CMOS工作原理及应用ppt课件

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cmos图像器件.ppt

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模块组成
第五章CMOS图象器件
• 其中时钟控制单元负责控制行选通译码器 和列选通译码器,并为像素阵列提供复位 信号以及整个芯片的时钟信号
第五章CMOS图象器件
• 该单元一般采用数字锁相环进行稳频。 • 模拟信号处理单元的主要功能是对信号进
行放大处理,并清除噪声等 • 行选通译码器与列选通译码器配合使用可
• 因此,它可以实现真正意义上的即时信号 读取
第五章CMOS图象器件
• 对数响应型CMOS APS的一个致命缺陷就 是对器件参数相当敏感,特别是阈值电压。
• 因此,它的固定模式噪声相当严重,致使 信噪比(SNR)相对线性CMOS APS较低
• 线性CMOS APS与对数响应型APS的光子 转换特性如图9所示
第五章CMOS图象器件
• 图中SNRlin,max和SNRlog,max分别为线 性CMOS APS的最大信噪比;DRlin和 DRlog分别为线性和对数响应型APS动态 范围
第五章CMOS图象器件
• 因此,提高对数响应型APS性能的关键问 题是抑制固定模式噪声,提高信噪比。
• 5.5 数字像素传感器(DPS) • CMOS DPS是1994年才出现的新型CMOS
• 源跟随器还可加快总线电容的充放电,因 而允许总线长度的增加和像素规模的增大
• 下图是APS的剖面图 • 通常APS比PPS 有更多的优点,包括低读
出噪声和高读出速率等
微透镜
源跟随器 列选 硅衬底
彩色 滤镜 复位晶体管
行选
势阱
第五章CMOS图象器件
• 但是由于结构复杂,导致填充率降低,一 般只有20%到30%。
第五章CMOS图象器件
• 由于每个像元产生的电荷非常少,所以信 号极易受到噪声的影响。

CMOS门电路PPT课件

CMOS门电路PPT课件
一、MOS管的开关特性
1. MOS管的结构和工作原理
-
S
vGS
vDS +
G
+ iD
D
N+
N+
G
P型衬底(B)
第三节 CMOS门电路
D B
S
当vDS> 0,但 vGS= 0 时,D-S间2不021/3导/9 通, iD= 0 。 当vDS> 0, 且vGS> vGS(th) (MOS管的开启电压)
时,栅极下面的衬底表面形成一个N型反型层。 这个反型层构成了D-S间的导电沟道,有 iD流通。
2. 电压传输特性
AB段:
vO
VDD A B
T1的开 启电压
T1导通, T2截止, VO = VOH ≈ VDD。
CD段:
1
2 V D D VGH(th)N
VGH(th)P
T2导通, T1截止, VO = VOL ≈ 0。
CD
T2的开 O 启电压
1 2 V DD
VDD
vI
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CMOS反相器的电压传输特性 BC段:
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放映结束 感谢各位的批评指导!
谢 谢!
让我们共同进步
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C
C
V DD
T2
vI / vO T 1
v O / v I v I / v O TG
C
C
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C1,C0 时,传输门导通。
C0,C1 时,传输门截止。
vO / vI
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第三节 CMOS门电路
利用 CMOS传输门和CMOS反相器可以组合成各种 复杂的逻辑电路, 如异或门、数据选择器、寄存器、计数器等。

CMOS漏极开路门和三态门电路PPT课件

CMOS漏极开路门和三态门电路PPT课件

0A 0B
0C 0D
0E 0F
VDD
&
I0Z
&
I0Z
&
RP 1
IIH
& 3IIH I0Z
IOZ(total) —全部驱动门输出高电平时的漏电流总和;
IIH(total) —全部负载门输入端为高电平时的输入电流
总和; 实际上,若要求速度快,RP的值就取近RP(min)的标
准值,若要求功耗小,RP的值就取近RP(max)的标准值。•5
VDD
A
&
RP
1.5KΩ
1
B
&
&
VDD
RP 1.5KΩ
RP
VO
100pF
RNon
100Ω
CL >1RMNΩoff
VDD
1.5KΩ
VO
100pF
CL
OD门输出高电平→低电平:放电时间常数10ns
OD门输出由低电平→高电平:充电时间常数为 150ns,上升时间很长,工作速度快时,应避免用以 驱动大电容负载。
CMOS漏极开路门和三态门电路 1、CMOS漏极开路门电路
(1)漏极开路门电路的结构和符号 ①线与:将两个门的输出端并联以实现与逻辑的 功能。观察如下的实现电路:
导通
vI1L
截止
VDD
vO1H
vO2L
截止
vI2H
导通
由图可见:电流很大,器件会损坏;且无法确 定输出是高还是低电平。解决此问题可采用漏极 开路(OD)门代之。
•3
(3)上拉电阻计算
①RP(min)的确定: 只有一个OD门导通情况
RP≥ RP(min)=

