2019年电子科技大学物理专业考研真题历年招生人数录取分参考书复习经验总结.docx
西安电子科技大学801半导体物理与器件物理基础考研真题两份(优质最新2020年和2019年
西安电子科技大学2020年硕士研究生招生考试初试试题考试科目代码及名称801半导体物理考试时间2019年12月22日下午(3小时)答题要求：所有答案(填空题按照标号写)必须写在答题纸上，写在试题上一律作废，准考证号写在指定位置!一、填空题(30分，每空1分)1、根据晶体对称性， Si的导带底在(1) 晶向上共有(2)个等价的能谷， Si的导带极小值位于(3) , Si 的导带电子有效质量是(4) 的。
2、有效质量各向异性时电导有效质量(me)l=(5) ,半导体Si的mi=0.98ma,m,=0.19ma 它的电导有效质量是(6) 。
3、半导体的导电能力会受到外界的(7) 、(8) 、(9) 和电场强度、磁场强度的影响而发生显著变化，半导体的电阻率通常在(10) 2 cm 范围内，4、室温下Si 的Nc=2.8×10/⁹cm³,如果Ep=Ec 为简并化条件，则发生简并时Si的导带电子浓度为. (11)c m³ (费米积分Fiz(O)=0.6); 室温下Ge 中掺P(4Ep=0.012eV), 若选取Ep=EckoT 为简并化条件，发生简并时电离杂质浓度占总杂质浓度的比例为(12) %。
5、根据杂质在半导体中所处位置，可将杂质分为. (13) 式杂质和(14) 式杂质；根据杂质在半导体中得失电子或空穴情况，可将杂质分为. (15) 和(16) 杂质；若将Au 掺入Ge 中可以引入(17) 个杂质能级，存在着(18) 种荷电状态；若将Au掺入Si中可以引入(19) 个杂质能级，这些能级都是有效的(20)6、一维情况下的空穴连续性方程是(21) ,其中方程等号左边项表示(22) ,方程等号右边第一项表示(23) ,等号右边第二和第三项表示(24), 等号右边第四项表示 (25) ,等号右边第五项表示(26) 。
稳态扩散方程只是连续性方程的一个特例，当连续性方程中的(27)= 0、(28)= 0、(29)= 0、(30)= 0时，就由连续性方程得到了稳态扩散方程。
西安电子科技大学《872普通物理（不含力学）》历年考研真题汇编
目 录第1部分 西安电子科技大学普通物理考研真题2006年西安电子科技大学402普通物理考研真题2005年西安电子科技大学402普通物理考研真题2004年西安电子科技大学402普通物理考研真题第2部分 西安电子科技大学大学物理考研真题2008年西安电子科技大学851大学物理考研真题2007年西安电子科技大学451大学物理考研真题第3部分 其他院校普通物理最新真题2016年山东大学834普通物理考研真题2016年中山大学851普通物理考研真题2016年华南理工大学860普通物理（含力、热、电、光学）考研真题第1部分 西安电子科技大学普通物理考研真题2006年西安电子科技大学402普通物理考研真题西安电子科技大学2006年攻读硕士学位研究生入学考试试题t,考试科目代码及名称402普通物理(5系)［独就^.加食考试时间2006年｝月15日下午(3小时)答题要求：所有答案(填空题、选择题按照标号写)必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置！！一、选择题(每题3分，共45分)I.传播速度为1。
而炽频率为50H&的平面简谐波，在波线上相距为O.Sm的两点之间的振动相位差是(⑴)(A)U/2(B)n/3(C)k/4(D)k/62.在杨氏双建亍涉实验中，使屏幕上干涉屏条纹变宽的是(⑵)(凫)增加玦之间的距离。
Si(B)增加双缝和屏幕之间的距离・$尽敏0^5^(c＞如图，在缝的.垂直平分城上放置平面反射镜.2(D)减小入射光波长’3.用波长为2的单色光垂直入射，观察圆孔的夫琅和费衍射，当衍射孔的半径增加为原来的10倍时，爱里斑的半径和光强分别变为原来的(⑶)(A)10倍和1如倍"(B)10倍和1000睥©0.1倍和IQ000倍.(D)(M倍和100倍。
