磁控溅射金属薄膜的制备
实验磁控溅射法制备薄膜材料
实验磁控溅射法制备薄膜材料磁控溅射法制备薄膜材料的步骤如下:1.靶材选择:选择可以溅射制备薄膜的材料作为溅射靶材。
这些材料通常是单质金属、合金或化合物,如金、银、铜、铝、氧化物等。
2.基底处理:将制备薄膜的基底进行清洗和表面处理,以保证薄膜的附着力和质量。
3.靶材安装:将靶材安装在溅射器的靶架上。
4.真空抽气:将溅射室进行抽气,以建立良好的真空环境。
这可以防止杂质、气体和水分对薄膜质量的影响。
5.溅射气体调节:调节溅射气体(通常是氩气)的流量和压力,以维持合适的工作气氛。
6.加热基底:通过加热基底,可以提高薄膜附着力和晶体质量。
7.确定溅射条件:根据需要制备的薄膜材料,调节溅射功率、工作气氛和溅射时间等参数,以保持溅射过程的稳定和合适的溅射速率。
8.溅射过程:通过加大靶架上的电流,激发高能粒子与靶材相互作用,使靶材表面的原子蒸发并沉积在基底上。
9.薄膜测量:制备完成后,进行薄膜的物理、化学性质的测试和表征,如薄膜的厚度、表面形貌、晶体结构、成分等。
磁控溅射法制备薄膜材料具有以下优点:1.良好的控制性:可以通过调节溅射参数(如功率、压力等)来控制薄膜的结构和性质。
2.高纯度材料:由于溅射过程中没有反应,制备的薄膜材料具有高度的化学纯度。
3.多种材料选择:不仅可以制备金属薄膜,还可以制备合金、氧化物、硅等其他材料的薄膜。
4.优异的附着性:磁控溅射法制备的薄膜与基底之间具有较好的附着性,可以在多种基底上制备。
5.溅射速率高:与其他制备薄膜的方法相比,磁控溅射的溅射速率较高,制备时间较短。
磁控溅射法制备薄膜材料的应用非常广泛。
例如,浮法玻璃制备中使用的氧化物和金属薄膜、电子器件制造中的金属和半导体薄膜、太阳能电池中的透明导电膜、光学镀膜中的金属和二氧化硅薄膜等。
此外,磁控溅射法还可以用于制备多层薄膜、纳米结构薄膜以及复合薄膜等特殊结构的材料。
总结起来,实验磁控溅射法制备薄膜材料是一种简便、可控性强且应用广泛的方法。
铝薄膜 磁控溅射
铝薄膜的磁控溅射制备是一项先进的技术,它利用高能离子的反应来形成薄膜。
磁控溅射法作为一种常用的制备方法,对于铝薄膜的制备具有重要意义。
1. 磁控溅射法制备铝薄膜的原理:
* 在高能离子的反应中,铝原子从靶材中溅射出来,并在基材上沉积形成薄膜。
* 通过控制溅射条件,如工作压强、电功率等,可以获得比较稳定的沉积速率。
2. 磁控溅射法制备铝薄膜的特点:
* 操作易控:镀膜过程只要保持工作压强、电功率等溅射条件相对稳定,就能获得比较稳定的沉积速率。
* 沉积速率高:在沉积大部分的金属薄膜,尤其是沉积高熔点的金属和氧化物薄膜时,如溅射钨、铝薄膜和反应溅射TiO2、ZrO2薄膜,具有很高的沉积率。
相对二极溅射或者热蒸发,磁控溅射对基板加热少了,这一点对实现织物的上溅射相当有利。
* 成膜致密、均匀:溅射的薄膜聚集密度普遍提高了。
从显微照片看,溅射的薄膜表面微观形貌比较精致细密,而且非常均匀。
* 易于组织大批量生产:磁控源可以根据要求进行扩大,因此大面积镀膜是容易实现的。
再加上溅射可连续工作,镀膜过程容易自动控制,因此工业上流水线作业完全成为可能。
* 工艺环保:无需使用有毒有害的有机溶剂,减少了对环境的
污染和对操作人员的健康危害。
3. 磁控溅射法制备铝薄膜的应用:
* 由于铝薄膜具有优异的性能,如良好的光学性能、电学性能及某些特殊性能,因此被广泛应用于光学仪器制造、显示技术、精密加工等领域。
* 在某些领域,铝薄膜还可以作为涂层材料、隔离材料和脱模剂等。
总的来说,铝薄膜的磁控溅射制备是一项高效、环保的先进技术,它为铝薄膜的应用提供了广阔的发展前景。
磁控溅射镀膜技术综合介绍
一.磁控溅射电镀上世纪80年代开始, 磁控溅射技术得到迅猛的发展, 其应用领域得到了极大的推广。
现在磁控溅射技术已经在镀膜领域占有举足轻重的地位, 在工业生产和科学领域发挥着极大的作用。
正是近来市场上各方面对高质量薄膜日益增长的需要使磁控溅射不断的发展。
在许多方面, 磁控溅射薄膜的表现都比物理蒸发沉积制成的要好;并且在同样的功能下采用磁控溅射技术制得的可以比采用其他技术制得的要厚。
因此, 磁控溅射技术在许多应用领域涉及制造硬的、抗磨损的、低摩擦的、抗腐蚀的、装潢的以及光电学薄膜等方面具有重要是影响。
磁控溅射技术得以广泛的应用,是由该技术有别于其它镀膜方法的特点所决定的。
其特点可归纳为:可制备成靶材的各种材料均可作为薄膜材料,涉及各种金属、半导体、铁磁材料,以及绝缘的氧化物、陶瓷等物质,特别适合高熔点和低蒸汽压的材料沉积镀膜在适当条件下多元靶材共溅射方式,可沉积所需组分的混合物、化合物薄膜;在溅射的放电气中加入氧、氮或其它活性气体,可沉积形成靶材物质与气体分子的化合物薄膜;控制真空室中的气压、溅射功率,基本上可获得稳定的沉积速率,通过精确地控制溅射镀膜时间,容易获得均匀的高精度的膜厚,且反复性好;溅射粒子几乎不受重力影响,靶材与基片位置可自由安排;基片与膜的附着强度是一般蒸镀膜的10倍以上,且由于溅射粒子带有高能量,在成膜面会继续表面扩散而得到硬且致密的薄膜,同时高能量使基片只要较低的温度即可得到结晶膜;薄膜形成初期成核密度高,故可生产厚度10nm以下的极薄连续膜。
1.磁控溅射工作原理:磁控溅射属于辉光放电范畴, 运用阴极溅射原理进行镀膜。
膜层粒子来源于辉光放电中, 氩离子对阴极靶材产生的阴极溅射作用。
氩离子将靶材原子溅射下来后,沉积到元件表面形成所需膜层。
磁控原理就是采用正交电磁场的特殊分布控制电场中的电子运动轨迹, 使得电子在正交电磁场中变成了摆线运动, 因而大大增长了与气体分子碰撞的几率。
用高能粒子(大多数是由电场加速的气体正离子)撞击固体表面(靶), 使固体原子(分子)从表面射出的现象称为溅射。
射频磁控溅射法制备ZnO薄膜
ZnO薄膜的XRD图 薄膜的XRD 图2 ZnO薄膜的XRD图
