高电压技术-第02章-气体放电的物理过程PPT课件

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《高电压技术》第二章 气体电介质的击穿特性 ppt课件

《高电压技术》第二章 气体电介质的击穿特性 ppt课件

Ub是pd的函数 1
若d增加时电压不变
;是U性曲线 ,有极小值。对
0.5
,则间隙中E下降, 游离过程减弱,击穿
空气,Ub的极小 0.1 值约为325V。 此极小值出现在 0.1 0.5 1
电压增加。另外,若 5 10 P增加5,0 1则00电子自50由0 103
行程缩短,电子不易
pd≈76Pa·cm 时,即极小值出
《高电压技术》第二章 气体电介 质的击穿特性
第二章 气体电介质的击穿特性
1.均匀电场中气体的伏安特性
《高电压技术》第二章 气体电介 质的击穿特性
第二章 气体电介质的击穿特性
在0<U<U1时 ,由于电压升高
在U2<U<Ub时 电流随电压而增
时,单位时间内 加,这说明出现
进入电极的带电 了新的游离因素
正、负电荷交界处 场强被削弱
《高电压技术》第二章 气体电介 质的击穿特性
第二章 气体电介质的击穿特性
2.流注的形成和发展
流注头二部次游电离子过崩程向蓬主勃发展,放 出大量电光子子崩,汇继合续,引头起空光游离 。在流部注的前电方子出进现入了主新的二次电 当完后间大尾,射电整,电,部向出子个头荷加的周光崩间部密强电围子子延到主,生电到走 隙 空 度 了 场 放由界形电崩崩长阴放迅了通达外游成子,了极电速高道阳光离光畸的生崩崩电空于,形量质通它流,,向温迅极子,电变电了,。子间电所成的点道们注将强阳,速时引新子而场新二崩电场以负正构,被通间大极形由间起 形 在 加 中 的 次头荷强电离、成就吸 道 隙 的 运 成 阴 隙《光成受强,电电部区度子子负的是高引。接电动了极被电游的到了产子子的,较大。带混流向通子,热向击压当技质正由小多大电合注流,流互游阳穿术流的》击注就通相离极注第穿二头形过摩,发特一章性部成流擦主展旦气,了注产放,体达电介

高电压技术课件 第二章 气体放电的物理过程

高电压技术课件 第二章 气体放电的物理过程
有时电子和气体分子碰撞非但没有电离出新电子,反 而是碰撞电子附着分子,形成了负离子
有些气体形成负离子时可释放出能量。这类气体容易 形成负离子,称为电负性气体(如氧、氟、SF6等)
负离子的形成起着阻碍放电的作用
15
5、金属(阴极)的表面电离
阴极发射电子的过程 逸出功 :金属的微观结构 、金属表面状态
41
4、击穿电压、巴申定律
根据自持放电条件推导击穿电压 ,先推导 的计算式
设电子在均匀电场中行经距离x而未发生碰撞,则此时电子 从电场获得的能量为eEx,电子如要能够引起碰撞电离, 必须满足条件
eEx Wi 或 Ex Ui
只有那些自由行程超过xi=Ui/E的电子,才能与分子发生
碰撞电离
若电子的平均自由行程为,自由行程大于xi的概率为
正、负离子间的复合概率要比离子和电子间的复合概 率大得多。通常放电过程中离子间的复合更为重要
一定空间内带电质点由于复合而减少的速度决定于其 浓度
21
§2.2 气体放电机理
气体放电的概述 汤逊放电理论 流注放电理论
22
一、气体放电的概述
(一)气体放电的主要形式
根据气体压强、电源功率、电极形状等因素的不同 ,击穿后气体放电可具有多种不同形式。利用放电 管可以观察放电现象的变化
Ub
f
2
pS T
电子的质量远小于离子,所以电子的热运动速度很高 ,它在热运动中受到的碰撞也较少,因此,电子的扩 散过程比离子的要强得多
20
3、带电质点的复合
正离子和负离子或电子相遇,发生电荷的传递而互相 中和、还原为分子的过程
在带电质点的复合过程中会发生光辐射,这种光辐射 在一定条件下又可能成为导致电离的因素

