河南大学普通物理(二)复习卷1

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; ; 4、由普通光源获得相干光的方法有两种:分波振面法和
; 。 。
三、简答题(每题 5 分,共 10 分)
1、有一平板电容器,保持板上电荷量不变(充电后切断电源) ,现在使两极板间的 距离增大。试问:电容是增大还是减小?两极板的电势差有何变化?极板间的电场 强度有何变化?说明理由并给出必要的公式。
幅, 是角速率, I 0 和 都是常量,在长直导线旁平行放置一矩形线圈,线圈面 积与直导线在同一平面内。已知线圈长为 l1 ,宽为 l2 ,线圈近直线的一边离直导线 的距离为 a (如右图) 。求任一瞬时线圈中的感应电动势的大小。 (10 分)
4、用波长为 500nm 的单色光垂直照射到由两块光 学平玻璃构成的空气劈尖上。在观察反射光的干涉 现象中,距劈尖棱边 l 1.56cm 的 A 处是从棱边算 起的第四条暗条纹中心。求此空气劈尖的劈尖角 。 (10 分)
M

S
E dS
q
0
in
中,关于闭合面上每一点的电场强度 E 说法正确 ( )

5、 两平行放置的无限大带电平面, 其中一个的电荷面密度为 , 另一个为 3 。 则两板中间电场强度的大小为: ( A. ) D.
; 0
B.
; 2 0
C. 0 ;
。 3 0
dI1 dI 由 I1 2 ,I 2 变化在线圈 1 中产生的电动势为 12 , dt dt
变化在线圈 2 中产生的电动势为 21 ,判断下列哪个论断正确: (A) (C) ]
M12 M 21 M12 M 21
12 21 12 21
(B)
M12 M 21
12 21
0 I 2 x
(2 分)
选顺时针的转向作为矩形线圈的绕行正方向,则通过图中阴影面积 dS l1dx 的磁 通量为: d B cos 0 dS
o
0 I l1dx 2 x
(3 分)
在该瞬时,通过整个线圈所围面积的磁通量为
d
a l2
a
0 I I l sin t a l2 l1dx 0 0 1 ln 2 x 2 a
③ 在观察时间内各光波之间的相位差保持恒定。
二 选择题 1、如图所示,圆形回路 L 与圆电流 I 同心同面,则磁场强度 H 的环流为

A. B.
H dl 0 ,因为 L 上的 B 处处为零; H dl 0 ,因为 L 上的 B 处处与 L 垂直; H dl I ,因为 L 的 B 上处处包围电流 I;
4、解: (1)根据劈尖干涉得:
l sin ek 1 ek
由题设条件可知上式中