4.用金属维绕制成的标准电要求是无自感的，统制方法正曲的是(⑷)(A)单线绕制成两个相同的线圈，然后正接在一起，使两线圈中电流同向。
新版杭州电子科技大学物理学考研经验考研参考书考研真题
在我决定考研的那一刻正面临着我人生中的灰暗时期，那时发生的事对当时的我来讲是一个重大的打击，我甚至一再怀疑自己可不可以继续走下去，而就是那个时候我决定考研，让自己进入一个新的阶段，新的人生方向。
那个时刻，很大意义上是想要转移自己的注意力，不再让自己纠结于一件耗费心力和情绪的事情。
而如今，已相隔一年的时间，虽然这一年相当漫长，但在整个人生道路上不过是短短的一个线段。
就在短短的一年中我发现一切都在不知不觉中发生了变化。
曾经让自己大为恼火，让自己费尽心力和心绪的事情现如今不过是弹指的一抹灰尘。
而之所以会有这样的心境变化，我认为，是因为，在备考的这段时间内，我的全身心进入了一个全然自我，不被外界所干扰的心境，日复一日年复一年的做着同样枯燥、琐碎、乏味的事情。
这不正是一种修行吗，若说在初期，只是把自己当作机器一样用以逃避现实生活的灾难的话，但在后期就是真的在这过程中慢慢发生了变化，不知不觉中进入到了忘记自身的状态里。
所以我就终于明白，佛家坐定，参禅为什么会叫作修行了。
本来无一物，何处惹尘埃。
所以经过这一年我不仅在心智上更加成熟，而且也成功上岸。
正如我预期的那样，我开始进入一个新的阶段，有了新的人生方向。
在此，只是想要把我这一年备考过程中的积累的种种干货和经验记录下来，也希望各位看到后能够有所帮助，只不过考研毕竟是大工程，所以本篇内容会比较长，希望大家可以耐心看完，文章结尾会附上我的学习资料供大家下载。
杭州电子科技大学物理学的初试科目为：(101)思想政治理论和(201)英语一(301)数学一或(603)量子力学和(883)普通物理参考书目为：1.《量子力学导论》（第二版），编者：曾谨言，北京大学出版社2.《普通物理学》（第四版）程守洙等著，高等教育出版社先谈谈英语吧其实英语每什么诀窍，就是把真题读透彻，具体方法我总结如下：第一，扫描提干，划关键项。
第二，通读全文，抓住中心。
1. 通读全文，抓两个重点：①首段（中心句、核心概念常在第一段，常在首段出题）；②其他各段的段首和段尾句。
电子科技大学物理光学考研选择
考试大纲1光的电磁理论（各向同性介质）知识要点：1）光波的电磁特性（波长或频率范围，光波区别于其它电磁波的产生、传播、探测方式，光波能量密度、能流密度矢量、光强）2）光学介质的电磁特性（折射率，透明、线性、非色散）、3）光在各向同性介质中和各向同性介质界面上的传播特性波动方程与时谐均匀平面波函数（实数，复数）及其特征量（波矢、振动矢量、复振幅、时空周期、波速、矢量性、偏振态）反射定律和折射定律、菲涅耳公式（正入射）、反射率与透射率、半波损失、附加光程差、全反射、布儒特性定律、4）光波场的频率谱（时间频谱与空间频谱、实际光波与时谐均匀平面波的关联）5）时谐均匀球面波（波函数，球面波简化为平面波的条件）选择题：1. 自然光正入射，其反射光为 D 。
A ．椭圆偏振光B ．线偏振光C ．部分偏振光D ．自然光2. 自然光在界面发生反射和折射，当反射光为线偏振光时，折射光与反射光的夹角必为 D 。
A ．B θ B ．C θC ．3πD ．2π3．全反射时，在折射率小的介质中的电场 B 。
A ．等于零B ．随离界面距离的增加按指数规律衰减C ．等于常数D ．随离界面距离的增加按指数规律增加4.当光波在两种不同介质中的振幅相等时， D 。
A. 其强度相等B. 其强度不相等C. 不确定D. 其强度比等于两种介质的折射率之比5. 光从折射率小介质中正入射到折射率大的介质表面时，相对于入射光的电场和磁场，反射光的C 。
A ．电场和磁场都无相位变化B. 电场和磁场都有π相位突变C. 电场有π相位突变，磁场无相位变化D. 电场无相位变化，磁场有π相位突变6．在相同时间内，同一单色光在空气和在玻璃中 C 。
A. 传播的路程相等，走过的光程相等。
B. 传播的路程相等，走过的光程不相等。
C. 传播的路程不相等，走过的光程相等。