气体放电的物理过程PPT课件

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将 的计算式代入自持放电条件
Ap
Bpd
deUb
ln(1
1)
Bpd
击穿电压:
Ub
ln
Apd
ln(11/
)
Ub f1pd
温度不变时,均匀电场中气体的击穿电压Ub是气体压强和电 极13 间距离的乘积pd的函数
• 实验求得均匀电场中几种气体击穿电压Ub与pd的关系
325V
Umin不是出 现在常压 下,而是 出现在低 气压,即 空气相对 密度很小 的情况下。
23
1—主电子崩 2—二次电子崩
3—流注
23
(2) 流注阶段
二次电子崩中的电子进入主电子崩头 部的正空间电荷区(电场强度较小), 大多形成负离子。大量的正、负带电 质点构成了等离子体,这就是正流注
流注通道导电性良好,其头部又是二 次电子崩形成的正电荷,因此流注头 部前方出现了很强的电场
流注头部的电离放射出大量光子,继 续引起空间光电离。流注前方出现新 的二次电子崩,它们被吸引向流注头 部,延长了流注通道
E 电场大大削弱,有助于发
生复合过程,发射出光子 ex 这些光子将导致空间光电离
0
22
E ex
合成电场
dx
光电离的作用:二次电子崩
当电子崩走完整个间 隙后,大密度的头部 空间电荷大大加强了 后部的电场,并向周 围放射出大量光子
光子引起空间光电离, 在受到畸变而加强了 的电场中,造成了新 的电子崩,称为二次 电子崩
a 阴极表面二次发射 正离子 电子崩( 过程)
( 过程)
当自持放电条件得到满足时,就会形成图解中闭环部分所 示7 的循环不息的状态,放电就能自己维持下去
• 总结: 1. 将电子崩和阴极上的γ过程作为气体自持放电

高电压技术-第02章-气体放电的物理过程PPT课件

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-
5
③ 光电离:
概念:光子给予气体质点足够的能量,使气体质点发生 的电离。
条件:光子能量不小于气体的电离能。
光电子:由光电离产生的自由电子。
光的来源:
➢ 外界自然光(紫外射线、伦琴射线、 射线、宇宙射 线等高能射线)
➢ 气体本身的反激励或复合释放出的光子。
紫外射线一般不能直接导致光电离,但通过分级光
升了通道的温度,导致热电离; ➢ 整个流注通道转化为火花通道,气隙的击穿完成。
⑤ 负流注的发展速度比正流注慢。
⑥ 概念: 由初崩辐射出的光子,在崩头、崩尾外围空间局部
强场中衍生出二次电子崩并汇合到主崩通道中来,使主 崩通道不断高速向前、后延伸的过程称为流注。
-
22
⑦ 均匀电场形成流注就能自持发展,直至击穿。
电晕层:这个晕光层叫作电晕层或起晕层。
外围区间:电晕层外,场强已较弱,不发生撞击电离。
-
24
电晕产生条件:极间距离对起晕电极表面最小曲率半径 的比值大于一定值。
电晕特性:
➢ 电晕放电是极不均匀电场中的一种自持放电形式; ➢ 电晕放电不能扩展很大,只能局限于电极附近; ➢ 电晕放电有明显的极性效应。
电子能量越大。 激励:电子从近轨道向远轨道跃迁时,需要一定能量,
这个过程叫激励。
-
2
激励能:激励所需能量叫激励能 W
,其值等于两轨道能
e
级之差。
电离:当外界给予的能量很大时,电子可以跳出原子轨 道成为自由电子。原来的中性原子变成一个自由 电子和一个带正电荷的离子,这个过程叫电离。
电离能:达到电离所需的最小能量称为电离能 W i 。 反激励:电子从远轨道向近轨道跃迁时,原子发射单色