XRD图显示: 图显示: 图显示
(1)样品均出现了2θ≈34.75°的较强的(002)衍射峰,说明薄 膜具有垂直于基片平面较好的c轴择优取向 (2)2、3、 4号样品中出现了2θ≈72.5°的微弱的(004)衍射 峰,在4号样品中出现了2θ≈32.2°的微弱的(100)衍射峰,其 中(004)峰为(002)晶面的次级衍射峰。 (3)在衬底温度从RT升至250℃的过程中,(002)衍射峰相对 强度随衬底温度升高而增加,薄膜c轴择优取向变好,而当温 度超过250℃以后,(002)峰相对强度变小。
所谓磁控溅射就是在二极溅射的基础上附加一个磁场利用电子在正交电磁场中作螺旋线轨迹运动进一步提高真空溅射镀膜的效率和质量以金属靶材为阴极阳极接地也可以是正电位两极间通入工作气体在此以氩气ar为工作气体当两极间施加高压时电极间的ar发生电离电离产生的电子向阳极作加速运动而ar向阴极作加速运动撞击阴极靶材
二、ZnO薄膜的应用 ZnO薄膜的应用
光电显示领域中的透明电极 太阳能光电转换领域中的异质结 各种压电、压光、 各种压电、压光、电声与声光器件
气敏元件
三、ZnO薄膜的研究进展 薄膜的研究进展
Hang Ju Ko等人利用分子束外延(MBE)方法制备了高 质量的ZnO薄膜;Zhang等人利用分子束外延方法在Al2O3 上制备了 ZnO的发光二极管;Su等人利用等离子体协助分 子束外延(P-MBE)方法制备了ZnO/ZnMgO 单量子阱,结合 理论计算所得在导带和价带中的第一亚带能量分别是 49meV和11meV;Chang等人利用分子束外延生长n-ZnO, 而利用金属有机化学气相沉积p-GaN,发现 n-ZnO/p-GaN 异质结具有发光二极管特性;Gangil等人利用等离子增强的 MOCVD在Al2O3上制备出了N掺杂p型ZnO薄膜,载流子浓 度范围为1013 ~ 1015 cm-3,电阻率为10-1 ~
磁控溅射制备ITO薄膜光电性能的研究
磁控溅射制备ITO薄膜光电性能的研究马卫红,蔡长龙(西安工业大学光电工程学院,陕西西安710032)摘要:采用直流磁控溅射方法在玻璃基底上制备了ITO薄膜。
分别用分光光度计和四探针仪测试了所制备ITO薄膜在可见光区域内的透过率和电阻率,研究了溅射气压、氧氩流量比和溅射功率三个工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响。
研究结果表明,制备ITO薄膜的最佳工艺参数为:溅射气压0.6Pa,氧氩流量比1:40,溅射功率108W。
采用此工艺参数制备的ITO薄膜在可见光区平均透过率为81.18%,薄膜电阻率为8.9197×10-3Ω·cm。
关键词:直流磁控溅射;ITO薄膜;工艺参数;光电特性中图分类号:TN304.055文献标识码:A文章编号:1002-0322(2011)06-0018-03Study of photoelectrical properties of ITO thin films prepared bymagnetron sputteringMA Wei-hong,CAI Chang-long(School of the optoelectrical engineering,Xi'an Technological University,Xi'an710032,China)Abstract:ITO thin films were prepared on glass substrates by DC magnetron sputtering technology.The transmittance in visible region and resistivity of the ITO films was tested by spectrophotometer and four-probe instrument,respectively.The effects of sputtering pressure,oxygen-argon flow ratio and sputtering power on the photoelectrical properties of ITO thin films were investigated.The results show that,the optimum process parameters for ITO film deposition are:sputtering pressure of 0.6Pa,oxygen-argon flow ratio of1:40,and sputtering power of108W,respectively.The average transmittance in the visible region of the prepared ITO films is81.18%,and the resistivity is8.9197×10-3Ω·cm.Key words:DC magnetron sputtering;ITO thin film;process parameters;photoelectric properties由于ITO膜高电子浓度和高禁带宽度,使其不仅具有高的电导率,而且具有高的可见光透过率[1,2]。
磁控溅射薄膜制备工艺及其应用研究
磁控溅射薄膜制备工艺及其应用研究磁控溅射是一种常用的物理气相沉积技术,其中使用电弧或磁控电子束等带电粒子轰击靶材表面,使靶材表面的原子脱离并沉积在基底上形成薄膜。
磁控溅射薄膜制备工艺具有制备高质量、高纯度、均匀厚度的薄膜以及控制薄膜成分、微结构和物理性质等方面的优点,因此应用研究非常广泛。
一、磁控溅射薄膜制备工艺磁控溅射薄膜制备工艺的主要装置包括磁控溅射靶材、磁控溅射室、真空系统、基底传送装置等。