D. 传播的路程不相等，走过的光程不相等。
7．光在界面发生反射和透射，对于入射光、反射光和透射光，不变的量是 D 。
电子科技大学强军计划专业课考研真题、笔记、参考书、大纲、录取分数线、报录比
电子科技大学强军计划专业课考研真题、笔记、参考书、大纲、录取分数线、报录比电子科技大学强军计划专业课考研大纲电子科技大学2013强军计划考生考研自主命题考试科目表已出，具体如下，请考生提前了解：电子科技大学强军计划考生，全国统一命题考试科目改考对应的自主命题考试科目，具体为：101思想政治理论改考111单独考试政治理论201英语一、204英语二改考288单独考试英语301数学一、302数学二、303数学三改考688单独考试高等数学312心理学专业基础综合改考614单独考试心理学综合408计算机学科专业基础综合改考820计算机专业基础以上便是电子科技大学2013强军计划考生考研自主命题考试科目表的全部内容，希望对考生有所帮助。
一、总体要求专主要考察学生掌握“微电子器件”的基本知识、基本理论的情况，以及用这些基本知识和基本理论分析问题和解决问题的能力。
33623039二、内容共1．半导体器件基本方程kaoyantj1）半导体器件基本方程的物理意义同济大学四平路2）一维形式的半导体器件基本方程研3）基本方程的主要简化形式共济网2．PN结共济1）突变结与线性缓变结的定义336260382）PN结空间电荷区的形成336260383）耗尽近似与中性近似课4）耗尽区宽度、内建电场与内建电势的计算336230395）正向及反向电压下PN结中的载流子运动情况kaoyantj6）PN结的能带图7）PN结的少子分布图8)PN结的直流伏安特性9）PN结反向饱和电流的计算及影响因素10）薄基区二极管的特点11）大注入效应12）PN结雪崩击穿的机理、雪崩击穿电压的计算及影响因素、齐纳击穿的机理及特点、热击穿的机理13）PN结势垒电容与扩散电容的定义、计算与特点14）PN结的交流小信号参数与等效电路15）PN结的开关特性与少子存储效应3．双极型晶体管1）双极型晶体管在四种工作状态下的少子分布图与能带图2）基区输运系数与发射结注入效率的定义及计算3）共基极与共发射极直流电流放大系数的定义及计算4）基区渡越时间的概念及计算5）缓变基区晶体管的特点6）小电流时电流放大系数的下降7）发射区重掺杂效应8）晶体管的直流电流电压方程、晶体管的直流输出特性曲线图9）基区宽度调变效应10）晶体管各种反向电流的定义与测量11）晶体管各种击穿电压的定义与测量、基区穿通效应12）方块电阻的概念及计算13）晶体管的小信号参数14）晶体管的电流放大系数与频率的关系、组成晶体管信号延迟时间的四个主要时间常数、高频晶体管特征频率的定义、计算与测量、影响特征频率的主要因素15）高频晶体管最大功率增益与最高振荡频率的定义与计算，影响功率增益的主要因素4．绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）1）MOSFET的类型与基本结构2）MOSFET的工作原理3）MOSFET阈电压的定义、计算与测量、影响阈电压的各种因素、阈电压的衬底偏置效应4）MOSFET在非饱和区的简化的直流电流电压方程5）MOSFET的饱和漏源电压与饱和漏极电流的定义与计算6）MOSFET的直流输出特性曲线图7）MOSFET的有效沟道长度调制效应8）MOSFET的直流参数及其温度特性9）MOSFET的各种击穿电压10）MOSFET的小信号参数11）MOSFET跨导的定义与计算、影响跨导的各种因素12）MOSFET的高频等效电路及其频率特性13）MOSFET的主要寄生参数14）MOSFET的最高工作频率的定义与计算、影响最高工作频率的主要因素15）MOSFET的短沟道效应以及克服短沟道效应的措施三、题型及分值填空题（45分）简述题（60分）计算题（45分）。
成都电子科技大学大学物理2003-2016年考研初试真题+答案
