DCDC的功率电感选择
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1 功率电感分类 2 功率电感参数解释 3 DCDC电感选择
20
——关耀枢 2014-9-
外形 优点 缺点
无屏蔽电感 带磁屏蔽罩 Coating Resin 一体成型
便宜
屏蔽效果差 线圈匝数多， 阻抗大
屏蔽效果较好
成本稍高，体 积大
成本比带屏蔽
罩的便宜，屏 蔽效果好
同体积下，电 流参数大；温 度曲线好，屏 蔽效果好
（3）根据Lmin选取L （4）通过上面的公式计算△I，Imax
Imax=Iout+1/2 △I （5）确认电感的饱和电流要大于Imax
温升电流要大于Iout
（6）实测 因为电感的交流参数都是在100K正弦波下所测的，
实际应用中会有区别，所以最后需要通过实测来确认电感 是否适合。
例子：SY8120 12V转1.2V 2A输出 开关频率 500K
电感饱和后，电流会急剧增加，使电感温度升高， 同时会影响其它元件的寿命
Ptotal=Pcore
+
1.磁滞损耗
2.涡流损耗
Pcu 1.直流电阻损耗 2.交流损耗（趋肤效应）
（1）确认输出电流
（2）确认电感值 Lmin=(Vin-Vout)*Vout/(△I*f*Vin)
一般来说 △I取20%-30%的Iout
Lmin=(Vin-Vout)*Vout/(△I*f*Vin)
电感在上MOS打开过程中两端电压 △V≈Vin-Vout
=L △I/ △t △t =1/f * Vout/Vin
即 Vin-Vout＝ f*L*△I * Vin /Vout
So!!!
L=(Vin-Vout)*Vout/(△I*f*Vin)
贵
英文标识
中文标识
Inductance 电感值
DCR Isat
直流阻抗 饱和电流
Irms
温升电流
Baidu Nhomakorabea
定义
在100KHZ 频率下所电 感的感值
电感下降 30%时的电 流值
温升增加 40℃时的电 流值
单位 uH
mΩ A
A
电感过小——输出纹波大 电感过大——动态响应不好， 电感太大，太小可能会改变DCDC的工作模式
Lmin＝（12-1.2）*1.2/（2*0.3*500K*12）＝3.6uH 综合考虑后，选取4.7uH △I=0.45A（23%） Imax=2+0.45/2＝2.225A
15003563 SWPA6045S 4R7MT/3.3A/顺络 饱和电流 4.97A 温升电流 3.3A
所以可选取15003563使用
20
——关耀枢 2014-9-
外形 优点 缺点
无屏蔽电感 带磁屏蔽罩 Coating Resin 一体成型
便宜
屏蔽效果差 线圈匝数多， 阻抗大
屏蔽效果较好
成本稍高，体 积大
成本比带屏蔽
罩的便宜，屏 蔽效果好
同体积下，电 流参数大；温 度曲线好，屏 蔽效果好
（3）根据Lmin选取L （4）通过上面的公式计算△I，Imax
Imax=Iout+1/2 △I （5）确认电感的饱和电流要大于Imax
温升电流要大于Iout
（6）实测 因为电感的交流参数都是在100K正弦波下所测的，
实际应用中会有区别，所以最后需要通过实测来确认电感 是否适合。
例子：SY8120 12V转1.2V 2A输出 开关频率 500K
电感饱和后，电流会急剧增加，使电感温度升高， 同时会影响其它元件的寿命
Ptotal=Pcore
+
1.磁滞损耗
2.涡流损耗
Pcu 1.直流电阻损耗 2.交流损耗（趋肤效应）
（1）确认输出电流
（2）确认电感值 Lmin=(Vin-Vout)*Vout/(△I*f*Vin)
一般来说 △I取20%-30%的Iout
Lmin=(Vin-Vout)*Vout/(△I*f*Vin)
电感在上MOS打开过程中两端电压 △V≈Vin-Vout
=L △I/ △t △t =1/f * Vout/Vin
即 Vin-Vout＝ f*L*△I * Vin /Vout
So!!!
L=(Vin-Vout)*Vout/(△I*f*Vin)
贵
英文标识
中文标识
Inductance 电感值
DCR Isat
直流阻抗 饱和电流
Irms
温升电流
Baidu Nhomakorabea
定义
在100KHZ 频率下所电 感的感值
电感下降 30%时的电 流值
温升增加 40℃时的电 流值
单位 uH
mΩ A
A
电感过小——输出纹波大 电感过大——动态响应不好， 电感太大，太小可能会改变DCDC的工作模式
Lmin＝（12-1.2）*1.2/（2*0.3*500K*12）＝3.6uH 综合考虑后，选取4.7uH △I=0.45A（23%） Imax=2+0.45/2＝2.225A
15003563 SWPA6045S 4R7MT/3.3A/顺络 饱和电流 4.97A 温升电流 3.3A
所以可选取15003563使用