电子技术基础试卷A

《电子技术基础》试卷（A）
一、填空题：30分
1、二极管的整流作用，是利用二极管的_______特性。

2、半导体中除了自由电子作为载流子之外，还有另一种被称为_______的载流子，两者同时参加导电，这是半导体的重要特点。

3、硅二极管的死区电压为_______导电电压为_______。

4、晶体三极管具有电流放大作用，其实质是利用_______的微小变化控制_______的较大变化。

5、测得放大电路中正常放大的某三极管，三个管脚X、Y、Z的对地电位分别是7V、3V、2.3V，则管脚Y是_______极。

6、晶体三极管放大电路中，当输入信号电流一定时，静态作用点设置过高（即
I BQ过大）将导致放大器产生_______失真。

7、放大器的放大能力用对数表示时称为_______，某放大器的功率放大倍数为100倍，则G P=_________d B.
8、三端集成稳压器CW7815接成稳压电路可稳压输出_____电压。

9、二进制数(1010)2转换为十进制数等于__________。

10、逻辑运算的三种基本形式是_______逻辑、_______逻辑、_______逻辑。

二、选择题：（在题后的括号内填上正确的答案）（30分）
1、简单地把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起，能否形成PN结。

（）
A、能
B、不能
C、不一定
2、为使晶体管处于放大工作状态，应加的电压是（）
A、发射结应加正向电压，集电结应加正向电压
B、发射结应加正向电压，集电结应加反向电压
C、发射结应加反向电压，集电结应加反向电压3、稳压二极管的正常工作状态是（）
A、截止
B、饱和导通
C、击穿
4、变压器次方电压为U2，经桥式整流后，负载R L上的输出电压平均值U L为（）
A、0.45 U2
B、0.9 U2
C、U2
5、右图中，设V为理想二极管，
（即导通时电压降为零）
则输出电压V AB为（）
A、3V
B、12V
C、15V
6、以下滤波电路性能最差的是（）
7、晶体三极管饱和时（）
A、I B=0
B、I B> I BS
C、V CE=V G
8、以下处于饱和状态的晶体管是（）
A B C
9、处在放大状态的晶体三极管，电位最低的是（）
A、PNP型管的C极
B、PNP型管的E极
A
B
C
2.3V
6V
3V
2.7V
2.1V
2V
0.7V
4V
0V
C、NPN型管的C极
10、当变压器次方感应电压V2相同时，以下三种电路中，整流二极管所承受的最大反向电压V RM=22V2的是（）
A、半波整流
B、全波整流
C、桥式整流
三、判断题（对的打“√”，错的打“×”）（10分）
1、二极管仅能通过直流，不能通过交流（）
2、在半导体内，只有空穴是载流子。

（）
3、由NPN三极管组成的放大电路V C>V B>V E。

（）
4、晶体管的β值与I C无关（）
5、整流就是将交流电流变成单方向的电流（）
四、综合题：
1、试分析以下简单稳压电路，当输入电压V I增大时电路的稳压过程。

（5分）
2、画出以下放大电路的交流通路和直流通路（10分）
3、放大电路如图，设三极管为硅材料管，β=50，V BE=0.7V,求该放大器的静态工作点I BQ、I CQ、V CEQ。

