团体标准-《有色金属材料分析方法 激光诱导击穿光谱应用通则》(编制说明)-预审稿

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激光诱导击穿光谱定量分析玉石中的Mg,Fe和Ca

激光诱导击穿光谱定量分析玉石中的Mg,Fe和Ca

激光诱导击穿光谱定量分析玉石中的Mg,Fe和Ca马芳丽;董前民;梁培;吴燕雄【摘要】基于对样品进行的激光诱导击穿光谱和 X射线荧光光谱分析测试建立了天然玉石中主要元素 Mg , Ca和微量元素 Fe的定标曲线。

实验采用纳秒级的Nd∶YAG激光器(波长:1064 nm)为光源,在延迟时间为3μs,激光脉冲累积数量为110,单个脉冲能量为100 mJ,脉冲重复频率为10 Hz的实验条件下,采用激光诱导击穿光谱技术装置对天然南阳独山玉石样品中的元素进行等离子体激发测试,得到波长在300~1000 nm的等离子光谱图。

通过将得到的光谱图中特征峰与美国国家标准与技术研究院数据库进行对比,发现测试样品中含有 Mg,Fe和Ca等元素,以X射线荧光光谱分析技术对四种南阳独山玉标准样品中测量出的Mg,Fe和Ca元素氧化物含量作为标准数据,选取含量比较高的Al元素作为内标元素,采用内标法对玉石光谱图中 Mg,Fe和Ca元素特征峰值进行线性拟合,从而得出 Mg,Fe和Ca三种元素的定标曲线,求出待测样品中这3种元素氧化物的含量,结果表明这三种元素氧化物的含量与中国珠宝宝石收藏鉴赏全集资料中所给出的元素氧化物含量的百分比范围 MgO (0.28%~1.73%),Fe2 O3(0~0.8%),CaO (18%~20%)相符合,相比于常用的方法,激光诱导击穿光谱技术可以快速地对待测样品进行检测,样品预处理简单且对样品损害较小。

进一步验证了激光诱导击穿光谱技术对于玉石应用的可行性。

%Based on laser induced breakdown spectroscopy and X-ray fluorescence spectroscopy,The calibration curve of the main elements Mg,Cr and trace element Fe in the Jade samples is obtained based on experimental results.In the experiment, LIBS experiment conditions were 3μs delay,110 accumulated laser pulse,100 mJ·pulse-1 ,10 Hz pulse repetition frequency, plasma in Nanyang jade was induced using nono-second Nd∶YAG (wavelength:1 064 nm)laser as the excitation source in the atmosphere envtronment of the laboratory.The spectral lines in the 300~1 000 nm wavelength range have been identified with the laser-induced breakdown spectroscopy.Through comparing the characteristic spectrum with the National Institute of stand-ards and Technology Research Institute (NIST)database,the element of Mg,Ca and Fe are found in the Jade ing the X-ray fluorescence spectra analyzed the metal elements Mg,Cr and Fe in Nanyang standard jade and obtained the content of elemental oxides,taking the content as standard data and selecting the high content element Al as internal standard element. According to LIBS calibration curve,we can calculate the content of 3 elements in the measured sample.The result shows that the concentration of elements locate in their corresponding standards range,for example,go(0.28%~1.73%),and Fe2 O3 (0~0.8%),CaO (18%~20%).Because of its unique features,like the absence of sample preparation,the ability to perform real-time,and in situ analysis as well as the quasi non-destruction and micro-analysis character of the measurements,so as to verify the feasibility of LIBS application in j ade.【期刊名称】《光谱学与光谱分析》【年(卷),期】2016(036)010【总页数】4页(P3337-3340)【关键词】激光诱导击穿光谱;X射线荧光光谱;玉石;内标法【作者】马芳丽;董前民;梁培;吴燕雄【作者单位】中国计量学院光学与电子科技学院,浙江杭州 310018;中国计量学院光学与电子科技学院,浙江杭州 310018;中国计量学院光学与电子科技学院,浙江杭州 310018;中国计量学院光学与电子科技学院,浙江杭州 310018【正文语种】中文【中图分类】O657.3玉石作为一种天然品, 不仅可以作为首饰、摆饰及装饰, 而且还可以用于养生健体。

激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法测定高纯金中杂质元素

激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法测定高纯金中杂质元素

激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法测定高纯金中杂质元素摘要:本文探究了激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法(LA-ICP-MS)测定高纯金中的杂质元素。

起首,通过样品前处理、ICP-OES 和XRF等技术,确定了高纯金样品中的杂质元素含量。

然后,使用LA-ICP-MS法对样品进行测量,并使用外标校正法进行结果修正。

结果表明,该方法具有高准确性、高灵敏度和较低的检出限,可用于高纯金中微量元素的精确测定。

关键词:激光剥蚀;电感耦合等离子体质谱法;高纯金;杂质元素;外标校正法引言:高纯金是一种重要的材料,广泛应用于电子、半导体和高温超导等领域。

由于其高纯度,通常状况下仅允许少许杂质元素存在。

因此,准确测定高纯金中杂质元素的含量是分外重要的。

传统的测量方法通常使用ICP-OES、ICP-MS和XRF等技术,但这些方法通常需要破坏样品结构或需要复杂的前处理过程。

近年来,激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法(LA-ICP-MS)已经成为测定高纯金中杂质元素含量的一种新方法。

与传统方法相比,LA-ICP-MS具有分外好的灵敏度和准确性,而且不需要破坏样品结构。

本文旨在探究LA-ICP-MS测定高纯金中杂质元素的适用性和精度。

试验与方法:试验接受电感耦合等离子体质谱仪(Agilent 8800),激光系统为NewWave Research UP193FX,激光参数如下:重复频率1 Hz,能量密度100 mJ/cm2,脉冲宽度20 ns。

为了减小激光剥蚀造成的影响,使用了2 mm的方形钨丝放置在样品底部,使样品与钨丝成短距离的垂直距离。

样品前处理接受洛氏硫酸提取法和预处理程序(Agilent Technologies)。

ICP-OES和XRF测量接受扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析仪(EDS)协作实现。

结果与谈论:通过样品前处理、ICP-OES和XRF等技术,确定了高纯金样品中的杂质元素含量。

结果表明,高纯金样品中主要杂质元素为铁、镍、银、钴和铬等,其含量均低于10 ppm。

基于激光诱导击穿光谱的大米Cr元素检测

基于激光诱导击穿光谱的大米Cr元素检测

基于激光诱导击穿光谱的大米Cr元素检测
张瀚宇;张晓强;张伟;邱荣
【期刊名称】《原子与分子物理学报》
【年(卷),期】2023(40)4
【摘要】激光诱导击穿光谱(LIBS)是一种元素快速分析的光学检测技术.在工业化发展进程中,重金属污染时刻威胁着大米等粮食作物生产地的安全性.以四川地区常见的Cr元素污染为例,采用双脉冲LIBS技术对市面上购买的五种地区大米中的Cr 元素进行定量分析,并与电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)检测结果进行对比.结果显示LIBS测量误差满足相对误差标准,证明了LIBS方法具有对元素进行快速定量分析的能力,是检测大米重金属元素含量的一种有效手段.
【总页数】6页(P104-109)
【作者】张瀚宇;张晓强;张伟;邱荣
【作者单位】西南科技大学数理学院极端条件物质特性联合实验室
【正文语种】中文
【中图分类】O434.13
【相关文献】
1.基于激光诱导击穿光谱技术对钢中Mn和Cr元素的定量分析
2.土壤中Cr元素激光诱导击穿光谱快速检测
3.土壤中Cr元素激光诱导击穿光谱快速检测
4.铝合金中元素Cr和Cu的双脉冲激光诱导击穿光谱检测
5.激光诱导击穿光谱技术用于大气气溶胶中Cr元素的检测
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激光诱导击穿光谱技术及应用研究进展

激光诱导击穿光谱技术及应用研究进展

第6卷 第4期2013年8月  中国光学 Chinese Optics Vol.6 No.4Aug.2013 收稿日期:2013⁃04⁃11;修订日期:2013⁃06⁃13 基金项目:国家自然科学基金面上项目(No.31270680,No.61076064);江苏省“六大高峰人才”资助项目(No.2011⁃XCL⁃018);江苏高校优势学科建设工程资助项目文章编号 1674⁃2915(2013)04⁃0490⁃11激光诱导击穿光谱技术及应用研究进展侯冠宇1,王 平1∗,佟存柱2(1.南京林业大学化学工程学院,江苏南京210037;2.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室,吉林长春130033)摘要:激光诱导击穿光谱(LIBS)技术是一种基于原子发射光谱学的元素定性、定量检测手段。

