实用新型专利申请书(集成电路)
实用新型专利申请书(集成电路)
名称：一种同时匹配的低噪声放大器说明书摘要本实用新型公开了一种同时匹配的低噪声放大器(Low Noise Amplifier-LNA)，特别涉及一种应用在集成电路(Integrated Circuit)设计中的同时匹配的低噪声放大器。
本实用新型首先通过一个源简并电感(Source Degeneration Inductance)串联在MOS 晶体管的源极以提供串联负反馈效应，使得MOS 管栅极的输入阻抗in Z 和噪声最优源阻抗opt Z 满足*in opt Z Z ；然后利用一个L 型输入匹配网络，将MOS 管的栅极匹配到信号源，从而使得本低噪声放大器的输入级同时实现了噪声匹配和功率增益匹配，不仅能够达到低噪声放大器的最小噪声系数min NF ，而且实现了功率的最大传输；最后利用一个L 型输出匹配网络，实现MOS 管的漏极与负载之间的匹配。
本实用新型能够利用功耗约束噪声优化技术(Power-Constrained Noise Optimization Technique)选择MOS 管M1的适当尺寸，在功耗约束条件下实现低噪声放大器输入端的同时匹配。
摘要附图权利要求书1、一种同时匹配的低噪声放大器，其特征在于，用集成电路(Integrated Circuit)工艺实现，即将有源和无源元器件制作在同一块半导体基片上来实现低噪声放大器的设计，并且在输入级能够同时实现噪声匹配和功率匹配设计。
2、如权利要求1所述的一种同时匹配的低噪声放大器，其特征在于，包括：MOS 晶体管M1作为放大器件按照共源结构连接；源简并电感s L (Source Degeneration Inductance)连接在MOS 管的源极和地电位之间，其提供的串联负反馈效应使MOS 管栅极的输入阻抗等于或近似等于噪声最优源阻抗的共轭；电容1C 和电感1L 组成一个L 型输入匹配网络，其中一端与MOS 管栅极相连，另一端通过隔直电容c C 与信号源连接；电容2C 和电感d L 组成一个L 型输出匹配网络，其中一端与MOS 管漏极相连，另一端与负载连接；限流电阻d R 一端于电源dd V 相连，另一端与d L 相连；一个电流镜电路由晶体管M2、电阻器1R 和2R 组成，M2的栅极和漏极相连，源极接地电位，1R 的一端与电源Vdd 相连，另一端与M2的漏极相连，2R 的一端与M2的栅极相连，另一端连接在c C 和1L 的公共连接点上。
集成电路可以申请专利
集成电路可以申请专利集成电路可以申请什么专利?集成电路是一种微型电子器件或部件，通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路。
集成电路属于技术，可以申请的专利有发明专利和实用新型专利。
集成电路专利都有哪些呢?小编给大家推荐一些集成电路专利，以供参考。
201820***99357一种防爆外***电子器件散热装置2018200***9158一种集成电***测试省力装置2 018200***111X一种集成电路***分类机的测试头20182***799323一种集成电路测***选机的分粒机构20182007***39一种模块式电子器***的退出机构201820***96111一种用于集成电***测试的边界扫描测试装置2018***896145一种数字集成***路测试适配器2018***908316一种用于集成电***测试基板2018200***015一种防粘料吹气式***电路测试治具201820***10943一种集成电路***试接口装置20182008***569一种信号及***浦激光混合集成器件20182***08320一种新型功率***导体集成器件20182***96588一种耐高温***子器件元件集成电路申请专利联系编辑微信：LunwenFz2018200***9032一种垂直导***成电子器件20182***91124一种集成电***试模组20182007***139一种集成电路测***装置201820***9802X一种带自检功能的集***电路测试板2018200***9342一种基于高档微处理器为图***发生器的集成***路测试装置集成电路专利对我国经济发展的贡献和作用：集成电路制造技术代表着当今世界微细制造的最高水平，集成电路产业已成为影响社会、经济和国防的安全保障与综合竞争力的战略性产业。
没有集成电路产业支撑，信息社会就失去了根基，集成电路因此被喻为现代工业的‘粮食’。
十三五”将重点支持7-5纳米工艺和三维存储器等国际先进技术的研发，支持中国企业在全球产业链中拥有核心竞争力，实现产业自主发展，形成特色优势。
申请专利申请书
篇一：手把手教你写专利申请书手把手教你写专利申请书·如何申请专利如何写好专利申请？由于很多专利申请人都是第一次申请，因此，可能有一种神秘和些许恐惧。
本文写的是如何写专利申请书，手把手教你写专利申请并提供申请专利时的注意事项，相关参考并有相关专利申请书样本可供下载。
希望对你有用，如果可以让你少走点弯路，节省点时间，就达到我写此博文的目的了。
前两天在忙一份专利申请书。
昨天刚好递交了上去，经过这几天的琢磨，也悟出一点点心得。
把它共享出来，希望对有这方面需要的人一点帮助。
如何才写好专利申请，并在申请中一炮打响？你必须有一个好的创意，一个值得申请专利的项目或创意。
这里讲的“值得申请”就是有一定的前瞻性，可执行性，而且，必须要有一定的市场价值。
没有市场价值，不被社会认可的专利，永远只能是雾里看花，水中捞月。
毕竟我们申请专利的目的是为了保护自身的权利，如果这个权利现在、将来都无法为你产生收益，申请它还有什么意义呢？——当然，如果你的money较多，加上你的创意够新，即使没有一定的市场价值，也可以提交申请。
至于最后白白向专利局送专利申请、维护的money，我就不管了——或许“有钱人”才乐意这么做。
还有一点，需要是他人还没有在专利局注册与你相同或相似的创意才行（好东西可能不仅仅只有你一个人想到哟）。
如果你这些都没问题，好，那我们就开始吧。
（一）申请前的准备工作。
首先，你必须进行专利申请前的准备工作。
先上国家知识产权局的网站1、申请前查询。
