内存相关知识总结PPT课件
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《内存条知识培训》课件
04
内存颗粒的品质和性能 对整个内存条的性能有 很大影响。
电路板
01
02
03
04
电路板是内存条的基板，负责 连接和固定各个部件。
电路板上的布线要尽可能地短 、直，以减小信号延迟和干扰
。
电路板上通常会有一些电容和 电感等元件，用于滤波和稳压
。
电路板的品质和工艺也会影响 内存条的性能和稳定性。
金手指
更低功耗
更广泛的应用领域
随着云计算、物联网等技术的普及， 未来内存条的应用领域将更加广泛。
未来内存条将更加注重节能环保，降 低功耗，减少能源消耗。
THANKS
感谢观看
稳定性
总结词
稳定性是衡量内存条可靠性的重要指 标，稳定性越高，内存条越不容易出 错。
详细描述
稳定性通常通过长时间运行测试和压 力测试来评估，稳定性高的内存条可 以保证计算机长时间稳定运行。
04
内存条的选购与使用
选购注意事项
01
02
03
04
品牌信誉
选择知名品牌，确保产品质量 和售后服务的可靠性。
避免频繁插拔
尽量避免频繁插拔内存条，以免造成接触不 良或损坏。
检查内存容量与速度
定期检查内存容量与速度是否正常，如有异 常及时处理。
05
内存条常见问题与解决方案
兼容性问题
总结词
内存条与主板或其他硬件不匹配导致的问题
详细描述
当内存条与主板或其他硬件不兼容时，可能会出现电脑无法启动、运行缓慢、蓝屏等问题。解决方案 包括检查内存条规格与主板要求是否匹配，确保购买的内存条与原有内存条品牌、型号、容量相同。
金手指是内存条与主板连接的部分， 用于传输数据和控制信号。
(内存基本知识)_DRAM工作原理ppt课件
Data stored in dynamic memories naturally decays over time. Therefore, DRAM need periodic refresh operation to prevent data loss.
Memory: DRAM position ������ Semiconductor memory device ������ ROM: Non volatile ������ Mask ROM ������ EPROM ������ EEPROM ������ Flash ������ NAND: low speed, high density ������ NOR: high speed, low density ������ RAM: Volatile ������ DRAM: Dynamic Random Access Memory ������ SRAM: Static Random Access Memory ������ Pseudo SRAM
Notation: K, M, G ������ In standard scientific nomenclature, the metric modifiers K, M, and G to refer to factors of 1,000, 1,000,000 and 1,000,000,000 respectively.
DRAM Density
What is a DRAM?
•������ DRAM stands for Dynamic Random Access Memory. •������ Random access refers to the ability to access any of
Memory: DRAM position ������ Semiconductor memory device ������ ROM: Non volatile ������ Mask ROM ������ EPROM ������ EEPROM ������ Flash ������ NAND: low speed, high density ������ NOR: high speed, low density ������ RAM: Volatile ������ DRAM: Dynamic Random Access Memory ������ SRAM: Static Random Access Memory ������ Pseudo SRAM
Notation: K, M, G ������ In standard scientific nomenclature, the metric modifiers K, M, and G to refer to factors of 1,000, 1,000,000 and 1,000,000,000 respectively.
DRAM Density
What is a DRAM?
