铁电薄膜的发展
铁电材料发展历程以及目前状况
铁电材料发展历程以及目前状况铁电材料是一种具有独特物理特性的材料,在电子领域、信息存储领域等方面具有广泛的应用前景。
本文将回顾铁电材料的发展历程以及目前状况。
一、铁电材料的发现铁电材料是一种将电信号转换为机械变形或者机械变形转化为电信号的材料。
铁电材料的发现可以追溯到20世纪初。
在1910年,法国物理学家Paul Langevin和Pierre Weiss 首次发现了氢氧化钛(TiO2)具有电荷分离和极化特性,这是铁电材料发现的先声。
1921年,日本物理学家神户荣一郎发现了铌酸锂(LiNbO3)和钽酸锂(LiTaO3)这两种材料,也具有电荷分离和极化特性,这就是铁电晶体材料。
20世纪50年代,美国物理学家Curie夫妇提出了铁电材料家族的定义:有种类别的材料,它们在某个温度下具有自发的电极化。
二、铁电材料的发展历程自从铁电材料的发现以来,目前铁电材料已经存在于多个不同的市场中。
这些市场包括石英晶体谐振器、随机存储器(RAM)、可编程逻辑控制器(PLC)、传感器、磁随机存取存储器(MRAM)和智能售货机等。
1965年,日本的学者佐藤义彦和稻村光男发现了PbTiO3的常温铁电性质,这标志着铁电材料制备和研究进入了全新的阶段。
1961年,美国学者S.W. Kirchhoff和J.D. Berkowitz在Cr2O3中发现了自旋极化效应,这为铁电材料的研究开辟了一条新的道路。
20世纪80年代,铁电材料的研究由于世界各国政府的投资而得到了极大的发展,铁电材料的种类也逐渐增加。
1990年代,高温超导材料发现后,人们对铁电材料的研究暂时停滞,但是在新世纪之后,铁电材料的研究得到了再次的突破。
随着电子领域的不断发展,铁电材料的应用前景也更加广阔。
三、目前铁电材料的状况铁电材料是一种具有非常高度应用前景的材料,铁电材料的应用主要集中在电子领域和信息存储领域。
目前铁电材料已经广泛运用在随机存储器、电脑存储器、模拟存储器、磁性处理、扩散屏蔽等领域。
铁电薄膜材料及其应用
铁电薄膜材料及其应用一、引言铁电薄膜材料是一种重要的功能材料,具有优异的电学、铁电和机械性能,广泛应用于信息存储、传感器、微电子机械系统等领域。
本文将介绍铁电薄膜材料的特性、制备方法及其应用领域。
二、铁电薄膜材料的特性1.电学性能铁电薄膜材料具有高度的自发极化和电畴结构,可以在外加电场的作用下发生极化反转,产生较大的极化强度和位移,表现出优异的铁电性能。
此外,铁电薄膜材料还具有较高的介电常数和较小的漏电流等特点。
2.铁电稳定性铁电薄膜材料的铁电稳定性是其在实际应用中的重要性能之一。
铁电稳定性取决于材料的结构、成分和制备工艺等因素。
具有高稳定性的铁电薄膜材料可以在长时间内保持其铁电性能,不易发生退化或失效。
3.机械性能铁电薄膜材料通常具有较好的机械性能,如高硬度、高韧性、良好的耐磨性和耐腐蚀性等。
这些机械性能使得铁电薄膜材料在传感器、微电子机械系统等领域中具有广泛的应用前景。
三、制备方法1.溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法是一种常用的制备铁电薄膜材料的方法。
该方法是将前驱体溶液涂覆在基片上,经过干燥、热处理等过程,制备出铁电薄膜材料。
溶胶-凝胶法制备的铁电薄膜材料具有成分均匀、纯度高、制备温度低等优点,但该方法也存在制备周期长、生产效率低等缺点。
2.脉冲激光沉积法脉冲激光沉积法是一种利用激光能量将靶材气化,然后在基片上沉积成膜的方法。
该方法制备的铁电薄膜材料具有结构致密、成分均匀、表面平整等特点,适用于大面积制备高质量的铁电薄膜材料。
但该方法也存在设备昂贵、制备成本高等缺点。
3.金属有机化学气相沉积法金属有机化学气相沉积法是一种利用金属有机化合物和反应气体在基片上沉积成膜的方法。
该方法制备的铁电薄膜材料具有组分灵活、制备温度低、生产效率高等优点,但该方法也存在设备复杂、气体纯度要求高等缺点。
四、应用领域1.铁电存储器由于铁电薄膜材料具有高极化强度和稳定的铁电性等特点,因此被广泛应用于制备铁电存储器。
利用铁电薄膜材料的极化状态变化可以实现信息的写入和擦除,具有非易失性、高速、低功耗等优点。
2024年铁电材料市场策略
2024年铁电材料市场策略引言铁电材料是一类具有特殊电学性质的材料,具有优异的速度响应、低功耗和非易失性等特点。
随着科技的不断进步和应用需求的增加,铁电材料市场正经历着快速增长。
本文将就铁电材料市场的现状和前景,以及制定2024年铁电材料市场策略进行分析。
铁电材料市场现状目前,铁电材料市场规模较小,但增长迅速。
主要应用领域包括电子、通信、医疗和军事等。
铁电材料在这些领域中可以发挥重要作用,例如用于制造高性能传感器、存储器和微波器件等。
铁电材料市场的主要参与者包括厂商、供应商和终端用户等。
目前,市场上主要的铁电材料包括铁电薄膜、铁电陶瓷和铁电晶体等。
这些材料具有不同的特性和应用领域,为市场提供了多样化的选择。
铁电材料市场前景铁电材料市场具有广阔的前景和巨大的潜力。
随着人们对智能化和高性能产品的需求增加,铁电材料的需求也将逐渐增加。
铁电材料的应用领域也将不断扩展,包括电子设备、通信设备、医疗器械和智能家居等。
此外,铁电材料的研发和应用也受到政府的支持和鼓励。
各国政府在铁电材料领域投入资金,促进相关技术的创新。
这将进一步推动铁电材料市场的发展,并为市场参与者带来更多机会。
2024年铁电材料市场策略1. 研发创新研发创新是2024年铁电材料市场策略的核心。
只有通过不断的技术创新,才能提高铁电材料的性能和应用范围。
市场参与者应加大研发投入,加强技术合作,提高产品质量和竞争力。
2. 拓展应用领域铁电材料市场的应用领域目前还比较有限,市场参与者可以通过拓展应用领域,开发新的产品和解决方案,满足不同领域的需求。
例如,将铁电材料应用于智能家居、新能源和环保等领域,探索新的市场机会。
3. 建立销售渠道建立有效的销售渠道对于铁电材料市场的发展至关重要。
市场参与者应与合作伙伴建立紧密合作关系,共同开拓市场。
同时,加强市场营销和推广活动,提高品牌知名度和市场份额。
4. 提供优质服务在竞争激烈的市场中,提供优质的售前和售后服务是吸引客户和保持客户忠诚度的关键。
《2024年Bi4Ti3O12母相铁电薄膜的能源效应与调控机理》范文
《Bi4Ti3O12母相铁电薄膜的能源效应与调控机理》篇一一、引言随着科技的发展,铁电材料因其独特的物理性质和在能源领域的应用潜力,受到了广泛关注。
Bi4Ti3O12(BTO)母相铁电薄膜作为一种典型的铁电材料,具有优异的铁电、介电和热释电性能,使其在能源存储、能源转换和能源调控等方面展现出重要的应用前景。
本文将重点探讨Bi4Ti3O12母相铁电薄膜的能源效应及调控机理。
二、Bi4Ti3O12母相铁电薄膜的能源效应1. 能源存储效应Bi4Ti3O12母相铁电薄膜具有较高的剩余极化强度和较大的电容值,使得其在能源存储方面具有独特的优势。
通过合理设计薄膜结构,可实现高密度的能量存储,为小型化、轻量化的电子设备提供能量支持。
2. 能源转换效应BTO铁电薄膜在光、热等外界刺激下,可实现电能与光能、热能之间的相互转换。
利用其热释电效应,可将热能转换为电能,为自供能传感器等应用提供动力。
此外,BTO铁电薄膜还可应用于太阳能电池,通过光伏效应实现光能到电能的转换。
三、调控机理1. 电场调控通过施加外部电场,可以改变BTO铁电薄膜的极化状态,进而调控其介电性能、热释电性能等。
通过优化电场强度和方向,可以实现薄膜性能的精确调控。
2. 温度调控BTO铁电薄膜的相变温度、居里温度等参数受温度影响显著。
通过调整环境温度,可以改变薄膜的相结构和性能,从而实现对BTO铁电薄膜性能的调控。
此外,温度还可以影响BTO薄膜的电导率和介电损耗等参数,进一步优化其在能源转换和存储方面的性能。