且慢！刚刚所说的这些仅仅是外国的，还有中国的哩，是不是已有聪明的中国人和你的创意一样并且捷足先登了呢？好，你需要在这里检索一下2、其他方面的考虑：（1）确定你要申请的专利类型。
是发明专利，实用新型专利还是外观设计专利？如果是集成电路，就申请集成电路布图设计专利（2001年10月1日起新增）。
（2）确定是否需要专利代理。
根据你自己的需要吧，如果你想挑战性地试写一下专利申请书，那么就自己动手（我建议你这么做）。
规范知识产权申请书模板(3篇)
第1篇一、封面【知识产权申请书】申请单位（个人）：____________________地址：________________________________联系电话：__________________________电子邮箱：__________________________申请人：__________________________联系电话：__________________________电子邮箱：__________________________申请日期：__________________________二、申请事项1. 申请类型：__________________________（1）发明专利申请（2）实用新型专利申请（3）外观设计专利申请（4）植物新品种权申请（5）集成电路布图设计登记申请（6）软件著作权登记申请（7）其他知识产权申请2. 申请目的：__________________________三、申请内容1. 发明名称：__________________________2. 发明人：__________________________3. 技术领域：__________________________4. 背景技术：__________________________5. 技术方案：（1）技术方案概述（2）技术方案的具体实施方式（3）技术方案的效果6. 实用新型专利申请：（1）名称：__________________________（2）设计人：__________________________（3）技术领域：__________________________（4）设计内容：（5）设计效果7. 外观设计专利申请：（1）名称：__________________________（2）设计人：__________________________（3）技术领域：__________________________（4）设计内容：（5）设计效果8. 植物新品种权申请：（1）品种名称：__________________________（2）培育人：__________________________（3）品种类型：__________________________（4）品种特征：__________________________（5）品种用途：__________________________9. 集成电路布图设计登记申请：（1）名称：__________________________（2）设计人：__________________________（3）技术领域：__________________________（4）布图设计内容：（5）布图设计效果10. 软件著作权登记申请：（1）软件名称：__________________________（2）软件版本：__________________________（3）软件设计人：__________________________（4）软件功能描述：__________________________（5）软件技术特点：__________________________ 11. 其他知识产权申请：（1）申请事项：__________________________（2）具体内容：__________________________四、权利要求书1. 发明专利申请：（1）独立权利要求：__________________________（2）从属权利要求：__________________________ 2. 实用新型专利申请：（1）独立权利要求：__________________________（2）从属权利要求：__________________________3. 外观设计专利申请：（1）独立权利要求：__________________________（2）从属权利要求：__________________________4. 植物新品种权申请：（1）品种权要求：__________________________（2）品种权权利要求：__________________________5. 集成电路布图设计登记申请：（1）布图设计权要求：__________________________（2）布图设计权权利要求：__________________________ 6. 软件著作权登记申请：（1）软件著作权要求：__________________________（2）软件著作权权利要求：__________________________ 7. 其他知识产权申请：（1）权利要求：__________________________（2）权利要求书：__________________________五、说明书1. 发明专利申请：（1）技术领域（2）背景技术（3）发明内容（4）附图说明（5）具体实施方式2. 实用新型专利申请：（1）技术领域（2）背景技术（3）技术方案（4）附图说明（5）具体实施方式3. 外观设计专利申请：（1）技术领域（2）设计内容（3）附图说明（4）具体实施方式4. 植物新品种权申请：（1）品种名称（2）培育人（3）品种类型（4）品种特征（5）品种用途5. 集成电路布图设计登记申请：（1）名称（2）设计人（3）技术领域（4）布图设计内容（5）布图设计效果6. 软件著作权登记申请：（1）软件名称（2）软件版本（3）软件设计人（4）软件功能描述（5）软件技术特点7. 其他知识产权申请：（1）申请事项（2）具体内容六、附图1. 发明专利申请：（1）附图1（2）附图2（3）附图32. 实用新型专利申请：（1）附图1（2）附图2（3）附图33. 