•������ DRAM stands for Dynamic Random Access Memory. •������ Random access refers to the ability to access any of
内存基础知识-PPT课件
CDRAM(带高速缓存动态随机存储器) 是日本三菱电气公司开发的专有技术， 它通过在DRAM芯片上集成一定数量 的高速SRAM作为高速缓冲存储器和同 步控制接口来提高存储器的性能。
DRDRAM(Direct Rambus DRAM)
DRDRAM (接口动态随机存储器)是Rambus 在Intel支持下制定的新一代RDRAM标准， 与传统DRAM的区别在于引脚定义会随命令 而变，同一组引脚线可以被定义成地址，也 可以被定义成控制线。其引脚数仅为正常 DRAM的三分之一。当需要扩展芯片容量时， 只需要改变命令，不需要增加芯片引脚。
内存速度性能指标
时钟周期TCK CAS延迟时间（CL） CL=2，CL=3 存取时间（TAC） 内存总延迟时间 =TCK*CL+TAC
CAS的延迟时间
这是纵向地址脉冲的反应时间,也是在一 定频率下衡量支持不同规范内存的重要标 志之一。比如现在大多数的SDRAM在外 频为100MHz时都能运行于CAS Latency = 2或3的模式下，这时的读取数据的延迟时 间可以是二个时钟周期也可以是三个时钟 周期，若为二个时钟周期就会有更高的效 能。
KINGMAX
三星（SAMSUNG）
创见（JETRAM）
金邦（WINBOND）
美凯龙/美光（MICRON）
金士顿（KINGSTON）
金士顿（KINGSTON）
现代（HY/HYUNDAI）
现代（HY/HYUNDAI）
KINGMAX
KINGMAX
SPD芯片
SPD(Serial Presence Detect，串行 存在探测)，它是1个8针的256字 节的EEPROM (电可擦写可编程 只读存储器)芯片。一般处在内 存条正面的右侧，里面记录了诸 如内存的速度、容量、电压与行、 列地址带宽等参数信息。当开机 时PC的BIOS将自动读取SPD中 记录的信息，并为内存设置最优 化的工作方式，它是识别PC100 内存的一个重要标志。
内存介绍ppt课件
4.传输标准
传输标准代表内存的速度。一般用“PＣ+数值”的方式来表示，不同类型的内存条，数值的含 义有所不同。
SDRAM的传输标准有PCl00和PC133两种，100和133表示内存的工作频率为100MHz和 133MHz。
DDR SDRAM的传输标准从PC1600到PC4300不等，这里的数值表示内存传输率。如PC4300 表示该内存条的传输率为4300MB／s。
RDRAM的传输标准有PC600，PC800和PC1066等，数值是其工作频率的两倍。如PC600表示 内存条的工作频率为300MHz。
内存性能指标
1.
容量
在不超出主板所支持容量的前提下越大越好 目前的主流容量为1G、2G
2.
工作频率（Mhz）
内存所能达到的最高工作频率。内存主频是以 MHz（兆赫）为单位来计量的。内存主频越高 在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快
在主板上安装的BIOS芯片就是典型的ROM
RAM （随机存储器, Random Access Memory ）
随机存取存储器是计算机的主存，CPU对它们既可读出数 据又可写入数据。一旦关机断电，RAM中的信息将全部 消失。在通电情况下不能长时间保持电量，需要每隔一段 时间就进行一次重新加电过程，RAM通常是作为操作系 统或其他正在运行程序的临时存储介质。 在主板上内存就是这个状态。
内存介绍
一、存储器概述
从计算机系统的结构来看，存储器可 分内存储器和外存储器两大类。内存 储器与CPU直接联系，负责各种软件 的运行；外存储器包括软盘、硬盘、 光盘、磁带机、优盘等。
一、存储器概述—内存 储器种类
内存基础知识讲解PPT课件
第8页/共13页
1. 符合主板上的内存插槽要求
• 不同的主板支持不同的内存，目前主板市场的主流是DDR2内存，因此在购买计算机时应该选购DDR2内存。 如果是升级计算机，就应该先查明主板是支持SDRAM内存还是DDR内存，以及主板所支持内存的最大容 量。
第9页/共13页
2. 注意内存的做工
• 内存的做工影响着内存的性能。一般来说，要使内存能稳定工作，要求使用的PCB板层数在6层以上，否则 内存在工作时会出现不稳定的情况。
4.1.1 内存的作用
• 内存（Memory）也被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储 器交换的数据。只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后 CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。
第1页/共13页
内存的外观
第2页/共13页
4.1.3 内存的分类
• 按照内存的工作原理可将内存分为RAM和ROM两类。 • 按表现形式可分为RAM、ROM和Cache三大类。
第3页/共13页
ROM（Read Only Memory，只读存储器）