四、Bi4Ti3O12母相铁电薄膜的潜在应用领域(一)能源存储器件:BTO薄膜的高介电常数和大的剩余极化强度使其在制备高能量密度的铁电存储器件方面具有巨大的潜力。
通过优化膜厚、晶粒尺寸等参数,有望进一步提高其储能性能。
(二)自供能传感器:利用BTO薄膜的热释电效应和光响应特性,可制备出具有自供能特性的传感器件。
这种传感器能够在无外部电源的情况下工作,为物联网等领域提供新的解决方案。
“铁电薄膜”资料汇编
“铁电薄膜”资料汇编目录一、PZT铁电薄膜的制备与性能研究二、钙钛矿铁电薄膜异质结的结构及光、电性能研究三、铁电薄膜材料综述四、铁电薄膜畴结构及畴动力学的透射电子显微学研究五、铁电薄膜制备及新型铁电存储器研究六、金属有机化学气相沉积制备铁电薄膜材料研究进展PZT铁电薄膜的制备与性能研究铁电材料在传感器、存储器、换能器等众多领域有着广泛的应用。
其中,PZT(铅锆钛酸盐)铁电薄膜由于其优异的铁电、压电性能,被广泛应用于微电子、光电子和微纳器件等领域。
本文将重点探讨PZT 铁电薄膜的制备技术及其性能研究。
目前,制备PZT铁电薄膜的方法主要有溶胶-凝胶法(Sol-Gel)、物理气相沉积法(PVD)、化学气相沉积法(CVD)等。
溶胶-凝胶法:该方法是将金属醇盐或无机盐经过溶液、溶胶、凝胶等过程,然后在低温下热处理,制备成薄膜。
溶胶-凝胶法的优点是制备工艺简单,容易控制薄膜的成分和结构,但是制备的薄膜厚度通常较薄。
物理气相沉积法:该方法主要包括真空蒸发、溅射和离子束沉积等。
这些方法可以在较高的温度下,将靶材的原子或分子沉积到基片上形成薄膜。
物理气相沉积法的优点是制备的薄膜纯度高,厚度均匀,但是设备昂贵,工艺复杂。
化学气相沉积法:该方法是利用化学反应,将气态的原料在基片上沉积成膜。
化学气相沉积法的优点是制备温度低,薄膜质量高,但是反应过程中难以控制薄膜的成分和结构。
PZT铁电薄膜的性能主要包括铁电、压电、介电等性能。
这些性能与薄膜的成分、结构和制备工艺密切相关。
铁电性能:PZT铁电薄膜具有优异的铁电性能,其自发极化强度高,剩余极化强度大,矫顽场强,这些性能使其在传感器和存储器等领域具有广泛的应用前景。
压电性能:PZT铁电薄膜同时也具有良好的压电性能,能够将机械能转换为电能,或者将电能转换为机械能。
这一特性使其在声波探测、振动能采集等领域具有广泛的应用。
介电性能:PZT铁电薄膜的介电性能也较好,其介电常数和介电损耗随温度和频率的变化而变化,这一特性使其在电子器件和微波器件等领域具有一定的应用价值。
2024年金属化薄膜电容市场规模分析
2024年金属化薄膜电容市场规模分析引言金属化薄膜电容是一种重要的电子元件,具有广泛的应用领域。
本文对金属化薄膜电容市场规模进行分析,以便了解其市场趋势和发展前景。
市场概述金属化薄膜电容市场自20世纪80年代以来快速发展。
随着电子产品的不断普及和5G等新兴技术的迅猛发展,金属化薄膜电容市场需求不断增长。
市场规模分析2024年金属化薄膜电容市场规模分析如下:1.市场规模:根据市场调研数据显示,金属化薄膜电容市场规模在过去几年稳步增长,预计在未来几年内将继续保持增长态势。
2.区域分布:金属化薄膜电容市场主要集中在美洲、亚洲和欧洲地区,其中亚洲市场占据了主导地位。
随着新兴市场的崛起,亚洲市场的份额将进一步增长。
3.应用领域:金属化薄膜电容在电子通信、汽车电子、工业自动化等领域具有广泛的应用。
特别是在5G技术的推动下,金属化薄膜电容市场需求得到了进一步激发。
市场趋势分析金属化薄膜电容市场面临以下趋势:1.技术创新:随着科技的不断进步,金属化薄膜电容技术也在不断创新。
新材料的使用和制造工艺的改进将提高产品性能,促进市场增长。
2.智能化应用:随着智能手机、物联网等领域的迅猛发展,金属化薄膜电容在智能化应用方面具有巨大潜力。
预计智能化应用领域将成为市场的主要增长驱动力。
3.环保意识提升:随着社会对环境保护意识的提高,绿色环保型金属化薄膜电容的需求也在增加。
企业应加强环保措施,以满足市场需求。
市场前景展望金属化薄膜电容市场前景广阔,具有以下发展趋势:1.增长潜力:随着新兴技术的发展和电子产品的更新换代,金属化薄膜电容市场将继续保持增长,预计市场规模将进一步扩大。
2.新市场机会:随着亚洲市场的崛起和新兴市场的兴起,金属化薄膜电容市场在地区分布上将出现新的机遇。
企业应积极拓展新兴市场,以实现更大的发展。
3.技术升级:随着技术进步和市场需求的不断升级,金属化薄膜电容产品的性能将不断提升,为市场发展提供更多机会。
结论金属化薄膜电容市场规模呈现增长态势,市场前景广阔。
2023年铁电材料行业市场发展现状
2023年铁电材料行业市场发展现状铁电材料是一种具有特殊电性能的材料,具有快速响应、简单可控等特点,被广泛应用于电容器、存储芯片、传感器等领域,被誉为电子材料中的重要分支。
随着信息技术和通讯技术的快速发展,铁电材料市场需求不断增加,并呈现出下列发展趋势:一、市场需求不断增加随着人们对信息技术和通讯技术不断追求,对重要电子材料的需求不断提高。
铁电材料由于具有快速响应、高精度、良好稳定性等优势,因此低噪声、高频、高速度、大存储容量等方面被广泛应用于电子信息领域。
尤其是在存储器、传感器等领域,铁电材料的应用前景非常广阔,市场需求不断增加。
二、应用领域扩大随着研究和发展的不断深入,铁电材料的应用领域逐渐扩大。
目前,铁电材料在电源管理、显示器件、光电器件、高频和射频技术、微机电系统等领域中已经得到广泛应用。
另外,同样具有铁电效应的氧化锆、钛酸钡等化合物也逐渐成为新型的铁电材料。
三、国内市场不断发展近年来,国内的电子信息领域发展迅速,电子电器、通讯设备、计算机等高新技术产品已经成为人们生活不可或缺的一部分。
因此,铁电材料作为电子材料的重要分支,在国内市场也得到了广泛应用和发展。
尤其是在电容器、存储芯片、传感器等领域,铁电材料的研究和应用也得到了广泛关注,市场发展前景非常广阔。
四、国际市场竞争加剧虽然国内市场发展迅速,但是国际市场竞争也越来越激烈。
欧美和日本等发达国家在铁电材料研究方面的优势依然很强,其技术和产业链比国内成熟很多。
而且在高端市场中,国际品牌在知名度和市场份额方面占据优势。
因此,国内企业需要加强研发实力和市场营销,提高产品品质和服务水平,才能在国际市场上占得一席之地。
总之,铁电材料市场在国内外都具有很大的市场潜力和发展空间。
随着技术的进步和需求的增长,铁电材料研究和应用的前景非常明朗。
因此,国内企业应该加强技术创新和市场拓展,争取更大的市场份额和竞争优势。
溶胶-凝胶法制备铁电薄膜及发展趋势
6结 束 语
有关铁 电薄膜 及其存储 器的研 究取得 了很大 的进展 . 在 现 有 工 作 的基 础 上 ,今 后 应从 以下 几 个 方 面来 开 展 更 深 入 的工 作 。 ( )研 究 铁 电薄 膜 的尺 寸效 应 、印 记 失 效 、保 持 性 能 1 损 失 以及 频 率 依 赖 关 系 f 散 关 系) 即色 。 ( )开 展 铁 电 薄 膜 在 高 频 领 域 及 微 波 器 件 的 应 用 研 2 究 .拓 展 铁 电 薄膜 的应 用 领 域 。 ( ) 开 展 无 铅 铁 电 薄 膜 及 器 件 的 力 学 性 能 研 究 工 3
制 、退 火 工 艺 对 薄 膜 结 晶特 性 的 影 响 。下 面仅 重 点 介 绍 基 片 材 料 的选 取 及 清 洗 。
制 备 钙 钛 矿 结 构 的 铁 电 薄 膜 的 基 片 材 料 主 要 有 :S i
( 0 ) P 、 ST0 ( 0 1 0 、 t r i 3 10或 1 1 、Mg ( 0 ) a i 3 l) O 10 、L N O 、 ZO 、 M A 24 Y B C O L AO 、 ( a S ) C o  ̄ r r 2 g 1 、 a u 4 a l3 0 L , r O S.
