谱中离子产生的主要过程，并指出同轴型辉光放电离子

源中起主导作用的离子化方式是什么？

4.辉光放电质谱法离子源中基体效应较小,主要原因是什么？

5.辉光放电质谱法中如何避免谱峰干扰？分析痕量金属元素39K时，谱峰

是否会被来自38Ar1H+的干扰峰覆盖而无法测定，（39K的质量数为38.96，40K的质量数为39.96，38Ar1H的质量数为38.97，40Ar的质量数为

39.97）？

6.直流辉光放电质谱(dc-GD-MS)分析非导体材料有哪些方法？(可多选)

A. 混合放电或表面吸附法；

B. 第二阴极法；

C. 射频辉光放电质谱法；

D. 外层包裹金属膜法；

E. 金属钽槽法

7.下图中黑色原点代表检测数据，请问那幅图反映测量结果既精确又准确？

A B C D

8.下图是脉冲－射频－辉光放电质谱(pulsed-rf-GDMS)对对晶硅中28Si14N 和

28Si16O进行深度分析的结果，试述曲线变化能够反映的问题。