• ROM的特点是价格高、容量小，而且一般只能从中读取信息而不能写入信息。但是ROM保存的数据在断电 后可保持不变，因此多用于存放一次性写入的程序或数据，如用于存储主板和显卡BIOS芯片的相关信息。
第10页/共13页
3.速度的选择
• 目前DDR2内存的主流都是DDR2 800，这种类型的内存提供了比 较大的带宽，对系统性能的提升也是比较明显的。因此，选购内存 时建议选择DDR2 800以上内存。
第11页/共13页
4. 注意内存的品牌
由于内存的生产相对
1. 符合主板上的内存插槽要求
• 不同的主板支持不同的内存，目前主板市场的主流是DDR2内存，因此在购买计算机时应该选购DDR2内存。 如果是升级计算机，就应该先查明主板是支持SDRAM内存还是DDR内存，以及主板所支持内存的最大容 量。
第9页/共13页
2. 注意内存的做工
• 内存的做工影响着内存的性能。一般来说，要使内存能稳定工作，要求使用的PCB板层数在6层以上，否则 内存在工作时会出现不稳定的情况。
4.1.1 内存的作用
• 内存（Memory）也被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储 器交换的数据。只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后 CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。
第1页/共13页
内存的外观
第2页/共13页
4.1.3 内存的分类
• 按照内存的工作原理可将内存分为RAM和ROM两类。 • 按表现形式可分为RAM、ROM和Cache三大类。
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ROM（Read Only Memory，只读存储器）
• ROM的特点是价格高、容量小，而且一般只能从中读取信息而不能写入信息。但是ROM保存的数据在断电 后可保持不变，因此多用于存放一次性写入的程序或数据，如用于存储主板和显卡BIOS芯片的相关信息。
第10页/共13页
3.速度的选择
• 目前DDR2内存的主流都是DDR2 800，这种类型的内存提供了比 较大的带宽，对系统性能的提升也是比较明显的。因此，选购内存 时建议选择DDR2 800以上内存。
第11页/共13页
4. 注意内存的品牌
由于内存的生产相对
计算机内存知识详解ppt课件
3）SDRAM（同步动态随机存储器）
SDRAM（Synchronous Dynamic RAM）采用一 种双存储体结构，它的工作频率与CPU的外频 一样。SDRAM内存的规格有PC 100，PC 133和 PC 150等，其中的数字表示内存工作的时钟频 率。SDRAM内存一般按照其工作频率来命名， SDRAM除了作为内存存储芯片外还可以作为显 卡的存储芯片。SDRAM在目前的零售市场中几 乎难以看到，更多时候出现在二手市场。
4.1.1 内存的作用
内存（Memory）也被称为内存储器，其 作用是用于暂时存放CPU中的运算数据， 以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只 要计算机在运行中，CPU就会把需要运算 的数据调到内存中进行运算，当运算完成 后CPU再将结果传送出来，内存的运行也 决定了计算机的稳定运行。
4.1.2 内存的外观
计算机内存知 识详解
本课要点
内存的分类 内存的封装方式 内存的性能指标 内存选购指南
具体要求
了解内存的外观 掌握内存的分类 了解内存的封装方式 掌握内存的性能指标 掌握内存的选购
本章导读
内存是计算机运行的核心组件之一，计算 机中所有程序的运行都是在内存中进行的， 因此内存对系统的性能和稳定有着非常大 的影响。本课将介绍内存的相关知识，包 括内存的作用、内存的外观、内存的种类、 内存芯片的封装方式对内存性能的影响以 及影响内存性能的指标，最后将介绍如何 选购内存。
内存是由内存芯片、电路板、金手指等部分组 成的。
内存的几个重要组成部分的作用如下所述。 内存芯片：是内存中最重要的元件，用于临时
存储数据。 电路板：用于承载和焊接内存芯片的PCB板。 金手指：是内存与主板进行连接的“通道”。 内存卡槽：用于将内存固定在内存插槽中。 内存缺口：与内存插槽中的防凸起设计配对，
内存基础知识-PPT精品文档
内存的分类
我们通常所说的内存就是指RAM，根 据结构和工作原理 RAM又可分为两类： 静态RAM（Static RAM ）和动态RAM （Dynamic RAM ）。 动态RAM 静态RAM 两者比较
内存数据存放形式
以队列方式进行组织 适合内存容量小，CPU速度比较慢的场合。 采用一维形式，地址作为一个整体。 以阵列方式进行组织 采用二维形式，指标
时钟周期TCK CAS延迟时间（CL） CL=2，CL=3 存取时间（TAC） 内存总延迟时间 =TCK*CL+TAC
CAS的延迟时间
这是纵向地址脉冲的反应时间,也是在一 定频率下衡量支持不同规范内存的重要标 志之一。比如现在大多数的SDRAM在外 频为100MHz时都能运行于CAS Latency = 2或3的模式下，这时的读取数据的延迟时 间可以是二个时钟周期也可以是三个时钟 周期，若为二个时钟周期就会有更高的效 能。
