电力电子答案解析
《电力电子技术》习题答案第四版
《电力电子技术》习题答案(第四版_ 1.电力电子技术的基本原理是什么?答:电力电子技术是指通过电子器件将
电能进行控制和转换的技术。
其基本原理是利用半导体器件的导通和截止特性,通过控制电流和电压的方向和大小,实现对电能的调节和转换。
2.什么是电力电子器件?答:电力电子器件是用于电力电子技术中的半导体
器件,常见的有晶闸管、二极管、MOSFET、IGBT等。
这些器件具有导通和截止的特性,可以实现对电能的控制和转换。
3.请简述晶闸管的工作原理。
答:晶闸管是一种双向可控的半导体开关器
件。
其工作原理是通过控制晶闸管的控制极,将其导通或截止。
当控制极施加一个触发脉冲时,晶闸管的阳极和阴极之间的电流将开始流动,晶闸管处于导通状态;当没有触发脉冲时,晶闸管处于截止状态。
4.什么是PWM调制技术?答:PWM调制技术是一种通过改变脉冲宽度的方式
来实现对电能的调节。
通过改变脉冲的宽度,可以改变电平的平均值,从而实现对电能的调节。
PWM调制技术广泛应用于电力电子领域,如变频调速、电力供应等。
5.请简述逆变器的工作原理。
答:逆变器是一种将直流电能转换为交流电能
的电力电子设备。
其工作原理是通过控制器控制晶闸管等开关器件的导通和截止,将直流电源的电压和电流转换为交流电压和电流。
逆变器广泛应用于太阳能发电、电动汽车等领域。
电力电子技术最新版配套习题答案详解第2章
目录第1章电力电子器件 (1)第2章整流电路 (4)第3章直流斩波电路 (20)第4章交流电力控制电路和交交变频电路 (26)第5章逆变电路 (31)第6章PWM控制技术 (35)第7章软开关技术 (40)第8章组合变流电路 (42)第2章 整流电路1. 单相半波可控整流电路对电感负载供电,L =20mH ,U 2=100V ,求当α=0︒和60︒时的负载电流I d ,并画出u d 与i d 波形。
解:α=0︒时,在电源电压u 2的正半周期晶闸管导通时,负载电感L 储能,在晶闸管开始导通时刻,负载电流为零。
在电源电压u 2的负半周期,负载电感L 释放能量,晶闸管继续导通。
因此,在电源电压u 2的一个周期里,以下方程均成立:t U ti Lωsin 2d d 2d= 考虑到初始条件:当ωt =0时i d =0可解方程得:)cos 1(22d t L U i ωω-= ⎰-=πωωωπ202d )(d )cos 1(221t t L U I =LU ω22=22.51(A)u d 与i d 的波形如下图:当α=60°时,在u 2正半周期60︒~180︒期间晶闸管导通使电感L 储能,电感L 储藏的能量在u 2负半周期180︒~300︒期间释放,因此在u 2一个周期中60︒~300︒期间以下微分方程成立:t U ti Lωsin 2d d 2d= 考虑初始条件:当ωt =60︒时i d =0可解方程得:)cos 21(22d t L U i ωω-=其平均值为)(d )cos 21(2213532d t t L U I ωωωπππ-=⎰=L U ω222=11.25(A) 此时u d 与i d 的波形如下图:2.图2-9为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路,问该变压器还有直流磁化问题吗?试说明:①晶闸管承受的最大反向电压为222U ;②当负载是电阻或电感时,其输出电压和电流的波形与单相全控桥时相同。
《电力电子技术(第二版)》习题答案
《电力电子技术》习题及解答第1章 思考题与习题1.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定? 答:晶闸管的导通条件是:晶闸管阳极和阳极间施加正向电压,并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。
导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定,负载上电压由输入阳极电压U A 决定。
1.2晶闸管的关断条件是什么? 如何实现? 晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答:晶闸管的关断条件是:要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态,可采用阳极电压反向使阳极电流I A 减小,I A 下降到维持电流I H 以下时,晶闸管内部建立的正反馈无法进行。
进而实现晶闸管的关断,其两端电压大小由电源电压U A 决定。
1.3温度升高时,晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化?答:温度升高时,晶闸管的触发电流随温度升高而减小,正反向漏电流随温度升高而增大,维持电流I H 会减小,正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。
1.4晶闸管的非正常导通方式有哪几种?答:非正常导通方式有:(1) I g =0,阳极电压升高至相当高的数值;(1) 阳极电压上升率du/dt 过高;(3) 结温过高。
1.5请简述晶闸管的关断时间定义。
答:晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。
即gr rr q t t t +=。
答:快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。
1.7请简述光控晶闸管的有关特征。
答:光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管,在光的照射下,光电二极管电流增加,此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。
主要用于高压大功率场合。
1.8型号为KP100-3,维持电流I H =4mA 的晶闸管,使用在图题1.8所示电路中是否合理,为什么?(暂不考虑电压电流裕量)图题1.8答:(a )因为H A I mA K VI <=Ω=250100,所以不合理。