共6页第1页 电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：811 大学物理注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、选择题(本题共计42分,每题3分)1两个物体A 和B 的质量以及它们的速率都不相同，若物体A 的动量在数值上比物体B 的大，则A 的动能E KA 与B 的动能E KB 之间(A) E KB 一定大于E KA ． (B) E KB 一定小于E KA ．(C) E KB ＝E KA ． (D) 不能判定谁大谁小． ［ ］ 2 如图所示，两个同心均匀带电球面，内球面半径为R 1、带有电荷Q 1，外球面半径为R 2、带有电荷Q 2，则在外球面外面、距离球心为r 处的P 点的场强大小E 为： (A) 20214rQ Q επ+． (B)()()2202210144R r Q R r Q -π+-πεε． (C) ()2120214R R Q Q -π+ε． (D) 2024r Q επ． ［ ］3设某种气体的分子速率分布函数为f (v )，则速率在v 1─v 2区间内的分子的平均速率为(A) ()⎰21d v v v v v f ． (B) ()⎰21d v v v v v v f ． (C)()⎰21d v v v v v f /()⎰21d v v v v f ． (D) ()⎰21d v v v v f /()⎰∞0d v v f ． ［ ］4电流I 由长直导线1沿平行bc 边方向经a 点流入由电阻均匀的导线构成的正三角形线框，再由b 点沿垂直ac 边方向流出，经长直导线2返回电源(如图)．若载流直导线1、2和三角形框中的电流在框中心O 点产生的磁感强度分别用1B 、2B 和3B 表示，则O 点的磁感强度大小 (A) B = 0，因为B 1 = B 2 = B 3 = 0． (B) B = 0，因为虽然B 1≠ 0、B 2≠ 0，但021=+B B ，。
电子科技大学统计物理 复习提纲 考试必过
S F T
U F T F T
S k[ln U N ]
N ln kT ln
恽P177 顺磁固体 [8-10，11，13，14]
四、理想气体分布
量子统计与经典统计的研究对象和研究方法是相同 的，即都是根据对物质微观结构和相互作用的认识， 用概率统计的方法，为由大量粒子组成的系统的宏 观物理性质及其所遵循的宏观规律提供微观解释， 并揭示由大量微观粒子组成的系统所固有的统计规 律性。 量子统计与经典统计的区别在于对微观运动状态的 描述，而不在于统计方法。
在任意过程中系统熵的增量大于或等于该过程的热温比积 分，仅在可逆过程中两者才相等。 dS dQ
T
热力学第三定律
当温度近于绝对零度时，一个化学均匀的系统的熵趋于 一个极限值，这个极限值可以取作零，而与系统的其他状态
参量无关。 lim S S0 0 T 0
热力学基本方程
T dS dU dW dU Yidxi i
热力学第一定律 ——能量守恒
系统内能的变化等于外界对系统所做的功和系统从外界 所吸收的热量。
A状态 → B 状态， 系统内能的变化为：
UB UA W Q
dU dW dQ
热力学第二定律
1. 熵(entropy)
B dQ
SB SA
A
T
（可逆）
或
dS
(
dQ T
)可逆
熵是一个态函数，其单位是 J / K，它是广延量。
)
N1
,V1
,
E1
E1
ln
2 ( E2
E2
)
电子科技大学各专业历年录取信息
2010
计算机软件与理论200200计算机应用技术100100软件工程
150150地图制图学与地理信息工程7777应用化学7878生物医学工程7979机械工程170170密码学
8181管理科学与工程7070企业管理
3434技术经济及管理7777工商管理5959行政管理
40
40
总人数
4561
50100150200250
300
350400450500区域经济学
生物化学与分子生物学控制理论与控制工程
数值Z 轴分类X 轴
创建编辑图表
电子科技大
电子科技大电子科技大电子科技大电子科技大
电子科技大
