半导体封装测试制程介绍
半导体制程简介
• 然后再进行烘烤，使没有被洗掉的光阻变得比较坚硬 而不至于在下一步蚀刻的时候被破坏掉。
2.4 酸蚀刻
• Acid Etch
– 将没有被光阻覆盖的薄膜腐蚀掉，是酸蚀刻的 主要任务。
– 蚀刻完毕之后，再将光阻洗去。
• 酸蚀刻要使用到多种酸剂，例如：腐蚀 SiO2需要用氢氟酸(剧毒无比的东东)；去除 光阻需要用到硫酸。
半导体制程简介
——芯片是如何制作出来的
基本过程
• 晶园制作 – Wafer Creation
• 芯片制作 – Chip Creation
• 后封装 – Chip Packaging
第1部分 晶园制作
1.1 多晶生成
• Poly Silicon Creation 1
– 目前半导体制程所使用的主要原料就是晶园 (Wafer)，它的主要成分为硅(Si)。
– 引线接在芯片设计时留出的接线管脚上。任何 引线之间的连接(Bridge)都将是致命的。
• 引线制作
3.4 封装
• Packaging
– 晶园切割、引线之后就 是封装。
– 封装之后，我们就见到 了真正产品——芯片。
The End Biblioteka hanks!– 富含硅的物质非常普遍，就是沙子(Sand)，它 的主要成分为二氧化硅(SiO2)。
– 沙子经过初步的提炼，获得具有一定纯度的硅， 再经过一些步骤提高硅的纯度，半导体制程所 使用的硅需要非常高的纯度。
– 接着就是生成多晶硅(Poly Silicon)。
• Poly Silicon Creation 2
• Poly Silicon Creation 3
半导体封测介绍
半导体封测介绍半导体封测是半导体制造中非常重要的一个环节。
封测是指对制造好的芯片进行测试和封装的过程，确保其质量和可靠性。
本文将从半导体封测的意义、封测的流程和封测的技术发展等方面进行介绍。
半导体封测的意义非常重大。
在半导体制造过程中，封测是最后一道关卡，也是保证芯片质量的重要环节。
通过封测，可以对芯片进行各种功能和性能测试，以确保芯片在正常工作环境下的可靠性和稳定性。
同时，封测还可以对芯片进行封装，保护芯片免受外界环境的影响，提高芯片的耐用性和可靠性。
半导体封测的流程一般包括前封测和后封测两个阶段。
前封测主要是对芯片的电学特性进行测试，包括直流电参数测试、交流电参数测试、功耗测试等。
通过这些测试，可以评估芯片的性能指标，例如电流、电压、功耗等。
后封测主要是对芯片的功能进行测试，包括模拟功能测试、数字功能测试、射频功能测试等。
通过这些测试，可以检测芯片的各种功能是否正常工作。
半导体封测的技术发展也非常迅速。
随着半导体技术的不断进步，封测技术也在不断演进和完善。
目前，常用的半导体封测技术包括焊线键合技术、晶圆封装技术和裸芯封装技术等。
焊线键合技术是最常见的封测技术之一，通过焊接芯片与封装基板之间的金属线，实现芯片与封装基板的连接。
晶圆封装技术是将多个芯片同时封装在同一个封装基板上，提高封装效率和生产能力。
裸芯封装技术是将芯片直接封装在封装基板上，避免了焊线键合的过程，提高了封装的可靠性和稳定性。
除了技术方面的发展，半导体封测还面临着一些挑战。
首先是封测成本的不断上升，封测设备和材料的价格都在不断攀升，给企业带来了巨大的压力。
其次是封测技术的复杂性，封测过程需要高度的自动化和精密的仪器设备，对人员的技术要求也很高。
此外，封测过程中需要考虑到芯片的散热和电磁干扰等问题，对封装技术和材料的要求也很高。
半导体封测在半导体制造中起着至关重要的作用。
通过封测，可以对芯片的质量和可靠性进行评估，保证芯片在正常工作环境下的稳定性。
半导体封装工艺流程
半导体封装工艺流程
《半导体封装工艺流程》
半导体封装是将芯片封装在塑料或陶瓷外壳中，以保护芯片不受损坏并方便连接电路和外部器件的过程。
在半导体工艺中，封装是非常重要的一环，其工艺流程可分为以下几个步骤：
1. 芯片测试：在封装之前，需要对芯片进行测试，以确保其正常工作和性能稳定。
测试包括功能测试、电气特性测试和外观检查等。
2. 芯片准备：芯片准备包括清洁、切割、薄化和镀金等步骤，以便使芯片和封装材料之间能够完美连接。
3. 封装设计：根据芯片的尺寸、功耗和功能等要求，设计合适的封装结构和材料。
常见的封装结构有QFN、BGA和LGA 等。
4. 封装材料准备：选择合适的封装材料，通常是塑料或陶瓷。
对封装材料进行成型和切割，并在表面进行处理，以便与芯片连接。