电力电子考试题库(附含答案解析)
一、填空(每空1分)1、请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR;图形符号为;可关断晶闸管GTO;图形符号为;功率场效应晶体管MOSFET;图形符号为;绝缘栅双极型晶体管IGBT ;图形符号为;IGBT是MOSFET 和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波,输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120º导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降;当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中,环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
(写出四种即可)10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ+、Ⅲ- 四种。
11、双向晶闸管的触发方式有:I+ 触发:第一阳极T1接正电压,第二阳极T2接负电压;门极G接正电压,T2接负电压。
I- 触发:第一阳极T1接正电压,第二阳极T2接负电压;门极G接负电压,T2接正电压。
Ⅲ+触发:第一阳极T1接负电压,第二阳极T2接正电压;门极G接正电压,T2接负电压。
Ⅲ-触发:第一阳极T1接负电压,第二阳极T2接正电压;门极G接负电压,T2接正电压。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫(脉冲)换流。
电力电子第三版习题及解答(doc 55页)
电力电子第三版习题及解答(doc 55页)第1章复习题及思考题解答1.1 电力技术、电子技术和电力电子技术三者所涉及的技术内容和研究对象是什么?三者的技术发展和应用主要依赖什么电气设备和器件?答:电力技术涉及的技术内容:发电、输电、配电及电力应用。
其研究对象是:发电机、变压器、电动机、输配电线路等电力设备,以及利用电力设备来处理电力电路中电能的产生、传输、分配和应用问题。
其发展依赖于发电机、变压器、电动机、输配电系统。
其理论基础是电磁学(电路、磁路、电场、磁场的基本原理),利用电磁学基本原理处理发电、输配电及电力应用的技术统称电力技术。
电子技术,又称为信息电子技术或信息电子学,研究内容是电子器件以及利用电子器件来处理电子电路中电信号的产生、变换、处理、存储、发送和接收问题。
其研究对象:载有信息的弱电信号的变换和处理。
其发展依赖于各种电子器件(二极管、三极管、MOS管、集成电路、微处理器电感、电容等)。
电力电子技术是一门综合了电子技术、控制技术和电力技术的新兴交叉学科。
它涉及电力电子变换和控制技术技术,包括电压(电流)的大小、频率、相位和波形的变换和控制。
研究对象:半导体电力开关器件及其组成的电力开关电路,包括利用半导体集成电路和微处理器芯片构成信号处理和控制系统。
电力电子技术的发展和应用主要依赖于半导体电力开关器件。
1.2 为什么三相交流发电机或公用电网产生的恒频、恒压交流电,经电压、频率变换后再供负载使用,有可能获得更大的技术经济效益?答:用电设备的类型、功能千差万别,对电能的电压、频率、波形要求各不相同。
为了满足一定的生产工艺和流程的要求,确保产品质量、提高劳动生产率、降低能源消耗、提高经济效益,若能将电网产生的恒频、恒压交流电变换成为用电负载的最佳工况所需要的电压、频率或波形,有可能获得更大的技术经济效益。
例如:若风机、水泵全部采用变频调速技术,每年全国可以节省几千万吨以上的煤,或者可以少兴建上千万千瓦的发电站。
电力电子技术习题+参考答案
一、选择题1. 电力电子技术的主要研究对象是什么?A. 电力系统B. 电子电路C. 功率半导体器件及其应用D. 电力设备和控制系统答案:C2. 以下哪种器件不属于电力电子器件?A. 晶闸管B. MOSFETC. 晶体管D. 线圈答案:D3. 在电力电子技术中,以下哪个不是一种电力变换方式?A. 电压变换B. 电流变换C. 频率变换D. 波形变换答案:D4. 下列哪种电力电子变换器可以实现直流电压的升降?A. 逆变器B. 整流器C. 直流变换器D. 交交变频器答案:C5. 电力电子技术中的“开关频率”指的是什么?A. 电路中电流的频率B. 电路中电压的频率C. 功率开关动作的频率D. 输出电压或电流的频率答案:C二、填空题1. 电力电子技术是利用_________对电能进行_________的技术。
答案:功率半导体器件;高效变换2. 电力电子技术中常用的功率半导体器件有_________、_________和_________。
答案:晶闸管;MOSFET;GTO3. 电力电子技术中的“硬开关”和“软开关”技术主要针对_________。
答案:开关过程三、判断题1. 电力电子技术只应用于工业领域,与日常生活无关。
()答案:错误2. 电力电子技术中的整流器可以将交流电转换为直流电。
()答案:正确3. 电力电子技术中的逆变器只能将直流电转换为交流电。
()答案:错误4. 电力电子技术中的变频器可以实现交流电的频率变换。
()答案:正确四、简答题1. 简述电力电子技术在电力系统中的应用。
答案:电力电子技术在电力系统中的应用非常广泛,主要包括以下几个方面:- 交流-直流变换:如太阳能光伏发电、风力发电等新能源的并网;- 直流-直流变换:如电动汽车充电、电力电子设备供电等;- 交流-交流变换:如变频调速、电力电子补偿等。
2. 简述电力电子技术中的功率半导体器件的特点。
答案:电力电子技术中的功率半导体器件具有以下特点:- 高开关速度:能够快速实现电路的通断;- 高导通电压:能够在高电压下工作;- 高导通电流:能够在大电流下工作;- 高功率密度:能够在有限的体积内实现高功率输出。