[0 1 ]郭 冬 云 , 毛 薇 ,秦 岩 ,等 . o — e 法 制 备 P ( T i4 S l g1 b z o7 )
o, 电薄膜 U 材料导报 ,2 1 ,2 (1 :1— 9 8 铁 ]. 0 0 4 1 ) 6 1 ,2
[ 1 侯 芳 ,臧 涛 成 ,李 建 康 . 胶 一凝 胶 法 制 备 ( ,B ) T。 1] 溶 Nd i i
( ) 薄膜 易 出现 龟 裂 现 象 ; 1 ( ) 工 艺参 数 难 以控 制 ; 2
铁电薄膜的发展
铁电薄膜的发展0807044234 赖辛铁电材料是这样一些晶体,它们在某温度范围具有自发极化,而且极化强度可以随外电场改变而改变。
作为一类重要的功能材料,铁电材料具有介电性、压电性、热释电性、铁电性以及电光效应、声光效应、光折变效应和非线性光学效应等重要特性,可用于制作铁电存储器、热释电红外探测器、空间光调制器、光波导、介质移相器、压控滤波器等重要的新型元器件。
这些元器件在航空航天、通信、家电、国防等领域具有广泛的应用前景。
铁电薄膜具有优越的电极化特性、热释电效应、介电效应、压电效应、电光效应高、解电系数和非线性光学性质等一系列特殊性质,可制成不同功能器件,随着铁电薄膜制备技术的发展,使现代微电子技术与铁电薄膜的多种功能相结合,必将开发出众多新型的功能材料,促进新兴技术的发展。
因此,铁电陶瓷薄膜的研究日益突出,已成为国际上新颖功能材料与器件的一个热点。
早在远古时期,人们就知道某些物质具有与温度有关的自发电偶极距,因为它们被加热时具有吸引其它轻小物体的能力。
1824年Brewster观察到许多矿石具有热释电性。
l880年约·居里和皮·居里发现当对样品施加应力时出现电极化的现象。
但是,早期发现的热释电体没有一个是铁电体。
在未经处理的铁电单晶中。
电畴的极化方向是杂乱的,晶体的净极化为零,热释电响应和压电响应也十分微小,这就是铁电体很晚才被发现的主要原因。
直到l920年,法国人valasek发现了罗息盐(酒石酸钾钠,NaKCH4O·4H2O)特异的介电性能,才掀开了自20 世纪50 年代人们开始研究铁电薄膜,至今已有几十年的历史,但由于受到薄膜制备技术的限制,研究一直进展缓慢。
直到20 世纪80 年代,薄膜制备技术取得了一系列的突破,许多物理和化学方法用于制备铁电薄膜,扫除了铁电材料与半导体工艺等技术障碍,因而铁电薄膜材料得到了飞速的发展。
利用铁电氧化物薄膜所具有的介电、铁电、压电、电致伸缩、热电、光学、电光等性能,可以制得很多种类的铁电薄膜器件,这些铁电薄膜器件都具有十分诱人的应用前景和潜在的巨大市场。
2024年铁电材料市场前景分析
铁电材料市场前景分析引言铁电材料是一类具有特殊结构和性质的材料,具有优异的电介质、压电和铁电特性。
随着电子设备和通信技术的不断发展,铁电材料的应用前景逐渐受到关注。
本文通过对铁电材料市场的分析,探讨铁电材料的发展趋势和市场前景。
市场概况铁电材料的定义和特性铁电材料是一类具有自发极化现象的材料,其电介质性能优异,能够在外电场的作用下实现自发极化反转。
此外,铁电材料还具有良好的压电和铁电特性,可广泛应用于传感器、电容器、存储器等领域。
市场规模和增长趋势根据市场研究机构的数据,目前铁电材料市场规模较小,但呈逐年增长的趋势。
预计未来几年,随着新兴技术的发展和应用领域的扩大,铁电材料市场将迎来更为广阔的发展空间。
新兴技术的兴起近年来,一系列新兴技术的发展对铁电材料市场的需求产生了积极的影响。
例如,人工智能、物联网和5G通信等技术都对铁电材料的高性能和低功耗提出了要求,推动了铁电材料市场的发展。
应用领域的扩大铁电材料在传感器、电容器和存储器等领域具有广泛的应用前景。
随着人们对高性能和小型化产品的需求增加,对铁电材料的需求也在不断增长。
同时,随着新兴应用领域的涌现,如无线充电技术和柔性电子技术,铁电材料的市场前景将进一步拓展。
市场挑战和风险技术门槛较高由于铁电材料具有独特的结构和特性,对材料生产和加工技术的要求较高。
目前,铁电材料的生产工艺尚不成熟,制约了其在市场上的应用和推广。
品牌竞争和市场竞争铁电材料市场存在较多的品牌竞争和市场竞争,具有一定的风险和挑战。
随着铁电材料市场规模的扩大,各大企业将加大投入和研发力度,提高产品竞争力,从而影响市场格局。
技术进步和创新应用随着科技进步的加速和创新应用的推进,铁电材料的研发和应用将取得长足发展。
新材料的研究和生产工艺的改进将带来高性能和低成本的铁电材料,进一步推动市场的发展。
区域市场的分化和细分随着铁电材料市场的发展,不同地区的市场需求将出现分化和细分。
一些发达地区将成为铁电材料的主要消费市场,而一些新兴市场也将崛起,为铁电材料市场的发展注入新的活力。
2024年金属化薄膜市场发展现状
2024年金属化薄膜市场发展现状引言金属化薄膜是一种常用于电子、光学和太阳能行业的薄膜材料。
随着科技的进步和市场需求的增加,金属化薄膜市场正呈现出良好的发展前景。
本文将介绍金属化薄膜的定义、应用领域,以及市场的发展现状。
金属化薄膜的定义金属化薄膜是将金属精细地沉积在基底材料表面的一种薄膜形式。
通常使用化学气相沉积、物理气相沉积或电镀等技术实现。
金属化薄膜具有优异的导电性、光学性能和耐腐蚀性,因此在多个领域得到广泛应用。
金属化薄膜的应用领域1. 电子行业金属化薄膜在电子行业中广泛应用于半导体器件、集成电路、平板显示器和光电元件等领域。
金属化薄膜作为电子器件的导线、散热材料和反射层,具备低电阻、高导电性和优异的热导率,能够提升器件的性能和稳定性。
2. 光学行业金属化薄膜在光学行业中主要用于制造镜片、光学滤波器和反射镜等光学元件。
金属化薄膜具有优秀的反射和折射特性,能够实现光的精确控制和传导,广泛应用于激光技术、光学传感器和成像设备等领域。
3. 太阳能行业金属化薄膜在太阳能行业中用于制造太阳能电池板。
金属化薄膜可以提供太阳能电池板所需的导电性和反射特性,提高太阳能的吸收效率和转换效率。
随着可再生能源的发展和环保意识的提高,太阳能市场持续增长,对金属化薄膜的需求也在不断上升。
金属化薄膜市场的发展现状金属化薄膜市场目前正呈现出快速增长的趋势。
以下是金属化薄膜市场的一些主要发展现状:1.市场规模持续扩大:随着电子、光学和太阳能行业的快速发展,金属化薄膜市场的规模不断扩大。
预计未来几年内,金属化薄膜市场将保持稳定增长。
2.技术创新驱动市场发展:金属化薄膜市场的发展离不开技术创新。
目前,一些新型的金属化薄膜制备技术如磁控溅射、蒸发等不断涌现,提高了金属化薄膜的制备效率和性能,推动了市场的发展。
3.行业竞争加剧:随着市场需求的增加,金属化薄膜市场的竞争也越来越激烈。
国内外众多企业进入市场,加大了市场竞争力度。
企业需要通过技术研发和产品创新来提高竞争优势。
几种新型薄膜材料及应用
电介质的基本特征是,在外电场的作用下, 电介质中要出现电极化,即将原来不带电 的电介质置于外电场中,在其内部和表面 上将会感生出一定的电荷。
本节主要介绍用于混合集成电路、半导体 集成电路及薄膜元器件中的介质薄膜的制 作、性质及应用
5.2.2 氧化物电介质薄膜的制备及应用
1、氧化物电介质薄膜的制备
SnO2晶体具有正四面体金 红石结构(a=4.738Å, c=3.188 Å),如图所示。 它是一种宽禁带半导体材 料,其禁带宽度Eg=3.6eV, 纯SnO2存在晶格氧缺位, 在禁带内形成ED=-0.15eV 的施主能级,属于n型半导 体,一般处于简并或接近 于简并状态。
5.3.2 透明导电薄膜制备方法