5. 芯片封装：将芯片放置在封装材料中，并通过焊接、粘接或压合等方式，将芯片与封装材料牢固地连接在一起。
6. 封装后加工：对封装好的芯片进行清洗、干燥和外观检查，确保封装质量符合标准。
7. 封装测试：对封装好的芯片进行电气参数测试、外观检查和功能验证，以确保封装后的芯片质量可靠。
半导体封装工艺流程的每个步骤都至关重要，需要严格控制各个环节的工艺参数，以确保封装品质稳定可靠。
随着半导体技术的不断发展，封装工艺也在不断创新和改进，以满足越来越复杂的芯片封装需求。
半导体封装制程及其设备介绍
半导体封装制程及其设备介绍一、概述半导体芯片是一种微型电子器件，半导体封装制程是将芯片进行外层包装，从而保护芯片、方便焊接、测试等工作的过程。
比较常见的半导体封装方式有芯片贴装式、铅框式、无铅框式等。
本文将从半导体封装的制程入手，为大家介绍半导体封装制程及其设备。
二、半导体封装制程1. 粘结半导体封装的第一步是将芯片粘结到支撑贴片（Leadframe）上面。
支撑贴片是一种晶粒尺寸相对较大、但还不到电路板级别的导体片。
常用的粘接剂有黄胶、银胶等，其使用在制程时会加热到一定温度，使其能够黏合贴片和芯片。
2. 线缆连接芯片被粘接到支撑贴片上方后，需要进行内部连线。
通常使用铜线作为内部连线，常用的连线方式有金线焊接和铜线焊接。
它们的区别很大程度上取决于封装要求和芯片使用情况。
3. 包封装在连线之后，开始进行半导体封装的最后一步–包封装。
包封装是将芯片包封闭在一起，以进一步保护它。
常用的封装方式有QFP、BGA、SOIC、CHIP 贴片等。
三、半导体封装设备介绍1. 芯片粘结设备芯片粘结设备是半导体封装的第一步。
常用的芯片粘结设备包括黄胶粘合机、银胶粘合机、重合机等。
不同类型的设备适用于不同封装要求的芯片。
2. 线缆连接设备目前，铜线焊接机处于主流位置。
与金线焊接机相比，铜线焊接机具有成本更低、可靠度更高的优点。
因此，其能够更好地满足不同类型的芯片封装要求。
3. 包封装设备包封装设备是半导体封装的重要步骤。
常用的设备有 QFP 封装机、CHIP 贴片封装机等。
它们能够满足不同类型的封装要求，使芯片更加可靠。
四、半导体封装制程及其设备涉及到了许多知识点。
本文从制程和设备两个角度，为大家介绍了半导体封装制程及其设备。
不同的封装方式和设备对于产品的品质、成本以及生产效率都有很大的影响。
因此，在选择半导体封装制程和设备时，需要根据实际情况进行选择，以确保产品达到最佳性能和质量要求。
封装半导体dp工序
封装半导体dp工序封装半导体（Integrated Circuit Packaging）的DP工序是指将半导体芯片封装成最终的芯片封装形式的过程。
下面是封装半导体DP工序的一般流程：1.芯片划割（Wafer Dicing）：将芯片从晶圆（Wafer）上切割成单独的芯片。
通常使用划割工具（例如划割锯）来实现。
2.短路检测（Short Detection）：通过将芯片连接到测试台并施加电信号，检测是否存在短路现象。
这有助于排除芯片中的电路连接问题。
3.焊接（Wire Bonding）：将芯片连接到封装盒（Package）的引脚上。
这可以使用微细导线（金线或铝线）来实现，将芯片中的金属片与封装盒引脚焊接。
4.填充环氧树脂（Encapsulating）：对芯片进行保护，避免其受到环境条件的干扰。
常用的方法是使用环氧树脂将芯片封装在封装盒内部，形成一个保护层。
5.测试（Testing）：对封装的芯片进行各种测试，以确保其性能、功能和可靠性符合规格要求。
这可以包括功能测试、温度测试、功耗测试等。
6.标记与验证（Marking and Verification）：在封装盒上标记芯片的信息，例如产品代码、批次号、公司标识等。
这有助于产品的追溯和识别。
7.成品测试（Final Testing）：对最终封装的芯片进行最后一轮的全面测试，以确保其无缺陷且完全符合规格。
8.筛选与分选（Sorting）：根据测试结果，对芯片进行筛选和分选，将质量优良的芯片进行分类和分包。
根据不同的规格和功能要求，进行不同等级的分选。
9.包装（Packaging）：将分选后的芯片放入适当的包装中，通常是以托盘、芯片管或胶带的形式安装和封装起来，以便存储、运输和使用。
封装半导体DP工序的具体流程和步骤可能因不同的工艺和要求而有所差异。
这只是一种一般的描述，实际上的封装工艺可能更加复杂，涉及到更多的细节和特殊要求。