本文介绍了LIBS 技术的原理、应用方式、检测元素种类及检测极限;综述了该项技术在固体、液体、气体组分检测方面的技术发展,以及在环境检测、食品安全、生物医药、材料、军事、太空领域的应用进展。

最后,提出了高功率、高稳定的激光光源和准确的定量分析方法是LIBS 技术目前所面临的问题和挑战。

关 键 词:激光诱导击穿光谱;激光产生等离子体;元素分析;检测限中图分类号:O433.54;O657.319 文献标识码:A doi:10.3788/CO.20130604.0490Progress in laser⁃induced breakdown spectroscopyand its applicationsHOU Guan⁃yu 1,WANG Ping 1∗,TONG Cun⁃zhu 2(1.College of Chemical Engineering ,Nanjing Forestry University ,Nanjing 210037,China ;2.State Key Laboratory of Luminescence and Applications ,Changchun Institute of Optics ,Fine Mechanics and Physics ,Chinese Academy of Sciences ,Changchun 130033,China )∗Corresponding author ,E⁃mail :wp_lh@ Abstract :Laser⁃induced Breakdown Spectroscopy(LIBS)based on atomic emission spectral technology is a kind of convenient and sensitive approach for the qualitative and quantitative detection of elements.In this pa⁃per,the mechanism,detecting element types,detection limit and the recent progress of LIBS technology are reviewed.The progress of LIBS technology in component testing for solid,liquid and gas samples is expoundedin detail.The applications of LIBS in the environment test,food security,biological and medicines,material sciences,military and space fields are also presented.Finally,the challenges and problems for the LIBS tech⁃nology in high power and stable laser sources and accurately quantitative analysis method are discussed.Key words :laser⁃induced breakdown spectroscopy;laser⁃induced plasmon,element analysis;detection limit1 引 言 激光诱导击穿光谱(Laser⁃Induced Breakdown Spectroscopy,简称LIBS)技术是利用激光照射被测物体表面产生等离子体[1⁃2],通过检测等离子体光谱而获取物质成分和浓度的分析技术。

激光诱导击穿光谱技术在煤炭工业中的应用

激光诱导击穿光谱技术在煤炭工业中的应用

激光诱导击穿光谱技术在煤炭工业中的应用下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成,希望大家下载以后,能够帮助大家解决实际的问题。

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团体标准《冶炼副产品石膏》-编制说明-讨论稿

团体标准《冶炼副产品石膏》-编制说明-讨论稿

中国有色金属协会团体标准《冶炼副产品石膏》编制说明(讨论稿)2020年2月12日《冶炼副产品石膏》标准编制说明(讨论稿)1 任务来源根据有色标委《关于转发2019年第二批有色金属国家、行业、协会标准制(修)订项目计划的通知》(有色标委[2019]73号)精神,由江西铜业股份有限公司、河南豫光金铅股份有限公司负责起草,相关冶炼企业参与起草,制定《石膏-冶炼副产品》标准,项目计划号为2019-0030-T/CNIA。

2 立项依据冶炼副产石膏的主要成分为二水硫酸钙,是工业副产品石膏一种,可作为天然石膏的替代品,应用于生产水泥缓凝剂、纸面石膏板、建筑石膏、水泥等建筑产品。

国内冶炼企业产出的石膏主要来源于废酸处理,依据国家《危险废物名录》2016年版规定,“铜火法冶炼废水处理污泥(废物代码321-002-48)、粗锌精炼加工过程中产生的废水处理污泥(废物代码321-003-48)铅锌冶炼过程中、铅冶炼过程中产生的废水处理污泥(废物代码321-022-48)”均属于危险废物,而国内冶炼企业废酸处理大部分采用分段处理,分别产出硫化渣、石膏、中和渣3类渣,其中硫化渣富集大量重金属,是危险废物,但石膏中的砷、铜、锌、铅、镉、汞等物质含量均在《危险废物鉴别标准浸出毒性鉴别》(GB5085.3—2007)和《危险废物鉴别标准腐蚀性鉴别》(GB5085.1—2007)的限值内,因此应将冶炼副产品石膏与冶炼废水处理污泥区分对待。

综合利用冶炼副产品石膏资源,对于推进我国冶炼固体废物资源化,节能减排,同时减少冶炼企业的危险废物处置费用具有现实意义。

目前,我国有色冶炼行业还没有统一的冶炼副产品石膏的产品标准,虽然部分生产企业根据本公司所产石膏的技术指标制定了企业标准,但由于产品成分、检测规则、包装运输等标准不统一,导致产品质量无法保证,质量指标不一致,不利于市场交易及综合回收利用。

因此急需制定统一的行业标准以保证产品在生产和应用过程中技术指标的可靠性。

(完整word版)电子探针和扫描电镜X射线能谱定量分析通则-国家大型科学仪器

(完整word版)电子探针和扫描电镜X射线能谱定量分析通则-国家大型科学仪器

MV_RR_CNG_0396电子探针和扫描电镜X射线能谱定量分析通则1.电子探针和扫描电镜X射线能谱定量分析通则说明2. 电子探针和扫描电镜X射线能谱定量分析通则摘要1 范围本标准规定了与电子探针和扫描电镜联用的X射线能谱仪的定量分析方法的技术要求和规范。

本标准适用于电子探针和扫描电镜X射线能谱仪对块状试样的定量分析。

2 引用标准下列标准所包含的条文,通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。

本标准出版时,所示版本均为有效。

所有标准都会被修订,使用本标准的各方应探计使用下列标准最新版本的可能性。

GB/T 4930—93 电子探针分析标准样品通用技术条件GB/T 15074—94 电子探针定量分析方法通则3 分析方法原理在电子探针和扫描电镜等分析仪器中,应用一定能量并被聚焦的电子束轰击样品时,被轰击区发射出样品中所含元素的特征X射线,利用半导体探测器的能量色散特性,对接收的信号进行转换、放大。

再经过线性放大器、脉冲处理器、多道分析器的进一步放大、处理和分析,可获得各元素的特征X射线的能谱及其强度值,再通过与相应元素的标准样品的X射线能谱的对比测定,以及修正计算处理,最终可以获得被测样品的化学组成的定量分析结果。

4 射线能谱仪4.1 X射线能谱仪的基本组成方框图如下:X射线探测器→前置放大器→线性放大与脉冲处理器→多道分析器→计算机系统4.2 X射线能谱仪的主要组成部分4.2.1 X射线探测器:通常是Si(Li)半导体探测器,用于探测试样发射的X射线,使能量不同的X射线转换为电压不同的电脉冲信号。

4.2.2 前置放大器:将来自探测器的信号作初级放大。

4.2.3 线性放大器和脉冲处理器:将经过前置放大器初级放大的信号作进一步放大、并进行模拟或数字化处理。

4.2.4 多道分析器:将来自脉冲处理器的信号作进一步处理,完成对X射线谱的能量和强度的初步分析。

4.2.5 电子计算机系统:配备有能满足能谱分析所必须的功能完整的硬件和相应的各种分析程序软件,用于对从试样收集到的X射线能谱进行定性和定量分析,并输出分析结果。

激光诱导击穿光谱技术

激光诱导击穿光谱技术

激光诱导击穿光谱技术(LIBS )姓名:李记肖学号:3114313040班级:电子硕4128班邮箱:465471316@1激光诱导击穿光谱技术(LIBS )简介激光诱导击穿光谱技术(Laser Induced Breakdown Spectroscopy )简称为LIBS,是由美国Los Alamos国家实验室的David Cremers研究小组于1962年提出和实现的。

自从1962年该小组成员Brech最先提出了用红宝石微波激射器来诱导产生等离子体的光谱化学方法之后,激光诱导击穿光谱技术开始被广泛应用于多个领域,如钢铁成分在线分析、宇宙探索、环境和废物的监测、文化遗产鉴定、工业过程控制、医药检测、地球化学分析,以及美国NASA的火星探测计划CHEMCAM等,并且开发出了许多基于LIPS技术的小型化在线检测系统。