③化学气相沉积法 将玻璃衬底加热至高温,并使其 表面吸附金属有机化合物的热蒸气,然后通过喷涂 在基片表面上引起分解氧化反应,由此析出金属氧 化物。金属有机化合物可用(CH3)2SnCl2等;并且, 还可以掺杂SbCl3。
④溅射法
锡掺杂的In2O3(tin-doped indium oxide,简 称ITO)薄膜是一种n型半导体材料,它具有 较宽的带隙(3.5eV~4.3eV), 较高的载 流子密度(1021cm-3)。另外,ITO薄膜还 具有许多其它优异的物理、化学性能,例 如高的可见光透过率和电导率,与大部分 衬底具有良好的附着性,较强的硬度以及 良好的抗酸、碱及有机溶剂能力。因此, ITO薄膜被广泛应用于各种光电器件中,如 LCDs(Liquid Crystal Display)、太阳能电池、 能量转换窗口、固态传感器和CRTs。
目前,玻璃衬底电池上电极用的TCO膜是SnO2膜或 SnO2/ZnO复合膜,不锈钢衬底电池上电极用的 TCO膜为ITO膜。最近已经在聚酯(PET)薄膜衬 底上制备了透明氧化物导电薄膜。
铁电薄膜技术
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其核心流程主要包括以下步骤:**制备工艺流程:**①选材设计:根据应用需求选择合适的铁电材料,如PZT(钛酸铅锆酸盐)、BST(钛酸锶钡)等。
②薄膜沉积:采用多种方法之一沉积薄膜,常见方法有溶胶-凝胶法、磁控溅射法、脉冲激光沉积(PLD)、分子束外延(MBE)等。
这一步骤涉及将材料蒸发或溶解后再沉积到基底上,形成均匀薄层。
③退火处理:沉积后的薄膜需经过退火处理,以提高其结晶度和改善电学性能。
温度和时间的选择对薄膜质量至关重要。
④性能表征:通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等手段,分析薄膜的晶体结构、形貌及电性能,如介电常数、漏电流密度和极化特性。
⑤微结构调控:通过调整工艺参数,如沉积速率、气氛、基底温度等,优化薄膜的微结构,以达到预期的铁电性能。
**应用开发流程:**①器件设计:根据铁电薄膜特性,设计相应的器件结构,如铁电存储器、压电器件、传感器等。
②器件制备:将铁电薄膜集成至器件中,包括图案化、电极制作等微纳加工步骤。
铁电材料在电子器件中的应用
铁电材料在电子器件中的应用铁电材料是一种特殊的材料,具有独特的物理和化学性质。
这些材料可以通过外部电场的变化来实现极化,进而产生高度可控制的性能。
由于这些独特的性能,铁电材料已经在电子器件中得到了广泛的应用。
本文将按照类别来介绍铁电材料在电子器件中的应用。
一、铁电薄膜铁电薄膜是一种具有特殊性质的材料。
这些薄膜通常由铁电晶体沉积在底部电极上,在制作过程中常使用物理汽相沉积或化学汽相沉积技术。
铁电薄膜在电子器件中有广泛的应用。
例如,在非易失性随机访问存储器(NVRAM)中,铁电薄膜可以存储数据,具有非常高的稳定性和可靠性。
铁电薄膜的极化状态可以用于记录和读取数据。
其次,铁电薄膜还可用于微处理器中的存储器单元,例如闪存存储器和EEPROM存储器。
铁电薄膜的优点是可靠性高、写入次数多、读取速度快、功耗低,适用于小型电子设备。
二、铁电电容器铁电电容器是由铁电材料制成的电容器,可以通过改变电场的方向和大小来改变电容器的极化状态。
铁电电容器与普通电容器的不同之处在于铁电电容器的极化状态可以保持很长时间,因此铁电电容器可以用作存储设备,比如在一些集成电路(IC)中使用。
铁电电容器在非易失性存储器(NVS)中得到了广泛的应用,NVS可以使用在需要长期保存数据的场合,例如模拟信号存储和数字信号存储。
三、铁电场效应晶体管铁电场效应晶体管(FeFET)是一种新型的晶体管,利用铁电材料的极化状态来控制导电性能,具有一定的记忆性质。
铁电场效应晶体管是一种全新的存储器元件,多用于存储和恢复非易失性数据。
铁电场效应晶体管的优点是功耗低,可重写性能好,写入时间短,这使其成为可重复编程存储器的极好选择。
四、铁电声波器件铁电声波器件充当在晶体管前端的频率选择器件,利用了铁电晶体的特殊性能。
铁电声波器件广泛应用于通信、移动电话、计算机、医疗和汽车等电子行业中。
由于铁电声波器件的极化状态不易受到外部干扰,所以铁电声波器件是一种稳定而可靠的频率控制元件,适用于高质量的通信和响应应用。
2024年金属化薄膜市场前景分析
2024年金属化薄膜市场前景分析1. 引言金属化薄膜是一种在基材表面形成金属薄膜的技术,具有广泛的应用前景。
随着科技的不断进步和市场需求的增加,金属化薄膜市场呈现出良好的发展趋势。
本文将分析金属化薄膜市场的前景。
2. 市场概述2.1 市场规模金属化薄膜市场目前正在快速增长。
根据市场研究报告,金属化薄膜市场在过去几年里每年增长率超过10%。
预计在未来几年里,市场规模将进一步扩大。
2.2 市场驱动因素金属化薄膜市场的快速增长可以归因于以下几个市场驱动因素:•电子行业的发展:金属化薄膜在电子行业中有广泛应用,如集成电路、平面显示器、太阳能电池等。
随着电子行业的快速发展,对金属化薄膜的需求也在增加。
•能源行业的需求:金属化薄膜在能源行业中有重要应用,如燃料电池、储能设备等。
随着对新能源技术的不断研究和应用,对金属化薄膜的需求也在增加。
•汽车行业的需求:金属化薄膜在汽车行业中有广泛应用,如汽车外观装饰、传感器、电动汽车电池等。
随着汽车行业的发展和电动汽车市场的扩大,对金属化薄膜的需求也在增加。
2.3 市场竞争景观金属化薄膜市场竞争激烈,主要的竞争者包括: - 公司A - 公司B - 公司C这些公司在技术研发、产品质量和市场拓展等方面展开竞争。
随着市场的增长和需求的增加,预计市场上将出现更多的竞争者。
3. 市场机遇和挑战3.1 市场机遇金属化薄膜市场的发展为投资者和企业带来了机遇。
以下是市场机遇的几个方面:•技术进步带来的机遇:随着材料科学和制造技术的不断进步,金属化薄膜的性能和品质得到了提高,为市场提供了更多的应用机遇。
•新兴市场的拓展:一些新兴市场对金属化薄膜的需求不断增加,如新能源汽车市场、智能设备市场等,这为金属化薄膜市场带来了更多的发展机遇。
3.2 市场挑战金属化薄膜市场也面临着一些挑战,主要包括以下几个方面:•技术研发的难度:金属化薄膜技术的研发需要大量的资金和人力资源,技术难度较高,这对企业来说是一个挑战。
《2024年铁电氧化物薄膜的光伏性能及调控机理》范文
《铁电氧化物薄膜的光伏性能及调控机理》篇一一、引言随着现代电子技术的飞速发展,铁电氧化物薄膜因其独特的物理和化学性质,在光电器件领域展现出巨大的应用潜力。
光伏效应作为铁电氧化物薄膜的重要性能之一,对其应用和发展具有重要意义。
本文将探讨铁电氧化物薄膜的光伏性能及调控机理,分析其在光电转换领域的实际应用与未来发展。
二、铁电氧化物薄膜的基本特性铁电氧化物薄膜是一种具有铁电性的薄膜材料,其内部的自发性极化能够在外加电场的作用下发生反转。
这种材料具有高介电常数、良好的热稳定性和优异的物理化学稳定性等特点,因此被广泛应用于光电器件、传感器、存储器等领域。
三、铁电氧化物薄膜的光伏性能光伏效应是指光子通过特定材料时产生电势差,即产生电能的过程。
在铁电氧化物薄膜中,由于内部自发极化的存在,光子在材料内部激发的电荷会受到极化场的调制,从而产生光电流。
这种光伏效应使得铁电氧化物薄膜在光电转换领域具有广阔的应用前景。
四、光伏性能的调控机理1. 界面调控:通过调整铁电氧化物薄膜与电极或其他材料之间的界面性质,如能级匹配、载流子注入等,可以有效调控薄膜的光伏性能。