具体的封装工艺会因芯片类型、应用领域和生产工艺的不同而有所变化。
半导体封装制程及其设备介绍——【半导体芯片】
Dual In-line Package
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Ceramic Plastic
2.54 mm (100miles)
8 ~64
SIP
Single In-line Package
Plastic
2.54 mm (100miles) 1 direction
Material Lead Pitch No of I/O
Ceramic
1.27 mm (50miles) j-shape bend 4 direction
lead
18~124
Ceramic
0.5 mm
32~200
SMT (Optional)
Taping (Optional)
Grinding (Optional)
lead
3~25
Through Hole Mount
ZIP
Zigzag In-line Package
S-DIP
Shrink Dual In-line
Package
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
2.54 mm (100miles) 1 direction
Pack
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
1.27 mm (50miles) 2 direction
lead
8 ~40
半导体FT测试流程简介 共35页PPT资料
P&P Loader
P&P Unloader
Buffer(option)
#10 Stocker (option)
C-Tray Stocker
Set Plate
HT3302 System Flow
HT-3308 System Flow
• 测试分类机的机械结构在取放IC的操作时需要时间，一颗 IC流程为(输入端DUT)+测试+(DUT输出端)。因此即使测试 时间为0秒，设 备最高产出也有上限。改善UPH(每小时产出)的方式：(1) 选用Index Time较短的分类机 (2) Parallel Dut 测试 若机台的Index Time为10秒，即使则客户的测试程序 的测试时间小于10秒，每小时的产出最高为3600/10 = 360 在承接客户新产品，要先了解客户产品的测试秒数， 才能换算测试程本、预估产能。
• 除了测试机台外，待测品要完成电性测试还需要一些测试 配件：
• 1）分类机（Handler）：
•
1.提供测试温度环境 2.测试自动化
• HON. TECH HT-3302 • For storage card
• Advantest M6300 • For DDR2
• 承载待测品进行测试的自动化机械结构，其内有机械机构 将待测品一颗颗从标准容器内自动的送到测试机台的测试 头（Test Head）上接受测试，测试的结果会从测试机台 内传到分类机内， 分类机会依其每颗待测品的电性测试 结果来作分类（此即产品分Bin）的过程；此外分类机内 有升温装置，以提供待测品在测试 时所需测试温度的测 试环境，而分类机的降温则一般是靠氮气，以达到快速降 温的目的。 测试机台一般会有很多个测试头（Test Head），个数视 测试机台的机型规格而定，而每个测试头同时可以上一部 分类机或针测机， 因此一部测试机台可以同时的与多台 的分类机及针测机相连，而依连接的方式又可分为平行处 理，及乒乓处理，前者指的是在同一测试机台上测试程序 同时控制多台分类机进行测试，而后者是在同一测试机台 上多台分类机以不同的测试程序同时进行待测品的测试。ng IC Moving
半导体封装制程与设备材料知识介绍
24~32
Ceramic Plastic
2.54 mm (100miles)
Surface Mount
SOP Small Outline Package
QFP Quad-Flat
Pack
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
1.27 mm (50miles) 2 direction
lead
8 ~40
Plastic
1.0, 0.8, 0.65 mm 4 direction
lead
88~200
Surface Mount
FPG
Flat Package of Glass