（15分）
V) +
-
《电子技术基础》试卷（B）
一、填空题：22分
1、晶体二极管具有________ 特性，其符号是_______ 。

2、半导体按导电类型可分为型半导体和型半导体。

3、晶体三极管各极电流的关系式是。

4、晶体三极管的三个电极分别是基极（B）、、。

5、晶体三极管的三种不同工作状态是、、。

6、利用二极管单向导电性组成的整流电路，常见的有、、。

7、三端集成稳压器W7812在输入+18V电压的情况下，可输出_______V的正电压。

8、带有放大环节的串联型稳压电源一般由、、
、四个部分组成。

9、（5）10=( )2，(110)2=( )10
10、常用的逻辑门电路有、和。

二、选择题：（将正确答案的序号填入题后的括号内）（40分）
1、P型半导体中（）
A、空穴很多，电子很少
B、电子很多，空穴很少
C、空穴，电子一样多
2、晶体二极管的正极电位-5V，负极电位是-3V，则该二极管处于（）
A、零偏置
B、正偏
C、反偏
3、晶体三极管，集电结反偏，发射结正偏，则三极管的工作状态是（）
A、放大状态
B、饱和状态
C、截止状态4、基极放大器的电压放大倍数A V=
I
V
V
0，当输入电压为10V时，测得输出电压为500mV，则电压放大倍数是（）
A、10
B、50
C、500
5、晶体管放大设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管始终工作在（）
A、饱和区
B、放大区
C、截止区
6、下列三个滤波电路中，滤波性能最好的是（）
7、逻辑非门有（）
A、一个输入端
B、二个输入端
C、三个输入端
8、某放大器的电压放大倍数为1000倍，则其电压增益为（）
A、60dB
B、30dB
C、103dB
9、凡在数值上或时间上不连续变化的信号，例如只有高低电平的矩形脉冲信号，称为（）
A、直流信号
B、模拟信号
C、数字信号
10、整流的目的是（）
A、将交流电变成直流电
B、将正弦波变成方波
C、将高频信号变成低频信号
三、判断题（对的打“√”，错的打“×”）（10分）
1、半导体中的空穴和自由电子数目相等的半导体称为本征半导体（）
2、在外电场作用下，半导体中间同时出现电子电流和空穴电流，其中一部分为多数载流子，另一部分即为少数载流子（）
C
3、对于NPN 三极管，V C >V B >V E ,则三极管处于截止状态（ ）
4、晶体三极管具有电流放大特性（ ）
5、放大器的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响（ ） 四、综合题：
1、已知某三极管的I B1=10μA 时，I C1=0.8mA ，当I B2=40μA 时，I C2=2.4mA ，求该三极管的β值为多少？8分
2、如图为桥式整流滤波电路，要求将整流二极管及电路补画完整。

10分
3、如图所示，R b =200K Ω，R C =1 K Ω，G C =12V ，三极管的β=100，求静态工作点I BQ I CQ V CEQ （设V BEQ =0）10分
T
《电子技术基础》试卷（A ）答案卷
一、填空题：30分
1、单向导电性
2、空穴
3、0.5V 0.6~0.7V
4、基极电路I B 集电极电流I C
5、基
6、饱和
7、增益 40
8、+15
9、10 10、与、或、非 二、选择题：（在题后的括号内填上正确的答案）（30分）
1、B
2、B
3、C
4、B
5、C
6、B
7、B
8、B
9、A 10、B
三、判断题（对的打“√”，错的打“×”）（10分） 1、× 2、× 3、√ 4、× 5、√ 四、综合题：
1、V I V 0 I Z I R V 0 V R
2、直流通路 交流通路
3、解：V BQ =
212b b b R R R +G C =50
2020
+×12=3.4(V)
V E =V BQ －V BEQ =3.4－0.7=2.7(V) I CQ ≈I EQ =e
EQ R V =
7
.27
.2=1(mA) I BQ =
β
CQ I =0.02(mA)
V CEQ =G C －I CQ (R C +Re)=12 – 1×(5+2.7)=4.3(V)
《电子技术基础》试卷（B ）答案卷
一、填空题：30分
1、单向导电性
2、N P
3、I E =I B +I C
4、发射极（E ） 集电极（C ）
5、截止、放大、饱和
6、半波整流电路，全波整流电路 桥式整流电路
7、12
8、取样电路 基准电路 比较放大 调节元件
9、101 6 10、与门、或门、非门 二、选择题：（30分）
1、A
2、C
3、A
4、B
5、B
6、C
7、A
8、A
9、C 10、A
三、判断题（对的打“”，错的打“×”）（10分） 1、√ 2、√ 3、× 4、√ 5、× 四、综合题：
1、β=B C I I △△=B B C C I I I I --2=A
A mA mA μμ10408.04.2--=A A μμ30106.12⨯≈53.3
2、
3、解：I BQ =
b
BEQ
G R V V -=
200
12-≈60μA I CQ =βI BQ =100×60μA=6mA V CEQ =V G -I C R C =12-（6×1）=6V。