例如,在界面处引入适量的氧空位或杂质原子,可以改变载流子的分布和传输路径,从而提高光电流的输出。
2. 极化调控:铁电氧化物薄膜的自发极化是影响光伏效应的重要因素。
通过改变外加电场或温度等条件,可以调节薄膜的极化状态,从而影响光生电荷的分离和传输。
此外,通过调控薄膜的晶体结构、成分和厚度等参数,也可以有效优化其光伏性能。
3. 能量带结构调控:通过改变铁电氧化物薄膜的能量带结构,如调整能带宽度、导带和价带的相对位置等,可以优化光子的吸收和利用效率,从而提高光伏效应的转换效率。
五、实际应用与未来发展铁电氧化物薄膜的光伏性能在太阳能电池、光电传感器等领域具有广泛的应用前景。
通过优化其光伏性能和调控机理,可以提高光电转换效率,降低生产成本,推动相关领域的技术进步。
未来,随着纳米技术、量子工程等新兴技术的发展,铁电氧化物薄膜的光伏性能将得到进一步优化和提升,为光电器件领域带来更多的创新和发展机遇。
BNT、PZT铁电薄膜的残余应力
ii
硕士毕业论文
BNT、PZT 铁电薄膜的残余应力
杨建桃
ABSTRACT
Current interest in ferroelectric thin film results from the numerous potential applications in micro-electronics, micro electromechanical system (MEMS) and information storing that utilize the unique ferroelectric, dielectric, pyroelectric, electro-optic, acousto-optic, and piezoelectric properties of the material. Therefore, the preparation and properties study on the ferroelectric thin film have attracted great interests. Due to the structural misfit and thermal misfit of the thin film/substrate system and the process form high temperature to low temperature during the preparation process of thin film, residual stress will be produced inevitably. The residual stress exits in thin film may lead to the degradation, or delamination or completely failure of the thin film. In this case, the study of residual stress in ferroelectric thin film is very important. In this paper, we introduce the preparation of Bi 3.15 Nd 0.85 Ti 3 O 12 (BNT) ferroelectric thin films by chemical solution deposition (CSD) method, and characterize the microstructure and ferroelectric properties of BNT thin films, mainly focus on the evaluation and analysis of residual stresses in BNT and Pb(Zr 0.52 Ti 0.48 )O 3 (PZT) thin films by X-ray diffraction (XRD). The main results are given as follow. BNT ferroelectric thin films were prepared by CSD method. The microstructure and ferroelectric properties of thin film prepared under different experiment parameters were characterized. Varying annealed temperature, the BNT thin film annealed at 750 0 C in air and 700 0 C in oxygen show best ferroelectric properties. While the rapid-thermal-process annealing time is less than 180 s, the increase of annealing time could effectively improve the polarization and decrease the coercive voltage. And the BNT thin film show good ferroelectric properties only when the thickness of thin film reached a certain value. The prepared thin film presents perfect electric fatigue characteristic that the P-V loop showed little change after 10 9 cycles switching. The residual stress in BNT thin film was measured by the conventional sin 2 ψ method using XRD. The experiment showed that the tensile residual stress decreased with the increase of annealing temperature. The relationship between residual stress and remanent polarization of BNT thin film was discussed by the
铁电薄膜及其应用