LCC
Leadless Chip
Carrier
封裝型式
Shape
Tester
Digital
Credence
SC312
Digital
Teradyne
J750
Mix-Signal Credence
Quartet one and one+
Mix-Signal HP
HP93000 P600
Mix-Signal HP
HP93000 C400
Mix-Signal Teradyne
Die Attach (上片)
Deposition (沉积)
WireBonding (焊线)
Wafer Inspection (晶圆检查) 前段結束
Molding (塑封)
Laser mark (激光印字)
Laser Cut & package saw Testing
半导体封装制程及其设备介绍-PPT
Substrate
Solder paste pringting
Stencil
Chip shooting
Nozzle Capacitor
Reflow Oven
Hot wind
DI water cleaning
Automatic optical
inpection
DI water
Camera
PAD PAD
Wafer tape
Back Grind
Wafer Detape
Wafer Saw
Inline Grinding & Polish -- Accretech PG300RM
Coarse Grind 90%
Fine Grind 10%
Centrifugal Clean
Alignment & Centering
Die distance Uniformity
4。PICKING UP
3。EXPANDING
No contamination
TAPE ELONGATION
WEAK ADHESION
3.Grinding 辅助设备
A Wafer Thickness Measurement 厚度测量仪 一般有接触式和非接触式光学测量仪两种；
Solder paste
Die Prepare(芯片预处理) To Grind the wafer to target thickness then separate to single chip
---包括来片目检(Wafer Incoming), 贴膜(Wafer Tape),磨片(Back Grind),剥膜(Detape),贴片(Wafer Mount),切割(Wafer Saw)等系列工序,使芯片达到工艺所要求的形状,厚度和尺寸,并经过芯片目 检(DVI)检测出所有由于芯片生产,分类或处理不当造成的废品.
半导体封装制程与设备材料知识介绍演示文稿
Die Attach (上片)
Deposition (沉积)
WireBonding (焊线)
Wafer Inspection (晶圆检查) 前段結束
Molding (塑封)
Laser mark (激光印字)
Laser Cut & package saw Testing
(切割成型)
(测试)
Package (包装)
Detaping (Optional)
Wafer
Mount
UV Cure (Optional)
Die Saw
Die Bond
Die Cure
(Optional)
Plasma
Wire Bond
Molding
Post Mold Cure
Laser mark
Laser Cut
Package Saw
Cleaner
第六页，共120页。
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
2.54 mm (100miles) 1 direction
lead
16~24
Plastic
1.778 mm (70miles)
20 ~64
Through Hole Mount
Small Outline Package (SOP）
Plastic Leaded Chip Carrier (PLCC）
Small Outline Package (SOJ） Quad Flat Package (QFP ） BALL Grid Array (BGA ）
Power Transistor
半导体全制程介绍