2LIBS发展概况自1960年世界上第一台红宝石激光器问世,两年后Brech和Cross就实现了固体样品表面的激光诱导等离子体,开启了LIBS技术的历程。

1963年,调Q激光器的发明大大促进了LIBS技术的发展,这种激光器的单个短脉冲具有极高的功率密度,足以产生光谱分析所需的激光等离子体。

因此调Q激光器的发明被称为LIBS技术诞生的标志。

1965年Zel ' dovichnd Raizer把LIBS技术的应用延伸到气体样品。

70年代初,Jarrell-Ash和Carl Zeiss制造了世界上第一台工业应用LIBS设备,需要说明的是,这套LIBS设备中,短脉冲激光用于烧蚀样品,然后用电弧激发样品。

美国洛斯阿拉莫斯国家实验室(LANL)曾致力于LIBS分析技术的机理研究和应用,在1987年将其应用于乏燃料后处理工艺中铀浓度分析。

在八十年代,LIBS被应用于液体样品以及分析土壤中的金属及污染物。

德国卡尔斯鲁厄核中心从上世纪90年代初开始,致力于将LIBS应用于高放废液玻璃固化工艺控制分析,获得巨大成功,随后模拟高放废液玻璃固化体中27种元素的实时定量分析。

激光诱导击穿光谱仪校准规范(送审稿)-编制说明

激光诱导击穿光谱仪校准规范(送审稿)-编制说明

JJF(有色金属)000X—202X 激光诱导击穿光谱仪校准规范编制说明(送审稿)激光诱导击穿光谱仪校准规范编制组主编单位:国标(北京)检验认证有限公司2020年11月16日一、工作简况1.1 立项目的激光诱导击穿光谱仪(LIBS)是光谱分析领域一种前景广阔的分析手段,其基本原理是利用高能量激光光源,在分析材料表面形成高强度激光光斑(等离子体),使样品被激发而产生特征谱线,从而实现对化学元素的定性和定量分析。

LIBS具有灵敏度高、分析速度快、可同时分析多种元素等优点。

它弥补了传统元素分析方法的不足,可以检测几乎所有的无机元素,且几乎不需要样品制备,在有色金属材料的微区分析和缺陷检测,以及复杂恶劣环境下的分析检测和工业在线检测等应用领域优势明显。

LIBS主要由激光光源系统、激光聚焦系统、等离子体辐射手机系统、光谱仪、控制电路及软件数据处理系统等部件组成。

激光光源系统通常包括激光电源和激光器。

激光电源驱动激光器,激光器利用受激辐射原理输出激光,激光束通过激光聚焦系统会聚于样品表面,在极短时间内将样品表面微量元素剥离并激发出等离子体。

因此激光能量的稳定性对于LIBS仪器光谱信号的状态具有十分重要的影响。

光谱仪主要包括分光系统和探测器两个部分,是将受激发样品发出的光进行色散,并进一步将色散后的入射光信号转换为电信号的重要部件。

因此,光谱仪性能的好坏(波长示值误差、波长示值重复性、检出限、测量重复性、测量稳定性)直接决定了检测结果的准确度和精密度。

因此十分有必要在有色金属行业建立针对LIBS主要计量性能的校准技术规范。

科学的校准规范能够有效确保校准操作的规范性和校准结果的可靠性,能够有效确保该仪器运行的可靠性,从而有利于该仪器的推广应用,对于提升产品质量水平、推动有色金属检测技术发展具有十分重要的积极作用。

1.2 任务来源为保证和提升我国有色金属行业LIBS分析试验数据的准确性和可比性,工业和信息化部办公厅于2019年6月20日下达了《工业和信息化部办公厅关于印发2019年行业计量技术规范制修订计划的通知》(工信厅科函[2019]142号),其中包括《激光诱导击穿光谱仪校准规范》制订计划项目。

激光诱导击穿光谱法

激光诱导击穿光谱法

激光诱导击穿光谱法
激光诱导击穿光谱法(Laser Induced Breakdown Spectroscopy,LIBS)是一种非破坏性分析技术,通常被用于材料分析、环境监测、医疗、冶金、地质学等领域。

LIBS原理是利用高能量激光束将样品表面蒸发并形成等离子体,等离子体中的原子或离子因为受到激光能量的刺激开始跃迁并发射出特定波长的光谱信号,这些信号可以被收集并用于对样品进行分析。

使用LIBS的优势在于能够对样品进行非接触式的分析,不需要预处理样品且无需样品加热或待分析物质具有特定形状或大小。

此外,它还可以添加其他手段,如成像、时间及空间分辨率控制等,广泛应用于很多领域。

211171116_电感耦合_等离子体原子发射光谱法(ICP-OES)测定高硅铝合金中的7种元素

211171116_电感耦合_等离子体原子发射光谱法(ICP-OES)测定高硅铝合金中的7种元素

世界有色金属 2023年 1月下140化学化工C hemical Engineering电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-OES )测定高硅铝合金中的7种元素张晓曼,吴 思,周 磊(安徽省铝制品质量监督检验中心,安徽 濉溪 235100)摘 要:实验采用氢氧化钠溶解高硅铝合金之后加入过氧化钠继续反应溶解,再加入盐酸,运用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-OES)测定高硅铝合金中硅、铁、铜、硼、钛、镁、锌7种元素的含量,该方法能完全溶解样品特别是硼、钛含量高的高硅铝合金样品。

通过基体匹配的方法配制系列标准溶液,试验结果良好,线性关系大于0.9995,回收率95.1%~105.2%。

关键词:电感耦合等离子体原子发射光谱;高硅铝合金;碱溶(过氧化钠)中图分类号:TG115.3 文献标识码:A 文章编号:1002-5065(2023)02-0140-3Determination of seven elements in high silicon aluminum alloy by inductively coupledplasma atomic emission spectrometryZHANG Xiao-Man, WU Si, ZHOU Lei(Anhui aluminum products quality supervision and inspection center, Suixi 235100,China)Abstract: In the experiment, sodium hydroxide was used to dissolve the high silicon aluminum alloy,sodium peroxide was added to continue to react and dissolve. And then added hydrochloric acid, The content of seven elements of silicon, iron, copper, boron, titanium, magnesium and zinc in high silicon aluminum alloy is determined by ICP-OES method. The method can completely dissolve samples, especially high-silicon aluminum alloy samples with high boron and titanium contents. A series of standard solutions were prepared by matrix matching method. The experimental results were good, the linear relationship was greater than 0.9995, and the recovery was 95.1%~105.2%Keywords: Inductively coupled plasma atomic emission spectrometry; High silicon aluminum alloy; Alkali solution (sodium peroxide)收稿日期:2022-12基金项目:2019年安徽省市场监督管理局科技计划项目 编号:2019MK012。

团体标准-《有色金属材料分析方法 激光诱导击穿光谱应用通则》-送审稿

团体标准-《有色金属材料分析方法 激光诱导击穿光谱应用通则》-送审稿

ICSH中国有色金属工业学会发布中国有色金属学会前言本标准按照GB/T 1.1-2020给出的规则起草。

本标准由中国有色金属工业协会提出。

本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)归口。

本标准起草单位:国合通用测试评价认证股份公司、山东东仪光电仪器有限公司、国标(北京)检验认证有限公司、北矿检测技术有限公司、苏州热工研究院有限公司、清华大学、山西大学、中国科学院合肥物质科学研究院、北京协同鑫光检测技术有限公司。

本标准主要起草人:有色金属材料分析方法激光诱导击穿光谱应用通则1 范围本文件规定了采用激光诱导击穿光谱仪对有色金属材料中化学元素进行分析的术语和定义、方法原理、仪器设备、测试环境、样品、分析步骤、数据处理、试验报告和安全防护等内容的通用要求。

本文件适用于采用激光诱导击穿光谱仪以固体进样方式对样品中的金属和部分非金属元素的定性、半定量和定量分析。

2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。

凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。

凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T 13466 交流电气传动风机(泵类、空气压缩机)系统经济运行通则GB/T 13966 分析仪器术语GB/T 13962 光学仪器术语GB/T 17433 冶金产品化学分析基础术语GB/T 23942 化学试剂电感耦合等离子体原子发射光谱法通则GB/T 27418 测量不确定度评定和表示GBT/ 4336 碳素钢和中低合金钢多元素含量的测定GB/T 4470 火焰发射、原子吸收和原子荧光光谱分析法术语JJG 768 发射光谱仪检定规程HB/Z 207 有色金属材料化学分析用试样的取样规范3术语和定义GB/T 13466、GB/T 13966、GB/T 13962、GB/T 4470及GB/T 17433界定的以下术语及定义适用于本文本。