EDO(Extended Data Out)
EDO(扩展数据输出)内存取消了主板与内存 两个存储周期之间的时间间隔，每隔2个时 钟脉冲周期传输一次数据，大大地缩短了存 取时间，使存取速度提高30％，达到60ns。 EDO内存主要用于72线的SIMM内存条，以 及采用EDO内存芯片的PCI显示卡。
ECC
ECC(Error Correction Coding或Error Checking and Correcting)是一种具有自动纠错功能的内 存，但由于ECC内存成本比较高，所以主要 应用在要求系统运算可靠性比较高的商业计 算机中，一般的家用与办公计算机也不必采 用ECC内存。
TAC
TAC(Access time from CLK)是最大CAS 延迟时的最大数输入时钟，PC 100规范 要求在CL=3时TAC不大于6ns。某些内存 编号的位数表示的是这个值。目前大多 数SDRAM芯片的存取时间为5、6、7、8 或10ns。
《内存基础知识》课件
《内存基础知识》 ppt课件
目录
CONTENTS
• 内存的定义与作用 • 内存的工作原理 • 内存的性能指标 • 内存的常见问题与解决方案 • 内存技术的发展趋势 • 总结与展望
01 内存的定义与作用
什么是内存
内存是计算机中用于存储数据 和指令的硬件设备，是计算机 的重要组成部分。
内存通常由一系列存储单元组 成，每个存储单元可以存储一 个字节或多个字节的数据。
储设备更好地协同工作，以提高数据读写速度和效率。
感谢您的观看
THANKS
写操作
当CPU需要写入数据时，它会向内存 发出地址信号和数据信号，内存会根 据地址信号找到对应的存储单元，并 将数据存储到该单元中。
内存的存储单元
01
每个存储单元可以存储一个字节 的数据，是内存中最小的存储单 位。
02
存储单元的大小和数量决定了内 存的容量和性能。
内存的寻址方式
直接寻址
CPU直接给出内存地址，通过该地址找到对应的存储 单元。
VS
详细描述
内存延迟是衡量内存性能的重要指标之一 ，它反映了内存处理指令的速度。较小的 延迟可以提供更好的性能，使得计算机能 够更快地响应指令和执行操作。
内存带宽
总结词
内存带宽是指内存条每秒传输的数据量，通常以MB/s为单位表示。
详细描述
内存带宽决定了计算机处理大量数据的能力。较大的带宽可以提供更好的数据传输性能，使得计算机在处理复杂 任务和大数据量时更加高效。
内存溢
总结词
内存溢出是指程序申请的内存空间超过了系统可分配的内存上限， 导致程序无法正常运行。
详细描述
内存溢出通常是由于程序中申请了过多内存，或者申请的内存块大 小超过了系统允许的最大值。
目录
CONTENTS
• 内存的定义与作用 • 内存的工作原理 • 内存的性能指标 • 内存的常见问题与解决方案 • 内存技术的发展趋势 • 总结与展望
01 内存的定义与作用
什么是内存
内存是计算机中用于存储数据 和指令的硬件设备，是计算机 的重要组成部分。
内存通常由一系列存储单元组 成，每个存储单元可以存储一 个字节或多个字节的数据。
储设备更好地协同工作，以提高数据读写速度和效率。
感谢您的观看
THANKS
写操作
当CPU需要写入数据时，它会向内存 发出地址信号和数据信号，内存会根 据地址信号找到对应的存储单元，并 将数据存储到该单元中。
内存的存储单元
01
每个存储单元可以存储一个字节 的数据，是内存中最小的存储单 位。
02
存储单元的大小和数量决定了内 存的容量和性能。
内存的寻址方式
直接寻址
CPU直接给出内存地址，通过该地址找到对应的存储 单元。
VS
详细描述
内存延迟是衡量内存性能的重要指标之一 ，它反映了内存处理指令的速度。较小的 延迟可以提供更好的性能，使得计算机能 够更快地响应指令和执行操作。
内存带宽
总结词
内存带宽是指内存条每秒传输的数据量，通常以MB/s为单位表示。
详细描述
内存带宽决定了计算机处理大量数据的能力。较大的带宽可以提供更好的数据传输性能，使得计算机在处理复杂 任务和大数据量时更加高效。
内存溢
总结词
内存溢出是指程序申请的内存空间超过了系统可分配的内存上限， 导致程序无法正常运行。
详细描述
内存溢出通常是由于程序中申请了过多内存，或者申请的内存块大 小超过了系统允许的最大值。
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内存设计相关知识总结
RD中心SBC组 王海
精选ppt课件
1
内容
内存相关名词解释 内存种类 内存区别及信号描述 内存基本时序 内存设计 Example
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2
1.名词解释
RAM：随机存储器 ROM：只读存储器 SRAM：Static RAM 静态随机存储器，利用双稳态触发器保存信息。 DRAM：Dynamic RAM 动态随机存储器，利用电容充放电保存信息，需要
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11
3. 几种内存的区别及信号描述
SDR/DDR/DDR2/DDR3区别