电力电子课后习题详解
1-9 图 1-49 中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大 值均为 Im,试计算各波形的电流平均值 Id、电流有效值 I。
0
2 0
5
2 0
2
4
4
晶1闸-43管导电波形
答案:
a)
Ud=-290.3(V) Id=109.7(A)
γ=8.90 P=31.85(W)
第 4 章 直流—直流(DC-DC)变换
4-2 在图 4-1(a)所示的降压斩波电路中,已知 E=200V,R=10Ω,L 值极大, Em=30V,T=50μs,ton=20μs,计算输出电压的平均值 Uo、输出电流平均值 Io。 答案:
Uo=80(V) Io=5(A)
4-4 在图 4-4(a)所示的升压斩波电路中,已知 E=50V,R=20Ω,L 值和 C 值极 大,T=40μs,ton=25μs,计算输出电压的平均值 Uo、输出电流平均值 Io。 答案:
Uo=133.3(V) Io=6.667(A)
4-6 分析图 4-10(a)所示的电流可逆斩波电路,并结合图 4-10(b)所示的波 形,绘制各阶段电流流通的路径并标明电流方向。
Id1 0.2717Im
I1 0.4767Im
b)
Id2 0.5434Im
I2 0.6741Im
c)
Id3=
1 4
Im
I3=
1 2
Im
1-10 一个 100A 的晶闸管,分别流过图 1-49(a)~(c)所示的波形的电流,若
不考虑安全裕量,各波形所允许的电流平均值是多少?相应的电流最大值 Im 是 多少? 答案:
电力电子课后习题答案
电力电子课后习题答案电力电子课后习题答案电力电子作为一门重要的学科,在现代工程技术中扮演着至关重要的角色。
学习电力电子需要理解和掌握各种电力电子器件的原理和应用,以及相关的电路分析和设计方法。
课后习题是巩固所学知识的重要方式之一。
在这篇文章中,我将为大家提供一些电力电子课后习题的答案,希望能够帮助大家更好地理解和掌握电力电子的知识。
1. 什么是电力电子?答案:电力电子是研究电力转换和控制的一门学科,它利用半导体器件和电子技术来实现电力的转换、变换和控制。
电力电子在工业、交通、通信、医疗等领域中有着广泛的应用。
2. 请简述电力电子器件的分类及其应用。
答案:电力电子器件主要分为功率二极管、晶闸管、功率MOSFET、IGBT和功率三极管等。
功率二极管主要用于整流和逆变电路;晶闸管主要用于交流电的控制;功率MOSFET和IGBT主要用于开关电路;功率三极管主要用于功率放大和开关电路。
3. 请简述电力电子器件的工作原理。
答案:电力电子器件的工作原理基于半导体材料的特性,通过控制半导体器件的导通和截止状态来实现电力的转换和控制。
例如,功率二极管在正向偏置时导通,反向偏置时截止,用于整流电路;晶闸管通过控制门极电压来实现导通和截止,用于交流电的控制。
4. 请简述电力电子器件的保护措施。
答案:电力电子器件在工作过程中容易受到过电流、过电压、过温等因素的损坏。
为了保护电力电子器件的安全和可靠性,通常采取过流保护、过压保护、过温保护等措施。
例如,可以在电路中加入保险丝、熔断器等保护元件,以限制电流和电压的大小。
5. 请简述电力电子系统的控制方法。
答案:电力电子系统的控制方法主要包括开环控制和闭环控制。
开环控制是指根据输入信号的变化来控制电力电子系统的输出,但无法对输出进行实时调节和修正。
闭环控制是在开环控制的基础上引入反馈信号,通过比较输出和参考信号的差异来调节电力电子系统的输出,以实现更精确的控制。
以上是一些电力电子课后习题的答案,希望能够对大家的学习有所帮助。
电力电子复习材料及答案解析
电力电子技术一填空题1、电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术。
2、电力变换通常可分为四大类,分别是整流、逆变、直流斩波、交流变交。
3、电力电子技术是一门由电力技术、电子技术、控制技术三个学科交叉而形成的。
4、电力电子器件一般工作在开关状态,在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为通态损耗,而当器件开关频率较高时你,功率损耗主要为开关损耗。
5、一个周期内,下列整流电路整流电压波形的脉动次数:单相半波可控电路脉动__1____次;单相全控桥式整流电路脉动__2____次;三相半波可控电路脉动____3__次;三相全控桥式整流电路脉动___6___次。
6、电压型三相逆变器,电路的基本工作方式是___180°__导电方式,任一瞬间,有___3_____个IGBT 同时导通;电流型三相逆变器,电路的基本工作方式是___120°__导电方式,任一瞬间,有____2____个IGBT同时导通。
7、同一晶闸管,维持电流IH与掣住电流I L在数值大小上有I L> I H。
8、电力电子器件一般都工作在开关状态。
9、晶闸管和门极可关断晶闸管的英文名字的缩写分别为SCR 和GTO 。
10、按照直流侧电源性质划分,逆变电路可分为电流型逆变电路和电压型逆变电路。
11、单结晶体管张弛振荡电路的原理是利用单结晶体管的___负阻____特性和RC电路的___充放电____特性。
12、当发射极电压等于____峰点电压__时,单结晶体管导通。
导通后,当发射极电压小于__谷点电压___时,单结晶体管关断。
13、晶闸管内部是四层半导体结构,它的三个电极分别是阳极、阴极、门极。
14、整流电路的作用是交流电能将变为直流电能供给直流用电设备。
15、自换流逆变电路采用器件换流和强迫换流两种换流方式,外部换流逆变电路采用电网换流和负载换流两种换流方式。
16、IGBT是绝缘栅双极晶体管,是三端器件,三个电极分别是发射极、栅极、集电极。
电力电子试题及答案