在制备过程中需要首先制备好靶材,通常使用高纯度的金属材料或化合物作为靶材。
在磁控溅射室内设置靶材和基底,通过抽真空将压力降低到一定程度,然后加入惰性气体(如氩气),使用外加磁场引导电子轨迹和控制电子束的进入角度,利用电子轰击靶材表面并将原子从靶材中溅射出来,然后沉积在基底上形成薄膜。
二、磁控溅射薄膜制备技术的应用1. 硬质涂层磁控溅射薄膜制备技术广泛应用于制备硬质涂层,如钛氮、碳氮、氮化铝等涂层,这些涂层具有非常好的耐磨性、耐腐蚀性和高温稳定性,可用于汽车发动机零部件、针头、刀具等领域。
2. 光学涂层磁控溅射薄膜制备技术还可以制备光学涂层,如反射镜膜、中间反射膜、透镜膜、滤波镜。
这些涂层具有高透明度、低散射和高反射率等特点,广泛应用于光学器件、显示器件、激光器件等领域。
3. 生物医学领域磁控溅射薄膜制备技术还可以制备生物医学材料,如医用钢、医用钛、金属合金等薄膜,这些薄膜具有良好的生物相容性和生物可降解性,可用于人工骨骼、人工关节和牙科修补材料等方面。
4. 电子器件磁控溅射薄膜制备技术还可以制备电子器件材料,如导电膜、隔离膜、介质膜等,这些薄膜具有优良的电学性能和化学稳定性,可用于半导体器件、光电子器件等领域。
5. 其他应用除了以上应用之外,磁控溅射薄膜制备技术还可以用于制备防腐蚀、阻燃和防弹涂层,磁记忆材料、人工晶体、存储介质、光电子元器件、传感器等领域。
三、磁控溅射薄膜制备技术的优势和发展方向磁控溅射薄膜制备技术具有许多优势,如具有高质量、高可控性、高纯度、良好的附着性、高重复性等,与传统的化学气相沉积、离子束沉积、溅射沉积等技术相比具有明显的优势。
磁控溅射法制备薄膜材料实验报告
实验一磁控溅射法制备薄膜材料一、实验目的1、详细掌握磁控溅射制备薄膜的原理和实验程序;2、制备出一种金属膜,如金属铜膜;3、测量制备金属膜的电学性能和光学性能;4、掌握实验数据处理和分析方法,并能利用 Origin 绘图软件对实验数据进行处理和分析。
二、实验仪器磁控溅射镀膜机一套、万用电表一架、紫外可见分光光度计一台;玻璃基片、金属铜靶、氩气等实验耗材。
三、实验原理1、磁控溅射镀膜原理(1)辉光放电溅射是建立在气体辉光放电的基础上,辉光放电是只在真空度约为几帕的稀薄气体中,两个电极之间加上电压时产生的一种气体放电现象。
辉光放电时,两个电极间的电压和电流关系关系不能用简单的欧姆定律来描述,以气压为1.33Pa 的 Ne 为例,其关系如图 5 -1 所示。
图 5-1 气体直流辉光放电的形成当两个电极加上一个直流电压后,由于宇宙射线产生的游离离子和电子有限,开始时只有很小的溅射电流。
随着电压的升高,带电离子和电子获得足够能量,与中性气体分子碰撞产生电离,使电流逐步提高,但是电压受到电源的高输出阻抗限制而为一常数,该区域称为“汤姆森放电”区。
一旦产生了足够多的离子和电子后,放电达到自持,气体开始起辉,出现电压降低。
进一步增加电源功率,电压维持不变,电流平稳增加,该区称为“正常辉光放电”区。
当离子轰击覆盖了整个阴极表面后,继续增加电源功率,可同时提高放电区内的电压和电流密度,形成均匀稳定的“异常辉光放电”,这个放电区就是通常使用的溅射区域。
随后继续增加电压,当电流密度增加到~0.1A/cm 2时,电压开始急剧降低,出现低电压大电流的弧光放电,这在溅射中应力求避免。
(2)溅射通常溅射所用的工作气体是纯氩,辉光放电时,电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞,电离出大量的氩离子和电子,电子飞向基片。
氩离子在电场的作用下加速轰击靶材,溅射出大量的靶材原子,这些被溅射出来的原子具有一定的动能,并会沿着一定的方向射向衬底,从而被吸附在衬底上沉积成膜。
磁控溅射制备金属-钙钛矿氧化物薄膜在水分解反应中的应用
第53卷第4期 辽 宁 化 工 Vol.53,No. 4 2024年4月 Liaoning Chemical Industry April,2024收稿日期: 2023-08-05磁控溅射制备金属-钙钛矿氧化物薄膜在水分解反应中的应用黄先杰(厦门建霖健康家居股份有限公司,福建 厦门 361000)摘 要: 目前,采用电催化途径将水转化为具有高能量密度的“零排放”能源载体:氢气,已成为研究的热点。
钙钛矿氧化物由于资源丰富、价格低廉等特点,被认为是最有可能替代贵金属基催化剂的选择之一。
本研究通过磁控溅射技术结合原位析出方法构筑了“金属-钙钛矿”异质结电解水析氧反应电催化剂薄膜,并发现原位析出策略显著提高了其电催化活性面积,电解水氧化反应活性及稳定性。
本研究为低成本电解水反应催化剂的设计构建提供了新的思路。
关 键 词:钙钛矿氧化物; 薄膜; 电解水; 磁控溅射中图分类号:O646.5 文献标识码: A 文章编号: 1004-0935(2024)04-0506-05近年来,随着经济的飞速发展,人类对能源,特别是石油等碳基能源的消耗与日俱增,而化石能源使用一方面造成了能源短缺危机,更造成的地球生态环境的恶化,因此,寻求高能量密度且环保低碳排的能源载体,以替代碳基燃料成为迫在眉睫的问题。
氢能具有清洁环保、储能密度高等特点,被认为是未来最理想的清洁能源。
目前,通过可再生能源发电,并基于此电能电解水制备氢气利用是氢能大规模利用的最佳制备途径之一 。
电解水制氢包含了阴极的产氢反应(Hydrogen Evolution Reaction ,HER)和阳极的产氧反应(Oxygen Evolution Reaction ,OER)。
相对于HER 来说,OER 反应涉及四步质子-电子耦合转移过程,电极过程动力学十分缓慢,过电位较大, 因此,OER 反应也成为制约电解水过程大规模应用的瓶颈[1]。
贵金属基氧化物如氧化铱(IrO 2) 和氧化钌(RuO 2) 具有较好的OER 性能,但是其高昂的成本高及较差的稳定性限制了在商业中的大规模应用。