SDR
DDR
DDR2
DDR3
工作电压(V)
3.3 (LVTTL标准) 2.5 (SSTL2标准) 1.8 (SSTL_18)
1.5V
CLOCK 频率(MHz)
66/100/133
100/133/167/200 100/133/167/200 100/133/167/200
214 pin DDR2 工作电压 1.8V
精选ppt课件
8
MINI Registered DIMM内存条 用于笔记本
244 pin DDR2 工作电压 1.8V
精选ppt课件
9
内存主要厂商
内存芯片及内存条生产 厂商 KINGMAX（胜创） HyunDai（现代） Kingston(金士顿) Adata(威刚) Infineon(英飞凌) LGS（高士达） Micron（麦康） Samsung（三星） NEC Toshiba（东芝）
DDR2 PC2-4300---〉 DDR2 533 PC2-5300---〉 DDR2-667 PC2-6400---〉 DDR2 -800
DDR3 PC3-6400---〉 DDR3 800 PC3-8500---〉 DDR3-1066 PC3-10600---〉 DDR3 -1333 PC3-12800---〉 DDR3 -1600
指提供相同信号，一次最高传输32bit数据。 DIMM：dual inline memory module 双列直插内存模块，金手指两侧各自独
立传输信号。
精选ppt课件
3
位宽：内存芯片颗粒的数据线位数，目前常用有x4，x8， x16三种。
BANK：颗粒内部的存储阵列，一个阵列就是一个BANK， 目前主要有4BANK和8BANK。
RANK：处理器和内存能够进行一次完整的数据读取所需 要的颗粒数目组成一个RANK。如64位处理器，一次完整 的数据读取分别需要16个x4，8个x8，16个x4的颗粒组成 一个RANK。
PAGE：在一个RANK中，相同逻辑地址的BANK（分属 于不同颗粒）同一行地址所包含的列的存储单元数目称 为一个PAGE。
频率：如DDR2等效工作频率400/533/667/800对应实际 时钟频率为100/133/166/200MHz
精选ppt课件
4
内 存 的 仓 库 解 释
精选ppt课件
5
2. 内存种类
DIMM内存条
168Pin SDRAM 两个卡口 工作电压 3.3V
184Pin DDR 工作电压 2.5V
/pc/dnyjcs/
/pc/dnyjcs//cn
/
/
/Memory/
/
/
/
/ghp_japan
/
Siemens（西门子） Mitsubishi（三菱） Fujitsu（富士通）
Hitachi（日立） TI（德州仪器）
厂商网ei.co.kr/models/
/pc/dnyjcs/
不断的充电，也叫刷新(Refresh)。 SDRAM：Synchronous DRAM 同步动态随机存储器，64位带宽，3.3V工作
电压。 DDR：Double Data Rate SDRAM 双倍速率同步动态随机存储器。 DDR2： Double Data Rate2 SDRAM 4倍速率同步动态随机存储器。 DDR3： Double Data Rate3 SDRAM 8倍速率同步动态随机存储器。 SIMM：single inline memory module 单列直插内存模组，内存条两侧金手
/
http://www.ti.c精o选m/ppt课件
10
内存代码含义
SDRAM （以时钟频率来命名）
PC100
PC133 DDR（DDR/DDR2/DDR3以数据传输率命名，单位 MB/s）
PC 1600---〉 DDR200 (64bit×100MHz×2÷8＝1600MB/s) PC 2100---〉 DDR266 （64bit×133MHz×2÷8＝2128MB/s） PC 2700---〉 DDR333 PC 3200 ---〉DDR400
精选ppt课件
240 pin DDR2 工作电压 1.8V
6
SODIMM内存条
144Pin SDRAM 工作电压 3.3V
200 pin DDR 工作电压 2.5V
精选ppt课件
200 pin DDR2 工作电压 1.8V
7
Micro-DIMM内存条 用于笔记本
172 pin DDR 工作电压 2.5V
数据传输率(MHz)
66/100/133
200/266/333/400 400/533/667/800 800/1066/1333/1600
密度(Mb)
位宽(bit) BANK
RD中心SBC组 王海
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1
内容
内存相关名词解释 内存种类 内存区别及信号描述 内存基本时序 内存设计 Example
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2
1.名词解释
RAM：随机存储器 ROM：只读存储器 SRAM：Static RAM 静态随机存储器，利用双稳态触发器保存信息。 DRAM：Dynamic RAM 动态随机存储器，利用电容充放电保存信息，需要
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11