《晶圆处理制程介绍》基本晶圆处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之后，送到热炉管（Furnace）内，在含氧的环境中，以加热氧化（Oxidation）的方式在晶圆的表面形成一层厚约数百个的二氧化硅层，紧接着厚约1000到2000的氮化硅层将以化学气相沈积Chemical Vapor Deposition；CVP）的方式沈积（Deposition）在刚刚长成的二氧化硅上，然后整个晶圆将进行微影（Lithography）的制程，先在晶圆上上一层光阻（Photoresist），再将光罩上的图案移转到光阻上面。
接着利用蚀刻（Etching）技术，将部份未被光阻保护的氮化硅层加以除去，留下的就是所需要的线路图部份。
接着以磷为离子源（Ion Source），对整片晶圆进行磷原子的植入（Ion Implantation），然后再把光阻剂去除（Photoresist Scrip）。
制程进行至此，我们已将构成集成电路所需的晶体管及部份的字符线（Word Lines），依光罩所提供的设计图案，依次的在晶圆上建立完成，接着进行金属化制程（Metallization），制作金属导线，以便将各个晶体管与组件加以连接，而在每一道步骤加工完后都必须进行一些电性、或是物理特性量测，以检验加工结果是否在规格内（Inspection and Measurement）；如此重复步骤制作第一层、第二层．．．的电路部份，以在硅晶圆上制造晶体管等其它电子组件；最后所加工完成的产品会被送到电性测试区作电性量测。
根据上述制程之需要，FAB厂内通常可分为四大区：1）黄光本区的作用在于利用照相显微缩小的技术，定义出每一层次所需要的电路图，因为采用感光剂易曝光，得在黄色灯光照明区域内工作，所以叫做「黄光区」。
2）蚀刻经过黄光定义出我们所需要的电路图，把不要的部份去除掉，此去除的步骤就> 称之为蚀刻，因为它好像雕刻，一刀一刀的削去不必要不必要的木屑，完成作品，期间又利用酸液来腐蚀的，所以叫做「蚀刻区」。
【半导体封装测试】IC封装测试工艺流程
EOL– Molding（注塑）
Before Molding After Molding
※为了防止外部环境的冲击，利用EMC 把Wire Bonding完成后的产品封装起 来的过程，并需要加热硬化。
EOL– Molding（注塑）
L/F L/F
Cavity
Molding Tool（模具）
➢EMC（塑封料）为黑色块状，低温存储，使用前需先回温。其特 性为：在高温下先处于熔融状态，然后会逐渐硬化，最终成型。
Wafer Wash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘，清洁Wafer；
FOL– Wafer Saw晶圆切割
Wafer Saw Machine
Saw Blade(切割刀片)：
Life Time：900~1500M； Spindlier Speed：30~50K rpm： Feed Speed：30~50/s;
• QFN—Quad Flat No-lead Package 四方无引脚扁平封装 • SOIC—Small Outline IC 小外形IC封装 • TSSOP—Thin Small Shrink Outline Package 薄小外形封装 • QFP—Quad Flat Package 四方引脚扁平式封装 • BGA—Ball Grid Array Package 球栅阵列式封装 • CSP—Chip Scale Package 芯片尺寸级封装
Molding Cycle
-L/F置于模具中，每 -高温下，EMC开始
个Die位于Cavity中， 熔化，顺着轨道流
模具合模。
向Cavity中
-块状EMC放入模具 孔中
-从底部开始，逐渐 覆盖芯片
-完全覆盖包裹完毕， 成型固化
半导体封装测试制程介绍
半导体封装测试制程介绍封装前测试是在芯片封装之前对芯片进行测试和筛选，以排除故障芯片，确保封装后器件的质量和可靠性。
主要步骤包括芯片测试和筛选。
芯片测试是对制造好的裸片进行功能测试和性能评估。
通常采用自动测试设备（ATE）进行。
ATE是一种专门设计用来测试半导体芯片的设备，能够自动完成电气参数测试、功能测试和时序测试等，并生成测试报告。
芯片筛选是根据芯片测试结果进行不良芯片的筛选。
一般会根据芯片的电压、电流、频率等参数的合格范围制定筛选标准，并通过测试设备进行筛选。
不合格的芯片将被淘汰，而合格的芯片将被送往封装工艺。
封装后测试是在芯片封装成器件之后，对器件进行功能测试和性能验证。
主要步骤包括器件功能测试、性能测试和可靠性测试。