薄膜磁控溅射实验报告(3篇)
第1篇一、实验目的本次实验旨在通过磁控溅射技术制备不同材料薄膜,研究其制备过程中的工艺参数对薄膜质量的影响,并对薄膜的表面形貌、晶体结构、成分及性能进行分析。
二、实验原理磁控溅射技术是一种物理气相沉积方法,通过将靶材加热至一定温度,使其表面产生自由电子,然后在电场的作用下,自由电子与气体分子发生碰撞,产生等离子体,等离子体中的离子和电子被加速并轰击靶材表面,使靶材表面原子蒸发并沉积在衬底上形成薄膜。
三、实验设备与材料1. 实验设备:- 磁控溅射系统- 扫描电子显微镜(SEM)- X射线衍射仪(XRD)- X射线光电子能谱仪(XPS)- 红外光谱仪(IR)- 薄膜厚度测量仪2. 实验材料:- 靶材:Al、TiO2、ZnO等- 衬底:玻璃、硅等- 氩气、氮气等惰性气体四、实验步骤1. 清洗衬底:使用丙酮、乙醇、蒸馏水等清洗剂对衬底进行清洗,并在烘箱中干燥。
2. 装置准备:将靶材安装在磁控溅射系统上,设置靶材与衬底的距离、溅射气压、溅射时间等参数。
3. 磁控溅射:启动磁控溅射系统,进行溅射实验,制备薄膜。
4. 薄膜性能测试:使用SEM、XRD、XPS、IR等设备对薄膜的表面形貌、晶体结构、成分及性能进行分析。
五、实验结果与分析1. 薄膜表面形貌:SEM结果表明,Al、TiO2、ZnO等薄膜表面均匀,无明显缺陷。
2. 晶体结构:XRD分析表明,薄膜具有良好的晶体结构,晶粒尺寸较小。
3. 成分分析:XPS结果表明,薄膜中各元素含量符合预期。
4. 薄膜性能:- 硬度:Al、TiO2、ZnO等薄膜的硬度较高,具有良好的耐磨性能。
- 导电性:Al薄膜具有良好的导电性,适用于电子器件。
- 介电性能:TiO2、ZnO等薄膜具有良好的介电性能,适用于电容器等器件。
六、实验讨论1. 溅射气压对薄膜质量的影响:溅射气压越高,薄膜密度越大,晶粒尺寸越小,但溅射气压过高会导致薄膜表面出现缺陷。
2. 溅射时间对薄膜质量的影响:溅射时间越长,薄膜厚度越大,但溅射时间过长会导致薄膜内部应力增大,影响薄膜性能。
ito薄膜磁控溅射制备工艺
ito薄膜磁控溅射制备工艺是一种常用的薄膜制备技术,其基本步骤包括:
1. 准备工作:在实验前,需要对设备和试剂进行准备。
设备包括磁控溅射仪、高温退火炉等,试剂包括ITO靶材(氧化铟锡)、金属银(Ag)、基底等。
需要确保基底和靶材的匹配,以及基底的清洁度。
2. 基底预处理:对玻璃基底进行表面处理,主要是除去油污和杂质,增加表面粗糙度,提高附着力和耐腐蚀性。
这一步骤可以使用丙酮等有机溶剂清洗。
3. 溅射过程:将准备好的ITO靶材安装在真空系统中,并通过控制系统抽真空,直至达到所需的真空度。
然后通入高纯氩气或氪气,启动磁控溅射仪,在一定的气压和溅射功率下进行溅射。
ITO靶材在氩气环境中被溅射出原子,沉积在基底上形成薄膜。
4. 薄膜退火处理:溅射完成后,需要对薄膜进行热处理。
将样品放入高温退火炉中,在一定的温度、时间和气氛条件下,对薄膜进行热处理,以提高薄膜的致密度、结晶度以及与玻璃基底的附着力。
5. 检测与分析:对薄膜进行性能检测和分析,包括膜层表面形貌、膜层厚度、光学性能、电学性能等。
可以通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、光谱仪等设备进行检测。
具体的制备工艺参数可能会因材料、设备、实验条件等因素的差异而有所不同。
此外,ito 薄膜磁控溅射制备工艺还包括不同的后处理工艺,如阻焊膜制备、图形刻蚀等,可根据具体应用需求选择合适的后处理工艺。
以上信息仅供参考,如果需要更多信息,建议咨询专业人士。
一种磁控溅射制备纳米多孔金属薄膜的方法[发明专利]
(10)申请公布号(43)申请公布日 (21)申请号 201410737555.4(22)申请日 2014.12.05C23C 14/14(2006.01)C23C 14/35(2006.01)C23C 14/58(2006.01)B82Y 30/00(2011.01)(71)申请人国家纳米科学中心地址100190 北京市海淀区中关村北一条11号(72)发明人李晓军 刘颖 赵修臣 褚卫国江鹏 宋志伟(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332代理人巩克栋 侯桂丽(54)发明名称一种磁控溅射制备纳米多孔金属薄膜的方法(57)摘要一种制备纳米多孔金属薄膜的方法,通过磁控溅射工艺制备。
本发明的方法制作工艺简单,并可以常温下制备出纳米多孔金属薄膜;所制备的多孔金属薄膜具有超薄、比表面积大、活性高、膜层均匀、易于微器件集成等特点,可以应用于催化、新能源领域,并可以直接作为超级电容器材料制备微型电容电极。
(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页 说明书4页 附图3页(10)申请公布号CN 104451547 A (43)申请公布日2015.03.25C N 104451547A1.一种制备纳米多孔金属薄膜的方法,其特征在于,通过磁控溅射工艺制备。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在衬底上溅射金属薄膜;(2)将制得的金属薄膜去除腐蚀电位低的合金元素。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在溅射金属薄膜之前,先溅射沉积Cr或Ti膜;优选地,所述Cr或Ti膜厚为5-15nm,优选为10nm;优选地,溅射沉积Cr或Ti膜的条件为:磁控溅射设备沉积腔室的本底真空度为5×10-5-10×10-5Pa,优选为7×10-5Pa;溅射功率为50-150W,优选为100W;溅射气压为0.2-1.0Pa,优选为0.5Pa;溅射时间为5-15min,优选为8min。