铁电薄膜及其应用叶锄学隈,第17第2国外建材科技辐衫V o1.17N0.2Jun.1996铁电薄膜及其应用继2/多(材料科学与工程学院相摘要:本文简要地舟鳍了近年采MRS国斥论文架和姜池文献所担导的兰于镘电薄膜的制备技术,薄虞材料厦其开发应用方面的发展概况.展示出l挂电薄膜良奸的发展前景.关键词:驶电薄膜制备技术辐射;制备技采1引言薄膜科学与技术是新材料发展前景最活跃的领域之一.在衬底材料上镀膜可起到三方面作用:a)优化表面性能;b)进行微细加工;c)产生新的功能特性.相对于体材料,薄膜更具有灵敏度高,稳定性好的优点.薄膜材料包括无机膜(金属膜,无机陶瓷膜)和有机高分子膜.以及复合膜(金属与陶瓷,陶瓷与高聚物,陶瓷与陶瓷等).并且,随着薄膜基础理论研究的深人,薄膜制备技术的进步和新薄膜器件的开发.新型的高性能的或者多功能的薄膜材料将得到长足的发展.例如多层膜材料,c薄膜材料,金刚石和氮化碳超硬薄膜材料,包括铁.薄膜在内的各种功能薄膜材料,LB膜材料等等,是近几年来国内外迅速发展的薄膜材料铁电薄膜包括铁电陶瓷(多晶),铁电晶体(单晶)和铁电非晶态薄膜,是一类重要的多功能的薄膜豺料.它们具有铁电,压电,热电,介电,电光,光折变和非线性光学等一系列优£性能,综合利用这些特性可以制成各种功能器件,诸如集成铁电存储器,压电传感器超声传感器,红外撩测器,激光检潮器,电光凋制开关,光波导器件,光存贮与显示,图像存贮与显光变频器,声表面渡器件,微驱动器,微马达等.可广泛应用于微电子学,光电子学,声电子学,集成光学,微机械学等诸多领域因此,铁电薄膜已成为科技发展的一个热点.近年来,许多大型国际会议都设有专题交流美于这方面的研究成果,如每年召开二次的MRS会议.本文主要根据近五年来”MRS会议”论文集所提供的资料,并参考其他文献资料.扼要地阐述铁电薄膜材料的特性,应用,制备技术及其发展前景.2铁电薄膜材料主要性能及其应用铁电材料属于无中心对称的低对称性材料,具有铁电性铁电性可以有许多应用,以计算机的存储器为例,早期计算机的存浩器是利用铁磁性材料所具有的磁滞回线来存贮信息.同样道理这样的存储器也可以利用铁电性材料所具有的电滞回线来存贮信息收稿日期:I996—03—29.盘葆卉:女一1943年生?阱师?武汉:武汉工业大学材料科学与工程学院(430070)国外建材科技1996年6月对于同时具有多种特性的铁电材料,其重要意义不仅仅限于铁电性,介电性,而是与其他物理现象的相互作用.例如,由铁电体贮存的电能:a)通过压电效应,电致伸缩效应,压电一导电性等,可以和机械能相关联;b)通过热电效应可以和热能相关联;c)通过光致电导性,光学的介电常数等可以和光相关联.又如由铁电体贮存的机械能通过光弹性效应可以和光相关联等等.由此,可以开发出各种各样的功能材料若是把铁电材料制成薄膜,有可能得到更好的特性,包括具有很高的介电常数和耐压强度;具有很高的自发极化强度;具有可随外加电场反转的铁电畴;具有较低的矫顽电场;具有很高的抗辐射能力;以及铁电薄膜制备技术可以和大规模半导体集成技术相兼容等等,从而有利于制备出性能优异的各种器件.下面就几种典型的铁电薄膜材料及其应用作简单介绍;2.1锆钛酸铅铁电薄膜.Pb(ZrTi一x)Os(简称PZT)是PbTiO3铁电体和PbZrO3反铁电体的固溶体.PZT铁电薄膜是具有高介电常数的铁电材料,它的组成可在很宽的范围内变动,最佳的组成可以得到最好的介电和铁电性.这种薄膜材料集铁电,压电,热电和电光等性能于一体,可广泛应用于具有高存储密度的抗辐射损伤的非挥发性随机存储器,铁电场效应管,图像存储器,红外传感器,压电传感器,微执行器,集成电光器,铁电电容器等器件中.2.2镧掺杂锆钛酸铅铁电薄膜Pb.oLⅢ(Zr/0.Ti彻)Oa(简称PLZT)是在PZT基础上添加La改性的铁电薄膜材料.添加La主要是改善薄膜的电光特性,使之具有更高的电光系数,因而在执行某一功能动作时可以有较低的驱动电压.组成不同.PLZT铁电薄膜随外加电场的改变,将表现出不同的双折射行为”记忆”;”线性或一次电光效应”和”二次电光效应”,因而使薄膜具有不同的性能参数,如高低不同的矫顽场;不同形状的电滞回线,不同的压电系数和光电系数等.这种薄膜材料集铁电,压电,电光,介电,热电等性能于一体,广泛应用于高速随机存储的记忆器件,铁电动态存储器快速光电开关,张弛振荡器,非挥发性光学存储器,全内反光开关等器件中.2.3钛酸铅镧铁电薄膜(Pa,La)TiO~(称简PL T)铁电薄膜材料具有优异的铁电,热电,电光,介电和非线性光学等性质,可望在红外探测器,光波导,全内反光开关,电光调制开关,超声传感器等光电子学及其他高技术领域中获得广泛应用.2.4钛酸铅铁电薄膜PbTiOa是一种具有钙钛矿型结构的铁电材料,它有较小的介电常数,较大的白发极化,较小的矫顽场强和较高的居里温度,是一种较理想的制备微电子学,光电子学和声电子学器件的候选材料,其潜在的应用包括红外探测器,红外光场效应管,二维图象传感器,非挥发性铁电存储器,空阔光调制器,声表面波器件,大容量电容器等.2.5钛酸钡铁电薄膜B~TiO5具有钙钛矿型结构?是一种研究最早的铁电压电材料.BaTiO,铁电薄膜具有压电,铁电,介电,热电和正温度系数特性,利用上述特性,可应用于红外探测器,铁电存储器,二次谐波振荡,各种热敏元件,太容量电容器等.目前研究较多的是用脉冲激光淀积或有机化学气相沉积(MocVD)方法制备BaTiO外延膜和BaT[Oa异质外延膜,可望应用于高速随机存储记忆器件,快速光电开关等器件中.第17卷第2期金葆卉:铁电薄膜及其应用2.6铌酸锂铁电薄膜不具钙钛矿型结构的LiNbO作为非常重要的铁电材料具有优异的压电,铁电,电光和非线性光学性质,使其在电学,光学,声学上存在潜在的应用.例如,利用LiNbOa晶体的电气光学效应和光弹性效性,可望把这种材料用于光开关,光闸,光变频,光记忆,图像显示等器件中.着制成薄膜,就可以实现低电压操作,并用于光学集成电路元件等.又如在薄膜声表面波器件中,可用LiNbO晶体生产TV?VIF滤波器.值得指出的是:LiNbO;铁电薄膜材料最突出的特性是关于它的光波导性能.制备优质的LiNbOs非线性薄膜光波导,能与si半导体电路相兼容,可望开发出一系列新型集成光学器件.更何况这类材料一般具有介电常数小,相变温度高,机电耦台系数高,电光效应显着等特点,大部分光调制,光开关等光功能元件都可用LiNbO晶体制作.这些光功能元件谓之波导性元件,如波导型光调制器,波导型光开关等等.2,7其他铁电薄膜材料在1991~1995年间.MRS国际会议论文集上报导的其他铁电薄膜材料有:srTiO(Ba.Sr)TiO,BiTOlz,(Sr,Bi)TiOs,非晶铁电氧化物薄膜,(Pb,Ba)(Zr,Ti,Nb)O,PNZT,(BaNa)NbO3,BiSrTazOg,LaSrn5CoO3以及(Pb,Sc)TiO3等等;这些铁电薄膜材料各自分别在微电子学,光电子学,声电子学,铁电集成学,传感器,微机槭学等诸多领域存在潜在的应用.3铁电薄膜的制备技术Et前,已经发展了多种铁电薄膜的制备技术.可以说,几乎所有的薄膜生长方法都在实验室里被用来生长铁电薄膜.据1991~1995年间MRS国际会议”论文集上的报导,这些薄膜生长方法如下:3,1物理气相沉积(PVD)a)溅射(射频溅射,直流溅射,磁控溅射,反应溅射,多靶溅射).b)蒸发(电子束,电阻,高频,闪蒸,分子束外延).c)离子束技术(离子束溅射沉积,离子束辅助沉积等).d)脉冲激光淀积,激光闪蒸.3.2化学气相沉积(CVD)a)金属有机化学气相沉积(MOCVD)b)等离子增强化学气相沉积(PECVD)c)低压化学气相沉积(LPCVD)d)化学束沉积e)微波电子回旋等离子体化学气相沉积(ECR--PECVD)3.3化学溶剂法a)溶胶一凝胶(SolGe1)b)金属有机溶解(MOD)3.4溶料溶解法液相外延(LEP)国外建材科技1996年6月3.5其它方法激光分子束外延(LaserMBE);I,PMOCVD;Flash—MOCVD)PE—MOCVD等方法.在上述诸方法中,目前采用最多的铁电薄膜制备技术是激光淀积法,MOCVD法,s.Gel法和离子束辅助沉积4铁电薄膜的发展前景首先,从薄膜科学与技术考虑,作为特殊形态材料的薄膜,具有许多奇特的特性,已成为微电子,光电子,声电子,大规模集成电路,传感器,光学(特别是非线性光学)微机械等技术乩基础.并广泛渗透到当代科研的各个领域.其次,从材料方面考虑,铁电材料是一类重要的介电材料.一般说来,除具有铁电性外,还可能同时具有压电,介电,热电,非线性光学等特性.