集成电路原理课件-cmos

集成电路原理课件-cmos
集成电路原理与设计
1
微电子学
• 微电子技术是电子计算机和通信的核心技术 • 微电子技术的核心是集成电路(Integrated Circuit, IC) 技术 • 微电子学是电子学的一门分支,主要研究电子或离 子在固体材料中的运动规律及其应用 • 微电子学是以实现电路和系统的集成为目的,研究 如何利用半导体的微观特性以及一些特殊工艺,在 一块半导体芯片上制作大量的器件,从而在一个微 小面积中制造出复杂的电子系统。
I
D
dx
V 0
WC
ox
n [VGS V ( x) VTH ]dV
I/V特性的推导(3)
W 1 2 I D = nCox [(VGS - VTH )VDS - VDS ] (2.8) L 2 W VGS - VTH 称为过驱动电压; 称为宽长比 L 三极管区(线性区)
每条曲线在VDS=VGS-VTH时取最 大值,且大小为:
CGD CGS
WLCOX WCOv 2
CGB可以忽略不计
CSB = CDB =
WE源极Cj (1 VSB /B ) WE漏极Cj (1 VDB /B )
mj mj

源极周长 C jsw (1 VSB /B )
m jsw
漏极周长 C jsw (1 VDB/B )
MOS器件电容
栅源、栅漏、栅衬电容与VGS关系
1) VGS < VTH截止区
CGD CGS WCOv
CGB W 2 L2 COX q si N sub / 4 F WLCOX Cd = 其中Cd=WL q si N sub / 4 F WLCOX Cd WLCOX WL q si N sub / 4 F

CMOS摄像器件和红外焦平面器件课件

CMOS摄像器件和红外焦平面器件课件

有源像素结构APS(Active Pixel Structure )
光电二极管型有源像素(PP-APS)1994,哥伦比亚大学
在像元内引入缓冲器或放大器, 可改善像元性能,称为有源像素传 感器。功耗小,量子效率高。每个 像元有3个晶体管。大多数中低性 能的应用 。
光栅型有源像素结构(GP-APS)
辐射对比度——背景温度变化1K所引起光子通量变 化与整个光子通量的比值,它随波长增长而减小。
IRFPA工作条件:高背景、低对比度
2 、IRFPA的分类
按照结构可分为单片式和混合式 按照光学系统扫描方式可分为扫描型和凝视型 按照读出电路可分为CCD、MOSFET和CID等类型 按照制冷方式可分为制冷型和非制冷型 按照响应波段与材料可分为
1. 1~3μm波段 代表材料HgCdTe—碲镉汞 2. 3~5μm波段 代表材料HgCdTe、InSb—锑化铟、
PtSi—硅化铂
3. 8~12μm 波段 代表材料HgCdTe
表:一些典型的各波段探测器。
波段(波长) 近红外(0.7~1.1μm)
工作在该波段的典型红外光 子探测器
硅光电二极管 (Si)
主要有三种类型
非本征硅(P型)单片式IRFPA, 缺点:需制冷、响应度均匀性差。
本征单片式IRFPA , 缺点:转移效率低、响应均匀性差,存储容量 较小。
肖特基势垒单片式IRFPA, 响应均匀性好,但量子效率较低。
混合式IRFPA
探测器阵列采用窄禁带本征半导体材料制成, 电荷转移部分用硅材料。如何建立联系?
1、CMOS像素结构
无源像素型(PPS)和有源像素型(APS)
无源像素结构,1967,Weckler
由一反向偏置光 敏二极管和一个开关 管构成,开关管开启, 二极管与垂直列线连 通,信号电荷 读出。