3.1 功率密度Power density激光与样品相互作用,样品单位时间所获得的功率。

辉光放电发射光谱法测定电工钢中8种元素

辉光放电发射光谱法测定电工钢中8种元素
1 2 实验 方法 .
砂纸 精磨处 理 , 然后 用无 水 乙醇 清洗表 面 , 干后 吹
待用 ( 标准样 品表 面处理 与 实验 样 品处 理相 同 ) 。
在优化 激发 参数 下 , 择 恒定 电压/ 选 电流 模 式 , 用
标准样 品建立 校准 曲线 后 测 定 分析 样 品 , 析 分
验选择 激发 电压为 12 0V, 0 电流为5 A。 0m 2 2 预 燃 时间和积分 时 间的选择 . 设 置 激 发 电 压 为 1 0 V, 发 电 流 为 2 0 激
在 优化激 发条件 下选择 G W 1 8 B 0 3 5等 1 0块
光谱标 准物质 , 元素含量 范 围见 表 2 以基 体铁 元 ,
与认 定值 和其他 方法测 定值 一致 , 测量元 素 结果 R D值 小 于 2 。 S %
关键 词 : 光放 电发射 光谱 法 ; 辉 电工钢 ; 多元 素 ; 测定
中图分类 号 :0 5 67
文 献标 识码 : A
文章 编 号 :10 4 1 (0 1 0 一 0 9— 3 0 6— 6 3 2 1 ) l 0 3 0
时, 得到 元 素 的强 度 信 噪 比。结 果 表 明 , 度 在 强
1 以后达 到稳定 , 0S 故选 择积分 时 间为 1 。 0S
2 3 校 准 曲线 .
范 围内变化 , 其它参 数保持 不变 , 当激发 电流约 为 5 0mA时 , 多数元 素 的强 度有最 大信 噪 比, 因此 实
C S、 n P S C 、 iC 、iM 、 、 、 r N 、 u测 定 结 果 的短 期 精 密
度, 结果 见表 4 。对 1 光谱标 准样 品 G W036 块 B 18

矿石的元素分析技术

矿石的元素分析技术

矿石元素分析技 术在地质勘探中 的应用
矿石元素分析技 术在地质灾害预 测中的应用
矿石元素分析技 术在地质环境评 价中的应用
土壤元素分析:检测土壤中各种元 素营 养诊断结果,设计出适合不同作物 的肥料配方
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植物营养诊断:分析植物体内的元 素含量,为植物营养提供科学依据
含量
优点:准确度 高,适用于多
种元素分析
缺点:操作复 杂,需要专业
人员操作
应用:广泛应 用于地质、矿 产、环境等领

优点:灵敏度高,选择性好, 操作简便,适用于多种元素的 分析
原理:利用原子吸收光谱仪, 通过测量样品中元素的吸收光 谱,确定元素的种类和含量
应用:广泛应用于地质、环境、 化工等领域
注意事项:需要选择合适的光 源、吸收池和检测器,以保证
应用:广泛应用于地质、矿 产、环境、考古等领域
注意事项:需要专业的设备 和技术人员进行操作
矿石元素分析技术可 以帮助确定矿石的种
类和成分
矿石元素分析技术可 以指导矿产资源的开
采和利用
通过分析矿石元素, 可以预测矿石的质量
和价值
通过分析矿石元素, 可以优化矿产资源的 开发和利用,提高经
济效益和环境效益
技术引进:引进国外先进的矿石元素分析技术和设备,提高国内技术水平
国际标准:参与制定国际矿石元素分析技术的标准和规范,提高国内技术的 国际认可度
国际交流:积极参加国际矿石元素分析技术的会议和交流活动,扩大国内技 术的国际影响力
汇报人:
绿色化发展的技术:采用环 保型试剂,减少有害物质的 产生和排放
绿色化发展的意义:减少环 境污染,降低能耗,提高资 源利用率