因此,两者相结合,即铁电材料薄膜化,由薄膜的结构因素和尺寸效应,会产生许多大块材料所不具备的新特性,新功能,或者材料的性质得到改善.例如,用蒸镀法制备BaTiOa薄膜,膜厚大于0.1m时,保持块状材料的性能}膜厚约为0.04pm时,显示出铁电开关特性;在0.023~m时,显示出介电异常;膜厚为0.o1m时,介电异常消失.又如,制备优质的I,iN—bO;光波导薄膜,其传输损耗系数可降低到0.5dB/cm以下,等等.材料性能的改善,或产生新特性,新功能,这些都为铁电材料的开发应用蕴藏着极大的潜力.今天的铁电薄膜就薄膜制备技术,薄膜材料.和所涉及的铁电薄膜理论基础三个方面,无论从广度和深度上都远非十年前所比.关于铁电薄膜的发展前景,概述近五年来”MRS国际会议论文上所报导的资料.其特点是:(1)成膜技术制备铁电薄膜,从工艺上讲,各种成膜方法都在探讨,并随着薄膜科学与技术的发展而不断改进.a)采用新的成膜方法居多.例如,较多用脉冲激光沉积,金属有机化学气相沉积等新技术制备PZT,PLZT,PL T,BaTiOs,PbTiOa,(Ba,Sr)平衡状态下不存在的物质,并可以在较低的温度下进行物质的台成.b)随着科学技术的发展,各种特殊用途的器件对铁电薄膜材料提出了各种各样的要求.薄膜厚度可从几十埃到几十微米;从膜的结构上讲,有多晶的,单晶的,非晶态的,超晶格的,按特定方向取向的,外延生长的等.上述两点表明+实际应用要求铁电薄膜材料多样化,且性能技术参数高.薄膜科学与技术的迅速发展为满足这些要求提供了保证.c)多种多样的铁电薄膜材料可在铁电存储器,红外探测器,传感器,光调制器,光开关,第17卷第2期盒穰卉:铁电薄膜及其应用声表面波器件非线性光波导器等诸多器件得到应用目前,在诸多应用中,发展最快,应用落实,指标明确的是铁电存储器.(3)薄膜科学目前,铁电薄膜技术和薄膜材料所涉及的基础理论也正在迅速发展中.铁电薄膜理论除涉及真空技术和材料科学之外,还涉及等离子体物理,离子溅射,表面科学,薄膜生长理论,半导体物理,电磁理论,电子光学,激光技术,离子束技术,大规模集成电路技术等十分广泛的学科领域.这里,值得注意的是巳形成了”集成铁电学”这一新兴的重要学科,显示出当前铁电薄膜理论水平和研究进展.总而言之,薄膜技术,薄膜材料,薄膜理论相结合推动了铁电薄膜产品的全方位开发和应用,铁电薄膜在微电子学,光电子学,声电子学,非线性光学领域内所起的作用也越来越大.并逐步向集成光学,微机械学等技术领域扩展,展示出良好的发展前景.参考文献1A.I.Kingon.E.R.Myers.B.Tuttle.FerroelectrieThinFilms.In:MRS1991F allMeetingSymposiumProceedings.1992,(1)i2432J.Kanicki,R.B.Devine.AmorphousInsulatingThinFilms,In:MRS1992F allMeetingSymposiumProceedings.1993.(1):2843S.B.Desu.D.B.BeachW.Wesse]s.Metal—OrganicChemicalV aporDepos itionofElec—tronieCeramics.In:MRS1993FailMeetingSymposiumProceedings.1994, 1:3354R.Ramesh,D,K.Fork,J.M.Phillpsets1.Epitaxia10xideThinFilmsandHet erostruc—lures?In:MRS1994SpringMeetingSymposiumProceedings,1994,1:341 5H.J.FrostP.A.Ross,M.A.Porkereta1.P0IycrystaIIineThinFilms:Structur e.Texture,propertiseandApplications.InMRS1995SpringMeetingSymposium Proceed—ings.1995,1:4036三井利夫等着.倪冠军等译.铁电物理学导论.北京:科学出版社,19837田民波等编译.薄膜科学与技术手册(上,下册).北京:机械工业出版社,19918闻立时.薄膜材料与薄膜技术.1994秋季中国材料研究套会议论文集(V o1.2,第一分册)北京化学工业出版社,1995。
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论文摘要Taran V. Harman的理学硕士论文,专业电气与计算机工程,发表于2003年10月10日。
题目:铁电薄膜的进展摘要批准人:John F. Wager开始于这篇论文的研究项目的长期目标是研究无铅全透明铁电设备,比如铁电电容或铁电栅场效应晶体管。
铁电材料在施加外电场时表现出自发极化,且随电场连续变化,并能被其反转。
铁电薄膜可用在非易失性存储设备,比如电容,栅介质或场效应晶体管中。
铁电设备通过铁电锆钛酸铅(PZT)的沉积来制造,主要方法有射频溅射,旋涂式的化学溶液沉积(CSD)。
铁电PZT电容铁电电容的特点是:测电容和电导时为频率的函数,测极化强度时是外加电场的函数。
带Au或Ni不透明顶部电极的铁电PZT电容的介电常数在300到600范围内,与典型的铁电薄膜类似。
然而,制造透明顶部接触的电容的所有尝试,包括采用各种类型的透明导体和绝缘缓冲层,最终都在铁电层未完全极化前引发了电注入和电击穿。
版权归Taran V. Harman2003年10月10日首先我要谢谢我的丈夫Doug在整个文章撰写过程中的耐心,还有整个家庭:Iris, Toy, and Andre Villoch, and John and Linda Harman,他们一直支持我。
我要感谢我的导师John F. Wager教授,他为研究提供经费支持,并建议将铁电体作为论文项目。
我在文章撰写过程中与他进行过多次很有益的讨论。
我要感谢Luke Norris为项目作出的贡献,他是自旋解决方案中的助手兼教育家,并且如朋友般伴随每个项目。
我要感谢David Hong,他为项目制备了铪HfO2,并在计算机相关问题上帮助很多。
我要感谢Wager博士研究组的所有成员,他们都与我积极讨论。
尤其要感谢Rick Presley 协助生产,感谢Melinda Valencia推荐了个好兽医,感谢Nicci Dehuff让我睡在她的沙发上,感谢Mandy Fluaitt,Kathryn Gardiner, and Jana Stockum的友情。
我还要谢谢Chris Tasker,他维持实验室运转。
还有Manfred Dittrich为实验设备制造专门的机械部件。
此项工作受美国国家科学基金No: DMR-0071727和美国陆军研究室合约No: MURI E-18-667-G3资助。