《图像传感器》PPT课件_OK

《图像传感器》PPT课件_OK
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CCD的优点
• 5. 大面积感光 (Large Field of View):利用半导体技术已可制造大面积的CCD晶片,目前与传
统底片尺寸相当的35mm的CCD已经开始应用在数码相机中,成为取代专业有 利光学相机的关键元件; 光谱响应广(Broad Spectral Response):能检测很宽波长范围的光,增加系统使 用弹性,扩大系统应用领域;
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CCD的优点
• 3. 动态范围广 (High Dynamic Range):同时侦测及分办强光和弱
光,提高系统环境的使用范围,不因亮度差异大 而造成信号反差现象。
• 4. 良好的线性特性曲线 (Linearity):入射光源强度和输出讯号大小成良好
的正比关系,物体资讯不致损失,降低信号补偿 处理成本; 高光子转换效率(High Quantum Efficiency ):很微弱的入射光照射都能被记录下 来,若配合影像增强管及投光器,即使在暗夜远 处的景物仍然还可以侦测得到;
• 与CCD产品相比,CMOS是标准工艺制程,可利用现有的半导体设备, 不需额外的投资设备,且品质可随著半导体技术的提升而进步。同时, 全球晶圆厂的CMOS生产线较多,日后量产时也有利于成本的降低。 另外,CMOS传感器的最大优势,是它具有高度系统整合的条件。理 论上,所有图像传感器所需的功能,例如垂直位移、水平位移暂存器、 时序控制、CDS、ADC…等,都可放在集成在一颗晶片上,甚至于所有 的晶片包括后端晶片(Back-end Chip)、快闪记忆体(Flash RAM)等 也可整合成单晶片(SYSTEM-ON-CHIP),以达到降低整机生产成本 的目的。
1
CCD
• CCD是应用在摄影摄像方面的高端技术元件, CMOS则应用于较低影像品质的产品中。

CMOS图像传感器原理及应用

CMOS图像传感器原理及应用
放大器:放大光电二极管输出的电信号
模数转换器:将放大后的电信号转换为数字信号
像素阵列:由许多像素组成,每个像素包含光电二极管和放大器
光电二极管:将光信号转换为电信号
光子进入CMOS图像传感器,被光电二极管吸收
光电二极管将光子转换为电子,形成电荷
电荷被存储在像素内的电容器中
电荷通过读取电路读取,转换为数字信号
材料替代:采用新型材料替代传统材料,降低生产成本
工艺优化:不断优化生产工艺,降低生产成本
技术进步:CMOS图像传感器技术不断进步,成本逐渐降低
规模效应:随着市场需求的扩大,生产规模逐渐扩大,成本降低
竞争加剧:市场竞争加剧,厂商为了抢占市场份额,降低成本
汇报人:XX
感谢您的观看
CMOS图像传感器在数码相机中的应用,使得相机能够捕捉到高质量的图像
CMOS图像传感器在数码相机中的应用,使得相机能够实现自动对焦、自动曝光等功能
CMOS图像传感器在数码相机中的应用,使得相机能够实现高速连拍、高感光度等功能
添加标题
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添加标题
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特点:具有高灵敏度、高动态范围、低功耗等优点
应用领域:广泛应用于安防监控、交通监控、工业监控等领域
工作原理:通过CMOS图像传感器捕捉图像信号,经过处理后输出视频信号
发展趋势:随着技术的发展,CMOS图像传感器在监控摄像头中的应用将更加广泛和深入。
应用领域:医疗影像设备是CMOS图像传感器的重要应用领域之一
应用设备:包括X射线机、CT扫描仪、MRI扫描仪等
CMOS图像传感器在像素读取过程中,每个像素单独进行光电转换,不需要扫描整个阵列,从而降低功耗。
CMOS图像传感器内部逻辑电路采用亚阈值电平工作,功耗较低。