器件功能测试是对已封装好的器件进行功能验证，例如检查器件是否能够按照设计要求正常工作，是否能够完成特定功能等。
这通常通过连接测试设备进行测试，并检查功能是否正常来实现。
功能测试一般通过提供适当的信号刺激，观察器件的响应来完成。
器件性能测试是对已封装好的器件进行性能评估，例如测量器件的工作频率、传输速率、功耗等性能参数。
性能测试通常通过专业仪器和测试设备进行，根据应用需求制定测试参数和测试方法。
器件可靠性测试是对已封装好的器件进行长时间的运行稳定性测试，以验证器件在工作环境下的可靠性和寿命。
常用的可靠性测试方法包括温度循环测试、高温运行测试、湿热循环测试等。
此外，半导体封装测试制程还涉及到一些关键技术，如引脚焊接技术、封装材料选择与应用、测试设备的选择与使用等。
引脚焊接技术是将芯片引脚与封装器件引脚之间进行焊接，以确保引脚与器件之间的电气连接和机械强度。
封装材料选择与应用是选择适合的材料来包裹和保护芯片，以防止环境对芯片的影响并提供物理支撑。
测试设备的选择与使用是根据芯片的特性和测试需求选择合适的测试设备，并进行正确的使用和操作。
综上所述，半导体封装测试制程是半导体芯片生产过程中的重要环节，通过对芯片和器件进行测试和筛选，以确保芯片和器件的质量和性能。
晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程
A.晶圆封装测试工序令狐采学一、 IC检测1. 缺陷检查Defect Inspection2. DRSEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy)用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。
另外，对已印有电路图案的图案晶圆制品而言，则需要进行深次微米规模之瑕疵检测。
一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆概略。
再由一或多组侦测器接收自晶圆概略绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发明瑕疵。
3. CDSEM(Critical Dimensioin Measurement)对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。
二、 IC封装1. 构装（Packaging）IC构装依使用资料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。
以塑胶构装中打线接合为例，其步调依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。
(1) 晶片切割（die saw）晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割别离。
举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。
欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，此后再送至晶片切割机上进行切割。
切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。
(2) 黏晶（die mount / die bond）黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。
黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。
(3) 焊线（wire bond）IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的呵护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。
IC半导体封装测试流程
IC半导体封装测试流程前端测试：1.补片测试：在封装前，进行补片测试，即对每个已经通过前工艺裸片的可靠性和功能进行全面测试。
主要测试项目包括电特性测试、逻辑功能测试、功耗测试以及温度应力等测试。
2.功能性测试：将裸片运行在预先设计好的测试平台上，通过对接触型探针测试仪进行电学特性测试，检查电参数是否在设计要求范围内，包括电流、电压、功耗、时序等。