页码1.简介2. 文献综述2.1 铁电现象2.1.1 铁电相变2.1.2 电畴和铁电体极化2.1.3 钙钛矿晶体2.2 锆钛酸铅2.2.1 锆酸铅和钛酸铅2.2.2 锆钛酸铅的材料处理问题2.2.3 其他钙钛矿铁电体2.3 铁电电容型存储设备2.3.1 铁电电容器2.3.2 随机存取型铁电存储器2.4 铁电晶体管型存储设备2.5 结论3. 实验方法3.1 材料沉积3.1.1 射频溅射3.1.2 化学溶液沉积3.1.3 煅烧3.1.4 脱水3.2 器件特性3.2.1 界电性质测试3.2.2 极化性质测试3.3 结论4. 铁电电容器4.1 射频溅射法制铁电电容器4.1.1 电容制造4.1.2 介电性质4.1.3 极化性质4.1.4 结论4.2 化学溶液沉积法制铁电电容器4.2.1 溶液制备4.2.2 电容制造4.2.3 介电性质4.2.4 极化性质4.2.5结论4.3 镍和氧化镍电容器4.3.1 电容制造4.3.2 介电性质4.3.3 极化性质4.3.4 结论4.4 透明铁电电容器4.4.1 薄膜制造4.4.2 氧化铟锡顶接触4.4.3 氧化铟镓顶接触4.4.4 氟化钙绝缘缓冲层4.4.5 铪绝缘缓冲层4.5 结论5.结论和对今后工作的建议5.1 结论5.2 对未来工作的建议5.2.1 锆钛酸铅薄膜质量的提高5.2.2 透明铁电电容器5.2.3 透明铁电存储器5.2.4 其他铁电材料5.2.5 结论参考书目1 简介铁电现象第一次被发现是在1920年,当时瓦拉赛尔发现外场可以使罗息盐的极化方向反转。
这个现象被称为赛格尼特电效应,为纪念第一个发现罗息盐的人。
然而这一现象并未被广泛的研究,直到表现出同一行为的更简单的磷酸盐和砷酸盐理论在1935年到1938年被发展。
铁电现象被广泛认识是在40年代初,那时人们将铁磁性与铁电性进行了简单对比。
铁磁体中的原子有固定的磁偶极矩,不像顺磁材料,这些磁矩自发排列起来。
自发排列的原因是固体中电子的量子力学效应。
铁磁体的居里温度指向顺磁体转变(不再是铁磁体)的温度,同理对铁电体,指材料不再是铁电体的温度。
磁滞回线的产生与磁畴有关。
磁畴中所有的偶极矩统一排列,相邻磁畴中极矩方向不同。
若材料未被磁化,磁畴产生的总磁场为零,当添加磁场时,磁畴都朝这一方向平行排列,当全部样品成为一个大磁畴时,磁化饱和。
当磁场撤离时,磁畴不会回到初始排列,故留下一个剩余极化强度。
在相反反向添加一个磁场可以使磁化反转。
对于一块未极化铁电晶体,电畴随机排列,净极化强度为零。
当外加一个电场时,电畴同时向电场方向转动,当电场足够强时,全部电畴沿电场方向排列一致,这时晶体变成一个大电畴,处于极化饱和状态。
当扭转电场时,极化反转但不回零,晶体获得一个剩余极化强度P R,当电场被扭转到矫顽场Ec时,剩余极化强度被去除。
铁电相是一个相当严格的状态,大多数材料都是顺电状态,顺电相指即使没有固有电偶极子,电场也可诱发极化。
而铁电体是有极性的,他们因为晶胞的原子排列而拥有一个固有电偶极矩。
晶体有32个群,其中,21种是非中心对称的。
在他们之中,20中是压电体,即压力诱发极化。
而在这20种之中只有10种在无压力下是有极性的,即热释电体,温度变化导致热膨胀,热膨胀导致极化强度变化。
最后,在这当中,当极化强度还可以被电场重新定向时,晶体才是铁电体。
铁电体曾统治声纳探测器,留声机皮卡和其他压电应用很多年,直到被石英代替。
因为它的热释电效应,它可被用在红外探测和成像中。
铁电体的非线性光电特性使它能被用在激光器中。
这些应用都没用到材料的铁电性质,即自发极化可被反转以使材料被应用于存储设备。
这篇论文的核心是讨论铁电薄膜器件的发展,特别是射频溅射法和旋涂化学溶液法沉积PZT,还有将薄膜集成到铁电设备使其被用在存储设备中。
另外探索了透明的铁电薄膜和透明的铁电晶体管。
论文的剩余部分组织如下:第二章描述了铁电材料和设备,包括铁电行为在纯材料中的表现和在铁电电容和晶体管中的表现。
不同铁电材料的性质和处理问题被论及,尤其讨论了PZT,在本文中被当做研究范例。
第三章解释了研究中的实验技术和薄膜加工工艺。
第四章展示了射频溅射法和旋涂法制造PZT电容的过程以及随后的电气检测结果。
第五章是一个由本文实验得出的简要结论和对未来铁电材料及器件的工作建议。
本章的目的是提供一个铁电材料和器件及它们应用应用现状的概述。
这一章包含了铁电现象的解释。
讨论了铁电材料物理和钙钛矿晶体这样的特例。
给出了铁电锆钛酸铅的一般性质。
讨论了材料和器件的处理问题,特别是铁电电容和铁电储存设备。
2.1 铁电现象这一节的目的是讨论铁电现象。
包括晶体向铁电相的转变,磁畴的结构和它们在铁电体极化时的角色,最后,讨论了特殊的铁电体钙钛矿。
2.1.1铁电相转变铁电相变是一种结构变化,它反映出晶体保持自发极化的能力,并由晶体惯用元胞中的离子相对位移引起。
铁电相变发生在温度TC,这与铁磁体的居里温度相似。
在具体点以上,晶体通常是中心对称的顺电相,居里点以下就不是顺电系相了,而表现出铁电行为。
在铁电相,晶体中至少有一组离子处在双势阱中,两个位置能量相等。
在TC以上,粒子在双势阱中有足够的动能前后振动并越过分隔势阱的势垒,所以原子时间上的平均位置在势阱的中间。
图2.1的原子位置函数表示出了系统内能。
如果势阱形状在居里点以上不变,但粒子动能变大,那相变就是有序-无序相变。
如果如果两个势阱的最小值移动到一起使变成一个势阱,那么相变就是位移型的。
这些都是相变现象的极端情形,大多数铁电相变是有序-无序型和位移型的结合。
铁电相变可用朗道理论在数学上给出一些成功解释,这被叫做德文希尔理论,这么称呼是为纪念德文希尔,他为铁电现象专门发展了这一理论。
铁电体相变通常是二级相变,即晶格变形随温度变化连续发生。
当转变不是连续的(一级),情况通常接近于二级相变,于是仍可用朗道-德文希尔理论描述。
铁电相变的详尽描述在文献4中可以找到。
在朗道-德文希尔理论中,亥姆霍兹自由能用参数ŋ的幂级数表示,对于一个铁电晶体,参数ŋ代表极化率,且0≦ŋ≦1,这里D是一个极小常量,A的形式为A0(T—T c),T C是居里点,且不一定与转变温度相等。
如果转变是一级的,就有相对于温度的滞后。
这种情形下A是平均电场理论的结果,通常是用来描述铁磁性的,但对铁电性也适用。
B和C是温度的弱变函数,在简化讨论中被认为与温度无关。
所以相变是一级还是二级取决于B的符号,C被认为总为负。
在热平衡状态,任何系统的自由能都是最小的,如果B是正的,最后一项就可以忽略不计,则这个表示了在二级相变即连续相变中,参数变化对温度函数的影响。
如果B为负,这个转变就是一级不连续的。
2.1.2 电畴和铁电极化铁电行为是由在铁电相时至少有一组离子拥有双势阱引起的,如图2.1所示。
在一个局部区域内,所有离子均位于势阱的同一侧,这个局部区域叫作电畴,与铁磁体中的磁畴类似。
如果铁电相变在一个理想晶体中随着温度的一个极小下降而发生(保证整个晶体的热力学平衡)晶体被单畴化。
晶体中所有离子热力学耦合并处于双势阱的同一侧,位于任一侧的几率相等。
在真实的情况中,晶体中足够远的不同区域独立地形成电畴,而且反向不同。
在公式公式涉及电位移矢量,电场强度和极化强度,其中既包括外场引起极化,还包括固有极化。
自由电荷满足泊松方程,,所以在一个理想的铁电晶体中,,这和普通电介质一样。
对于一个真实的晶体,在晶体表面为0,和大块晶体在缺陷处测得的值不同。
因为这些原因,成为阻止电介质极化的电场,这个退极化电场可以被自由电荷的移动而抵消。
处于平衡态的完全补偿的晶体去极化的能量为0。
新鲜晶体中,在自由电荷抵消发生前,产生的电畴抵消了去极化能量。
先一块新鲜晶体中,净极化强度为0,这是因为诸多电畴的随机极化。
在一个不导电的有限晶体中,由于表面效应,一个复杂的分支的电畴系统预计将消除电场。
在真实的晶体中,即使一个弱导电体都可以抵消表面场并允许形成一个简单的柱状的电畴结构。
表4描绘了一维下任意排列的柱状电畴,它将导致晶体的净极化强度为0。
和铁磁体中一样,铁电体的极化意味着在外加电场作用下,材料中的所有晶胞沿同一方向排列,这个过程中,与要求方向相同的电畴变大,其他方向电畴变小,直到整个晶体变为一个电畴且指向外场方向。
铁电体中的畴壁只有几个晶胞厚度,畴壁中间极化强度为0.电畴宽度依赖于晶体厚度。