第五章(4) 静态CMOS逻辑电路.ppt

第五章(4) 静态CMOS逻辑电路.ppt

CMOS传输门导通电流的变化
传输高电平和传输低电平过程中,NMOS传输管、PMOS传输管以及 CMOS传输门导通电流的变化。
NMOS管和PMOS管的电流都是非线性变化,而CMOS传输门的总电流近 似线性变化。
CMOS传输门直流电压传输特性
CMOS传输门导通电阻的变化
传输门总结
★ NMOS传输管传输低电平性能好,传输高电平有阈值 损失; ★ PMOS传输管传输高电平性能好,传输低电平有阈值 损失; ★ CMOS传输门利用NMOS和PMOS管的互补性能获得 了比单个传输管更优越的性能,性能更接近理想开关。
)
,
Kr
KN KP
8
结论
输出低电平的值不为0,取决于比例因子 Kr;
增大 Kr可使VOL 尽可能小,且电路功耗也会减小;
但K
太小将使电路的上升时间增加;
P
比例因子Kr过大会导致上升时间的增加;
输出低电平时存在静态功耗;
PDC KP (VDD VTP )2 VDD
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类NMOS电路优缺点
五、MOS传输门逻辑电路
四、类NMOS电路
静态CMOS逻辑门利用NMOS管和PMOS管的 互补特性,使上拉通路和下拉通路轮流导通,从而 获得很好的电路性能。
缺点:每个输入都包含NMOS和PMOS管,不 利于减小芯片面积和提高集成度。
因此,对某些性能要求不太高,但希望面积尽可 能小的电路,可以采用类NMOS电路形式。
有比逻辑 (Ratioed Logic)
Vout VTP : PMOS管工作在线性区;
IDD KP[(VG VS VTP )2 (VG VD VTP )2 ] = KP[(VDD VTP )2 (Vout VTP )2 ] 0

CMOS工作原理及应用PPT课件

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首先进入“复位状态”,M1打开,对
光敏二极管复位然后进入“取样状
态”,M1关闭,光照射到光敏二极管 M2上产生光生载流子,并通过源踉 随器放大输出,纂启进入。读击状 态”,这时行选通管M3打开,信号通 过列总线输出。
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2021/3/9
CMOS图像传感器的基本 工作流程
1.发生光电效应。 2.行选择逻辑单元选通相应的行 像素单元。 3.信号通过各自所在列的信号总 线传输到对应的模拟信号处理单 元以及A/D转换器。
感光组件的区别: 放大器位置和数量:比较CCD图
像传感器和CMOS图像传感器的 结构,放大器的位置和数量是最 大的不同之处 。
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性能差异: 由于构造上的基本差异,我们可以表列出两者在性能上的表现的不同点。 CCD图像传感器的特色在于充分保持信号在传输时不失真(专属通道设计),透
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CMOS图像传感器的组成
组成: CMOS图像传感器的原理
如图所示,通常由像敏单 元阵列、行驱动器、列时 序控制逻辑、A/D转换器、 数据总线输出接口、控制 接口等几部分组成,这几 部分通常都被集成在同一 块硅片上。
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CMOS图像传感器的像素阵列
CMOS图像传感器的像素阵 列由大量相同的像素单元组 成,这些相同的像素单元是 传感器的关键部分。
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CMOS图像传感器件的应用
数码相机:
CMOS在数码相机中的应用: 彩色 CMOS 摄像头在电子快门 的控制下 ,摄取一幅照片存在 DRAM 中 , 然后再转至快ROM 中存放起来。
CMOS 还可以完成其他许多功 能 , 如模数转换、负载信号处 理、处理白平衡及进行相机控 制等。目前几乎所有的初级数 码相机都是基于 CMOS 图 像传感器的。

图像传感器ppt课件

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3、读出。在曝光完成后,RS会被 激活,PN结中的信号经过运放SF 放大后,读出到column bus。 4、循环。读出信号后,重新复位, 曝光,读出不断的输出图像信号。
图2.6 PN结像素结构
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为深入学习习近平新时代中国特色社 会主义 思想和 党的十 九大精 神,贯彻 全国教 育大会 精神,充 分发挥 中小学 图书室 育人功 能
6.cmos传感器的动态范围
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2.2 CMOS传感器的像素结构
❖ 由于PPD像素结构在暗电流和噪声方面的优异表现,近 年来市面上的CMOS传感器都是以PPD结构为主。但是 ,PPD结构有4个晶体管,有的设计甚至有5个,这大大 降低了像素的填充因子(即感光区占整个像素面积的比 值),这会影响传感器的光电转换效率,进而影响传感 器的噪声表现。
图2.7 PPD像素结构
对于PPD,右边部分电路只是信号读出电路。读出电路与光电转换结 构通过TX完全隔开,这样可以将光感区的设计和读出电路完全隔离开 ,有利于各种信号处理电路的引入(如CDS,DDS等)。另外,PPD 感光区的设计采用的是p-n-p结构,减小了暗电流
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2.2 CMOS传感器的像素结构
passivel Pixel噪声较大有2 个主要原因:
1、相对读出电路上的寄生电 容,PN结的电容相对较小。 代表其信号的电压差相对较小, 这导致其对电路噪声很敏感。 2、如图2.5(b),PN结的信号, 先经过读出电路,才进行放大。 这种情况,注入到读出信号的 噪声会随着信号一起放大。