3.可靠性测试：对于高可靠性要求的芯片，需要进行可靠性测试，例如高温老化测试、低温冷却测试、热循环测试、温度湿度测试等，以确保芯片能够在不同工况下正常运行。
后端测试：1.静态测试：将已经封装好的芯片放置在测试夹具上，通过测试仪器进行接触测试，对封装好的芯片进行功能性测试和电学特性测试，例如功耗测试、输入输出电压测试、输入输出缓存电流测试等。
2.动态测试：通过给封装芯片输入数据信号和控制信号，测试芯片的逻辑功能和时序特性，使用逻辑分析仪等设备检测信号的变化和时机。
3.热测试：对已封装好的芯片进行高温老化测试，以验证芯片能在高温工作环境下正常工作，检测芯片工作温度范围和性能。
4.特殊测试：根据项目需求可能会进行一些特殊测试，如EMI（电磁干扰）测试、ESD（静电放电）测试、FT（功能测试）等。
5.优化测试：在测试过程中，可能会发现一些性能不佳的芯片，需要进一步分析问题原因，调查并解决问题，确保芯片能够满足设计要求。
6.统计分析：对测试结果进行统计分析，对芯片的测试数据进行归档和总结，以评估生产线的稳定性和测试过程的可靠性。
总结：IC半导体封装测试流程包括前端测试和后端测试，从裸片测试到封装后测试全面测试芯片的电特性和功能，以保证封装后的芯片能够正常工作。
测试过程中还会进行可靠性测试、热测试和特殊测试等，以确保芯片在各种环境下的稳定性和性能。
通过优化测试和统计分析，可以不断改进测试流程，提高生产效率和产品质量。
半导体封装制程简介
（Die Saw）晶片切割之目的乃是要將前製程加工完成的晶圓上一顆顆之芯片（Die）切割分離。
首先要在晶圓背面貼上蓝膜（blue tape）並置於鋼製的圆环上，此一動作叫晶圓粘片（wafer mount），如圖一，而後再送至晶片切割機上進行切割。
切割完後，一顆顆之芯片井然有序的排列在膠帶上，如圖二、三，同時由於框架之支撐可避免蓝膜皺摺而使芯片互相碰撞，而圆环撐住膠帶以便於搬運。
圖一圖二（Die Bond）粘晶（装片）的目的乃是將一顆顆分離的芯片放置在导线框架（lead frame）上並用銀浆（epoxy ）粘着固定。
引线框架是提供芯片一個粘着的位置+（芯片座die pad），並預設有可延伸ＩＣ芯片電路的延伸腳（分為內引腳及外引腳inner lead/outer lead）一個引线框架上依不同的設計可以有數個芯片座，這數個芯片座通常排成一列，亦有成矩陣式的多列排法。
引线框架經傳輸至定位後，首先要在芯片座預定粘着芯片的位置上点上銀浆（此一動作稱為点浆），然後移至下一位置將芯片置放其上。
而經過切割的晶圓上的芯片則由焊臂一顆一顆地置放在已点浆的晶粒座上。
装片完後的引线框架再由传输设备送至料盒（magazine）。
装片后的成品如圖所示。
引线框架装片成品胶的烧结烧结的目的是让芯片与引线框晶粒座很好的结合固定，胶可分为银浆（导电胶）和绝缘胶两种，根据不同芯片的性能要求使用不同的胶，通常导电胶在200度烤箱烘烤两小时；绝缘胶在150度烤箱烘烤两个半小时。
（Wire Bond）焊线的目的是將芯片上的焊点以极细的金或铜线（18~50um）連接到引线框架上的內引腳，藉而將ＩＣ芯片的電路訊號傳輸到外界。
當引线框架从料盒內傳送至定位后，应用電子影像处理技術來確定芯片上各個焊点以及每一焊点所相對應的內引腳上的焊點的位置，然後做銲線的動作。
銲線時，以芯片上的焊点为第一銲點，內接腳上的焊点為第二銲點。
首先將金線的尾线燒結成小球，而後將小球压銲在第一銲點上（此稱為第一銲，first bond）。
半导体制程简介
半導體製程簡介半导体制程是指用于制造半导体材料和器件的工艺流程。
半导体器件是现代电子技术的基础，几乎所有的电子产品都离不开半导体器件的应用。
半导体制程的发展对提升电子产品的性能和功能至关重要。
半导体制程包括前工艺和后工艺两个部分。
前工艺是指对硅片进行刻蚀、沉积、掺杂、光刻等工艺，用于形成各种晶体管、电容器和传感器等器件。
后工艺是指将切割得到的芯片进行封装、测试和贴片等工艺，以便进行成品制造和使用。
首先，前工艺的第一步是进行清洗和化学机械抛光，以去除表面的污染物和缺陷。
清洗后，需要进行氧化处理，形成一层薄的氧化硅层，用于保护硅片表面和形成绝缘层。
接下来是光刻工艺，利用光刻胶和掩膜模具进行曝光和显影，将所需器件的图案转移到硅片上。
通过光刻工艺，可以制造出微小的结构和线路。
光刻的精度与分辨率决定了芯片的性能和功能。