科技大学各专业历年录取信息2009 人数科技大学各专业历年录取信息2009 分数线科技大学各专业历年录取信息2010 人数科技大学各专业历年录取信息2010 分数线科技大学各专业历年录取信息2011 人数科技大学各专业历年录取信息2011 分数线。
电子科技大学2019年硕士研究生招生考试初试科目考试大纲
大纲来源
教育部考试中心或有关专业学 位指导委员会等
招生单位编制大纲对应考试科目
考试科目 考试时间 111 单独考试政治理论 180 分钟 考试形式 考试总分 笔试（闭卷） 100 分
一、总体要求 掌握马克思主义中国化的历史进程和理论成果，掌握中国特色社会主义理论体系的形成、主要 内容和三大理论的关系，能运用马克思主义中国化的理论分析现实问题。 二、内容及比例 一、马克思主义中国化的历史进程和理论成果 1.马克思主义中国化的科学内涵及其历史进程 马克思主义中国化的提出。马克思主义中国化的科学内涵。马克思主义中国化的历史进程。马 克思主义中国化的重要意义。中国特色社会主义旗帜。中国特色社会主义道路。中国特色社会主义 理论体系。 2.毛泽东思想 毛泽东思想的形成和发展。毛泽东思想的科学体系和主要内容。毛泽东思想的历史地位和指导 意义。 3.邓小平理论 邓小平理论的形成和发展。邓小平理论的科学体系和主要内容。邓小平理论的历史地位和指导 意义。 4.“三个代表”重要思想 “三个代表”重要思想的形成和发展。“三个代表”重要思想的科学体系和主要内容。“三个 代表”重要思想的历史地位和指导意义。 5.科学发展观 科学发展观的形成和发展。科学发展观的科学体系和主要内容。科学发展观的指导意义。 二、马克思主义中国化理论 1.实事求是思想路线的形成和发展 实事求是思想路线的形成和确立。实事求是思想路线的重新确立和发展。 2. 实事求是思想路线的内容和意义 实事求是思想路线的基本内容。实事求是思想路线的重要意义。 3.解放思想，实事求是，与时俱进 实事求是是马克思主义中国化理论成果的精髓。解放思想是发展中国特色社会主义的一大法 宝。不断推进理论创新。 三、社会主义的本质和根本任务 1.中国特色社会主义建设道路的初步探索 中国特色社会主义建设道路的初步探索的理论成果。党对社会主义认识的曲折发展。 2.对社会主义本质的新认识 社会主义本质理论的提出、科学内涵和重要意义。 3．社会主义的根本任务 发展才是硬道理。发展是党执政兴国的第一要务。代表中国先进生产力的发展要求。科学技术 是第一生产力。 四、社会主义初级阶段理论
2019电子科技大学研究生试卷答案
电子科技大学研究生试卷 （考试时间： 至 ，共 2 小时）课程名称 图论及应用 教师 学时 60 学分 3 教学方式 堂上授课 考核日期 2019 年 5 月 日 成绩 考核方式： （学生填写）一．填空题(每空3分，共15分) 1. 图G 的邻接矩阵为0111101111001100⎛⎫ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪⎝⎭, 则G 的生成树的棵数为 8 . 2. 设1G 是11(,)n m 简单图,2G 是22(,)n m 简单图,则1G 和2G 的(Cartesian)积图12G G ⨯的边数()m G =1221n m n m +. 3. 图1中最小生成树T 的权值()W T = 23 .4. 图2中S 到T 的最短路的长度为 8 .5. 设G 是n 阶简单图,且不包含三角形,则其边数一定不超过24n ⎢⎥⎢⎥⎣⎦. 二．单项选择题(每题3分，共15分) 学号姓名学院……………………密……………封……………线……………以……………内……………答……………题……………无……………效……………………座位号 图1 图21. 关于彼得森(Petersen)图, 下面说法正确的是 ( B )A. 彼得森图是哈密尔顿图;B. 彼得森图是超哈密尔顿图;C. 彼得森图可1-因子分解;D. 彼得森图是可平面图.2. 下面说法正确的是 ( C )A. 有割点的三正则图一定没有完美匹配;B. 有割边的三正则图一定没有完美匹配;C. 存在哈密尔顿圈的三正则图必能1因子分解;D. 正则的哈密尔顿图必能2因子分解.3. 关于图的度序列, 下面说法正确的是 ( B )A. 