CMOS成像器件PPT课件

CMOS成像器件PPT课件

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精选
背照式CMOS原理图
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精选
部分数码相机产品信息
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精选
主要性能指标
1、光谱响应特性、量子效率 2、填充率(光敏面积/像敏面积) 3、输出特性和动态范围 4、噪声
(1)光敏元噪声: 热噪声、散粒噪声、g-r噪声、电流噪声
(2)MOS噪声 (3)工作噪声:复位噪声、空间噪声
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精选
CMOS与CCD图像传感器性能比较
主要区别:读出方式不同,每个像元可以被单独选择读出;
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CMOS光敏元阵列
CMOS图像传感器系统架构图
精选
CMOS图像传感器的像素单元结构
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精选
无源像素(PPS)结构
由一个光电二极管 和一个MOS管构成。开 关选通时,光生电荷传 送到列线下端的积分放 大器,将信号转化为电 压输出。
光电二极管中产生的电荷与光信号成正比
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精选
无源像素(PPS)结构
结构简单,像素填充率高,量子效率高 读出噪声大,不利于向大型阵列发展,不利于提
佳能EOS系列(1DX)
有效像素约为1810万像素。 感应器有效面积为约36×24 毫米。
CMOS图像感应器的半导体 制造,像素尺寸达到了 6.95×6.95微米。
通过配置对应不同光线射入角度的无间隙微透镜片,使
各个像素都能更有效地进行聚光。
新型CMOS图像感应器采用了16通道数据读取,高速读
15 像元结构不同:每个CMOS像元都有自己的缓冲精放选 大器。
CMOS与CCD图像传感器性能比较
与CCD相比较,CMOS图像传感器技术的优势主要
表现在:
高度集成化
实现对像素数据的高速随机访问,X-Y寻址方式

《CMOS反相器》课件

《CMOS反相器》课件
《CMOS反相器》PPT课件
本课件将介绍CMOS反相器的原理、电路结构、工作特性、应用领域以及其 优缺点,帮助大家更好地了解这一重要电路。
什么是CMOS反相器
CMOS反相器是一种基本的数字电路组件,具有重要的信号处理功能。它可以将输入信号的逻辑值取反,并输 出给后续电路。
CMOS反相器的原理
CMOS反相器的原理基于场效应管的工作原理。输入信号通过MOS管的开关 作用,控制输出信号的逻辑值。
CMOS反相器的优缺点
CMOS反相器的优点包括低功耗、高集成度和可靠性强。缺点包括器件尺寸较大、噪声容易干扰和电压摆幅受 限。
总结和展望
CMOS反相器作为数字电路的重要组成部分,发挥着重要作用。未来,随着技术的发展,CMOS反相器将进一 步优化和演进,满足更高的性能需求。
CMOS反相器的电路结构
CMOS反相器由一对互补型场效应管组成,其中一个用逻辑跟随功能,另 一个用于驱动输出信号。
CMOS反相器的工作特性
CMOS反相器具有高的输入阻抗、低的功耗和快速的响应速度。它可以适应不同逻辑电平的输入信号,并输出 相应的反相信号。
CMOS反相器的应用领域
CMOS反相器广泛应用于数字电路设计、数据处理、通信系统和微处理器中。 它在逻辑门电路和时序电路中扮演着重要角色。