磁控溅射镀膜原理及工艺
磁控溅射的物理基础
磁场控制
通过磁场控制电子的运动轨迹,延长其在工 作气体的停留时间,提高气体离化率。
偏转磁场
电子在磁场中受到洛伦兹力作用,偏转方向 与电场方向相反,从而避免了电子与工作气 体碰撞。
能量传递
高能电子撞击工作气体,使气体分子离化成 离子和电子,离子在电场作用下加速飞向基 片,撞击基片表面的固体原子或分子,使其 溅射出来。
镀膜工艺参数优化
真空度控制
气体流量控制
优化真空室内的真空度,以提高镀膜 质量。
优化工作气体和反应气体的流量,以 获得良好的镀膜效果。
溅射功率调节
根据靶材和镀膜需求,调节溅射功率 ,以获得理想的镀膜层厚度和性能。
04
磁控溅射镀膜的应用
光学薄膜
减反射膜
通过在光学元件表面镀制一层特定厚度的薄膜,减少光的反射,提高透光率。
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真空室
用于容纳待镀膜的基片和溅射源 ,是整个镀膜系统的核心部分。
02
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04
控制系统
用于控制镀膜过程中的各项参数 ,如温度、压力、电流等。
磁控溅射源
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阴极
通常由靶材制成,接负电 压,在电场的作用下吸引 正离子。
阳极
通常为金属环或平面,接 正电压,与阴极共同形成 放电空间。
磁场
通过磁场控制电子的运动 轨迹,提高离化率和溅射 效率。
真空系统及测量控制系统
真空系统
由真空泵、管道、阀门等组成,用于抽真空,创造适宜的镀 膜环境。
测量控制系统
通过各种传感器和测量仪表,实时监测镀膜过程中的各种参 数,如压力、温度、电流等,确保镀膜过程的稳定性和可重 复性。
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薄膜实验指导书
薄膜制备实验指导书实验一磁控溅射法制备金属薄膜一、实验目的1、了解磁控溅射实验原理2、学会操作磁控溅射仪3、了解影响薄膜质量的因素二、基本原理1、薄膜制备过程溅射沉积是一种物理气相沉积法,利用带有电荷的离子在电场中加速具有一定动能的特点,将离子引向欲被溅射的靶材。
溅射过程是轰击粒子与靶原子之间能量传递的结果。
在轰击离子能量合适的情况下,在与靶材表面的原子碰撞过程中,靶材表面原子将获得足够的动能脱离固体表面,这些溅射出来的靶材原子带有一定的动能沿着一定的发向射向衬底,从而实现在衬底上薄膜的沉积(如图1)。
在上述过程中,离子的产生过程与等离子体的产生或气体的辉光放电过程密切相关。
图1气体辉光放电需要的击穿电压:log bd pL V L p b∝+ 其中,p ——腔体压力,L ——电极间距,b ——常数。
发生溅射需要超过一个阈值能量,当能量较小时发生反弹或表面吸附,而能量较大时,会发生离子注入。
溅射过程中激发产生的二次电子可进一步与气体原子碰撞,引发电离或辉光, 几种常用气体的电离能见表格1表格1对于以氩离子做为入射离子的情况,入射能量略大于阈值时,产额随能量的平方增加;超过100eV,随能量线性增加;超过750eV,产额将略有增加;1000eV时产额最大(如图2)。
选择不同的电离原子,产额有所差异,其中稀有气体有较大的溅射产额。
图2对不同材料溅射产额与垂直入射氩离子的离子能图345keV离子射向银,铜和钽靶时,溅射产额与轰击离子原子序数的函数关系所谓磁控溅射,就是通过在靶材的周围和后面设置磁场,限制二次电子于靶前面,增加轰击率和电离速率,提高溅射效率。
有很多因素影响沉积薄膜的质量,包括电压、真空背底气压、氩气溅射气压、氧分压、流量大小、衬底温度,溅射方式,若是射频溅射,偏压的大小也有一定的影响。
在制备薄膜时需要查阅资料获得各个参数,或者自行研究尝试,在表征测试后得到最好的实验条件。
2、薄膜表征(1)SEM:扫描电子显微镜扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscopic)的制造是依据电子与物质的相互作用。
磁控溅射用金属及合金靶材
磁控溅射用金属及合金靶材磁控溅射技术是一种常见的表面处理技术,用于在材料表面形成薄膜。
在磁控溅射过程中,金属或合金靶材被高能粒子轰击,从而使其释放出原子,形成薄膜。
磁控溅射用金属及合金靶材在这一过程中起着关键作用。
本文将介绍磁控溅射技术以及常见的金属靶材和合金靶材的应用。
一、磁控溅射技术概述磁控溅射技术是一种基于电火花放电原理的物理气相沉积技术。
在磁控溅射过程中,通过定向加速高能粒子轰击靶材,使靶材释放出原子、离子或中性原子,从而形成薄膜。
磁控溅射技术具有较高的薄膜质量、较好的附着力、较高的沉积速率等优点,因此被广泛应用于半导体、光电子、显示器件等工业领域。
二、常见的金属靶材1. 铜靶材铜靶材是磁控溅射技术中常见的一种金属靶材。
铜靶材具有导电性良好、热导率高、热膨胀系数低等特点,适用于制备导电薄膜,常见的应用包括电子器件、太阳能电池、触摸屏等。
2. 铝靶材铝靶材也是磁控溅射技术中常用的金属靶材之一。
铝靶材具有低密度、导热性好、可与多种材料形成合金等特点,常用于制备反射膜、保护膜等。
3. 钛靶材钛靶材在磁控溅射技术中应用广泛。
钛靶材具有良好的耐腐蚀性、低密度、高强度等特点,常用于制备防腐蚀膜、装饰膜等。
4. 铬靶材铬靶材是一种硬质金属靶材,具有高熔点、高硬度等特点,常用于制备耐腐蚀膜、阻隔膜等。
三、常见的合金靶材1. 铜铬合金靶材铜铬合金靶材是磁控溅射技术中常见的合金靶材之一。
铜铬合金具有低熔点、高硬度、抗氧化性好等特点,适用于制备硬质合金、陶瓷膜等。
2. 镍铁合金靶材镍铁合金靶材也是常用的合金靶材之一。