外观设计专利申请：（1）附图1（2）附图2（3）附图34. 植物新品种权申请：（1）品种名称（2）品种特征5. 集成电路布图设计登记申请：（1）名称（2）布图设计内容6. 软件著作权登记申请：（1）软件名称（2）软件功能描述7. 其他知识产权申请：（1）申请事项（2）具体内容七、证明文件1. 发明专利申请：（1）专利申请人的身份证明（2）发明人的身份证明（3）专利代理机构的证明（4）专利代理人的证明2. 实用新型专利申请：（1）专利申请人的身份证明（2）发明人的身份证明（3）专利代理机构的证明（4）专利代理人的证明3. 外观设计专利申请：（1）专利申请人的身份证明（2）发明人的身份证明（3）专利代理机构的证明（4）专利代理人的证明4. 植物新品种权申请：（1）专利申请人的身份证明（2）培育人的身份证明（3）专利代理机构的证明（4）专利代理人的证明5. 集成电路布图设计登记申请：（1）专利申请人的身份证明（2）设计人的身份证明（3）专利代理机构的证明（4）专利代理人的证明6. 软件著作权登记申请：（1）专利申请人的身份证明（2）软件设计人的身份证明（3）专利代理机构的证明（4）专利代理人的证明7. 其他知识产权申请：（1）专利申请人的身份证明（2）发明人的身份证明（3）专利代理机构的证明（4）专利代理人的证明八、费用清单1. 发明专利申请费用：（1）申请费（2）审查费（3）公告费2. 实用新型专利申请费用：（1）申请费（2）审查费（3）公告费3. 外观设计专利申请费用：（1）申请费（2）审查费（3）公告费4. 植物新品种权申请费用：（1）申请费（2）审查费（3）公告费5. 集成电路布图设计登记申请费用：（1）申请费（2）审查费（3）公告费6. 软件著作权登记申请费用：（1）申请费（2）审查费（3）公告费7. 其他知识产权申请费用：（1）申请费（2）审查费（3）公告费九、其他事项1. 申请人承诺：（1）申请人保证所提交的申请文件真实、准确、完整。
最新最标准实用新型专利申请书示例
实用新型（撰写范例）权利要求书1．一种试电笔，在绝缘外壳中，测试触头、限流电阻、氖管和手触电极顺序电连接，其特征是：测试触头与一个分流电阻一端电连接，分流电阻另一端与一个人体可接触的识别电极电连接。
[此为独立权利要求。
独立权利要求应从整体上反映实用新型的技术方案，记载解决的技术问题的必要技术特征。
独立权利要求应包括前序部分和特征部分。
前序部分，写明要求保护的实用新型技术方案的主题名称及与其最接近的现有技术共有的必要技术特征。
特征部分使用“其特征是”用语，写明实用新型区别于最接近的现有技术的技术特征，即实用新型为解决技术问题所不可缺少的技术特征。
独立权利要求确定了一个相对大的保护范围。
]2．根据权利要求1所述的试电笔，其特征是：分流电阻与限流电阻是一个一体的同心电阻，同心电阻中间圆柱部分为限流电阻，其外部圆管部分为分流电阻，圆柱部分高于圆管部分；识别电极为环状弹性金属片，其边缘向中心伸出的接触爪卡住圆管状分流电阻外表面，其外边缘伸出并附于绝缘外壳外表面。
3．根据权利要求1所述的试电笔，其特征是分流电阻与限流电阻平行设置，其间为绝缘隔离层。
[从属权利要求（此例中权利要求2、3为从属权利要求）应当用附加的技术特征，对所引用的权利要求作进一步的限定。
主张的是相对较小的技术保护方案。
这样分层次、逐级的撰写有利于对该专利技术的保护。
][权利要求书应使用与说明书一致或相似语句，从技术的角度正面简洁、明了地写明要求保护的实用新型的形状、构造特征，如：机械产品应描述主要零部件及其整体结构关系；涉及电路的产品，应描述电路的连接关系；机电结合的产品还应写明电路与机械部分的结合关系；涉及分布参数的申请，应写明元器件的相互位置关系；涉及集成电路，应清楚公开集成电路的型号、功能等。
应使用确定的技术用语，不得使用技术概念模糊的语句，如“等”、“大约”、“左右”……。
每一项权利要求应由一句话构成，只允许在该项权利要求的结尾使用句号。
实用新型专利申请书
实用新型专利申请书【篇一：实用新型专利申请范本(官方版)】专利申请范本我国的专利的种类有三种：外观设计、实用新型和发明专利。
这三种专利的撰写基本相同，包括专利说明书，说明书附图，专利要求书，和专利摘要四个部分。
以下是一种试电笔实用新型的撰写示例：试电笔*[实用新型名称应简明、准确地表明实用新型专利请求保护的主题。
名称中不应含有非技术性词语，不得使用商标、型号、人名、地名或商品名称等。
名称应与请求书中的名称完全一致，不得超过25个字，应写在说明书首页正文部分的上方居中位置。
][依据专利法第二十六条第三款及专利法实施细则第十八条的规定，说明书应对实用新型作出清楚、完整的说明，使所属技术领域的技术人员，不需要创造性的劳动就能够再现实用新型的技术方案，解决其技术问题，并产生预期的技术效果。
说明书应按以下五个部分顺序撰写：所属技术领域；背景技术；发明内容；附图说明；具体实施方式；并在每一部分前面写明标题。
]所属技术领域本实用新型涉及一种指示电压存在的试电装置，尤其是能识别安全和危险电压的试电笔。
[所属技术领域：应指出本实用新型技术方案所属或直接应用的技术领域。
]背景技术目前，公知的试电笔构造是由测试触头、限流电阻、氖管、金属弹簧和手触电极串联而成。
将测试触头与被测物接触，人手接触手触电极，当被测物相对大地具有较高电压时，氖管启辉，表示被测物带电。
但是，很多电器的金属外壳不带有对人体有危险的触电电压，仅表示分布电容和/或正常的电阻感应产生电势，使氖管启辉。
一般试电笔不能区分有危险的触电电压和无危险的感应电势，给检测漏电造成困难，容易造成错误判断。
[背景技术：是指对实用新型的理解、检索、审查有用的技术，可以引证反映这些背景技术的文件。
背景技术是对最接近的现有技术的说明，它是作出实用技术新型技术方案的基础。
此外，还要客观地指出背景技术中存在的问题和缺点，引证文献、资料的，应写明其出处。
]发明内容[发明内容：应包括实用新型所要解决的技术问题、解决其技术问题所采用的技术方案及其有益效果。
专利申请书说明书范文
说明书试电笔*[实用新型名称应简明、准确地表明实用新型专利请求保护的主题。
名称中不应含有非技术性词语，不得使用商标、型号、人名、地名或商品名称等。