高电压技术2PPT课件

高电压技术2PPT课件

ed 常数
ed 108
流注的形成与阴极的表面过程无关 流注理论与汤逊放电理论的适用条件不同,二者互为补充。基本 上都是定性理论,不能用来精确计算击穿电压。
第六节 不均匀电场中气隙的放电特性
一、不均匀电场中气隙的放电特征 电晕放电
稍不均匀电场和极不均匀电场的划分依据:电场的不均匀系数 f
p Ts p 2.9 T Ps T
注意:p和T的单位
Ub f d
第五节 气体放电的流注理论
一、汤逊放电理论的局限性
不适用于高气压、长间隙,不能解释雷电放电现象
二、流注放电理论
考虑了高气压、长间隙下若干因素对气体放电过程的影响
(1)空间电荷对原有电场的畸变作用
两个强场区之间形 成一个利于复合的 弱电场区-辐射源
均匀电场:起始电压=击穿电压
不均匀电场:起始电压<击穿电压
三、汤逊理论的适用范围
低气压、短间隙:pd<26.66kPa· cm
第四节 起始电压与气压的关系
一、汤逊理论对巴申定律的解释
Ub
巴申定律:气隙的击穿电压 是气体压强和间隙距离乘积 的函数
pd
根据汤逊自持放电条件可以求出在均匀电场中 起始放电电压
(一)正极性
电晕起始电压有所提高,剩余正空间电荷加强了正离子外部空间的电场,使 整个击穿电压有所降低。
(二)负极性
电晕起始电压有所降低,剩余正空间电荷削弱了外围空间朝向极板方向的电 场,使整个间隙的击穿电压有所提高。 输电线路和电气设备外绝缘的击穿多发生在工频电压的正半周
四、长间隙(大于1m)的击穿过程
巴申曲线
B( pd ) U0 A( pd ) ln ln(1 1 / )

高电压工程基础施围课件第2章-气体放电的基本物理过程ppt.ppt

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高电压工程基础
(2)电晕放电的利用
在某些情况下可以利用电晕放电产生的空间电荷来改 善极不均匀场的电场分布,以提高击穿电压。
导线-板电极的空气间隙击穿电压(有效值)与间隙距离的关系
1-D=0.5mm 2-D=3mm 3-D=16mm 4-D=20mm
虚线-尖-板电极间隙
点划线-均匀场间隙
从使用情况来看,闭胸式的使用比较 广泛。 敞开式 盾构之 中有挤 压式盾 构、全 部敞开 式盾构 ,但在 近些年 的城市 地下工 程施工 中已很 少使用 ,在此 不再说 明。
自持放电 起始电压
外施电压小于U0时的放电是非自持放电。电压到达U0后, 电流剧增,间隙中电离过程只靠外施电压已能维持,不再需
要外电离因素。
从使用情况来看,闭胸式的使用比较 广泛。 敞开式 盾构之 中有挤 压式盾 构、全 部敞开 式盾构 ,但在 近些年 的城市 地下工 程施工 中已很 少使用 ,在此 不再说 明。
激励能 6.1 7.9 10.0 6.8 7.6
从使用情况来看,闭胸式的使用比较 广泛。 敞开式 盾构之 中有挤 压式盾 构、全 部敞开 式盾构 ,但在 近些年 的城市 地下工 程施工 中已很 少使用 ,在此 不再说 明。
高电压工程基础
➢ 电极表面的电子逸出
一些金属的逸出功
金属
逸出功

1.8

3.1
(2)带电质点的复合 带异号电荷的质点相遇,发生电荷的传递和中和而还
原为中性质点的过程,称为复合。带电质点复合时会以光 辐射的形式将电离时获得的能量释放出来,这种光辐射在 一定条件下能导致间隙中其他中性原子或分子的电离。带 电质点的复合率与正、负电荷的浓度有关,浓度越大则复 合率越高。