镍铁合金具有高磁导率、低热膨胀系数等特点,适用于制备磁性材料、磁存储膜等。
3. 钛铝合金靶材钛铝合金靶材具有低密度、高强度等特点,适用于制备耐磨膜、耐腐蚀膜等。
四、金属及合金靶材的制备技术金属及合金靶材的制备技术包括铸造、粉末冶金等方法。
铸造是一种常见的制备金属及合金靶材的方法,其步骤包括材料选取、熔化、浇铸、热处理等。
ITO薄膜制备及特性
一、ITO薄膜的制备方法薄膜的制备方法有多种,如磁控溅射沉积、真空蒸发沉积、溶胶- 凝胶和化学气相沉积法等1.1磁控溅射法磁控溅射法是目前工业上应用较广的镀膜方法。
磁控溅射沉积可分为直流磁控溅射沉积和射频磁控溅射沉积,而直流磁控溅射沉积是当前发展最成熟的技术。
该工艺的基本原理是在电场和磁场的作用下,被加速的高能粒子(Ar+)轰击铟锡合金(IT)靶材或氧化铟锡(ITO)靶材表面,能量交换后,靶材表面的原子脱离原晶格而逸出,溅射粒子沉积到基体表面与氧原子发生反应而生成氧化物薄膜HJ。
1.2真空蒸发法真空蒸发镀膜法(简称真空蒸镀)是在真空室中,加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料,使其原子或分子从表面气化逸出,形成蒸气流,入射到固体(称为衬底或基片)表面,凝结形成薄膜的方法。
由于真空蒸发法或真空蒸镀法主要物理过程是通过加热蒸发材料而产生,所以又称为热蒸发法。
按照蒸发源加热部件的不同,蒸发镀膜法可分为电阻蒸发、电子束蒸发、高频感应蒸发、电弧蒸发、激光蒸发法等。
采用这种方法制造薄膜,已有几十年的历史,用途十分广泛。
1.3溶胶一凝胶(Sol—Gel)法溶胶是指微小的固体颗粒悬浮分散在液相中,并且不停地进行布朗运动的体系。
溶胶凝胶法制备涂层的基本原理是:以金属醇盐或无机盐为前驱体,溶于溶剂(水或有机溶剂)中形成均匀的溶液,溶质与溶剂产生水解或醇解反应,反应生成物聚集成几个纳米左右的粒子并形成溶胶,再以溶胶为原料对各种基材进行涂膜处理,溶胶膜经凝胶化及干燥处理后得到于凝胶膜,最后在一定的温度下烧结即得到所需的薄膜。
1.4化学气相沉积法(CVD)化学气相沉积法(CVD)是一种或几种气态反应物(包括易蒸发的凝聚态物质在蒸发后变成的气态反应物)在衬底表面发生化学反应而沉积成膜的工艺。
反应物质是由金属载体化合物蒸气和气体载体所构成,沉积在基体上形成金属氧化物膜,衬底表面上发生的这种化学反应通常包括铟锡原材料的热分解和原位氧化u2I。
ITO透明导电薄膜的磁控溅射法制备工艺
J I A N G S U U N I V E R S I T Y 课程设计论文ITO透明导电薄膜的磁控溅射法制备工艺学院名称: 材料学院专业班级: 无机光电0902学生姓名: 张亚平指导教师姓名: 李保家指导教师职称:2012 年 6 月摘要: 铟锡氧化物(简称ITO) 是In2O3掺Sn的半导体材料, 其薄膜由于具有优良的导电性和光学性能,引起了人们的广泛关注,随着薄膜晶体管(TFT),液晶显示( LCD),等离子显示(PCD)等高新技术的不断发展,现今工业上以制备均匀的大面积ITO薄膜为热点。
本文介绍了透明导电薄膜的定义及其导电机理,并就其中一种应用十分广泛的材料ITO进行了介绍,详细讲解了利用磁控溅射法制备ITO纳米透明导电薄膜,分析其结构及其光电性能,利用透射电子显微镜(SEM)、X 射线衍射(XRD)对薄膜的的结构、形貌和电化学性质进行表征,并对其发展进行了展望。
关键词:氧化铟锡薄膜(ITO);直流磁控溅射法;制备工艺1 引言透明导电薄膜是一种既能导电又在可见光范围内具有高透明率的一种薄膜,透过性的标准是透过率60%以上,导电性的标准是表面电阻在1010Ω·cm 以下[1]。
透明导电薄膜的种类主要有金属膜、氧化物膜、多层复合膜和高分子膜等, 其中氧化物薄膜占主导地位。
透明导电氧化物( TCO) 薄膜主要包括In 、Sn 、Zn 、Cd 的氧化物及其复合多元氧化物薄膜。
1907年Badeker 首先制备并报道了 CdO 透明导电薄膜, 将物质的透明性和导电性这一矛盾统一起来。
在随后的几十年中,人们发现和研究了多种材料的 TCO 薄膜,并不断扩大它们的用途。
目前研究人员主要集中在对SnO2基、In 2O 3基以及ZnO 基透明导电膜的研究[2]。
2 透明导电薄膜的导电机理2.1 透明度透明导电膜的透明度主要取决于膜的光纳N =n - i k 和光学厚度nd 。
在基底的光纳N g =n g -ik g ,和透明光波的波长认确定的条件下,由光学薄膜的理论可计算出单层膜的透光率[3]*))(()(4000C B N C B N N R N T g e ++= (1)式中N 0是光波入射介质的光纳,R e (N g ) 是基底光纳的实部,B 和C 是膜系特征矩阵的元素。
磁控溅射法制备ITO膜的研究
目录前言 (1)第一章ITO薄膜概述 (2)§1.1ITO薄膜的结构 (2)§1.2ITO薄膜的特性 (2)§1.3ITO薄膜的基本原理 (3)1.3.1 ITO膜的导电机理 (3)1.3.2 ITO膜的半导体化机理 (3)1.3.3 影响ITO薄膜导电性能的几个因素 (4)第二章ITO膜的制备方法 (5)§2.1ITO薄膜制备方法简介 (5)§2.2直流磁控溅射法制备ITO膜的基本原理 (6)2.2.1 磁控溅射基本原理 (6)2.2.2 气体辉光放电的物理基础 (7)2.2.3 辉光放电与等离子体 (8)第三章实验部分 (11)§3.1玻璃基片与超声清洗 (11)§3.2ITO膜制备参数的选择 (12)§3.3镀膜的工艺流程 (14)第四章检测与结果分析 (16)§4.1ITO薄膜在可见光范围内的透过率测试 (16)§4.2ITO薄膜方块电阻的测定 (18)§4.3工艺参数对透过率和方阻的影响 (19)4.3.1 靶基距的选定 (19)4.3.2 溅射时间的选定 (20)4.3.3 溅射气压的选定 (21)4.3.4 退火工艺对方阻和透过率的影响 (21)4.3.5 基片温度对方阻和透过率的影响 (23)§4.4霍耳效应 (24)§4.5X射线衍射 (26)第五章结论 (27)致谢 (28)参考文献 (29)磁控溅射法制备ITO膜的研究 1 磁控溅射法制备ITO膜的研究前言19世纪末,透明导电薄膜材料的研究刚刚起步,当时是在光电导的材料上获得很薄的金属薄膜。