名称应与请求书中的名称完全一致，不得超过25个字，应写在说明书首页正文部分的上方居中位置。
][依据专利法第二十六条第三款及专利法实施细则第十八条的规定，说明书应对实用新型作出清楚、完整的说明，使所属技术领域的技术人员，不需要创造性的劳动就能够再现实用新型的技术方案，解决其技术问题，并产生预期的技术效果。
说明书应按以下五个部分顺序撰写：所属技术领域；背景技术；发明内容；附图说明；具体实施方式；并在每一部分前面写明标题。
]所属技术领域本实用新型涉及一种指示电压存在的试电装置，尤其是能识别安全和危险电压的试电笔。
[所属技术领域：应指出本实用新型技术方案所属或直接应用的技术领域。
]背景技术目前，公知的试电笔构造是由测试触头、限流电阻、氖管、金属弹簧和手触电极串联而成。
将测试触头与被测物接触，人手接触手触电极，当被测物相对大地具有较高电压时，氖管启辉，表示被测物带电。
但是，很多电器的金属外壳不带有对人体有危险的触电电压，仅表示分布电容和/或正常的电阻感应产生电势，使氖管启辉。
一般试电笔不能区分有危险的触电电压和无危险的感应电势，给检测漏电造成困难，容易造成错误判断。
[背景技术：是指对实用新型的理解、检索、审查有用的技术，可以引证反映这些背景技术的文件。
背景技术是对最接近的现有技术的说明，它是作出实用技术新型技术方案的基础。
此外，还要客观地指出背景技术中存在的问题和缺点，引证文献、资料的，应写明其出处。
]发明内容[发明内容：应包括实用新型所要解决的技术问题、解决其技术问题所采用的技术方案及其有益效果。
]为了克服现有的试电笔不能区分有危险的触电电压和无危险的感应电势的不足, 本实用新型提供一种试电笔，该试电笔不仅能测出被测物是否带电，而且能方便地区分是危险的触电电压还是无危险的感应电势。
(完整版)专利撰写模板
一、说明书摘要本发明(实用新型）公开/涉及了一种XXX简要写明发明（实用新型)的名称、技术方案的要点以及主要用途,尤其是写明发明内容主要的技术特征（机械构造和/或电连接关系)，获得的有益效果.注意：字数不超过300字。
二、摘要附图指定一幅最能从整体上反映本发明的图。
示范性举例：三、权利要求书权利要求书由一组权利要求（权项)组成，一份权利要求书至少有一项权利要求,权利要求中所描述技术特征的总和是该发明的技术方案。
权利要求书应当以说明书为依据，说明要求保护的范围。
权利要求书应使用与说明书一致或相似语句,从正面简洁、明了地写明要求保护的实用新型的形状、构造特征，如：机械产品应描述主要零部件及其整体结构关系;涉及电路的产品，应描述电路的连接关系；机电结合的产品还应写明电路与机械部分的结合关系；涉及分布参数的申请，应写明元器件的相互位置关系；涉及集成电路，应清楚公开集成电路的型号、功能等。
权利要求应尽量避免使用功能或者用途来限定实用新型；不得写入方法、用途及不属于实用新型专利保护的内容；应使用确定的技术用语，不得使用技术概念模糊的语句，如“等”、“大约”、“左右”……；不应使用“如说明书……所述”或“如图……所示”等用语.权利要求书中使用的科技术语应当与说明书中使用的一致，可以有化学式或数学式,必要时可以有表格，但不得有插图。
不得使用“如说明书……部分所述”或者“如图……所示”等用语。
1、一种（主题名称)，其特征在于：（其特征是：）。
（独立权利要求:前序部分+特征部分，前序部分=本发明主题名称+与现有(或接近）技术共有的必要技术特征【必要：是指缺少了就不能够解决技术问题】，特征部分=区别于现有现有技术的必要特征）2、根据权利要求1所述的（主题名称），其特征在于：。
(从属权利要求：引用部分+特征部分,对引用的权利要求作进一步要求）权利要求书由一组权利要求（权项）组成，一份权利要求书至少有一项权利要求，权利要求中所描述技术特征的总和是该发明的技术方案。
知识产权登记申请书
知识产权登记申请书致：国家知识产权局申请人：（请填写申请人名称）申请人地址：（请填写申请人地址）邮政编码：（请填写邮政编码）联系人：（请填写联系人姓名）电话：（请填写联系电话）Email：（请填写联系邮箱）一、申请人基本信息（请根据实际情况填写以下信息）1. 申请人名称：（请填写申请人名称）2. 法定代表人/负责人：（请填写法定代表人或负责人姓名）3. 申请人注册地址：（请填写申请人注册地址）4. 统一社会信用代码/注册号：（请填写申请人统一社会信用代码或注册号）5. 申请人类型：（请在以下选项中选择一项并填写）- 企业- 个体工商户- 组织机构- 个人其他，请具体说明：（请填写具体说明）二、申请内容（请根据实际情况填写以下信息）1. 被申请的知识产权类型：（请在以下选项中选择一项并填写） - 商标- 版权- 发明专利- 实用新型专利- 外观设计专利- 集成电路布图设计专有权- 植物新品种- 种子新品种及传统优势品种- 地理标志- 商业秘密- 计算机软件著作权- 音像制品著作权- 网络作品著作权- 其他，请具体说明：（请填写具体说明）2. 受理号/申请号：（请填写受理号或申请号，如适用）3. 申请日：（请填写申请日，如适用）三、申请附件请将以下申请附件连同此申请书一同递交：（请根据实际情况选择适用的附件，并补充填写相关信息）1. 商标专项申请：- 商标图样/文字（请提供商标图样或文字）- 代理委托书（请提供代理委托书，如适用）2. 版权专项申请：- 著作权登记申请表（请提供著作权登记申请表）- 原创作品（请提供原创作品的复印件）- 作品创作说明（请提供作品的创作说明）3. 发明专利、实用新型专利、外观设计专利、集成电路布图设计专有权、植物新品种等申请：- 专利/新品种申请书（请提供专利/新品种申请书）- 技术说明书/图片（请提供相应的技术说明书或图片）4. 地理标志专项申请：- 地理标志申请书（请提供地理标志的申请书）- 相关证明材料（请提供相关证明材料）5. 商业秘密申请：- 商业秘密保护申请书（请提供商业秘密保护申请书） - 商业秘密概要（请提供商业秘密的概要说明）6. 计算机软件著作权申请：- 著作权登记申请表（请提供著作权登记申请表）- 软件源代码（请提供软件源代码的复印件）7. 音像制品著作权申请：- 著作权登记申请表（请提供著作权登记申请表）- 录音/录像作品（请提供录音或录像作品的复印件）8. 网络作品著作权申请：- 著作权登记申请表（请提供著作权登记申请表）- 网络作品（请提供网络作品的复印件）四、声明与签名本人声明：我保证提供的申请信息和申请附件是真实、准确、完整和合法的。