气体放电的物理过程 高电压技术 教学PPT课件

气体放电的物理过程 高电压技术 教学PPT课件
③ 热电子发射: 金属中的电子在高温下也能获得足够的动 能而从金属表面逸出,称为热电子发射。在许多电子器 件中常利用加热阴极来实现电子发射。
13
④ 强电场发射:当阴极表面附近空间存在很强 的电场时(106V/cm数量级),也能使阴极 发射电子。常态下气隙击穿完全不受强场发 射影响;在高气压、压缩的高强度气体的击 穿过程中会起一定的作用;真空中更起着决 定性作用。
3
第一节 气体中带电质点的产生与消失
一.带电质点的产生
碰撞游离
光游离
(气体本身)
热游离
表面游离 (气体中的金属)
二. 带电质点的消失
质点的扩散
质点的复合
4
波尔量子理论
低能级 ✓电子分布使原子的总能量趋向最小。
高能级 ✓高能级→低能级:发出单色光。
+
✓低能级→高能级:需要外部激励。
✓激励状态不稳定。
反激励:处于激励状态的质点,恢复到原来的
中性状态的现象称为质点的反激励。反激励将 把激励时所吸收的能量以光的状态释放出来。
6
表1-1 某些气体的激励能和游离能
气体 N2
激励能We (eV)
6.1
O2
7.9
H2
11.2
游离能Wi (eV) 气体 激励能We (eV) 游离能Wi (eV)
15.6
CO2
带电质点的消失是由于游离作用小于去游离的作用。
15
气体中带电粒子的消失有可有下述几种情 况:
1. 带电粒子在电场的驱动下作定向运动,在 到达电极时,消失于电极上而形成外电路 中的电流;
2. 带电粒子因扩散现象而逸出气体放电空间。 3. 气体中带异号电荷的粒子相遇时,可能发
生电荷的传递与中和,这种现象称为复合, 是与游离相反的一种过程。

最新2高电压技术第二章解析ppt课件

最新2高电压技术第二章解析ppt课件
如右图所示
19
试验图形分析:
• 首先,大气中少量的正负离子存在;
• 其次,在极间加上电压后,带电离子 oa段:
分别向两极移动,形成电流;
随着电压升高,到达阳极 的带电质点数量和速度也随之 增大。
均匀电场中气体的伏安特性
ab段:
电流不再随电压的增大而 增大因为这时由外界电离因素 在极间产生的带电离子已全部 参加导电,所以电流趋于饱和 。电流密度是极小的,一般只 有10-19 A/cm2,间隙仍处于良 好的绝缘状态。
2高电压技术第二章解析
电气设备的一般特性
1. 设备可靠性随电压升高而下降 2. 设备的体积随电压升高而增大
2
电气设备的一般特性
设备
可靠性
体积
电压 3
高电压技术 第二章
气体放电的物理过程
4
概述
➢ 气体 如绝缘气体:空气 1 用于高压电气设备绝缘的介质 ➢ 液体 如油,变压器等
➢ 固体 如绝缘子等
一旦电压解除后,气体电介质能自动恢复绝缘状态
6
输电线路以气体作为绝缘材料
架空输电线 相与相之间 线路与铁塔之间
7
变压器相间绝缘以气体作为绝缘材料
变压器引出 线之间
8
液体与固体绝缘材料中的气体
9
2.带电质点的产生
(1) 激发(激励)
原子在外界因素(电场、高温等)作用下,其电子 跃迁到能量较高的状态,但这一过程只有10-8S,非 常短暂。Байду номын сангаас回到正常状态并发射光子。
在电场不均匀的间隙中,最大场强通常出现在曲率半径小的电 极表面附近。当最大场强区域已达到自持放电条件,但其他区域的 场强仍很低。即自持放电局限在间隙中场强最大的部分—电晕放电

