IC晶圆厂生产制造流程
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氮化矽沉積 氧化膜生成 晶片 投入 雷 射 刻 號 晶 片 清 洗 複晶矽沉積 TEOS沉積 沉積 硼磷膜生成 金屬膜濺鍍 保護膜沉積 光罩 投入 光 阻 覆 膜 對 準 曝 光 顯 化學蝕刻 電漿蝕刻 影 離子植入
晶片 產出 電性預測/針測 電性預測 針測 金屬熱處理(Alloy) 金屬熱處理 光阻去除
重複虛線內之步驟, 註: 重複虛線內之步驟 重複次數因製造流程不同而有所不同
氮化矽沉積 氧化膜生成 晶片 投入 雷 射 刻 號 晶 片 清 洗 複晶矽沉積 TEOS沉積 沉積 硼磷膜生成 金屬膜濺鍍 保護膜沉積 光罩 投入 光 阻 覆 膜 對 準 曝 光 顯 化學蝕刻 電漿蝕刻 影 離子植入
晶片 產出 電性預測/針測 電性預測 針測 金屬熱處理(Alloy) 金屬熱處理 光阻去除
重複虛線內之步驟, 註: 重複虛線內之步驟 重複次數因製造流程不同而有所不同