任意两个有相同度序列的图都同构;B. 若图G 度弱于图H ，则图G 的边数小于等于图H 的边数;C. 若非负整数序列12(,,,)n d d d π=满足1ni i d =∑为偶数，则它一定是图序列;D. 如果图G 所有顶点的度和大于或等于图H 所有顶点的度和，则图G 度优于图H.4. 关于图的补图, 下面说法错误的是 ( A )A. 若图G 连通，则其补图必连通;B. 若图G 不连通，则其补图必连通;C. 图G 中的一个点独立集，在其补图中的点导出子图必为一个团;D. 存在5阶的自补图.5. 关于欧拉图, 下面说法正确的是 ( D )A. 每个欧拉图有唯一的欧拉环游;B. 每个顶点的度均为偶数的图是欧拉图;C. 欧拉图中一定没有割点;D. 欧拉图中一定没有割边.(三).(10分)若阶为25且边数为62的图G 的每个顶点的度只可能为3，4，5或6，且有两个度为4的顶点，11个度为6的顶点，求G 中5度顶点的个数。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
★★2019-2020年电子科技大学物理学专业考研考试内容分析（理想途考研考博）★★
一、电子科技大学物理学专业考研考试内容招考统计（理想途考研考博）
院系所：（004）物理电子学院（031）基础与前沿研究院
专业：（070200）物理学
研究方向：（01）量子场论、超弦与宇宙学（02）光通信及光信息传输与处理（03）亚波长光学及其应用（04）功能纳米结构及其物理性能（05）相变及其辐射效应（06）等离子体理论与应用（07）量子光学（08）量子信息（09）量子计算（10）量子器件
（11）凝聚态物理（12）信息物理（13）低维物理（14）微纳器件物理（15）材料物理
（01）量子场论、超弦与宇宙学（02）光通信及光信息传输与处理（03）亚波长光学及其应用（04）功能纳米结构及其物理性能（05）相变及其辐射效应（06）等离子体理论与应用（07）量子光学（08）量子信息（09）量子计算（10）量子器件（11）凝聚态物理（12）信息物理（13）低维物理（14）微纳器件物理（15）材料物理
学习方式：全日制
理想途考试中心解析：
1、电子科技大学物理学专业考研的报录比平均在20： 1 （竞争非常激烈）
二、电子科大物理学专业近三年录取成绩分析（理想途考研考博）
理想途考研考博解析：
1、初试的四门科目中两门公共课（政治、外语）拉开的分差一般较小，两门专业课拉开的分羌将会非常大。
大部分参加考试的考生专业课成绩都集中在80分左邑空単入复试就必须在两门专业课中取得较高的分数，平均每门专业课要达到115专业课的复习备考中“信息”和“方向”比单纯的时间投入和努力程度更重要。
2、综合成绩二初试平均成绩（总成绩/5） X70%+ （专业课考试+综合面试+外语听力口试）/3X30%
3、据内部数据查询,电子科技大学物理学专业每年录取的学生尿取分数往往高于院线平均20分左右。
所以，同学们一定要力求更高分，如果只是为了过线，那就
别想着再进复试。
4、如果考生有学术成果，比如在国家级以上的期刊发表论文，或者在大学期间参
加过重要的课题，复试会非 ___________
5、电子科技大学物理学专业胁试复试比例为5： 5o即使过了初试，请考生千万不用忽略复试的重要性，复试要求考生发挥的面试能力比较高，导师评断的主观性更强，所以说需要考生平时复习的同时，不要死读书，听说表达能力也需要同步提高起来。
之后应该怎么做，这些也会直接影响到考生的分数。
除去参考书的阅读之外，整个的备考还需要做好其余的几项工作：专题整理、历年真题解析、导师信息整理、模拟考试及押题，科学合理的制定复习规划才能是自己具备足够的竞争优势。
三、电子科技大学物理学专业考研参考书目
——811大学物理
1.《大学物理学》下册，孙云卿、雷雨著，科学出版社
2.《大学物理学》上册，滕保华、廖旭著，科学出版社
理想途考试中心解析：
以上参考书目均是电子科技大学官方公布的，权威性足够。
但同时因为参考书目过少，所以考生们还需要向专业老师获取更多考试相关的内容，并且多做题，多模拟。