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标准名称编号标准化标准技术制图 图样画法 制图GB/T 17451-1998产品标准化大纲编制指南GJB/Z 114A-2005标准化评审GJB/Z 113-98新产品工艺标准化综合要求编写指南GJB/Z 106-98企业标准体系管理标准和工作标准体系GB/T 15498-2003企业标准体系 要求GB/T 15496-2003企业标准体系 评价与改进 GB/T 19273-2003军用标准文献分类法GJB/T 832-2005标准化工作导则 第一部分:标准的结构和编写规则GB/T 1.1-2000综合标准化工作导则 工业产品综合标准化一般要求GB/T 12366.2-90综合标准化工作导则原则与方法GB/T 12366.1-90标准化工作指南 第二部分:采用国际标准的规则GB/T 20000.2-2001标准编写规则 第三部分:信息分类编码GB/T 20001.3-2001标准编写规则 第四部分:化学分析方法GB/T 20001.4-2001标准体系表编写原则和要求GB/T 13016-91标准化和有关领域的通用术语 第一部分:通用术语GB/T 3935.1-1996消费品使用说明 总则GB 5296.1-1997电磁干扰和电磁兼容性术语GJB 72A-2002标准化工作指南第三部分:引用文件GB/T 20000.3-2003标准化工作指南第四部分:标准中涉及安全的内容GB/T 20000.4-2003环境检测分析方法标准制订技术导则HJ/T 168-2004GJB 0.1-2001军用标准文件编制工作导则 第一部分:军用标准和指导性技军用标准文件编制工作导则 第二部分:军用规范编写规定GJB 0.2-2001军用标准文件编制工作导则 第三部分:出版印刷规定GJB 0.3-2001说明书的编制 构成 内容和表示方法GB/T 19678-2005/IEC 62079:2001气体和超净标准、环保标准中国环境保护标准汇编 水质分析方法中国环境保护标准汇编 废气废水废渣分析方法中国环境保护标准汇编 大气质量分析方法气体中微量水分的测定 电解法GB 5832.1-86气体中微量水分的测定 露点法GB 5832.2-86气体中微量氧的测定 电化学法GB 6285-86氢气GB/T 3634-1995氮GB/T 3864-1996洁净厂房设计规范GB 50073-2001纯氢、高纯氢和超纯氢GB/T 7445-1995洁净室检测规范GB/T16292-1996电子级气体中颗粒和痕量杂质测定方法SJ2798~2807-87电子工业用气体GB/T 14600~14604-93电子工业用气体 氮GB/T 16944-1997大气污染物综合排放标准GB16297-1996微电子标准微电子器件试验方法和程序GJB 548B-2005半导体分立器件总规范GJB 33A-97半导体分立器件型号命名方法GB/T249-89半导体集成电路总规范GJB 597A-96混合集成电路通用规范GJB 2438A-2002半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T 10741-2000半导体分立器件包装规范GJB 3164-98电子产品防静电放电控制手册GJB/Z 105-98防静电包装手册GJB/Z 86-97印制板总规范GB/T 16261-1996集成电路A/D和 D/A转换器测试方法的基本原理SJ50597/37-95半导体集成电路JSC145152型CMOS并行输入锁相环4频率合成器膜集成电路和混合集成电路外形尺寸GB/T 15138-94计量校准及管理标准测量不确定度的表示及评定GJB 3756-99检测和校准实验室能力的通用要求GB/T 15481-2000测量管理体系测量过程和测量设备的要求GB/T 19022-2003测量设备的质量保证要求计量确认体系GJB 2712-96测试实验室和校准实验室通用要求GJB 2725A-2001测量设备的质量保证要求第一部分测量设备的计量确认体系GB/T 19022.1-1994测量设备的质量保证第二部分:测量过程控制指南GB/T 19022.2-2000抽样标准计数抽样检验程序及表GJB 179A-96周期检验计数抽样程序及表GB/T 2829-2002GB/T 2828.1-2003计数抽样检验程序 第一部分:按接收质量限(AQL)检索的逐军用电子元件失效率抽样方案和程序GJB 2649-96产品质量监督计数抽样程序及抽样表GB/T 14162-93光电类标准半导体光电模块总规范SJ 20642-97固体激光器总规范SJ 20027-92空间用单晶硅太阳能电池总规范GJB 1431-92固体激光器总规范GB/T 15490-1995红外探测器总规范GJB 1206-91红外探测器参数测试方法GB/T13584-92红外探测器外形尺寸系列GB/T13583-92半导体激光二极管空白详细规范GB/T 15649-1995半导体激光二极管总规范GJB3519-99固体激光器通用规范GJB 5849-2006大功率半导体激光二极管阵列通用规范SJ 20957-2006固体激光器测试方法GJB 5441-2005固体激光二极管测试方法SJ 2749-87太阳电池光谱响应测试方法GB 11009-89航天用标准太阳电池GB 6492-86航天用太阳电池标定的一般规定GB 6496-86航天用太阳电池电性能测试方法GB 6494-86太阳敏感电池通用规范GJB 2932-97太阳能电池温度系数测试方法SJ/T 10459-93太阳电池组件参数测试方法GB/T 14009-92光伏器件 第1部分:光伏电流-电压特性的测量GB/T 6495.1-1996光伏器件 第2部分:标准太阳电池的要求GB/T 6495.2-1996GB/T 6495.3-1996光伏器件 第3部分:地面用光伏器件的测量原理及标准光谱辐半导体光电组件总规范SJ 20786-2000 PIN、APD光电探测器总规范SJ 20644-97PIN、APD光电探测器通用规范GJB 5022-2003军用激光器辐射传输测试方法GJB 894A-99PIN、雪崩光电二极管测试方法SJ 2354.1-83激光产品的安全第1部分:设备分类、要求和用户指南GB 7247.1-2001纤维光学试验方法GJB 915A-97纤维光学转接器 第1部分:总规范GB/T 18308.1-2001GB/T 18310.4-2001纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第2-4部分纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第3-2部分GB/T 18311.2-2001GB/T 18311.3-2001纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第3-3部分GB/T 18311.6-2001纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第3-6部分GB/T 18310.18-2001纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第2-18部热敏电阻总规范GJB 601A-98光纤总规范GJB 1427A-99光纤光缆连接器 第1部分:总规范GB/T 12507.1-2000光纤光缆连接器 第2部分:F-SMA型光缆连接器分规范.0地面用晶体硅光伏组件设计鉴定和定型GB/T 9535-1998激光辐射功率测试方法GB/T 13863-92激光辐射功率稳定度测试方法GB/T 13864-92红外探测器试验方法GJB 1788-93超辐射发光二极管组件测试方法SJ 20785-2000红外发射二极管总规发GJB 3930-2000半导体光电器件GR1325J型长波长发光二极管组件详细规范SJ 20642/7-2000激光辐射发散角测试方法GB/T 13740-92激光辐射光束直径测试方法GB/T 13741-92晶体硅光伏器件的I-V实测特性的温度和辐照度修正方法GB/T 6495.4-1996发光二极管固体显示器总规范GJB 2146-94固体激光器主要参数测试方法GB/T 15175-94军用激光测距仪通用规范SJ 20793-2000质量控制管理标准产品质量保证大纲要求GJB 1406A-2005产品质量标志和可追溯性要求GJB 726A-2004不合格控制指南SJ/T 10466.15-94军用电气和电子元器件的标志GJB 2118-94武器装备研制项目管理GJB 2993-97军工批次管理的质量控制要求GJB 1330-91合同中质量保证要求GJB 2102-94航天产品质量问题归零实施指南QJ 3183-2003军工产品的批次管理的质量控制要求GJB 1330-91关键件和重要件的质量控制GJB 909-2005产品质量评审GJB 907-90故障报告、分析和纠正措施系统GJB 841-90质量管理和质量保证军用标准GJB/Z 9000~9004-96电子行业质量管理和质量体系要素标准SJ/T 10466.1~10466.13-93质量管理和质量体系要素第4部分:质量改进指南GB/T 19004.1-1994航天产品设计文件管理制度QJ 1714.1~1714.8A-99QJ 1714.9A-99QJ 1714.10A~1714.12A-99电子元器件选用管理要求GJB 3404-98纠正措施指南SJ/T 10466.16-94产品包装、装卸、运输、贮存的质量管理要求GJB 1443-92质量经济性管理指南GB/Z 19024-2000电子元器件设计文件编制示例SJ/T 10718-1996质量成本管理指南GJB/Z4-88质量管理术语GJB 1405-92质量管理 技术状态管理指南GB/T 19017-1997质量管理体系要求GJB 9001A-2001质量管理体系标准GB/T 19000-2000GB/T 19001-2000GB/T 19004-2000质量改进指南SJ/T 10466.19-1995系统安全性通用大纲GJB 900-90技术状态管理GJB 3206-98设计文件管理制度 第1-3部分SJ/T 207.1-3-1999设计文件管理制度 第4部分:设计文件的编号SJ/T 207.4-1999设计文件管理制度 第5部分:设计文件的更改SJ/T 207.5-1999成套技术资料质量管理要求GJB 906-90设计评审GJB 1310A-2004设计质量控制指南SJ/T 10466.14-94外购器材的质量管理GJB 939-90人员培训和资格评定指南SJ/T 10466.21-1995包装储运图示标志GB 191-2000可靠性增长试验GJB 1407-92工艺设计评审指南SJ/T 10466.17-94厂际质量保证体系工作指南GJB/Z2-88不合格品管理GJB 571-88工艺评审GJB 1269A-2000工艺管理常用图形符号SJ/T 10462-93工序质量控制要求GJB 467-88工业产品保证文件GB/T 14436-93工艺文件标准汇编SJ/T 10375~10377-1993SJ/T 10531-1994SJ/T 10631-1995军工产品定型程序和要求GJB 1362-92军工产品质量管理要求与评定导则GJB/Z16-91接地、搭接和屏蔽设计的实施GJB 1210-91国防计量通用术语GJB 2715-96工艺文件完整性与工艺文件格式JB/T 9165.1~9165.4-1998武器装备研制项目管理GJB 2116-94装备维修性通用大纲GJB 368A-94特性分类GJB 190-86理化试验质量控制规范GJB 466-88器材供应单位质量保证能力评定GJB 1404-92装备可靠性维修性参数选择和指标确定要求总则GJB 1909-96金属镀覆和化学覆盖工艺质量控制要求GJB 480A-95焊接质量控制要求GJB 481-88故障树分析指南GJB/Z 768A-98故障模式、影响及危害性分析程序GJB 1391-92可靠性模型的建立和可靠性预计GJB 912-90装备综合保障通用要求GJB 3872-99装备质量与可靠性信息管理要求GJB 1686-93维修性试验与评定GJB 2072-94电子元器件统计过程控制体系GJB 3014-97电子元器件产品出厂平均质量水平评定方法GJB 2823-97电子工业用工艺装备分类编号SJ/T 10672-1995半导体分立器件结构相似性应用指南SJ 20756-1999电子元器件质量保证大纲GJB 546A-96中国国防科学技术报告编写规则GJB 567A-97大型试验质量管理要求GJB 1452A-2004维修性分配与预计手册GJB/Z 57-94电路容差分析指南GJB/Z 89-97熔模铸造工艺质量控制GJB 905-90技术文件使用与归档管理规定QJ 1089A~1092A-98产品质量信息管理指南SJ/T 10466.18-1995工艺文件格式的填写SJ/T 10375-93电子文件归档与管理规范GB/T 18894-2002质量手册编制指南GB/T 19023-1996多余物控制要求GJB 5296-2004军工产品售后技术服务GJB/Z 3-88装备可靠性工作通用要求GJB 450A-2004装备保障性分析GJB 1371-92电子设备可靠性预计手册GJB/Z 299B-98装备测试性大纲GJB 2547-95试验方法标准微电子器件试验方法标准-美国国防部标准(上、下)电子及电气元件试验方法GJB 360A-96半导体分立器件试验方法GJB 128A-97电子产品环境应力筛选方法GJB 1032-90无损检测质量控制规范 磁粉检验GJB 593.3-88元器件破坏性物理分析管理要求QJ 3179-2003电子产品制造与应用系统防静电检测通用规范SJ/T 10694-2006防静电工作区技术要求GJB 3007-97电子元器件制造防静电技术要求SJ/T 10630-1995半导体器件辐射加固试验方法中子辐照试验GJB 762.1-89半导体器件辐射加固试验方法γ总剂量辐照试验GJB 762.2-89半导体器件辐射加固试验方法γ瞬时辐照辐照试验GJB 762.3-89军用电子元器件破坏性物理分析方法GJB 4027-2000军用设备环境试验方法GJB 150.3-86半导体材料标准目录基础标准一、我国半导体材料标准1.基础标准锗晶体缺陷图谱GB/T 8756-1988掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程GB/T 13389-1992半导体材料术语GB/T 14264-1993半导体材料牌号表示方法GB/T 14844-1993晶片通用网络规范GB/T 16595-1996确定晶片坐标系规范GB/T 16596-1996硅材料原生缺陷图谱(原GBn 266-87)YS/T 209-1994 2.