chapt7 MOS电容-清华大学半导体物理

MOSFET是现代数字集成电路的核心器件。

MOSFET剖面图

•MOSFET与半导体表面及半导体-绝缘层界面性质密切相关。

•MOSFET的核心部分是MOS(MIS)结构。

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半导体表面以及半导体－绝缘层界面性质；表面电场效应（是MOSFEF工作的基础）；MOS结构C-V特性。

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由于晶格周期性在表面处中断

而出现的局（定）域于表面附近

的电子态——表面态

禁带中的电子态数等于表面原子

数，表面原子面密度∼1015/cm 2，所

以表面能级准连续地分布在禁带

中。

总之，表面态起因于周期场在表面处中断；空间上定域于晶体表面；能级位于禁带中。7.1.1 表面态

§7.1 半导体表面和Si －SiO 2界面

界面性质。

量级；离子。

界面态起源于界面处的。界面态和表面态性质相似：位于Si-SiO

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达到最大且基本不变;

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变化引起数量很大的

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V

。

FB

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24

包括两部分：

；V

不很大

s

很小。

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对交流小信号ΔV

Q n完全跟上ΔV g变化。

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sc

C-V是非平衡的瞬态特性

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34

35若栅压V g 为一由V 1（积累）

到V 2（强反型)的阶跃电压，则

V =V 2下电容随时间的变化曲线

称为MOS 电容的C -t 特性。

由MOS 电容的C -t 特性可求

耗尽层少子寿命τ和表面复合

速度S 。

，取“−”号，取“+”号

i FB

归一化平带电容与氧化层厚度及衬底掺杂浓度的关系