电力电子试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 电力电子器件中,以下哪个不是晶闸管的别称?A. SCRB. GTOC. TRIACD. DIAC2. 以下哪个是电力电子变换器的主要功能?A. 信号放大B. 功率放大C. 电压转换D. 电流转换3. PWM(脉冲宽度调制)技术主要用于控制什么?A. 电压B. 电流C. 频率D. 功率4. 以下哪个不是电力电子变换器的拓扑结构?A. 单相全桥B. 三相半桥C. 推挽变换器D. 串联稳压器5. 以下哪个是电力电子变换器的控制方式?A. 线性控制B. 开关控制C. 脉冲控制D. 模拟控制二、简答题(每题10分,共30分)6. 简述电力电子技术在现代电力系统中的应用。
7. 解释什么是软开关技术,并说明其优点。
8. 描述PWM控制技术在电力电子变换器中的应用。
三、计算题(每题25分,共50分)9. 给定一个单相桥式整流电路,输入电压为220V(有效值),负载电阻为100Ω。
计算输出直流电压的平均值和纹波系数。
10. 假设有一个三相全控桥式整流电路,输入电压为380V(线电压),负载为50Ω。
计算在全导通状态下的输出直流电压。
答案一、选择题1. 答案:B(GTO是门极可关断晶闸管的缩写)2. 答案:C(电力电子变换器主要用于电压转换)3. 答案:D(PWM技术主要用于控制功率)4. 答案:D(串联稳压器不是电力电子变换器的拓扑结构)5. 答案:B(电力电子变换器的控制方式主要是开关控制)二、简答题6. 答案:电力电子技术在现代电力系统中的应用包括但不限于:- 电力系统的稳定与控制- 电能质量的改善- 可再生能源的接入与利用- 电动汽车的充电技术- 高效照明与节能技术7. 答案:软开关技术是一种减少开关器件在开关过程中损耗的技术。
它通过在器件两端电压或电流为零时进行开关操作,从而减少开关损耗,提高效率。
其优点包括:- 降低开关损耗- 减少电磁干扰- 提高系统效率- 延长器件寿命8. 答案:PWM控制技术在电力电子变换器中的应用主要包括:- 调节输出电压的大小- 控制输出功率- 实现负载的调速- 提高系统的动态响应三、计算题9. 答案:对于单相桥式整流电路,输出直流电压的平均值为:\[ V_{DC} = \frac{2V_m}{\pi} = \frac{2 \times 220}{\pi}\approx 140V \]纹波系数为:\[ \text{Ripple Factor} = \frac{I_{max} - I_{min}}{I_{DC}} \]其中 \( I_{DC} \) 为直流电流,\( I_{max} \) 和 \( I_{min} \) 分别为纹波电流的最大值和最小值。
电力电子技术第2章习题_答案解析
班级姓名学号第2/9章电力电子器件课后复习题第1部分:填空题1. 电力电子器件是直接用于主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。
2. 主电路是在电气设备或电力系统中,直接承担电能变换或控制任务的电路。
3. 电力电子器件一般工作在开关状态。
4. 电力电子器件组成的系统,一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加保护电路。
5. 按照器件能够被控制的程度,电力电子器件可分为以下三类:不可控器件、半控型器件和全控型器件。
6.按照驱动电路信号的性质,电力电子器件可分为以下分为两类:电流驱动型和电压驱动型。
7. 电力二极管的工作特性可概括为单向导电性。
8. 电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
9. 普通二极管又称整流二极管多用于开关频率不高,一般为1K Hz以下的整流电路。
其反向恢复时间较长,一般在5μs以上。
10.快恢复二极管简称快速二极管,其反向恢复时间较短,一般在5μs以下。
11.肖特基二极管的反向恢复时间很短,其范围一般在10~40ns之间。
12.晶闸管的基本工作特性可概括为:承受反向电压时,不论是否触发,晶闸管都不会导通;承受正向电压时,仅在门极正确触发情况下,晶闸管才能导通;晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用。
要使晶闸管关断,只能使晶闸管的电流降至维持电流以下。
13.通常取晶闸管的U DRM和U RRM中较小的标值作为该器件的额定电压。
选用时,一般取为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2~3 倍。
14.使晶闸管维持导通所必需的最小电流称为维持电流。
晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后,能维持导通所需的最小电流称为擎住电流。
对同一晶闸管来说,通常I L约为I H的称为2~4 倍。
15.晶闸管的派生器件有:快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管。
16. 普通晶闸管关断时间数百微秒,快速晶闸管数十微秒,高频晶闸管10微秒左右。
电力电子试题及答案
电力电子试题及答案(注:此部分为标题)【试题一】1. 请简要说明电力电子的定义和作用。
【答案一】电力电子是以电力为能源,利用电力半导体器件进行能量转换、控制和调节的一门学科。
其作用主要包括将电力从一种形式转换为另一种形式,如直流到交流、交流到直流、改变电压和频率等。
同时,电力电子在各个领域中起到了电能传输和控制的关键作用,例如在电力系统中实现高效能源转换和配电控制,在电动汽车中驱动电动机等。
【试题二】2. 请简要介绍电力电子中常用的电力半导体器件有哪些,并简要说明其工作原理。
【答案二】常用的电力半导体器件包括:可控硅(SCR)、晶闸管(Thyristor)、功率晶体管(Power Transistor)、金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等。
- 可控硅(SCR):通常由四个独立的、可相互控制的结区组成。
其工作原理是由控制极施加适当的触发脉冲后,使得电流能够从阳极开始导通,并在失去触发脉冲后一直保持导通。