经历一段很长时间后的第二次世界大战期间,关于透明导电材料的研究才进入一个新的时期,于是开发了由宽禁带的n型简并半导体SnO2材料,主要应用于飞机的除冰窗户玻璃。
在1950年,第二种透明半导体氧化物In2O3首次被制成,特别是在In2O3里掺入锡以后,使这种材料(掺锡氧化铟,即Indium Tin Oxide,简称ITO)在透明导电薄膜方面得到了普遍的应用,锡掺杂的氧化铟(ITO)透明导电膜是一种重要的光电信息材料,优良的光电特性使其在太阳电池、液晶显示器、热反射镜等领域得到广泛的应用。
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磁控溅射金属薄膜的制备公司标准化编码 [QQX96QT-XQQB89Q8-NQQJ6Q8-MQM9N]磁控溅射薄膜金属的制备黎明烟台大学环境与材料工程学院山东烟台 111E-mail摘要: 金属与金属氧化物在气敏、光催化与太阳能电池等方面有着极为重要的应用,通过磁控溅射法制备的金属氧化物薄膜,具有纯度高、致密性好、可控性强、与基底附着性好等优点,因此磁控溅射技术被广泛应用于工业化生产制备大面积、高质量的薄膜。
我们通过磁控溅射法制备了氧化铜纳米线阵列薄膜,并研究了其气敏性质;除此之外,我们还通过磁控溅射法制备了 TiO2/WO3复合薄膜,研究了两者之间的电荷传输性质关键词:磁控溅射;气敏性质;光电性质Magnetron sputtering metal filmpreparationLiMingEnvironmental and Materials Engineering, Yantai University Shandong Yantai 111E-mailAbstract: GAas Metal and metal oxide have important applications in gas-sensing, photocatalyst and photovoltaics, etc. The metal oxide film prepared by magnetron sputtering technique possesses good qualities, such as high purity, good compactness, controllability and excellent adhesion. Therefore magnetron sputtering technique is widely used to prepare large area and high quality films in industrial production. In our work, CuO nanowires (NWs) array films were synthesized by magnetron sputtering. Their gas-sensing properties were also investigated. Except this, WO3/ TiO2 nanocomposite films were synthesized by magnetron sputtering and their dynamic charge transport properties were investigated by the transient photovoltage technique.Key Words : Gmagnetron Sputtering, Photo-electric Properties, Gas-sensing Properties1绪论磁控溅射由于其显着的优点应用日趋广泛,成为工业镀膜生产中最主要的技术之一,相应的溅射技术与也取得了进一步的发展!非平衡磁控溅射改善了沉积室内等离子体的分布,提高了膜层质量;中频和脉冲磁控溅射可有效避免反应溅射时的迟滞现象,消除靶中毒和打弧问题,提高制备化合物薄膜的稳定性和沉积速率;改进的磁控溅射靶的设计可获得较高的靶材利用率;高速溅射和自溅射为溅射镀膜技术开辟了新的应用领域。
随着科技的发展,器件的小型化、智能化、集成化、高密度存储和超快传输对材料尺寸的要求越来越小,对器件的制造技术提出了更高的要求,新材料的产生与新技术的发展对今后社会发展、经济振兴、国力增强具有强有力的影响。
而纳米材料由于具有特殊的物理和化学性能,对其的研究从上世纪 80 年代末逐渐兴起,并成为当今新材料领域中最富活力,对未来经济和社会发展有着重要影响的研究对象。
特别是金属氧化物纳米材料由于在在电子、食品、生物、医学等行业有着广阔的应用而倍受关注[1]。
基于磁控溅射法,我们主要开展了以下三个方面的工作: (1)采用磁控溅射法在掺氟二氧化锡导电玻璃(FTO)衬底上溅射金属铜薄膜,所制备的 Cu 薄膜通过在管式炉中退火氧化生长,可得到 CuO 纳米线阵列薄膜。
用 X 射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对其形貌和结构进行了表征,并研究了这种通过磁控溅射法得到的 CuO 纳米线阵列薄膜对 CO和 H2S 的气敏性质,研究结果表明:CuO 纳米线阵列薄膜在 250℃时对 CO 气体具有最强的气敏响应[2],并且当 CO 浓度增大时其气敏响应明显增强;而对于 H2S 气体,在常温下 CuO 纳米线阵列薄膜能够对低浓度的 H2S 气体响应,说明这种 CuO 纳米线阵列薄膜可以在常温、低浓度下探测 H2S 气体;与 CO 气体不同的是:当测试温度升高时,其电阻值在H2S 气体氛围中迅速减小,我们对这种异常的电阻变化现象进行了解释。