在光刻后，需要进行刻蚀和沉积工艺。
刻蚀是利用化学或物理手段去除不需要的材料或形成凹凸结构。
沉积是将一层薄的材料沉积在硅片表面，如金属、氧化物或多晶硅。
刻蚀和沉积工艺的选择和优化，可以控制器件的形状、性能和功能。
掺杂是半导体制程中的重要步骤。
通过掺入杂质原子，可以改变半导体材料的导电性质。
常用的掺杂元素有硼、磷和砷等。
掺杂后，需要进行退火处理，以激活和固定杂质原子。
完成了前工艺后，需要进行后工艺。
首先是切割芯片，将硅片切割成小的芯片单元，以便进行后续的封装。
然后是封装工艺，将芯片焊接到外部引脚和封装底座上，以便进行电路连接。
封装工艺的设计和调试，对产品的可靠性和稳定性有着重要影响。
最后是芯片测试和贴片工艺。
芯片测试是对芯片进行性能和功能的验证和测量。
贴片工艺是将芯片封装到电子产品中，如手机、笔记本电脑和汽车等。
贴片工艺要求精细和高效，以满足大规模生产的需求。
半导体制程的发展经历了多个技术革新和突破。
从最初的二极管、晶体管到现在的集成电路和纳米器件，半导体制程不断创新和进步，推动了电子技术的发展。
半导体FT测试流程简介
• 以下将对FT测试流程做一介绍
• 上图为半导体产品测试之流程图，其流程包括下面几道作 业：
1.上线 备料 9.出货 2.测试机 台测试
8.加温烘烤 和包装
3.预烧炉 测试流程 4.电性 抽测
7.弯脚 修整 6.人工检脚 或 机器检脚
5.镭射 打印
1. 上线备料
• 上线备料的用意是将预备要上线测试的待测品，从上游厂 商送来的 包箱内拆封，并一颗颗的放在一个标准容器（几 十颗放一盘，每一盘可以放的数量及其容器规格，依待测 品的外形而有不同）内，以利在上测试机台（Tester）时， 待测品在分类机（Handler）内可以将待测品定位，而使其 内的自动化机械机构可以自动的上下料。 • 在新产品导入时，会要求要先确认客户使用的Tray，避 免上线生产时才发现客户使用的Tray无法在公司内的设备 中使用。若客 户使用特殊的Tray，在测试制程中，可能需要更换不同的 机构或增加换Tray的制程站，造成成本浪费。 承接Turnkey业务时，往往封装和测试是分开进行，但往 往忽略『标准Tray』是贯穿整个制程的重要性。
• 测试机和分类机必须固定在一起(称为Ducking)，因此有 定位的问题要处理，否则IC在测试时会有Contact 不良的 问题，Ducking的方 式有下列两种: Soft Ducking: 做法是固定分类机后,移动测试头，在 将Test Socket 移动到IC摆放位置后，再将测试头固定， 达到固定的做法。(因换线 时，较费人力、时间,因此厂 内不采用)Hard Ducking: 在Load Board 和分类机中间有 Guide Hole及Guide Pin提供固定位置，只要Guide Pin及 Guide Hole对准，就算定位完成(因此换线较快)。Memory Tester和Handler 的连接面己经是Hard Ducking 的设计。 在Logic Test则必须加上一块 Socket Base ( Ducking Interface)。其构造为一块中间挖空的铁块。挖空的部份 必需依Test Socket来设计，外框则必需Handler连接面大 小来设计。因此使用不同的Test Socket及Handler，就需 要不同的Socket Base。
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IC 测试
Loadboard
Handler
TEST HEAD
Interface
Handler 必须与 tester 相结合(此动作叫 mount 机)及接上interfacer才能测试, 动作为handler 的手臂将DUT放入socket 此时 contact pushor下压, 使 DUT的脚正确与 socket 接触后, 送出 start 讯号, 透过 interface 给 tester, 测完后, tester 送回 binning 及EOT 讯号; handler做分动作. 客户产品的尺寸及脚同, handler 提供同的模具 (kits)供使用.
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ASE TEST
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