- 晶闸管(Thyristor):与可控硅相似,是一种双向可控硅。
其工作原理与可控硅相同。
- 功率晶体管(Power Transistor):它与普通晶体管相比,能够承受较大的电流和功率。
其工作原理是通过控制输入的电压和电流来控制输出的电流。
- 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET):通过控制栅极上的电压来控制源-漏极间的电流。
其工作原理是栅极电压的变化可以改变沟道上电子的浓度,从而影响导电能力。
- 绝缘栅双极型晶体管(IGBT):综合了MOSFET和双极型晶体管的优点,在工作时既有MOSFET的高输入电阻和低控制功率,又有双极型晶体管的低导通压降。
【试题三】3. 请简要说明电力电子在可再生能源领域中的应用,并阐述其意义。
【答案三】电力电子在可再生能源领域中有着重要的应用。
常见的应用包括风力发电、光伏发电和可再生能源储能系统等。
- 风力发电:电力电子器件用于将风力发电机输出的交流电转换为适用于电网的交流电,并进行协调控制;同时,在风速变化较大的情况下,电力电子器件还能够进行功率调节,以维持电力系统的稳定运行。
电力电子期末试题.和答案解析
1.晶闸管导通得条件就是什么?导通后流过晶闸管得电流由什么决定?晶闸管得关断条件就是什么?如何实现?晶闸管导通与阻断时其两端电压各为多少?解:晶闸管导通得条件就是:晶闸管阳极与阴极之间加正向阳极电压。
门极与阴极之间加适当得正向阳极电压。
导通后流过晶闸管得电流由主电路电源电压与负载大小决定。
晶闸管得关断条件就是:阳极电流小于维持电流。
关断晶闸管可以通过降低晶闸管阳极-阴极间电压或增大主电路中得电阻。
晶闸管导通时两端电压为通态平均电压(管压降),阻断时两端电压由主电路电源电压决定。
2.调试图所示晶闸管电路,在断开负载R d测量输出电压U d就是否可调时,发现电压表读数不正常,接上R d后一切正常,请分析为什么?习题2图解:当S断开时,由于电压表内阻很大,即使晶闸管门极加触发信号,此时流过晶闸管阳极电流仍小于擎住电流,晶闸管无法导通,电流表上显示得读数只就是管子漏电流形成得电阻与电压表内阻得分压值,所以此读数不准。
在S合上以后,Rd介入电路,晶闸管能正常导通,电压表得读数才能正确显示。
3.画出图1-35所示电路电阻R d上得电压波形。
图1-35 习题3图解:4.说明晶闸管型号KP100-8E代表得意义。
解:KP100-8E表示额定电流100A、额定电压8级(800V、通态平均电压组别E(0、7<U T≤0、8)普通晶闸管。
5.晶闸管得额定电流与其她电气设备得额定电流有什么不同?解:由于整流设备得输出端所接负载常用平均电流来衡量其性能,所以晶闸管额定电流得标定与其她电器设备不同,采用得就是平均电流,而不就是有效值,又称为通态平均电流。
所谓通态平均电流就是指在环境温度为40℃与规定得冷却条件下,晶闸管在导通角不小于170°电阻性负载电路中,当不超过额定结温且稳定时,所允许通过得工频正弦半波电流得平均值。
6.型号为KP100-3、维持电流I H=3mA得晶闸管,使用在习题图所示得三个电路中就是否合理?为什么(不考虑电压、电流裕量)?习题6图解:(a)图得目得就是巩固维持电流与擎住电流概念,擎住电流一般为维持电流得数倍。
电力电子习题答案
第一章 电力电子器件1.1 使晶闸管导通的条件是什么?答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正相阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。
或者U AK >0且U GK >01.2 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。
1.3 图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为Im , 试计算各波形的电流平均值I d1,I d2,I d3与电流有效值I 1,I 2,I 3解:a) Id1=Im 2717.0)122(2Im )(sin Im 214≈+∏=∏⎰∏∏t ω I1=Im 4767.021432Im )()sin (Im 2142≈∏+=∏⎰∏∏wt d t ϖ b) Id2=Im 5434.0)122(2Im )(sin Im 14=+=∏⎰∏∏wt d t ϖ I2=Im 6741.021432Im 2)()sin (Im 142≈∏+=∏⎰∏∏wt d t ϖ c) Id3=⎰∏=∏20Im 41)(Im 21t d ω I3=Im 21)(Im 21202=∏⎰∏t d ω1.4.上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少?这时,相应的电流最大值Im1,Im2,Im3各为多少?解:额定电流I T(A V)=100A 的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知a) Im135.3294767.0≈≈I A, Id1≈0.2717Im1≈89.48A b) Im2,90.2326741.0A I ≈≈ Id2A 56.1262Im 5434.0≈≈ c) Im3=2I=314 Id3=5.783Im 41=1.5.GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能?答:GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构,由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益1α和2α,由普通晶阐管的分析可得,121=+αα是器件临界导通的条件。
电力电子面试常问问题及答案
电力电子面试常问问题及答案1.目前常用的全控型器件有哪些?各有什么特点?答:目前常用的全控型器件有GTO,IGBT,MOSFET等。