《CMOS晶体管基础》课件

《CMOS晶体管基础》课件
可靠性测试与评估
需要建立更完善的可靠性测试与评估方法,以确 保CMOS晶体管的可靠性和稳定性。
新材料与新器件结构的探索
新材料的应用
为了克服现有材料的限制,需要探索新的材 料应用于CMOS晶体管中,如高迁移率材料 、二维材料等。
新器件结构的探索
为了提高CMOS晶体管的性能和功能,需要探索新 的器件结构,如新型的逻辑门电路、三维集成等。
CMOS晶体管的发展历程
总结词
CMOS晶体管的发展经历了从20世纪60年代的初期研究到现在的广泛应用的过程。
详细描述
20世纪60年代初期,人们开始研究CMOS晶体管,并逐渐认识到其低功耗和高可靠性的优点。随着半导体工艺 技术的不断进步,CMOS晶体管的性能得到了显著提升,应用领域也不断扩大。现在,CMOS晶体管已经成为集 成电路中的基本元件,广泛应用于各种电子设备中。
等。
03
CMOS晶体管的制造工 艺
衬底材料的选择
01
02
03
衬底材料
硅是最常用的衬底材料, 因为它具有高导热性、高 耐久性和低成本。
晶向选择
根据晶体管的设计要求, 选择适当的晶向以获得最 佳性能。
衬底质量
衬底应无缺陷、杂质和裂 缝,以确保晶体管的可靠 性和稳定性。
掺杂工艺
元素选择
选择适当的元素进行掺杂,以改变材料的导电性 能。
《cmos晶体管基础》ppt课件
目录
• CMOS晶体管简介 • CMOS晶体管的工作原理 • CMOS晶体管的制造工艺 • CMOS晶体管的性能优化 • CMOS晶体管的挑战与展望
01
CMOS晶体管简介
定义与特性
总结词
CMOS晶体管是一种集成电路的基本元件,具有低功耗、高噪声容限、高可靠性等特性 。