集成电路布图结构[实用新型专利]
![集成电路布图结构[实用新型专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/96270ecec9d376eeaeaad1f34693daef5ef71317.png)
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201821363910.6(22)申请日 2018.08.23(73)专利权人 湖南格兰德芯微电子有限公司地址 412000 湖南省株洲市天元区中达路9号企业会所四楼(72)发明人 赵奂 (74)专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211代理人 焦天雷(51)Int.Cl.H01L 27/02(2006.01)H01L 23/528(2006.01)H01L 23/532(2006.01)H01L 23/373(2006.01)(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利(54)实用新型名称集成电路布图结构(57)摘要本实用新型公开了一种集成电路布图结构，包括传导半导体器件和被传导半导体器件，传导半导体器件的至少一层金属层向被传导半导体器件延伸插入或覆盖被传导半导体器件的至少一层金属层，传导半导体器件延伸金属层是传导金属层，被传导半导体器件被插入金属层或被覆盖金属层是被传导金属层，该传导金属层与传导半导体器件其他金属层通过接触孔连接，该传导金属层与被传导半导体器件无接触。
本实用新型的布图结构能在满足集成电路布图最小物理规则前提下，使相邻半导体器件满足温度耦合或感应要求。
权利要求书1页 说明书4页 附图3页CN 208753317 U 2019.04.16C N 208753317U1.一种集成电路布图结构，包括传导半导体器件和被传导半导体器件，其特征在于：传导半导体器件的至少一层金属层向被传导半导体器件延伸插入或覆盖被传导半导体器件的至少一层金属层，传导半导体器件延伸金属层是传导金属层，被传导半导体器件被插入金属层或被覆盖金属层是被传导金属层，该传导金属层与传导半导体器件其他金属层通过接触孔连接，该传导金属层与被传导半导体器件无接触。
2.如权利要求1所述的集成电路布图结构，其特征在于：传导金属层设置在传导半导体器件第m金属层，被传导金属层设置在被传导半导体的第n层金属层，m≥1，n≥1。
实用新型专利申请范本(官方版)
专利申请范本我国的专利的种类有三种：外观设计、实用新型和发明专利。
这三种专利的撰写基本相同，包括专利说明书，说明书附图，专利要求书，和专利摘要四个部分。
以下是一种试电笔实用新型的撰写示例：试电笔*[实用新型名称应简明、准确地表明实用新型专利请求保护的主题。
名称中不应含有非技术性词语，不得使用商标、型号、人名、地名或商品名称等。
名称应与请求书中的名称完全一致，不得超过25个字，应写在说明书首页正文部分的上方居中位置。
][依据专利法第二十六条第三款及专利法实施细则第十八条的规定，说明书应对实用新型作出清楚、完整的说明，使所属技术领域的技术人员，不需要创造性的劳动就能够再现实用新型的技术方案，解决其技术问题，并产生预期的技术效果。
说明书应按以下五个部分顺序撰写：所属技术领域；背景技术；发明内容；附图说明；具体实施方式；并在每一部分前面写明标题。
]所属技术领域本实用新型涉及一种指示电压存在的试电装置，尤其是能识别安全和危险电压的试电笔。
[所属技术领域：应指出本实用新型技术方案所属或直接应用的技术领域。
]背景技术目前，公知的试电笔构造是由测试触头、限流电阻、氖管、金属弹簧和手触电极串联而成。
将测试触头与被测物接触，人手接触手触电极，当被测物相对大地具有较高电压时，氖管启辉，表示被测物带电。
但是，很多电器的金属外壳不带有对人体有危险的触电电压，仅表示分布电容和/或正常的电阻感应产生电势，使氖管启辉。
一般试电笔不能区分有危险的触电电压和无危险的感应电势，给检测漏电造成困难，容易造成错误判断。
[背景技术：是指对实用新型的理解、检索、审查有用的技术，可以引证反映这些背景技术的文件。
背景技术是对最接近的现有技术的说明，它是作出实用技术新型技术方案的基础。
此外，还要客观地指出背景技术中存在的问题和缺点，引证文献、资料的，应写明其出处。
]发明内容[发明内容：应包括实用新型所要解决的技术问题、解决其技术问题所采用的技术方案及其有益效果。
实用新型申请撰写示例(说明书)
说明书（撰写示例）试电笔*[实用新型名称应简明、准确地表明实用新型专利请求保护的主题。
名称中不应含有非技术性词语，不得使用商标、型号、人名、地名或商品名称等。
名称应与请求书中的名称完全一致，不得超过25个字，应写在说明书首页正文部分的上方居中位臵。
][依据专利法第二十六条第三款及专利法实施细则第十八条的规定，说明书应对实用新型作出清楚、完整的说明，使所属技术领域的技术人员，不需要创造性的劳动就能够再现实用新型的技术方案，解决其技术问题，并产生预期的技术效果。
说明书应按以下五个部分顺序撰写：所属技术领域；背景技术；发明内容；附图说明；具体实施方式；并在每一部分前面写明标题。
]所属技术领域本实用新型涉及一种指示电压存在的试电装置，尤其是能识别安全和危险电压的试电笔。
[所属技术领域：应指出本实用新型技术方案所属或直接应用的技术领域。
]背景技术目前，公知的试电笔构造是由测试触头、限流电阻、氖管、金属弹簧和手触电极串联而成。
将测试触头与被测物接触，人手接触手触电极，当被测物相对大地具有较高电压时，氖管启辉，表示被测物带电。
但是，很多电器的金属外壳不带有对人体有危险的触电电压，仅表示分布电容和/或正常的电阻感应产生电势，使氖管启辉。
一般试电笔不能区分有危险的触电电压和无危险的感应电势，给检测漏电造成困难，容易造成错误判断。