GTO的开关频率比较低,一般在几百到一千Hz左右,但其耐压比较高,因此GTO主要用于一些特大容量场合。
IGBT的开关频率一般可以做到50kHz,容量到4500V/1000A。
具有输入阻抗低,驱动功率小等特点,主要应用在电机控制,中频电源,开关电源等场合。
MOSFET具有驱动功率小,高频特性好,热效应好,没有二次击穿,开关频率高等特点,可达2MHz,但其容量低,目前制造水平1000 V/2A和60 V/2A,不适宜大功率场合。
2.什么是电力电子器件的二次击穿,为什么MOSFET没有二次击穿现象?答:当电力电子器件由于电流过大而发生一次击穿时,如果没有采取措施限制电流,由于器件本身的负阻效应,使得电流进一步迅速增加,导致管子发生热击穿而损坏,称作二次击穿。
MOSFET之所以没有二次击穿现象,是因为MOSFET 本身具有正阻效应,随着电流的增加其本身电阻增加,从而不至于使得电流进一步迅速上升而发生二次击穿。
3.电力电子器件的保护主要有哪些?为什么电力电子器件有设置缓冲保护电路答:主要有短路保护,过压过流保护等。
对于电力电子器件由于其本身对dul dt,dil dt 的能力比较差,所以除了前面的过压过流保护外,还应该增设缓冲电路以限制电流以及电压的变化过快。
4.什么叫做整流,目前常用的整流电路中,电路的拓扑结构主要是什么?答:把交流电变成直流电输出,称之为整流。
目前常用的整流电路为桥式整流。
5.整流电路为什么要进行滤波?目前常用的滤波方法是什么?答:由于整流电路输出电压波动比较大,因此需要滤波。
常用的滤波方法是在整流电路两端并电容滤波。
6.目前常用两种斩波电路是什么,主要应用在那些场合?斩波电路的占空比指的是什么?答:目前常用的斩波电路为降压和升压斩波电路,降压斩波主要应用在电力机车、开关电源等场合。
电力电子技术习题与参考答案
电力电子技术习题与参考答案一、单选题(共25题,每题1分,共25分)1.三相桥式全控整流电路,电阻性负载时的移相范围为()度。
A、0~120B、0~90C、0~180D、0~150正确答案:A2.电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是()。
A、0°~150°B、0°~120°C、15°~125°D、30°~150°正确答案:A3.电力电子器件一般工作在()状态A、开关B、放大C、开关和放大D、其他正确答案:A4.目前,在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是()。
A、SCRB、GTOC、MOSFETD、IGBT正确答案:D5.在单相全控桥整流电路中,两对晶闸管的触发脉冲,应依次相差()度。
A、180度B、60度C、120度D、360度正确答案:A6.为了防止逆变失败,最小逆变角限制为(),单位为度。
A、40~45B、20~25C、10~15D、30~35正确答案:D7.三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态的条件是()A、α=л/4B、α<л/2C、α>л/2D、α=л/3正确答案:C8.可实现有源逆变的电路为()。
A、单相半控桥整流电路B、三相半控桥整流桥电路C、单相全控桥接续流二极管电路D、三相半波可控整流电路正确答案:D9.三相半波可控整流电路的自然换相点是()A、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°B、本相相电压与相邻电压正半周的交点处C、交流相电压的过零点D、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°正确答案:B10.α为()度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。
A、120度,B、60度C、0度D、30度正确答案:D11.具有自关断能力的电力半导体器件称为()A、不控型器件B、半控型器件C、全控型器件D、触发型器件正确答案:C12.电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是()A、15°~125°B、30°~150C、0°~150°D、0°~120°正确答案:C13.在晶闸管应用电路中,为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是()A、触发电压信号B、触发电流信号C、干扰信号和触发信号D、干扰信号正确答案:D14.三相桥式全控整流电路,大电感负载,当α=()时整流平均电压Ud=0。
电力电子答案解析
电⼒电⼦答案解析第⼆章电⼒电⼦器件2-2. 使晶闸管导通的条件是什么答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。
2-3 维持晶闸管导通的条件是什么怎样才能使晶闸管由导通变为关断答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流⼤于能保持晶闸管导通的最⼩电流,即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断,可利⽤外加电压和外电路的作⽤使流过晶闸管的电流降到接近于零的某⼀数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。
2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够⾃关断,⽽普通晶闸管不能答:GTO 之所以能够⾃⾏关断,⽽普通晶闸管不能,是因为GTO 与普通晶闸管在设计和⼯艺⽅⾯有以下⼏点不同:1) GTO 在设计时2α较⼤,这样晶体管2V 控制灵敏,易于GTO 关断;2) GTO 导通时的21αα+ 更接近于1,普通晶闸管15.121≥+αα,⽽GTO 则为05.121≈+αα,GTO 的饱和程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了有利条件;3) 多元集成结构使每个GTO 元阴极⾯积很⼩,门极和阴极间的距离⼤为缩短,使得2P 极区所谓的横向电阻很⼩,从⽽使从门极抽出较⼤的电流成为可能。