四•电子科技大学物理学专业入学考试初试自命题科目考试大纲
♦考试科目811大学物理
♦考试形式笔试（闭卷）
♦考试时间180分钟
.总体要求
廷物理是高等学校理工科各专业学生一门重要的通识性必修基础课。
该课程要求考生系统掌握大学物理的基本概念、基本理论和基本方法，并且能够运用所学的基本理论、基本知识和基本方法分析和解决有关理论问题和实际问题。
♦内容
1•力学
（1）质点运动学位移，速度，加速度；切向速运动和法向加速度；角位移，角速度，角加速度，线量与角量的关系；运动学的两类问题；相对运动。
（2）质点动力学牛顿运动定律及其应用；惯性系与非惯性系，惯性力；冲量与动量定理，质点系的动量定理，动量守恒定律；质心运动定理；质点的角动量，角动量守恒定律。
功，动能定理，一对力的功；保守力，势能；功能原理，机械能守恒定律。
（3）刚体的运动刚体定轴转动定律，转动惯量；转动中的功和能；刚体的角动量和角动量守恒定律。
（4）振动学基础简谐振动的描述，旋转矢量表示法，简谐振动的动力学方程；简谐振动的能量；简谐振动的合成。
（5）狭义相对论基础爱因斯坦相对性原理和光速不变；同时性的相对性、时间膨胀，长度缩短；洛仑兹变换，相对论速度变换；相对论质量，相对论动能，相对论能量，相对论动量一能量变换。
2•热学
（1）气体体动理论热力学系统，平衡态，状态参量；理想气体的压强和温度及其统计意义；能量均分定理，理想气体的内能；麦克斯韦速率分布律，三种统计速率；气体分子的平均碰撞频率和平均自由程。
（2）热力学准静态过程，功，热量；热力学第一定律及其应用，热容量；典型的热力学过程；循环过程，卡诺循环；热力学第二定律与不可逆过程；嫡，爛增加原理。
3.电磁学
（1）静电场库仑定律，电场强度，场强叠加原理；电通量，高斯定理及其应用；静电场环路定理；电势，电势叠加原理，电势梯度。
（2）静电场中的导体和电介质导体的静电平衡，有导体存在时场强的分布和计算；电介质的极化，电位移矢量，电介质中的高斯定律及其应用；电容器及电容，电场的能量。
（3） 稳恒磁场 磁感应强度，毕奥一萨伐尔定律；磁通量，磁场的高斯定理；匀速 运动点电荷的磁场，安培坏 路定理及其应用。
（4） 磁力
安培力，安培定律；洛仑兹力，带电粒子在磁场中的运动，霍耳效应。
（5） 磁场中的磁介质 磁介质的磁化；磁场强度矢量，磁介质中的环路定理及其应 用；铁磁质。
（6） 电磁感应 法拉第电磁感应定律；动生电动势，感生电动势和感应电场；互 感，自感；磁场的能量。
（7） 麦克斯韦方程组位移电流，全电流环路定律；；麦克斯韦方程组；平面电磁 波的基本性质，电磁波的能量，坡 印廷矢量。
4. 波动学
（1） 波动学基础纵波和横波；平面简谐波方程，波动方程；波的能量；惠更斯原 理；波的干涉，驻波；多普勒效应。
（2） 光的干涉 光程和光程差；杨氏双缝干涉实验，等厚干涉，等倾干涉；吋间相 干性，迈克耳逊干涉仪。
（3） 光的衍射光的衍射现象，惠更斯菲涅耳原理；单缝的夫琅和费衍射，光栅衍 射，X 射线的衍射。
（4） 光的偏自然光和偏振光，起偏和检偏，马吕斯定律；反射和折射时光的偏 振，布儒斯特定律；双折射 现象。
5. 量子物理基础
（1） 早期量子理论 光电效应，康普顿散射；玻尔的原子理论；激光理论初步。
（2） 量子力学基础物质的波粒二象性，概率波，不确定度关系，波函数及其统计 解释，薛定谭方程，一维无限深势阱；隧道效应；氢原子定态；电子的自旋，四 个量子数；泡利不相容原理，原子的壳层结构。
（3） 固体的能带结构固体的能带，导体、绝缘体、半导体的能带特征，半导体的 导电机制。
无限区间上的广义积分、Canchy 收敛准则、绝对收敛与条件收敛、fx 非负
的收敛性判别法（比较原则、柯西判别法）、Abel 判别
法、Dirichlet 判别法、无界函数广义积分概念及其收敛性判别法.
5）微元法、几何应用（平面图形面积、已知截面面积函数的体积、曲线弧长与弧 微分、旋转体体积），其他应用。
♦题型及分值比例 选择题（51分） 填空题（24分） 简答题（15分） 计算题（60分） 4)
时,。