产品标准工业硅技术条件GB/T 2881-1991锗单晶GB/T 5238-1995高纯镓GB/T 101 18-1988高纯二氧化锗GB/T 1 1069-1989还原锗锭GB/T 1 1070-1989区熔锗锭GB/T 1 1071-1989锑化铟多晶、单晶及切割片GB/T 1 1072-1989液封直拉法砷化镓单晶及切割片GB/T 1 1093-1989水平法砷化镓单晶及切割片GB/T 1 1094-1989硅单晶GB/T 12962-1996硅多晶GB/T 12963-1996硅单晶抛光片GB/T 12964-2003硅单晶切割片和研磨片GB/T 12965-1996硅外延片GB/T 14139-1993锗单晶片GB/T 15713-1995高纯四氯化锗YS/T 13-1991硅片包装YS/T 28-1992高纯砷YS/T 43-1992高纯铟(原GB 8003-87)YS/T 264-1994霍尔器件和甘氏器件用砷化镓液相外延片(原GB 1 Ys/T 290-1994锗富集物(原zB H 31003-87)YS/T 300-1994 3.方法标准非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1550-1997硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法GB/T 1551-1995硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法GB/T 1552-1995硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 1553-1997硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T 1554-1995半导体单晶晶向测定方法GB/T 1555-1997硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T 1557-1989硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T 1558-1997硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法GB/T 4058-1995硅多晶气氛区熔磷检验方法GB/T 4059-1983硅多晶真空区熔基硼检验方法GB/T 4060-1983硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法GB/T 4061-1983半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法GB/T 4298-1984非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T 4326-1984锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法GB/T 5252-1985半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流GB/T 6616-1995硅片电阻率测定扩展电阻探针法GB/T 6617-1995硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 6618-1995硅片弯曲度测试方法GB/T 6619-1995 硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T 6620-1995硅抛光片表面平整度测试方法GB/T 6621-1995硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T 6624-1995砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法GB/T 8757-1988砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法GB/T 8758-1988砷化镓单晶位错密度的测量方法GB/T 8760-1988砷化镓外延层载流子浓度电容一电压测量方法GB/T 11068-1989硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T 11073-1989电子材料晶片参考面长度测量方法GB/T 13387-1992硅片参考面结晶学取向x射线测量方法GB/T 13388-1992硅片直径测量方法 光学投影法GB/T 14140.1-1993硅片直径测量方法 千分尺法GB/T 14140.2-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直GB/T 1414l-1993硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法GB/T 14142-1993 300-900&m硅片间隙氧含量红外吸收测量方法GB/T 14143-1993硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法GB/T 14144-1993硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法GB/T 14145-1993硅外延层载流子浓度测定汞探针电容一电压法GB/T 14146-1993重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方GB/T 14847-1993工业硅化学分析方法 1,10一二氮杂菲分光光度法GB/T 14849.1-1993工业硅化学分析方法 铬天青-S分光光度法测定铝量GB/T 14849.2-1993工业硅化学分析方法 钙量的测定GB/T 14849.3-1993硅片抗弯强度测试方法GB/T 15615-1995硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法GB/T 17169-1997非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测GB/T 17170-1997砷化镓单晶AB微缺陷检验方法GB/T 18032-2000半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法GB/T 19199-2003异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法YS/T 14-1991硅外延层和扩散层厚度的测定 磨角染色法YS/T 15-1991硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法YS/T 23-1992外延钉缺陷的检验方法YS/T 24-1992硅抛光表面清洗方法YS/T 25-1992硅片边缘轮廓检验方法YS/T 26-1992晶片表面上微粒沾污测量和计数的方法YS/T 27-1992高纯砷化学分析方法 孔雀绿分光光度法测定锑量YS/T 34.1-1992高纯砷化学分析方法 化学光谱法测定钴、锌、银、YS/T 34.2-1992高纯砷化学分析方法 极谱法测定硒量YS/T 34.3-1992高纯砷化学分析方法 极谱法测定硫量YS/T 34.4-1992高纯二氧化锗化学分析方法 硫氰酸汞分光光度法测YS/T 37.1-1992高纯二氧化锗化学分析方法 钼蓝分光光度法测定硅YS/T 37.2-1992高纯二氧化锗化学分析方法 石墨炉原子吸收光谱法YS/T 37.3-1992高纯二氧化锗化学分析方法化学光谱法测定铁、镁、YS/T 37.4-1992高纯镓化学分析方法 钼蓝分光光度法测定硅量YS/T 38.1-1992高纯镓化学分析方法 化学光谱法测定锰、镁、铬和YS/T 38.2-1992高纯镓化学分析方法 化学光谱法测定铅、镍、锡和YS/T 38.3-1992高纯铟中铝、镉、铜、镁、铅、锌量的测定 (化学YS/T 230.1-1994高纯铟中铁量的测定 (化学光谱法)(原GB 2594YS/T 230.2-1994高纯铟中砷量的测定 (二乙氨基二硫代甲酸银(A YS/T 230.3-1994高纯铟中硅量的测定 (硅钼蓝吸光光度法)(原G YS/T 230.4-1994高纯铟中硫量的测定 (氢碘酸、次磷酸钠谱法)(YS/T 230.5-1994高纯铟中鉈量的测定 (罗丹明B吸光光度法)(原YS/T 230.6-1994高纯铟中锡量的测定 (苯芴铜-溴代十六烷基三甲YS/T 230.7-1994 SEMI 标 准硅单晶抛光片规范SEMI M1-0302直径2inch硅单晶抛光片规格SEMI M1.1-89(重订本0299)直径3inch硅单晶抛光片规格SEMI M1.2-89(重订本0299)直径100mm硅单晶抛光片规格(厚度525μm)SEMI M1.5-89(重订本0699)直径100mm硅单晶抛光片规格(厚度625μm)SEMI M1.6-89(重订本0699)直径125mm硅单晶抛光片规格SEMI M1.7-89(重订本0699)直径150mm硅单晶抛光片规格SEMI M1.8-0669直径200mm硅单晶抛光片规格(切口)SEMI M1.9-0669直径200mm硅单晶抛光片规格(参考面)SEMI M1.10-0669直径100mm无副参考面硅单晶抛光片规格(厚度525μm)SEMI M1.11-90(重订本0299直径100mm无副参考面硅单晶抛光片规格 SEMI M1.12-90(重订本0299)直径150mm无副参考面硅单晶抛光片规格(厚度625μm)SEMI M1.13-0699直径350mm和400mm硅单晶抛光片指南SEMI M1.14-96直径300mm硅单晶抛光片规格(切口)SEMI M1.15-0302分立器件用硅外延片规范SEMI M2.0997蓝宝石单晶抛光衬底规范SEMI M3.12962inch蓝宝石衬底标准SEMI M3.2-913inch蓝宝石衬底标准SEMI M3.4-91100mm蓝宝石衬底标准SEMI M3.5-923inch回收蓝宝石衬底标准SEMI M3.6-88125mm蓝宝石衬底标准SEMI M3.6-88150mm蓝宝石衬底标准SEMI M3.8-91蓝宝石衬底上硅单晶(SOS)外延片规范SEMI M4-1296太阳能光电池用硅片规范SEMI M6-1000硅单晶抛光试验片规范SEMI M8-0301砷化镓单晶抛光片规范SEMI M9-0999电子器件用直径50.8mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.1-96电子器件用直径76.2mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.2-96 光电子用直径2inch砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.3-89光电子用直径3inch砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.4-89电子器件用直径100mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.5-96直径125mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.6-95直径150mm砷化镓单晶圆形抛光片(切口)规范SEMI M9.7-0200 鉴别砷化镓晶片上观察到的结构和特征的标准术语SEMI M10-1296集成电路用硅外延片规范SEMI M11-0301晶片正面系列字母数字标志规范SEMI M12-0998 硅片字母数字标志规范SEMI M13-0998半绝缘砷化镓单晶离子注入与激活工艺规范SEMI M14-89半绝缘砷化镓抛光片缺陷限度表SEMI M15-0298多晶硅规范SEMI M16-1296块状多晶硅标准SEMI M16.1-89晶片通用网格规范SEMI M17-0998硅片订货单格式SEMI M18-0302体砷化镓单晶衬底电学特性规范SEMI M19-91建立晶片坐标系的规范SEMI M20-0998地址分配到笛卡尔坐标系的矩形单元规范SEMI M21-0998介电绝缘(DI)晶片规范SEMI M22-1296磷化铟单晶抛光片规范SEMI M23-0302直径50mm磷化铟单晶圆形抛光片标准SEMI M23.1-06003inch(76.2mm)磷化铟单晶圆形抛光片标准SEMI M23.2-1000矩形磷化铟单晶抛光片标准SEMI M23.3-0600电子和光电子器件用100mm圆形磷化铟单晶抛光片规SEMI M23.4-0999电子和光电子器件用100mm圆形磷化铟单晶抛光片规SEMI M23.5-1000优质单晶抛光片规范SEMI M24-1101根据聚苯乙烯乳胶球直径校准光点缺陷硅片检验系统SEMI M25-95运输晶片用的片盒和花篮再使用指南SEMI M26-96确定测试仪器的精度与公差比(P/T)的规程SEMI M27-96开发中的直径300mm硅单晶抛光片规范SEMI M28-0997(1000撤回)直径300mm晶片传递盒规范SEMI M29-1296用傅立叶变换红外吸收光谱测量砷化镓中代位碳原子SEMI M30-0997用于300mm晶片传送和发货的正面打开的发货片盒暂SEMI M31-0999统计规范指南SEMI M32-0998用全反射X射线荧光光谱(TXRF)测定硅片表面残留SEMI M33-0998制定SIMOX硅片技术规范指南SEMI M34-0299开发自动检查方法测量硅片表面特征规范的指南SEMI M35-0299低位错密度砷化镓晶片腐蚀坑密度(EPD)的测试方SEMI M36-0699低位错密度磷化铟晶片中腐蚀坑密度(EPD)的测试SEMI M37-0699硅抛光回收片规范SEMI M38-1101半绝缘砷化镓单晶材料的电阻率、霍尔系数盒霍尔迁SEMI M39-0999关于硅片平坦表面的表面粗糙度的测量指南SEMI M40-0200功率器件、集成电路用绝缘体上硅(SOI)晶片的规SEMI M41-1101化合物半导体外延片规范SEMI M42-1000关于编制硅片纳米形貌报告的指南SEMI M43-0301硅中间隙氧的转换因子指南SEMI M44-0301 300mm晶片发货系统临时标准SEMI M45-0301用EVC剖面分布测量外延层结构中载流子浓度的测试SEMI M46-1101 CMOS LSI电路用绝缘体上硅(SOI)晶片规范SEMI M47-0302评价无图形硅衬底上薄膜的化学机械抛光工艺的指南SEMI M48-1101 用于130nm级工艺硅片几何尺寸测量设备的指南SEMI M49-1101 采用覆盖法确定表面扫描检查系统的捕获率和虚假计SEMI M50-1101 化合物半导体外延片规范SEMI M42-1000硅片背面条型代码标志规范SEMI T1-95带有二维矩阵代码符号的晶片标志规范SEMI T2-0298 晶片盒标签规范SEMI T3-0302 150mm和200mm晶片箱标志尺寸规范SEMI T4-0301 砷化镓圆形晶片字母数字刻码规范SEMI T5-96带二维矩阵代码符号的双面抛光晶片背面标志规范SEMI T7-030262079:200110466.13-93 714.12A-99165.4-1998(重订本0299)(重订本0299)(重订本0699)(重订本0699)(重订本0699)(重订本0299)90(重订本0299)撤回)。