2-8 试分析IGBT 和电⼒MOSFET 在内部结构和开关特性上的相似与不同之处。
答:内部结构相似之处:IGBT 内部结构包含了MOSFET 内部结构。
内部结构不同之处:IGBT 内部结构有注⼊P 区, MOSFET 内部结构则⽆注⼊P 区。
开关特性的相似之处:IGBT 开关⼤部分时间由MOSFET 运⾏,特性相似。
开关特性的不同之处:IGBT 的注⼊P 区有电导调制效应,有少⼦储存现象,开关慢。
2-10试分析电⼒电⼦技术集成技术可以带来哪些益处。
功率集成电路与集成电⼒电⼦模块实现集成的思路有何不同答:带来的益处:装置体积减⼩、可靠性提⾼、使⽤⽅便、维护成本低。
功率集成电路与集成电⼒电⼦模块实现集成的思路的不同:前者是将所有的东西都集成于⼀个芯⽚当中(芯⽚集成),⽽后者则是将⼀系列的器件集成为⼀个模块来使⽤(封装集成)。
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第二章 电力电子器件2-2. 使晶闸管导通的条件是什么答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。
2-3 维持晶闸管导通的条件是什么怎样才能使晶闸管由导通变为关断答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。
2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能答:GTO 之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同:1) GTO 在设计时2α较大,这样晶体管2V 控制灵敏,易于GTO 关断;2) GTO 导通时的21αα+ 更接近于1,普通晶闸管15.121≥+αα,而GTO 则为05.121≈+αα,GTO 的饱和程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了有利条件;3) 多元集成结构使每个GTO 元阴极面积很小,门极和阴极间的距离大为缩短,使得2P 极区所谓的横向电阻很小,从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
2-8 试分析IGBT 和电力MOSFET 在内部结构和开关特性上的相似与不同之处。
答:内部结构相似之处:IGBT 内部结构包含了MOSFET 内部结构。
内部结构不同之处:IGBT 内部结构有注入P 区, MOSFET 内部结构则无注入P 区。
开关特性的相似之处:IGBT 开关大部分时间由MOSFET 运行,特性相似。
开关特性的不同之处:IGBT 的注入P 区有电导调制效应,有少子储存现象,开关慢。
2-10试分析电力电子技术集成技术可以带来哪些益处。
功率集成电路与集成电力电子模块实现集成的思路有何不同答:带来的益处:装置体积减小、可靠性提高、使用方便、维护成本低。
功率集成电路与集成电力电子模块实现集成的思路的不同:前者是将所有的东西都集成于一个芯片当中(芯片集成),而后者则是将一系列的器件集成为一个模块来使用(封装集成)。
第三章 整流电路3-2 图3-10为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路,该变压器还有直流磁化问题吗试说明:①晶闸管承受的最大反向电压为222U ;②当负载是电阻或电感时,其输出电压和电流的波形与单相全控桥时相同。
答:具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路,该变压器没有直流磁化的问题。
以下分析晶闸管承受最大反向电压及输出电压和电流波形的情况。
① 以晶闸管2VT 为例。
当1VT 导通时,晶闸管2VT 的阴极与变压器二次侧上绕组的上端连接,阳极与二次侧下绕组的下端连接,所以2VT 承受的最大电压为222U 。
②因为单相全波可控整流电路的对角晶闸管同时通断,2组对角晶闸管分别与全波可控整流电路的2个晶闸管的通断相对应,只要导通,负载电压就为变压器二次侧绕组电压,只要单相全波可控整流电路具有中心抽头变压器二次侧的上绕组、下绕组、单相全波可控整流电路中的变压器二次侧绕组电压相同,则其输出电压波形相同,负载相同时,则其输出电流波形也相同。
3-3 单相桥式全控整流电路,2U =100V ,负载中R =2Ω,L 值极大,当α=30°时,要求:①作出d u 、d i 、和2i 的波形;②求整流输出平均电压d U 、电流d I ,变压器二次电流有效值2I ; ③考虑安全裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流。
答:①②输出平均电压d U 、电流d I ,变压器二次电流有效值2I 分别为d U =2U α=×100×cos30°=(V )d I =d U /R =2=(A )2I =d I =(A )③晶闸管承受的最大反向电压为:22U =2100=(V ) 考虑安全裕量,晶闸管的额定电压为:N U =(2~3)×=283~424(V ) 具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。
流过晶闸管的电流有效值为:VT I =d I /2=(A ) 晶闸管的额定电流为:N I =(~2)×∕=26~35(A )具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。
3-4 单相桥式半控整流电路,电阻性负载,画出整流二极管在一周内承受的电压波形。
答:3-5 单相桥式全控整流电路,V U 2002=,负载中Ω=2R ,L 值极大,反电动势E=100V ,当 45=α时,要求:①画出d u 、d i 和2i 的波形。