3. 几种内存的区别及信号描述
SDR/DDR/DDR2/DDR3区别
SDR
DDR
DDR2
DDR3
工作电压(V)
3.3 (LVTTL标准) 2.5 (SSTL2标准) 1.8 (SSTL_18)
1.5V
CLOCK 频率(MHz)
66/100/133
100/133/167/200 100/133/167/200 100/133/167/200
214 pin DDR2 工作电压 1.8V
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8
MINI Registered DIMM内存条 用于笔记本
244 pin DDR2 工作电压 1.8V
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9
内存主要厂商
内存芯片及内存条生产 厂商 KINGMAX（胜创） HyunDai（现代） Kingston(金士顿) Adata(威刚) Infineon(英飞凌) LGS（高士达） Micron（麦康） Samsung（三星） NEC Toshiba（东芝）
DDR2 PC2-4300---〉 DDR2 533 PC2-5300---〉 DDR2-667 PC2-6400---〉 DDR2 -800
DDR3 PC3-6400---〉 DDR3 800 PC3-8500---〉 DDR3-1066 PC3-10600---〉 DDR3 -1333 PC3-12800---〉 DDR3 -1600
指提供相同信号，一次最高传输32bit数据。 DIMM：dual inline memory module 双列直插内存模块，金手指两侧各自独
立传输信号。
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3
位宽：内存芯片颗粒的数据线位数，目前常用有x4，x8， x16三种。
BANK：颗粒内部的存储阵列，一个阵列就是一个BANK， 目前主要有4BANK和8BANK。
RANK：处理器和内存能够进行一次完整的数据读取所需 要的颗粒数目组成一个RANK。如64位处理器，一次完整 的数据读取分别需要16个x4，8个x8，16个x4的颗粒组成 一个RANK。
PAGE：在一个RANK中，相同逻辑地址的BANK（分属 于不同颗粒）同一行地址所包含的列的存储单元数目称 为一个PAGE。
频率：如DDR2等效工作频率400/533/667/800对应实际 时钟频率为100/133/166/200MHz
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4
内 存 的 仓 库 解 释
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5
2. 内存种类
DIMM内存条
168Pin SDRAM 两个卡口 工作电压 3.3V
184Pin DDR 工作电压 2.5V
/pc/dnyjcs/
/pc/dnyjcs//cn
/
/
/Memory/
/
/
/
/ghp_japan
/
Siemens（西门子） Mitsubishi（三菱） Fujitsu（富士通）
Hitachi（日立） TI（德州仪器）
厂商网ei.co.kr/models/
/pc/dnyjcs/
不断的充电，也叫刷新(Refresh)。 SDRAM：Synchronous DRAM 同步动态随机存储器，64位带宽，3.3V工作
电压。 DDR：Double Data Rate SDRAM 双倍速率同步动态随机存储器。 DDR2： Double Data Rate2 SDRAM 4倍速率同步动态随机存储器。 DDR3： Double Data Rate3 SDRAM 8倍速率同步动态随机存储器。 SIMM：single inline memory module 单列直插内存模组，内存条两侧金手
/
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10
内存代码含义
SDRAM （以时钟频率来命名）
PC100
PC133 DDR（DDR/DDR2/DDR3以数据传输率命名，单位 MB/s）
PC 1600---〉 DDR200 (64bit×100MHz×2÷8＝1600MB/s) PC 2100---〉 DDR266 （64bit×133MHz×2÷8＝2128MB/s） PC 2700---〉 DDR333 PC 3200 ---〉DDR400
精选ppt课件
240 pin DDR2 工作电压 1.8V
6
SODIMM内存条
144Pin SDRAM 工作电压 3.3V
200 pin DDR 工作电压 2.5V
精选ppt课件
200 pin DDR2 工作电压 1.8V
7
Micro-DIMM内存条 用于笔记本
172 pin DDR 工作电压 2.5V
数据传输率(MHz)
66/100/133
200/266/333/400 400/533/667/800 800/1066/1333/1600
密度(Mb)
位宽(bit) BANK