高电压第2讲气体放电理论(一)ppt课件

高电压第2讲气体放电理论(一)ppt课件
原子激励 原子在外界因素作用下,其电子跃迁到能量较高的 状态,所需能量称为激励能We ,原子处于激励态 激励状态恢复到正常状态时,辐射出相应能量的光 子,光子(光辐射)的频率,h 普朗克常数
We =h
6
原子激励
原子处于激励态的平均寿命只有10-7~10-8秒 激励电位:Ue = We / e 几种气体和金属蒸汽的第一激励电位
带电粒子在一定的电场强度下运动达到某种 稳定状态 ,保持平均速度,即上述的带电质
点的驱引速度
vd =bE
b :迁移率
电子迁移率比离子迁移率大两个数量级
27
2、带电粒子的扩散
带电粒子的扩散是由于热运动造成,带电粒子 的扩散规律和气体的扩散规律相似 气体中带电粒子的扩散和气体状态有关,气体 压力越高或者温度越低,扩散过程也就越弱 电子的质量远小于离子,所以电子的热运动速 度很高,它在热运动中受到的碰撞也较少,因 此,电子的扩散过程比离子的要强得多
40
2、汤森德气体放电理论
汤森德(Townsend)放电理论 流注(Streamer)放电理论 这两种理论互相补充,可以说明广阔的S(为 气体的相对密度,以标准大气条件下的大气密度 为基准;S为气隙距离)范围内气体放电的现象
41
2、汤森德气体放电理论
过程(电子崩的形成 ) 过程 自持放电条件 过程和过程同时作用产生的电流 击穿电压、巴申定律 汤森德放电理论的适用范围
这样一代一代不断增加的 过程,会使电子数目迅速 增加,如同冰山上发生雪 崩一样,形成了电子崩
44
电子崩
45
过程
电离系数 定义:一个电子沿着电场方向行经1cm长度, 与气体分子发生碰撞所产生的自由电子数 即是一个电子在单位长度行程内新电离出的 电子数或正离子数
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电离(先激励、再电离)的方式也可实现电离。
-
6
④ 热电离: 概念:由气体的热状态造成的电离称为热电离。 气体分子运动理论说明:气体的温度是其分子平均动能
的度量。 特点:热电离不是一种独立的电离形式,而是包含着撞
击电离和光电离,只是其电离能量来源于气体分 子本身的热能。
电离机理: ➢ 温度↑→分子平均动能↑→ 撞击电离↑ ➢ 温度↑→热辐射出的光子数量↑ → 光电离↑
-
10
② 扩散:
扩散指质点从浓度较大的区域扩散到浓度较小的区 域,从而使带电质点在空间各处浓度趋于平均的过程。
扩散是由杂乱的热运动造成的,与电场力无关,电 子扩散速度比离子快。
③ 复合:
带有异号电荷质点相遇,还原为中性质点的过程称 为复合。
复合时,电离吸收的能量以光子形式放出。复合由
电场力作用,电子快,所以复合几率小,总是先变成负
-
5
③ 光电离:
概念:光子给予气体质点足够的能量,使气体质点发生 的电离。
条件:光子能量不小于气体的电离能。
光电子:由光电离产生的自由电子。
光的来源:
➢ 外界自然光(紫外射线、伦琴射线、 射线、宇宙射 线等高能射线)
➢ 气体本身的反激励或复合释放出的光子。
紫外射线一般不能直接导致光电离,但通过分级光
离子再复合。
-
11
1、概述: ① 电子崩:
2.2 气体放电机理
当外加电场强度足够大时,带电粒子两次碰撞间积
聚的动能足够发生碰撞电离。电离出来的电子和离子在
场强作用下又加入新的撞击电离,电离过程像雪崩一样
增长起来,称为电子崩。
-
12
② 非自持放电:
当场强较小时,电子崩有赖于外界因素,外界因素 消失,电子崩也消失。
带电质点产生形式:四种电离形式、负离子。
-
9
2、气体中带电质点的消失: 气体中带电质点消失的方式有三种:中和、扩散、
复合。 ① 中和:
带电质点在电场力作用下,宏观上沿电场作定向运 动。带电质点受电场力作用而流入电极,中和电量。
由于电子质量和直径比离子小很多,加速情况和碰 撞情况也大不相同,电子迁移率比离子大两个数量级。
压等于临界电压。 ➢ 不均匀电场:
场强较小时,局部强场处产生电晕放电。 提高场强 气隙间隙小:产生火花击穿。
气隙间隙大:产生刷形放电。 继续提高场强,放电抵达对面电极,产生电弧击穿。