[背景技术：是指对实用新型的理解、检索、审查有用的技术，可以引证反映这些背景技术的文件。
背景技术是对最接近的现有技术的说明，它是作出实用技术新型技术方案的基础。
此外，还要客观地指出背景技术中存在的问题和缺点，引证文献、资料的，应写明其出处。
]发明内容[发明内容：应包括实用新型所要解决的技术问题、解决其技术问题所采用的技术方案及其有益效果。
] 为了克服现有的试电笔不能区分有危险的触电电压和无危险的感应电势的不足, 本实用新型提供一种试电笔，该试电笔不仅能测出被测物是否带电，而且能方便地区分是危险的触电电压还是无危险的感应电势。
深圳市集成电路专项资助计划IP资助项目申请书(示例)
高新技术子领域： 微电子技术深圳市集成电路专项资助计划IP 项目申请书申请单位深圳市XXXX 有限公司单位负责人：理二 _____________________ 单位联系人：三 单位网址：www.xxx×x×深圳市科技创新委员会制二。
二。
年一月项目受理号: 项目受理时间:高新技术领域：电子信息〈盖章入移动电话：135****1111移动电话：136****0000申请日期：2023年7月10日承诺书本单位（人）承诺遵守《深圳市科技计划项目管理办法》、《深圳市科技研发资金管理办法》等规定以及填表说明等相关文件要求，并自愿作出以下声明：1、本单位（人）对本申请材料的合法性、真实性、准确性和完整性负责。
如有虚假，本单位依法承担相应的法律责任。
2、本单位（人）同意将本申请材料向依法审批工作人员和评审专家公开，对依法审批或者评审过程中泄露的信息，深圳市科技创新委员会免予承担责任。
3、本单位（人）承诺所申请验收的项目无知识产权争议。
4、本单位确保审计报告真实有效，并承担审计过失造成资金损失无法追回所应承担的连带责任。
5、本单位（人）承诺在参与科技计划项目申报、评审和实施全过程中，恪守职业规范和科学道德，遵守评审规则和工作纪律。
不采取弄虚作假等不正当手段骗取科技计划项目、科研经费以及奖励等；不以任何形式探听尚未公开的评审信息；不以任何形式干扰项目评审工作；不向深圳市科技创新委员会及其委托的专业服务机构工作人员、项目评审专家及特定利益方等进行利益输送。
如有违反，本单位（人）愿接受相关部门做出的各项处理决定，包括但不限于取消一定期限科技计划项目申报资格，记入科研诚信异常名录等。
6、本申请材料仅为深圳市科技计划项目申请及验收制作并已自行备份,不再要求深圳市科技创新委员会予以退还。
特此承诺。
法定代表人（或者被委托人）/个人签字：办公电话：移动电话：（单位需加盖公章，被委托人签字的提交法定代表人授权委托书）一、单位基本情况单位银行开户信息：（下达资助金额使用）招商银行深圳高新区支行以上为PDF 打印表单，国家省市财政全部支持情况（近3年）点击“新增/修改”弹出以下窗口填写： 项目名称 XXXX 项目资助单位 市科创委 受资助年份 2018年 下达文号 深科技创新[2018]XX 号资助金额（万元）45项目负责人张三联系电话134****1111项目建设内容、规模是否完成验收及时间・完成C ）未完成项目实施年限2018 年至2023年 （未完成验收请注明原因）二、单位财务状况（企业类填报，前年和大前年财务数据系统根据历史填报情况自动获取，如为空请根据指示先切换到对应年份填写，确保历史的单位统计信息已填写并成功提交）二、单位财务状况（事业类填报，事业类填报，前年和大前年财务数据系统根据历史填报情况自动获取，如为空请根据指示先切换到对应年份填写，确保历史的单位统计信息已填写并成功提交）三、单位科研活动情况四、研发人员汇总表点击【新增】新增…塞名身份证号（•・先确认定授索的人员是否己通&本核入库.如未入座.函2行以科人M（专凉）注册，并48交相关信息.绶我爱市段AJS后再状.研发人员信息是从科研人员注册库中获取的，新增研发人员，新增子表的搜索范围为本项目所在申报单位的科研人员。
集成电路[实用新型专利]
![集成电路[实用新型专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/5a80433d28ea81c758f578e8.png)
专利名称：集成电路
专利类型：实用新型专利
发明人：A·萨拉菲亚诺斯,B·尼古拉斯,D·弗龙特申请号：CN201920133627.2
申请日：20190125
公开号：CN209542789U
公开日：
20191025
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本公开的实施例涉及集成电路。
集成电路的半导体衬底由涂层保护。
半导体包括正面和背面。
为了检测从背面对集成电路的半导体衬底的完整性的破坏，检测朝向衬底的背面的涂层的断开。
响应于此，生成警报。
通过关于半导体衬底进行电阻测量以及将所测量的电阻与半导体衬底的标称电阻值进行比较来执行检测。
申请人：意法半导体(鲁塞)公司
地址：法国鲁塞
国籍：FR
代理机构：北京市金杜律师事务所
代理人：王茂华
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电路[实用新型专利]
![电路[实用新型专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/36a0a846a517866fb84ae45c3b3567ec102ddc90.png)
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201721068768.8(22)申请日 2017.08.25(30)优先权数据62/380,221 2016.08.26 US15/652,471 2017.07.18 US(73)专利权人 快捷半导体有限公司地址 美国亚利桑那州(72)发明人 李坰旻 (74)专利代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038代理人 欧阳帆(51)Int.Cl.H03K 19/0185(2006.01)(54)实用新型名称电路(57)摘要本实用新型涉及电路。
本实用新型的一个目的是提供电路。
