光刻工艺讲义

第六章光刻工艺第六章

第一节引言---集成电路中的图形

集成电路发展趋势

引言---基本概念（1）光刻

正胶光刻与负胶光刻引言－基本概念（2）VLSI对光刻工艺的要求光刻工艺控制

第二节光刻胶---化学性质与作用光刻胶的组成

光刻胶的分类正胶和负胶的显影后剖面

第三节光学光刻

光刻前的表面处理

自高温炉管取出的氧化片应立即涂胶，

HMDS Priming（涂底）光刻胶的粘附性要求

涂胶

前烘

对准曝光光学光刻

紫外光谱范围的划分

曝光后烘烤（PEB）

驻波效应

显影后烘

光刻分辨率（1）光刻分辨率（2）

实际的光学系统分辨率受光刻胶和曝光系光刻分辨率（3）光学光刻---对准曝光系统

接触/接近式对准曝光系统示意图接触式对准曝光系统（1）接触式对准曝光系统（2）接近式对准曝光系统

接触/接近式对准曝光系统的分辨率接触/接近式对准曝光系统的缺点投影式对准曝光系统

透射式扫描投影对准曝光系统示意图扫描投影对准曝光系统（1）

扫描投影对准曝光系统（3）扫描投影对准曝光系统（2）

曝光：曝光灯发出的光束经聚光灯和滤光片后，

分步重复式投影曝光系统（1）步进式投影曝光示意图

分步重复式投影曝光系统（2）分步重复式投影曝光系统（3）分步重复式投影曝光系统（4）常用的几种曝光方式（1）

常用的几种曝光方式（2）常用的几种曝光方式（3）光刻机的质量指标光刻质量检查

线宽检查和套刻对准图形举例

掩模版相关技术介绍

对准测量图形

掩模版的基本结构

基材是石英玻璃：具有低膨胀系数、低钠

光刻掩模版结构示意图第四节光学光刻的限制及光刻新技术展望光学光刻的限制多层光刻胶结构

变形照明技术（1）变形照明技术（2）相移式掩模版技术非光学光刻技术

X-ray曝光系统电子束曝光系统