《微生物抑尘剂》

《微生物抑尘剂》

《微生物抑尘剂》编制说明二零二一年三月目录1 标准编制工作简况 (2)1.1 任务来源 (2)1.2 起草单位 (2)1.3 标准编制背景及必要性 (2)1.4 主要工作过程 (3)2 标准制定原则和依据 (5)2.1 标准制定原则 (5)2.2 标准制定依据 (5)3 标准主要内容和试验方法说明 (6)3.1 标准适用范围 (6)3.2 术语和定义 (6)3.3 产品分类 (6)3.4 测试方法及指标确定 (7)4 技术指标确定 (9)5 标准主要试验项目验证情况分析 (9)5.1 试验样品 (9)5.2 验证试验结果 (10)6 标准中涉及专利情况说明 (11)7 产业化情况和预期达到的经济效果等情况 (11)8 采用国际标准和国外先进标准情况 (11)9 与现行相关法律、法规、规章及相关标准的协调性 (11)10 重大分歧意见的处理经过和依据 (11)11 标准性质的建议说明 (12)12 贯彻标准的要求和措施建议 (12)13 废止现行相关标准的建议 (12)14 其它应予说明的事项 (12)T/CBMF XXXX-202X《微生物抑尘剂》中国建材联合会团体标准编制说明1 标准编制工作简况1.1 任务来源依据中建材联标发[2020]49号《关于下达2020年第六批协会标准制定计划的通知》文件,批准《微生物抑尘剂》团体标准(计划号:2020-62-xbjh)立项。

1.2 起草单位本标准由东南大学、江苏省交通工程集团有限公司、江苏科技大学、江苏大学共同起草,形成《微生物抑尘剂》标准的编制组。

其中东南大学负责标准编制、会议组织、标准申报等工作,东南大学、江苏科技大学、江苏大学负责标准验证试验等工作,江苏省交通工程集团有限公司提供了材料应用案例,协助进行行业调研。

1.3 标准编制背景及必要性1.3.1 编制背景扬尘对空气中颗粒物的年分担率为20%左右,是构成空气污染极其重要的因素之一。

扬尘的危害具有多样性,主要表现为:危害人类健康,扬尘颗粒随着空气流动而移动,易被人吸食,为细菌、病毒传播提供通道;影响空气质量,加剧区域大气层热效应,增加极端气候事件,引起雾霾、酸雨、光化学烟雾现象,导致能见度降低;影响城市景观和植物生长,建筑物和植物表面沾满扬尘,视觉感官不佳,同时会阻碍植物光合作用,导致植物枯死,破坏生态平衡。

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有色金属材料分析方法激光诱导击穿光谱应用通则编制说明(预审稿)主编单位:国合通用测试评价认证股份公司山东东仪光电仪器有限公司2020年6月有色金属材料分析方法激光诱导击穿光谱应用通则编制说明(预审稿)一、工作简况1、立项目的新材料实时在线成分检测一直是冶金行业的重要研究方向之一,它能有效缩短检测时间,不仅可降低成本,节约能源,改善品质,还可以提高生产效率,同时为冶炼工艺改进提供有效手段。

因此,激光诱导击穿光谱法(LIBS)的在线分析系统在冶金行业生产中不仅具有经济效益,还同样具有重要的战略意义。

到目前为止国内外公开的信息中可查询到块状固体原子光谱分析标准有:中国人民共和国国家标准GB/T 14203-2016《火花放电原子发射光谱分析法通则》;GB/T 7999-2015《铝及铝合金光电直读发射光谱分析方法》;GB/T 14203-1993《钢铁及合金光电发射光谱分析法通则》;GB/T 4336-2002 《碳素钢和中低合金钢火花源原子发射光谱分析方法(常规法)》;GB/T 11170-2008《不锈钢多元素测定火花-发射光谱法》;GB 222-84 《钢的化学成分分析用试样取样法及成品化学允许偏差》;GB/T 7999-2000《铝及铝合金光电(测光法)发射光谱分析方法》;YS/T 482-2005《铜及铜合金光谱分析》等。

激光诱导击穿光谱在有色金属材料分析应用方法通则的制定目地在于针对有色金属材料分析领域,根据有色金属材料的特点,规范LIBS的术语和定义、方法原理、仪器设备、测试环境、样品、分析步骤、数据处理、试验报告和安全防护等内容,便于有色金属分析工作者之间的交流。

其意义在于为后续LIBS具体分析方法(如铝合金、铜合金、钛合金及镁合金的分析)的制定奠定坚实的基础。

目前国内外没有相应的LIBS标准,科学术语及仪器的操作具有很大的随意性,导致不同实验室之间的分析结果没有可比性,对不同实验室之间的数据比对带来一定的障碍,通过激光诱导击穿光谱在有色金属材料分析应用方法通则制定,不仅统一术语名称,而且统一仪器的操制流程,使不同实验室之间的数据具有可比性,因此该标准的制定是必要的,其意义在于推动LIBS分析技术的发展与成熟。

2、任务来源根据有色协会《关于下达2018年第二批协会标准制修订计划的通知》(中色协科字[2018]75号)的文件精神,《有色金属材料分析方法激光诱导击穿光谱应用通则》团体标准由全国有色金属标准化技术委员会负责归口,国合通用测试评价认证股份公司、山东东仪光电仪器有限公司、国标(北京)检验认证有限公司等单位负责起草,项目计划编号为2018-038-T/CNTA,项目计划完成时间为2019年12月。