图像传感技术PPT课件

图像传感技术PPT课件
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CCD图像传感器基本特征参数
1. 光电转换特性
CCD的光电转换特性具有良好的线性。特性曲线的
拐点G所对应的曝光量叫饱和曝光量SE,当曝光量
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CCD的MOS结构及存储电荷原理
1.电荷的传输
为了保证信号电荷按确定路线转移,通常MOS电容阵 列栅极上所加脉冲电压为严格满足相位要求的二相、 三相或四相系统的时钟脉冲电压。
(a) 三相CCD的结构及工作原理 (b) 二相CCD的结构及工作原理
11
三相CCD的结构及工作原理
(1) 每一个像元,有两个相邻电极,每隔两个电极 的所有电极都接在一起,由3个相位相差120°的时 钟脉冲驱动,故称三相CCD。 (2) 电荷定向转移靠势阱的非对称性实现。靠时钟 脉冲电压的时序控制,来形成非对称势阱。
优点,能实现信息的获取、转换和视觉功能的扩展,能给 出直观、真实、多层次、内容丰富的可视图像信息 ▪ 广泛应用于军事、天文、医疗、广播、电视、传真通信以 及工业检测和自动控制系统。 ▪ CCD是目前最为成熟,应用最为广泛的图像传感器,它的 典型产品有数码相机、摄像机等。
3
CCD图像传感器
❖CCD有两种基本类型:
不能复出,故又称为电子势阱。
8
CCD的MOS结构及存储电荷原理
当器件受到光照时,光子的能量被半导体吸收,产 生电子-空穴对,光生电子被吸引存储在势阱中,实 现了光和电的转换,光越强,势阱中收集的电子越 多,势阱中存储的电子不会因光照停止而消失,实 现了电荷的存储。
9
CCD的MOS结构及存储电荷原理
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二相CCD的结构及工作原理
采用不对称的电极结构也可以引进不对称势阱,从而变成 二相驱动的CCD。目前实用CCD中多采用二相结构。实现 二相驱动的方法有:
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1.发生光电效应。 2.行选择逻辑单元选通相应的行 像素单元。 3.信号通过各自所在列的信号总 线传输到对应的模拟信号处理单 元以及A/D转换器。
CMOS图像传感器的关键 参数
衡量CMOS图像传感器性能的参数有很多,下面 对这些参数做简单的介绍: 感光度 分辨率 暗电流 噪声特性 动态范围 快门方式
差异总结及前景展望:
由于构造上的基本差异,我们可以表列出两者在性能上的表现之不同。
CCD图像传感器的特色在于充分保持信号在传输时不失真(专属通道 设计),透过每一个像素集合至单一放大器上再做统一处理,可以保 持数据的完整性;CMOS图像传感器的制程比较简单,没有专属通道 的设计,因此必须先行放大再整合各个画素的数据。新一代的CCD朝 向耗电量减少作为改进目标,以期进入手机摄像头的移动通讯市场; CMOS系列,则开始朝向大尺寸面积与高速图像处理芯片整合,借由 后续的图像处理修正噪声以及画质表现,CMOS未来跨足高阶的影像 市场产品,前景可期。
ISO感光度
ISO值是用来表示传统相机所 使用底片的感光度。当ISO数值 愈大时,感光度就愈大。
先来说一下像素: 像素,即是影像最基本的单位。也就是说将 影像放大到不能再将它分割的影像单位。 而分辨率,是在一个 特定的区域内共有多少个像素单位,该词最早是用来说明工程 中单位长度所撷取到『点』的数目,对应在单位上就成了dpi (dot per inch)。常见单位有:
EPI:每一平方英寸共有多少单位数(element per inch)。 DPI:每一平方英寸共有多少点数(dot per inch)。 PPI:每一平方英寸共有多少像素数(pixel per inch)。 LPI:每一平方英寸共有多少条线(line per inch)。
胶片式照相机一般使用35毫米的胶卷。解像度在数百万到一千 万点。但是,胶片经镜头所拍下的成像。有时还比不上100万像 素档次的数码相机。100万像素档次的数码相机,拍摄1024x768 点阵的画像,经高解像度的打印机打印,解像度为每毫米3到4 点(解像度可用点数来表示)。另一方面,胶片经镜头所拍下 的成像每毫米3-14点。受我们用肉眼所能鉴别的限制,这种程 度的解像度没有太大的区别。
Surrey大学的SNAP-1 纳型卫星 与“清华 1号”微小卫星同时发 射。SNAP-1纳型卫星上装有 3 个广角( 90度视角)的相机,
以及一个小视角相机。图是这些
相机在星箭分离时拍摄的照片。
太阳敏感器:
卫星的微小化要求其组成模块的 微型化,要求对现有卫星组成模 块进行重新设计,大幅度减小其 重量、体积和功耗,使其满足新 的要求。
它由光敏二极管、M1复位管、源跟随器M2和 行选通管M3组成。
首先进入“复位状态”,M1打开,对
光敏二极管复位然后进入“取样状
态”,M1关闭,光照射到光敏二极管 M2上产生光生载流子,并通过源踉 随器放大输出,纂启进入。读击状 态”,这时行选通管M3打开,信号通 过列总线输出。
CMOS图像传感器的基本 工作流程
CMOS图像传感器的组成
组成:
CMOS图像传感器的原理 如图所示,通常由像敏单 元阵列、行驱动器、列时 序控制逻辑、A/D转换器、 数据总线输出接口、控制 接口等几部分组成,这几 部分通常都被集成在同一 块硅片上。
CMOS图像传感器的像素阵列
CMOS图像传感器的像素阵 列由大量相同的像素单元组 成,这些相同的像素单元是 传感器的关键部分。
暗电流