该电路包括：包括多个晶体管的比较级；以及包括电流镜的电流镜级，比较级被配置为在由所述电流镜级产生主信号之前产生抵消信号，其中所述比较级包括被配置为被改变为至少部分导通状态的第一晶体管，所述比较级被配置为响应于输入信号而在输出端处产生所述抵消信号。
一个实施例已经解决了技术问题中的至少一个并且实现了本实用新型的相应的有利效果。
权利要求书2页 说明书9页 附图6页CN 207766250 U 2018.08.24C N 207766250U1.一种电路，所述电路包括：包括多个晶体管的比较级；以及包括电流镜的电流镜级，所述比较级被配置为在由所述电流镜级产生主信号之前产生抵消信号，其中所述比较级包括被配置为被改变为至少部分导通状态的第一晶体管，所述比较级被配置为响应于输入信号而在输出端处产生所述抵消信号。
2.根据权利要求1所述的电路，所述抵消信号是在所述电流镜级中的第二晶体管变为导通状态之前产生的，所述第二晶体管也耦接到输出端。
3.根据权利要求1所述的电路，所述抵消信号防止在所述输出端处产生所述主信号。
4.根据权利要求1所述的电路，其中所述抵消信号的量级大于所述主信号的量级，使得当进入到所述比较级中的设置输入和复位输入相同时，所述抵消信号抵消所述主信号。
电路板设计实用新型专利申请
电路板设计实用新型专利申请
本发明涉及电路板的设计，更具体的说是一种利用集成电路，实现封装及功能调试过程自动化的电路板设计方法。
该方法主要由三个步骤组成，包括制造集成电路，组装电路板以及封装电路板三部分。
首先，利用自动芯片放置机(automatic chip placer)将多层的激光熔融、化学镀层或纳米技术等工艺技术加工的集成电路布局配置到电路板上，从而制造出集成电路。
其次，将制造好的集成电路用贴装机(solder printer)安装到封装主板上形成电路板，封装主板上装有用于连接各集成电路的跳线等连接装置，使电路板能够连接外部设备，以及自身上控制装置，并且集成电路之间能够连接起来，从而制成整体电路板。
最后，将电路板装入封装外壳，通过接口电缆、光学缆等连接外部设备，并利用软件完成电路板的功能测试。
本发明通过在电路板设计过程中使用自动芯片放置机、贴装机以及软件调试过程，实现了设计、封装以及功能调试过程的自动化。
且该方法可加速电路板制作流程，提高电路板的可靠性，从而节省设计周期及工作量，提高生产效率，较好的满足了市场的需求。
集成电路设计专利
集成电路设计专利
集成电路设计专利是指关于集成电路的设计方法、系统设计、电路结构等方面所申请的专利。
集成电路设计专利对于提高集成电路的设计水平和质量，推动集成电路技术的发展具有重要意义。
集成电路设计专利的申请需要遵循一定的程序和要求。
申请人需要准备申请文件，包括专利申请书、说明书、权利要求书、摘要等，并按照规定的时间和方式提交申请。
申请集成电路设计专利需要符合一定的条件，如具有新颖性、创造性、实用性等。
对于集成电路设计专利的审查，国家知识产权局会对其进行严格审查，确保申请的专利具有合法性和有效性。
对于不符合要求的专利申请，国家知识产权局会予以驳回。
集成电路设计专利的保护期限为十年，自专利申请提交之日起计算。
在保护期限内，申请人可以享受专利保护，防止他人抄袭和侵权。
同时，集成电路设计专利也可以为企业提供一定的竞争优势，提高企业的核心竞争力。
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名称：一种同时匹配的低噪声放大器
说明书摘要
本实用新型公开了一种同时匹配的低噪声放大器(Low Noise Amplifier-LNA)，特别涉及一种应用在集成电路(Integrated Circuit)设计中的同时匹配的低噪声放大器。
本实用新型首先通过一个源简并电感(Source Degeneration Inductance)串联在MOS 晶体管的源极以提供串联负反馈效应，使
得MOS 管栅极的输入阻抗in Z 和噪声最优源阻抗opt Z 满足*in opt Z Z ；然后利用一个
L 型输入匹配网络，将MOS 管的栅极匹配到信号源，从而使得本低噪声放大器的输入级同时实现了噪声匹配和功率增益匹配，不仅能够达到低噪声放大器的最小噪声系数min NF ，而且实现了功率的最大传输；最后利用一个L 型输出匹配网络，实现MOS 管的漏极与负载之间的匹配。
本实用新型能够利用功耗约束噪声优化技术(Power-Constrained Noise Optimization Technique)选择MOS 管M1的适当尺寸，在功耗约束条件下实现低噪声放大器输入端的同时匹配。
摘要附图
权利要求书
1、一种同时匹配的低噪声放大器，其特征在于，用集成电路(Integrated Circuit)工艺实现，即将有源和无源元器件制作在同一块半导体基片上来实现低噪声放大器的设计，并且在输入级能够同时实现噪声匹配和功率匹配设计。
2、如权利要求1所述的一种同时匹配的低噪声放大器，其特征在于，包括：MOS 晶体管M1作为放大器件按照共源结构连接；源简并电感s L (Source Degeneration Inductance)连接在MOS 管的源极和地电位之间，其提供的串联负反馈效应使MOS 管栅极的输入阻抗等于或近似等于噪声最优源阻抗的共轭；电容1C 和电感1L 组成一个L 型输入匹配网络，其中一端与MOS 管栅极相连，另一端通过隔直电容c C 与信号源连接；电容2C 和电感d L 组成一个L 型输出匹配网络，其中一端与MOS 管漏极相连，另一端与负载连接；限流电阻d R 一端于电源dd V 相连，另一端与d L 相连；一个电流镜电路由晶体管M2、电阻器1R 和2R 组成，M2的栅极和漏极相连，源极接地电位，1R 的一端与电源Vdd 相连，另一端与M2的漏极相连，2R 的一端与M2的栅极相连，另一端连接在c C 和1L 的公共连接点上。
3、如权利要求2所述的一种同时匹配的低噪声放大器，其中，通过利用功耗约束噪声优化技术(Power-Constrained Noise Optimization Technique)选择MOS 管M1的适当尺寸，从而在功耗约束条件下实现低噪声放大器输入端的同时匹配。
说明书
技术领域