2018年全国有色金属标准化技术委员会下达了《有色金属材料分析方法激光诱导击穿光谱应用通则》团体标准的起草任务,并根据计划于2018年8月21日~23日在宁夏回族自治区银川市召开了该团体标准的任务落实会。

会上决定由国合通用测试评价认证股份公司、山东东仪光电仪器有限公司负责该标准的主起草工作,由国标(北京)检验认证有限公司、苏州热工研究院有限公司、清华大学、山西大学、中国科学院合肥物质科学研究院等单位参与起草。

3、起草单位情况及任务分工3.1项目组成员单位本项目由国合通用测试评价股份公司、山东东仪光电研究院有限公司、国标(北京)检验认证有限公司、北矿检测技术有限公司、苏州热工研究院有限公司、清华大学、山西大学、中国科学院合肥物质科学研究院、北京协同鑫光检测技术有限公司共同完成。

3.2 起草单位简介3.2.1 国合通用测试评价认证股份公司国合通用测试评价认证股份公司于2017年8月17日成立,注册资金5亿元,其实际控制人为有研科技集团有限公司,是我国有色金属行业规模最大的综合性研究开发机构之一。

公司自成立以来,承担着“国家新材料测试评价平台-主中心”建设项目,积极整合完善现有测试评价、设计应用、大数据等平台资源,逐步形成立足北京、布点全国、服务全行业的国家新材料测试评价平台。

3.2.2 山东东仪光电仪器有限公司3.2.3 国标(北京)检验认证有限公司国标(北京)检验认证有限公司作为国合通用测试评价认证股份公司的全资子公司,前身是北京有色金属研究总院分析测试技术研究所,是国家有色金属行业最知名的第三方检验机构。

国标(北京)检验认证有限公司运营管理着国家有色金属及电子材料分析测试中心和国家有色金属质量监督检验中心,拥有一支基础理论扎实、实践经验丰富的研究和服务队伍,自2004年至今共承担了国家科技支撑计划、国家863计划、国家自然科学基金、军工配套等省部级科技项目40余项;曾获国家科技进步奖6项,国家发明奖3项,省部级科技进步一等奖10项,二、三等奖107项;近5年获得国家发明专利20余项;负责和参加起草制订分析方法国家标准、行业标准300余项;国家标准物质/标准样品120个,在国内外科技期刊上发表论文800余篇,撰写论著22部。

3.2.4 北矿检测技术有限公司3.2.5 苏州热工研究院有限公司3.2.6 清华大学3.2.7 山西大学3.2.8 中国科学院合肥物质科学研究院3.2.9 北京协同鑫光检测技术有限公司北京协同鑫光检测技术有限公司是由北京协同创新研究院发起设立的高新技术企业。

公司依托于北京大学、山西大学等院校的优秀学术平台,利用高校的优势科研力量以及数十年的技术积累,致力于将现代工程、机械、物理、自动化、材料等相关联学科与相关领域的新技术成果转化转移并集成到工业领域,发展高水平的工业系统集成创新,从而全面促进我国煤炭以及矿石检测工业领域的现代化与国际化。

3.3 工作分工根据任务落实会精神,本标准由国合通用测试评价认证股份公司和山东东仪光电仪器有限公司负责完成标准文本的撰写,征求意见后形成最终的讨论稿。

由北矿检测技术有限公司、苏州热工研究院有限公司、清华大学、山西大学、中国科学院合肥物质科学研究院、北京协同鑫光检测技术有限公司对标准文本进行补充、修改和完善(见表1)。

表1 起草单位、起草人及其任务分工二、标准编制过程1、标准编制原则1.1 符合性:本标准严格按照GB/T 1.1-2009《标准化工作导则第1部分:标准的结构和编写》;同时充分考虑了国家法律、安全、卫生、环保法规的要求。

1.2 适用性:本标准根据有色金属材料即分析检测的特点,规范了LIBS的术语和定义、方法原理、仪器设备、测试环境、样品、分析步骤、数据处理、试验报告和安全防护等内容,以便于指导分析工作者采用LIBS法对有色金属材料及其产品进行分析。

2、主要工作过程2.1 前期调研2018年5月~7月,国合通测和山东东仪组织技术人员开展激光诱导击穿光谱国内外相关标准、文献的调研;同时走访有色金属生产企业、检测机构及LIBS研发和生产厂商,了解需求,。

2.2 任务落实会2018年8月21日~23日全国有色金属标准化技术委员会在宁夏回族自治区银川市召开了全国有色金属标准工作会议,会上对《有色金属材料分析方法激光诱导击穿光谱应用通则》团体标准进行了任务落实,由国合通用测试评价认证股份公司(以下简称“国合通测”)、山东东仪光电仪器有限公司(以下简称“山东东仪”)负责该标准的主起草工作,由北矿检测技术有限公司、苏州热工研究院有限公司、清华大学、山西大学、中国科学院合肥物质科学研究院、北京协同鑫光检测技术有限公司等单位协助起草。

同时确定了制订计划、时间节点等事项,并形成了任务落实会的会议纪要。

2.3 第一次讨论会根据任务落实会的会议精神,国合通测和山东东仪两家单位组织骨干技术人员成立了团体标准《有色金属材料分析方法激光诱导击穿光谱应用通则》的编制组,明确了该标准的框架结构、编制内容、任务分工和进度安排。

2018年9月~2019年6月本编制组在大量标准、文献调研及实地走访的基础上开展本标准的编制工作,并形成标准讨论稿。

2019年7月23日~25日全国有色金属标准化技术委员会在云南省深大理市组织召开了团体标准《有色金属材料分析方法激光诱导击穿光谱应用通则》讨论会。

来自国合通用测试评价认证股份公司、山东东仪光电仪器有限公司、国标(北京)检验认证有限公司、北矿检测技术有限公司等起草单位以及来自其他有色金属生产和应用企业、高等院校、第三方检测机构的专家对该标准的讨论稿进行了仔细、认真的讨论,并提出了修改意见和建议。

经过激烈讨论,与会专家一致认为应进一步完善标准文本,不能简单地介绍LIBS的工作原理、仪器组成等普遍适用的概念性的内容呢,应充分结合有色金属行业的特点,建议增加针对有色金属样品分析时的“取样和制样”、“样品前处理”等步骤和内容,同时应更广泛地在有色金属行业范围内征求意见。

2.3 第二次讨论会2.4 标准预审会三标准水平分析本标准在制定过程中,充分考虑了现阶段激光诱导击穿光谱技术发展和国家标准编写规范要求,通则内容都结合了本领域仪器和技术新的发展状况。

本标准规定了激光诱导击穿光谱分析方法,内容涉及应用范围、术语与定义(韧制辐射、双脉冲、时间分辨光谱、Rayleigh范围、预剥蚀脉冲个数、积分脉冲个数、内标元素、内标线、基体效应、基线、标准化、标准化样品、控制样品、类型标准化、积分时间、延迟时间、波长校准)、基本原理、仪器设备(系统组成、激光光源系统、聚焦光路系统、等离子体辐射收集系统、光谱仪)、样品制备、试验步骤(LIBS系统准备、开机预热、参数设置、标准曲线标准化、光谱采集)、试验数据处理(定性分析、定量分析、基线(背景)校正、滤噪、寻峰、谱线拟合、标准曲线建立)和安全防护。

目前,国外尚没有相对应的国际(家)标准,因此本标准水平为国际先进水平。

目前国外无激光诱导击穿光谱的相关标准,现有国内激光诱导击穿光谱标准如下:T/CSTM 00011-2017 激光诱导击穿光谱原位统计分布分析方法通则T/CSTM 00012-2017 钢铁多元素成分及状态分布表征激光诱导击穿原位统计分布分析方法四、与现行相关法律、法规、规章及相关标准,特别是强制性标准的协调性本标准所引用的标准全部是我国现行有效的国家标准或行业标准,是本标准的一部分,引用这些标准后,使本标准的要求与现行的相关法律、法规、规章及相关标准的关系不矛盾、不冲突,其相互关系非常协调。

五、标准中涉及的专利或知识产权说明本标准不涉及任何专利或知识产权。

六、重大分歧意见的处理经过和依据(无)七、标准作为强制性或推荐性国家标准的建议本标准建议不作为强制性标准,而建议作为推荐性标准。

八、贯彻标准的要求和措施建议本标准适用于制(修)订激光诱导击穿光谱应用方法的国家标准、行业标准、团体标准、企业标准。

本标准发布后,有色金属行业协会和全国有色金属标准化技术委员会应及时组织本标准的宣贯,推荐相关单位在制修订此领域标准时,参照本标准执行。

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