所谓暗电流,就是在没有入射光时光电二极管所释放的电流量, 一个被隔离的反向偏置的光电二极管即使在没有任何光照的条件 下,也会产生放电现象。
快门模式
快门对于CMOS图像传感器而言
是很重要的,通过电子快门的方
式可以控制CMOS图像传感器的 积分时间。对于CMOS图像传感
器而言,通常有两种快门的机制:
扫描读取
随机读取
动态范围
图像传感器的动态范围通常可定 义为:传感器最大的非饱和信号 与暗条件下噪声均方差之比。
一般来说,具有较宽动态范围的 传感器可以探测更宽的场景照度 范围,从而可以得到具有更多细 节的图像。
CMOS图像传感器与CCD图 像传感器的比较
感光组件的区别: 放大器位置和数量:比较CCD图
随着CMOS图像传感器的发 展,可以细分为很多类,这 里我们依照像素不同类型来 分,就可分为两大类:一类 是无源像素传感器 (CMOS-PPS),另一类是 有源像素传感器(CMOSAPS)。
无源率高,
在无源像素传感器的像素单元中包括一个光二 极管(PhotoDiode)和一个MOS管,MOS管作为 行选(RowSeleet)开关。 当选通时,光敏二极管中由于光照产生的相应电
由于数字编码式太阳敏感器的几 何分辨率主要由传感器像素尺寸 决定,而CMOS的像素尺寸可以 做到远小于 CCD,使得基于的 太阳敏感器分辨率能得到提高。
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对地观察卫星的主要遥感成像技术:
在目前,对于重量小于10kg的纳型卫星来说,光 成像技术(以可见光为主)将是纳型卫星完成对 地观察任务的主要手段。而在可见光统中,其电 子光学系统中广泛使用固体成像器件(如CCD )进行遥感成像。CMOS成像器件由于其本身优 点,在微纳卫星上具有广泛应用前景。 一种典型的模块化遥感微纳卫星如图,其中采 用了大量新技术,如CMOS相机、星传感器,基 于MEMS的微型陀螺、微加速度计,使用了 250MIPS的微处理器与8GB的动态存储器等。
CMOS图像传感器的原理与 应用
CMOS的发展历史
主要内容: CMOS图像传感器的组成
CMOS图像传感器的像素阵列 CMOS图像传感器的基本工作流程 CMOS图像传感器的关键参数 CMOS图像传感器与CCD图像传感器的比较 CMOS图像传感器件的应用
CMOS图像传感器的发展史
固体图像传感器主要分为电荷祸合器件(CCD,Charge Coupled Device型和COMS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)型两大类。早期由于受集成电路设计和工艺 水平的限制,型摄像器件无法克服其灵敏度低和抗干扰能力差 的缺点。到了八十年代末,英国爱丁堡大学成功地试制出世界 上第一块单片图像传感芯片,从而为型图像传感器实用化开通 了道路。图像传感器由于具有高集成、低功耗、低成本等许多 优点,得到了人们越来越多的童视,并逐步成为研究和开发的热 点。
荷就传送到了列线。下端的积分放大器将该信 号转化为电压输出。为减少噪声,列总线下端的 放大器在不读信号时,保持列总线为一常数电平 。
量子效率高。但它
的读出噪声大,一般 为250rms,而商用 的CCD读出噪声可 低于20rms。不利 于向大型阵列发展,
不利于提高读出速
有源像素传感器
这种有源像素传感器的像素单元通常称为3T(3-Trnasistor)结构,在像素单元中,除一个 光二极管外,还包括一个重置(Reset)MOS管 、一个源极跟随器(Source Follower) MOS管和一个行选MOS管。
分辨率
噪声特性
由于数码相机本身采用大量的电 子器材,所拍摄的影像质量很容 易受到电子原件的电磁溢波干扰, CMOS图像传感器上残存的能量 以及运作环境温度升高(机体运 作时间过久)所产生的自然噪声。 这些噪声会被纪录在你所拍摄的 影像画面中,你可以透过单一色 调的拍摄(黑色)做为观察 Noise的指标。
CMOS图像传感器件的应用
数码相机:
CMOS在数码相机中的应用: 彩色 CMOS 摄像头在电子快门 的控制下 ,摄取一幅照片存在 DRAM 中 , 然后再转至快ROM 中存放起来。 CMOS 还可以完成其他许多功 能 , 如模数转换、负载信号处 理、处理白平衡及进行相机控 制等。目前几乎所有的初级数 码相机都是基于 CMOS 图 像传感器的。
CMOS图像传感器的制程比较简单,没有专属通道的设计,因此必须先行放大再整 合各个像素的数据。
整体来说,CCD图像传感器与CMOS图像传感器两种设计的应用,反应在成像效 果上,形成包括ISO感光度、制造成本、分辨率、噪声与耗电量等,不同类型的差 异:
1、ISO感光度差异: 2、成本差异 3、分辨率差异 4、噪声差异 5、耗电量差异 6、随机读取
卷帘式快门(Rolling Shutter) 和全局式快门(Global Shutter)。
卷帘式快门
全局式快门优点在于拍摄运 动物体不会失真。 卷帘式快门的优点在于没有 采样保持单元,结构简单噪 音低。
全局式快门
卷帘式快门
读取方式: 根据快门方式有所不同,CMOS图
像传感器的像素信号读取有两种方 式,即扫描读取方式和随机读取方 式,如图所示。
像传感器和CMOS图像传感器的 结构,放大器的位置和数量是最 大的不同之处 。
性能差异:
由于构造上的基本差异,我们可以表列出两者在性能上的表现的不同点。
CCD图像传感器的特色在于充分保持信号在传输时不失真(专属通道设计),透 过每一个像素集合至单一放大器上再做统一处理,可以保持数据的完整性。
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