-
14
2、汤森德气体放电理论: 该理论对均匀电场和气隙 S ( 为气隙密度、S 为
极间距离)较小的情况比较适用。
S
n0 n
x
Hale Waihona Puke dx过程: dnndx dn dx lnnx nexes
n
S路程上撞击电离出 e s 1个正离子。 过程:可以忽略不计。
过程: e s 1 个正离子撞击阴极,电离出 es 1个 电子。
自持放电的条件:es 11-
16
③ 帕邢曲线:
气隙击穿电压与气隙密度×极间距离的关系。
③ 自持放电:
当外加场强足够大时,电子崩不依赖外界因素,外 界因素消失后,电子崩仍能够保持。
④ 临界场强 E c r : 自持放电与非自持放电的区别在于外加电场强度的
大小,二者场强的分界点称为临界场强
E
c
。相应的电压
r
称为临界电压 U
。它称为自持放电的条件。
cr
-
13
⑤ 放电形式: ➢ 均匀电场: 一处自持放电,整个气隙击穿。击穿电
形成:电子与中性气体分子(原子)碰撞,不但没电离 出新电子,电子反而被分子吸附形成了负离子。
亲和能:一个中性分子(原子)与一个电子结合生成一 价负离子所放出的能量。
作用:由于离子的电离能力比电子小很多,所以负离子 的形成,对气体放电的发展起阻抑作用。
⑦ 带电质点的产生:
电离形式:撞击电离、光电离、热电离、表面电离。
撞击能量: 动能 1 m v 2
2
中性质点为零; 势能 正离子为正;
负离子为负。
-
4
平均自由程:一个质点两次碰撞之间的平均距离。其与 密度呈反比。
撞击过程不是简单的机械过程: ➢ 速度↑→动能↑→ 电离概率↑ ➢ 速度↑→撞击作用时间↓ → 电离概率↓
不存在电场时,温度足够高,才能发生撞击电离。 存在电场时,电子是撞击电离的主要因素。
电子能量越大。 激励:电子从近轨道向远轨道跃迁时,需要一定能量,
这个过程叫激励。
-
2
激励能:激励所需能量叫激励能 W
,其值等于两轨道能
e
级之差。
电离:当外界给予的能量很大时,电子可以跳出原子轨 道成为自由电子。原来的中性原子变成一个自由 电子和一个带正电荷的离子,这个过程叫电离。
电离能:达到电离所需的最小能量称为电离能 W i 。 反激励:电子从远轨道向近轨道跃迁时,原子发射单色
① 三个因素(系数):
系数 :1 个自由电子在走到阳极的1cm路程中撞击电离 产生的平均自由电子。
系数 :1 个正离子在走到阴极的1cm路程中撞击电离产 生的平均自由电子。
系数 :1 个正离子撞击阴极表面,逸出的平均自由电 子数。
-
15
② 三个过程:
电极距离 S ,初始自由电子数 n 0 为1,位置为阴极附近。
Ub
Ub f S
0
S
S 不变 过大 →平均自由程↓ → U ↑b 过小 →碰撞次数↓ → U ↑b
第2章 气体放电的物理过程
2.1 气体中带电质点的产生和消失 2.2 气体放电机理
2.3 电晕放电 2.4 不均匀电场气隙的击穿 2.5 雷电放电 2.6 气隙的沿面放电
-
1
2.1 气体中带电质点的产生和消失
1、气体中带电质点的产生: 纯净中性气体不导电,只有气体中出现带电质点后
才能导电,并在电场作用下发展成放电现象。 ① 基本概念: 玻尔理论:原子周围的电子按规律跃迁时,轨道越远,
-
7
⑤ 表面电离: 概念:由金属表面逸出电子的电离形式。 逸出功:从金属电极表面逸出电子所需要的能量。 电离形式: ➢ 二次发射:用有足够能量的质点撞击金属表面。 ➢ 光电子发射:用短波光照射金属表面。 ➢ 热电子发射:加热金属电极。 ➢ 强场发射:在电极附近加强电场从电极拉出电子。
-
8
⑥ 负离子:
光(有能量的光子)的过程称为反激励。
电离电位和激励电位:一般用电离电位U i 和激励电位U e 来表示电离能和激励能。
-
3
② 撞击电离:
概念:通过撞击,给予气体质点以足够的能量,使气体 质点发生的电离。
能量要求:
➢ 中性质点:第一电离能。 ➢ 已被激励的质点:小于第一电离能。 ➢ 负离子:大于第一电离能。
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