(2)采用双极脉冲磁控溅射法制备了 TiO2、WO3与 TiO2/WO3复合薄膜,我们采用瞬态光电压谱技术研究了三种薄膜在光照下光生电荷的动态传输特性,对于 TiO2/WO3异质结薄膜,其瞬态光电压信号与 TiO2、WO3的信号相反,其瞬态光电压值几乎为 TiO2、WO3的 3 倍[3]。
这些现象说明 TiO2与 WO3之间形成的界面对光生电荷的分离起着重要的作用。
我们对 TiO2与 WO3界面间的电荷传输与分离过程作了详细的讨论和解释。
(3)利用磁控溅射法在硅基底上制备超薄金属铜薄膜,通过严格控制沉积时间从而实现控制膜厚的目的,探索磁控溅射法制备金属超薄膜的工艺和条件。
研究结果表明:对于铜薄膜,溅射 10 秒未形成完整的薄膜,30 秒后可形成致密、完整的薄膜;并且随着溅射电压的增大,粒径增大[4];同时我们也对电流、气压及靶基距对薄膜的影响作了分析;通过对这些金属超薄膜进行后期热氧化处理可以制备出金属铜与金属锌的氧化物薄膜。
金属氧化物纳米材料的制备(一)气相法气相法是把欲制备的物质通过某些方法变成气体,使之在气体状态下发生物理变化或化学变化,最终在冷却过程中凝聚长大形成纳米微粒的方法。
气相法的特点是组分纯度高,粒径小,易控制,成膜性好等。
气相法分为物理气相沉积法(PVD)与化学气相沉积法。
物理气相沉积是在真空条件下,采用物理方法,将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。
主要包括溅射镀膜、真空蒸镀、离子镀膜,电弧等离子体镀以及分子束外延等[5]。
(1)溅射镀膜:在真空条件下,使氩气中的氩原子电离成氩离子,在电场加速下,氩离子轰击靶材,从靶材轰击出来的小颗粒沉积到基底上而形成一定厚度的薄膜。
(2)真空蒸镀:在真空条件下,利用加热、电子束或离子束使金属或金属化合蒸发为气相后沉积在基底上形成一定厚度的薄膜。
(3)离子镀:在真空条件下,采用等离子体电离技术,使镀料原子部分电离成离子,同时产生许多高能量的中性原子,在被镀基体上加负偏压。
在深度负偏压作用下,离子沉积于基底形成薄膜。
(4)电弧等离子体镀:在真空条件下,用引弧针引弧,使真空金壁(阳极)和镀材(阴极)之间进行弧光放电,阴极表面快速移动着多个阴极弧斑,不断迅速蒸发镀料,使之电离成以镀料为主要成分的电弧等离子体,并能迅速将镀料沉积于基体。
因为有多弧斑,所以也称多弧蒸发离化过程化学气相沉积利用气态的先驱反应物,通过原子、分子间化学反应,使得气态前驱体中的某些成分分解,而在基体上形成薄膜。
主要有等离子体辅助化学沉积、常压化学气相沉积、金属有机化合物沉积、激光辅助化学沉积等。
(二)液相法液相法是一种比较成熟的技术,该方法比较容易成核,从而容易控制颗粒的化学份、形状与大小,不过此方法容易引入杂质,造成样品纯度不高,其方法是把可溶性金属盐按所需比例配成溶液,加入一种合适的沉淀剂,使金属离子均匀沉淀出来,最后将沉淀的样品经过干燥、退火而得到所需纳米材料。
在制备过程中,以沉淀法、水热法、溶胶-凝胶法为主,方法介绍如下:(1)沉淀法沉淀法是合成纳米材料经常采用的方法之一,它是将沉淀物加入到金属盐溶液中进行处理,再将沉淀物加热分解,沉淀法又可分为直接沉淀法、还原法、共沉淀法和均匀沉淀法。
(2)水热法通过在高温高压条件下在水溶液中或蒸汽等流体中合成物质,再经过分离和热处得到纳米材料的一种方法[6]。
水热条件下粒子反应和水解反应得到加速和促进,使一些在常温常压下反应速度很慢的热力学反应在水热条件下可以实现快速反应。
该方法可以大量获得在常温常压下得不到或难以得到的、粒径从几纳米到几百个纳米的金属氧化物[7]。
(3)溶胶-凝胶法该法是利用易于水解的金属醇盐的在水溶液中分解或聚合反应生成金属氧化物或金属氢氧化物的溶胶,再浓缩成透明凝胶,凝胶经干燥和热处理后可得到所需金属氧化物材料。
(三)固相法固相法是一种传统的将金属盐和金属氢氧化物按一定的比例充分混合,发生复分解反应生成前驱物,多次洗涤后充分研磨进行煅烧,然后再研磨得到纳米粒子工艺,采用固相法制备的纳米颗粒具有无团聚、成本较低、产量比较大、制备工艺比较简单等优点,现也是一种常用的方法,但固相法也存在很多缺点,反应温度高,消耗能量大、并且效率很低、得到的纳米材料颗粒较大、纯度不高. [8]2磁控溅射法制膜的应用由于磁控溅射已成为工业生产中不可缺少的制膜技术,现被用于器件、能源、电化学腐蚀、生物等多种领域。
(1)在纺织方面的应用Mejia等人[9]利用直流磁控溅射法在棉纺织品上沉积银的高分辨与透射图,从图中可以看出纺织品上已形成了连续的银薄膜,颗粒大小约纳米,从右下图可以看到,通过此方法可以有效抑制细菌的生长,因此可以起到杀菌、抗菌的作用。
现在,关于抗菌、杀菌与治疗皮肤疾病的纳米纺织引起了人们极大的关注[10]。
(2)磁控溅射在太阳能方面的应用Kim小组[11]2008年报道的利用磁控溅射法在PS球上溅射一层TiO2薄膜,然后退火制备出的半球壳结构的二氧化钛薄膜,此结构提高了电了扩散系数,增大了比表面积,能够吸附更多的染料,为提高染料敏化太阳能电池效率提供了很好的材料。
Grimes小组[12]用溅射方法在FTO上溅射了20微米的金属钛薄膜,然后用阳极氧化法制备的透明的TiO2纳米管,此种结构对染料敏化太阳能电池效率的提高起到了很好的作用。
(3)在电子元件方面的应用Zareie小组[13]利用磁控溅射法在PS球上溅射Au-Al2O3-Au结构后,用酒精去除PS球,退火后得到的纳米电容,此装置电量存储量大,可用于纳米级电路,由于此种电容体积小,在当今电子器件的小型化发展中,具有很好的应用前景。