本实用新型涉及一种同时匹配的低噪声放大器(Low Noise Amplifier-LNA)，特别涉及一种应用在集成电路(Integrated Circuit)设计中的同时匹配的低噪声放大器。
背景技术
低噪声放大器是接收机系统中的第一个放大器，它的主要功能就是放大接收到的信号并传输到下一级，并且自身增加的噪声应尽量小。
因此要求低噪声放大器具有足够的增益，并且噪声系数要非常低。
然而在进行低噪声放大器设计时，实现最小噪声系数和实现最大功率传输之间存在矛盾。
请参考图1，低噪声放大器包括有源器件，以及分别用于控制输入阻抗和输出阻抗的输入匹配网络和输出匹配网络，另外包括直流偏置网络。
在进行输入匹配设计时，将信号源与晶体管的输入阻抗之间进行共轭匹配，便可以获得最大功率传输，即获得最大增益；相应地，为了获得最小的噪声系数
NF，必须将信号源匹配到晶体管的噪声最优
min
源阻抗
Z，便可以使放大器得到最佳的噪声性能。
然而这两者通常是不相等的，opt
设计者只能在两者之间进行权衡取舍，很难同时实现噪声匹配和功率增益匹配。
随着集成电路产业的飞速发展，单一芯片中集成的功能越来越多，晶体管数量也不断增加，随之而来的是芯片的功耗在不断增加。
尽管我们不断降低芯片的工作电压，不断改进工艺，不断使用各种方法降低芯片的功耗，但功耗仍然是当今集成电路设计中最令工程师头痛的问题之一。
在低噪声放大器中同样存在低功耗问题，如何实现低功耗设计是目前的研究热点，特别是在功耗约束条件下实现最小噪声系数和最大功率传输的同时匹配。
发明内容
本实用新型的目的是要提供一种应用在集成电路设计中的低噪声放大器，并且可以在输入级实现最小噪声系数和最大增益传输的同时匹配；而且本实用新型能够在功耗约束条件下实现输入级的同时匹配。
本实用新型提出的一种同时匹配的低噪声放大器，其电路结构包括：MOS晶体管M1作为放大器件按照共源结构连接；源简并电感
L(Source Degeneration
s
Inductance)连接在MOS管的源极和地电位之间，其提供的串联负反馈效应使MOS
管栅极的输入阻抗等于或近似等于噪声最优源阻抗的共轭；电容1C 和电感1L 组成一个L 型输入匹配网络，其中一端与MOS 管栅极相连，另一端通过隔直电容c C 与信号源连接；电容2C 和电感d L 组成一个L 型输出匹配网络，其中一端与MOS 管漏极相连，另一端与负载连接；限流电阻d R 一端于电源dd V 相连，另一端与d L 相连；一个电流镜电路由晶体管M2、电阻器1R 和2R 组成，M2的栅极和漏极相连，源极接地电位，1R 的一端与电源dd V 相连，另一端与M2的漏极相连，2R 的一端与M2的栅极相连，另一端连接在c C 和1L 的公共连接点上。
本实用新型提出的一种同时匹配的低噪声放大器，其中通过利用功耗约束噪声优化技术(Power-Constrained Noise Optimization Technique)选择MOS 管M1的适当尺寸，从而在功耗约束条件下实现低噪声放大器输入级的同时匹配。
本实用新型提出的一种同时匹配的低噪声放大器，其优点在于：
⑴本实用新型提出的低噪声放大器在输入级同时实现了噪声匹配和功率增益匹配，不仅能够达到低噪声放大器的最小噪声系数min NF ，而且实现了功率的最大传输。
⑵本实用新型通过合理地选择晶体管的形状和尺寸，可以在功耗约束条件下实现低噪声放大器输入级的同时匹配。
⑶本实用新型提出的设计方法简单，能够被设计者很容易的掌握并应用在集成电路设计中。
附图说明
图1为常规的放大器设计原理图。
图2为本实用新型的一种同时匹配低噪声放大器的一个示例性实施例的电路图。
具体实施方式
虽然在本例中将参照MOS 晶体管工艺描述本实用新型的低噪声放大器，但是可以很容易理解，所述原理可以用于各种Ⅲ～Ⅴ族双极性晶体管和场效应晶体管工艺中。
图2图解说明本实用新型的一个实施例。
它包括一个MOS 晶体管M1，并按照其共源组态相连接。
由功耗约束噪声优化技术可知，当在功耗约束条件下进行设计时，晶体管的尺寸由下面公式所决定：
13opt ox s
W w C R ≈
（1）
其中w 是本实用新型的低噪声放大器的工作频率，ox C 代表栅极单位电容，s R 是信号源电阻值。
关于功耗约束噪声优化技术，请参阅“The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits ”，Thomas H.Lee ，第二版，Cambridge Press, 2004。
源简并电感s L 连接在MOS 管的源极和地电位之间，其提供的串联负反馈效应使MOS 管栅极的输入阻抗等于或近似等于噪声最优源阻抗的共轭。
*
in opt Z Z = (2)
本实施例还包括一个由电感器1L 和电容器1C 构成的L 型输入匹配网络，用于将MOS 晶体管栅极的输入阻抗匹配到信号源阻抗，便可以实现本实用新型的低噪声放大器在输入级同时实现了噪声匹配和功率增益匹配。
另外还包括由电感器
d
L 和电容器2C 构成的L 型输出匹配网络，用于实现输出匹配。
本发明的实施例
为了简单起见，以L 型输入输出匹配网络为例，但是不难理解，所述原理可以用T 型、π型或者多级匹配网络来实现，同时具体级数和拓扑结构也会随工作频率和设计要求的不同而不同。
本实施例另外包括一个电流镜电路，由晶体管M2、电阻器1R 和2R 、隔直电容器c C 组成。
晶体管M2与M1形成一个电流镜，且通过M2的电流是由电源电压和1R 以及M2的栅源电压g s V 所决定。
2R 应选择的足够大，使得它的等效电流噪声小到足以被忽略。
为了完成偏置，还必须有一个隔直电容器c C 来防止影响M1的栅-源偏置。
为了保护有源器件，限流电阻d R 连接在电源dd V 和d L 之间。
虽然以上描述的示例性LNA 只包括一级放大器，但是将会注意到本实用新型的设计方法能够应用到含有任意数目的放大器级的LNA ，本领域的技术人员同样也应该理解本实例的放大器件部分也可以为串迭（cascode ）结构的放大电路模块。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，凡依本实用新型申请专利范围所作的均等变化与修饰，皆应属本实用新型的涵盖范围。
说明书附图
图1
图2。