②求整流输出平均电压d U 、电流d I 以及变压器二次电流有效值2I ③考虑安全裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流。
解:①②输出平均电压d U 、电流d I ,变压器二次电流有效值2I 分别为d U =2U α=×200×cos45°=(V )d I =(d U -E)/R =2=(A )2I =d I =(A )③晶闸管承受的最大反向电压为:22U =2200=(V ) 考虑安全裕量,晶闸管的额定电压为:N U =(2~3)×=566~848(V ) 具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。
流过晶闸管的电流有效值为:VT I =d I /2=2=(A ) 晶闸管的额定电流为:N I =(~2)×∕=10~12(A ) 具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。
3-6 晶闸管串联的单相半控桥(桥中VT1、VT2为晶闸管),电路如图3-12所示,2U =100V ,电阻电感负载,R=2Ω,L 值很大,当α= 60时求流过器件电流的有效值,并作出d u 、d i 、VT i 、D i 的波形。
解:负载电压平均值为:)(5.672)3cos(19.02cos 19.022V U U U d =+=+=πα 负载电流的平均值为:d I =d U ∕R =∕2=(A )流过晶闸管1VT 、2VT 的有效值为:75.33*2121==d VT I I =(A ) 流过二极管3VD 、4VD 的有效值为:)(56.2775.33*3232A I I d VD ===3-11 三相半波可控整流电路,2U =100V ,带电阻电感负载,R=5Ω,L 值极大,当α= 60时,要求:①画出d u 、d i 和1VT i 的波形;②计算 d U 、d I 、dVT I 和VT I 。
解:①②d U 、d I 、dVT I 和VT I 分别如下d U =2U α=×100×cos60°=(V )d I =d U ∕R=∕5=(A ) dVT I =d I ∕3=∕3=(A ) VT I =d I ∕3=3=(A )3-13 三相桥式全控整流电路,2U =100V ,带电阻电感负载,R=5Ω,L 值极大,当α= 60时,要求:①画出d u 、d i 和1VT i 的波形②计算 d U 、d I 、dVT I 和VT I 。
解:①②d U 、d I 、dVT I 和VT I 分别如下d U =2U =×100×cos60°=117(V )d I =d U ∕R=117∕5=(A ) dVT I =d I ∕3=∕3=(A )t OO?tVT I =d I ∕3=3=(A )3-14 单相全控桥,反电动势阻感负载,R=1Ω,L=∞,E=40V ,2U =100V ,B L =,当α= 60时求d U 、d I 与γ的数值,并画出整流电压d u 的波形。
解:考虑B L 时,有:d U =2U α-d U ∆d U ∆=m B X d I /2π=2*2*2πf B L d I /2π=4f B L d Id I =(d U -E )∕R解方程组得:d U =(R 2U α+4f B L E )∕(R+4f B L )=(1* *100*cos 60+4*50**310-*40)∕(1+4*50**310-)=(V )d U ∆=(V )d I =(A )又∵cos α-cos (α+γ)=B X d I /(22U mπsin )= B X d I ∕(22U )cos α-cos (α+γ)=2*2π*50**310-*∕(2*100)即得出cos ( 60+γ)=换流重叠角γ= °?-60°=°3-15 三相半波可控整流电路,反电动势阻感负载,2U =100V ,R=1Ω,L=∞,B L =1mH ,求当a= 30时、E=50V 时d U 、d I 、γ的值并作出d u 、1VT i 和2VT i 的波形。
解:考虑B L 时,有:d U =2U α-d U ∆d U ∆=m B X d I /2π=3B X d I ∕2π=3f B L d Id I =(d U -E )∕R解方程组得:d U =(R 2U α+3f B L E )∕(R +3f B L )d=(1**100*cos 30+3*50*1*310-*50)/(1+3*50*1*310-)=(V )d U ∆=(V )d I =(A )又∵cos α-cos (α+γ)=B X d I /(22U mπsin)= 2d I B X ∕62U =2**2π*50*310-/(6*100) 即得出cos ( 30+γ)=换流重叠角γ= °-??30°=°3-16三相桥式不可控整流电路,阻感负载,R=2Ω,L=∞,2U =100V ,B X =Ω,求dU 、dI 、VDI 、2I 和γ的值并画出d u 、VD i 和2i 的波形。
解:三相桥式不可控整流电路相当于三相桥式可控整流电路00=α时的情况:d d U U U ∆-=αcos 34.22d U ∆=m B X d I /2ππ/3d B I X =RU I d d /=三式联立求解,得())/31/cos 34.22R X U U B d πα+==)(64.111A I d =又因为cos α-cos (α+γ)=B X d I /(22U mπsin)()26/2cos cos U I X d B =+-γαα()2006/20cos 0cos U I X d B =+-γ91.0cos =γ 换流重叠角为:045.24=γ二极管电流和变压器二次测电流的有效值分别为:()A I I d VD 21.373/==()A I I d a 15.91322==3-17 三相全控桥,反电动势阻感负载,E=200V ,R=1Ω,L=∞,2U =220V ,α=60?,当①B L =0和②B L =1mH 情况下分别求d U 、d I 的值,后者还应求γ并分别作出d u 与T i 的波形。