2n2
(4 分)
l
1.56cm 0.52cm 5.2 103 m , 500nm 5.0 107 m , n2 1 3
则 (2 分)
sin

2n2l

5.0 107 4.8 105 3 2 1 5.2 10
N


A. 电场强度 EM EN ; B. 电势 U M U N ; C. 电势能 WM WN ; 3、高斯定理 的是: A. 仅仅由面内电荷激发; C. 由面内和面外电荷共同激发; 4、金属圆锥体带正电荷时,其表面: A. 圆锥顶点处电势最高; C. 圆锥顶点处电势最低; B. 圆锥顶点场强最大; D. 圆锥表面附近场强处处相等。 B. 仅仅由面外电荷激发; D. 无法判断。 ( D. 电场力的功 A 0 。
普通物理(二)复习卷一 一、 单项选择题
1、关于静电场中某点电势值的正负,下列说法中正确的是: A. 电势值的正负取决于置于该点的试验电荷的正负; B. 电势值的正负取决于电场力对试验电荷作功的正负; C. 电势值的正负取决于电势零点的选取; D. 电势值的正负取决于产生电场的电荷的正负。 2、某电场的电力线分布情况如图所示,一负电荷从 M 点移到 N 点。下列几点结 论正确的是: ( )
S
D d S q , E dl
L
S
4、分振幅法; 三、简答题(本题共 2 题,每题 5 分,共 10 分) 1、答:两极板间的距离增大,电容器电容值减小( C
S
d
) ;…(2 分)
电荷量不变,则两极板的电势差增大( q CU ) ;………………(2 分) 极板间的电场强度不变( E
4
B.
4n
C.
2
D.
2n
4、 一个宇航员声称, 他恰好能分辨在他下面 160 km 地面上两个发射波长为 550nm 的点光源。假定宇航员的瞳孔直径为 5.0mm.如此两点光源的间距以 m 为单位,则 为 A. 21.5 [ ] B. 10.5 C. 31 D. 42
5、在双缝干涉实验中,为使屏上的干涉条纹间距变大,可以采取的办法 是: (A) 使屏靠近双缝。 (B) 把两个缝的宽度稍微调窄。
I d
c
8、如右图所示,无限长直载流导线与方形载流线圈( I 2 顺时针)在 同一平面内,若长直导线固定不动,则载流线圈将: A. 向着长直导线平移; C. 转动; B. 离开长直导线平移; D. 不动。 ( )
I1
I2
9、在双缝干涉实验中,两缝隙间距离为 d ,双缝与屏幕之间的距离 为 D D
d 。波长为 的平行单色光垂直照射到双缝上。屏幕上干涉条纹中相
(3 分)
由于电流随时间变化,通过线圈面积的磁通量也随时间变化,故线圈内的感应电动 势为
i
I l a l2 d 0 I 0l1 a l2 d 0 0 1 ln ln sin t cos t (2 分) dt 2 2 a dt a
L I
C.
D. [
H dl I , 因 为 L 上 的 B 包 围 电 流 I 且 环 绕 方 向 与 I 相 反 。
]
2、牛顿环实验中,用平行单色光从上向下垂直入射,并从上向下观察,看到许多 明暗相间的同心圆环,这些圆环的特点是: A 接触点是明的,同心圆环是等距离的; B. 接触点是明的,同心圆是不等距离的; C. 接触点是暗的,同心圆是等距离的; D. 接触点是暗的,同心圆是不等距离的。 ] 3、波长为 的平行光垂直入射在空气中的透明薄膜(折射率为 n)上,反射光发 生相长干涉,则薄膜的最小厚度为: A. [ ] [
2、在均匀磁场中,有两个面积相等、通有相同电流的线圈,一个是三角形,一个 是圆形。 两线圈的磁矩是否相等?所受的最大磁力矩是否相等?说明理由并给出
必要的公式。
四、计算题(本题共 4 题,共 40 分)
1、两个均匀带电的金属同心球面,内球面半径为 R1 (厚度不计) ,带电量为 q1 ,外 球面半径分别为 R2 ,所带总电量为 q 2 。 求: (1)两球面之间( R1 r R2 ) (2)外球面外( r R3 )的某点的电场强度
( D. 2n2e

A. 2n2 e ;
B. 2n2 e

2

C. 2n2e ;

2n2
二、填空题(每空 2 分,共 20 分)
1、电场中,电场线上任一点的切线方向和该点处的 密的地方,电场较 ,稀疏的地方电场较 。 方向一致,电场线
2 、有两个彼此远离的金属球,一大一小,所带电荷同号等量,这两个球的电势 (填:相等或不相等) ;其电容 (填:相等或不相等) 。 3、麦克斯韦方程组的积分形式是:
( ; C. ) ; D.
邻暗纹之间的距离是: A.
2 D ; d
B.
d
D
dD
D
d

10、 折射率为 n2 、 厚度为 e 的透明介质薄膜的上方和下方的透明介质的折射率分别 为 n1 和 n3 ,已知 n1 n2 n3 。若用波长为 的单色平行光垂直入射到该薄膜上, 则从薄膜上、下两表面反射的光束的光程差是:
普通物理(二)复习卷一答案 一、单项选择题(本题共 10 题,每题 2 分,共 20 分) 1、C;2、C;3、C;4、B;5、A;6、D;7、D;8、A;9、D;10、B 二、填空题(本题共 20 空,每空 1 分,共 20 分) 1、电场强度,强,弱; 2、不相等,不相等; 3、

B dS , t D S B d S 0 , L H dl S d S S t d S ;
) 。………………………………(1 分) 0
2、答:两线圈的磁矩是否相等( p I S ) ;………………………(3 分) 所受的最大磁力矩是否相等( M p B ) ;………………………(2 分) 四、计算题(本题共 4 题,共 40 分) 1、解:过所求点作同心球面为高斯面,根据高斯定理得:
R1
R2
2、 如图, 一长直导线中通有电流 I 20 A , 在其附近有一长 l 0.2m 的金属棒 AB, 以 v 4m / s 的速度平行于长直导线作匀速运 动,如果棒的近导线的一端距离导线
d 0.1m ,求金属棒 AB 中的动生电动势。
(10 分)
d I
A
v
B
l
3、一长直导线中通有交变电流 I I 0 sin t ,式中 I 表示瞬时电流, I 0 是电流振

3、将一根导线弯成半径为 R=1m 的半圆形,并把它放在磁感应强度随 时间均匀变化的磁场中。若
dB 2 102 TS 1 ,则导线上的感应电动势 dt
为_________;其方向为_________;感生电场强度大小为___________。
4、两束光或者多束光的相干条件是 ① ;② ;
(2 分) (2 分)
故此空气劈尖的劈尖角
sin 4.8 105 rad
普物二复习卷二
1、在自感为 0.25 H 的线圈中,电流的变化为 I 2t 4 (A)。2 s 时线圈中感应
2
电动势的大小为:

2、杨氏双缝干涉实验中明条纹的位置:x = 暗条纹的位置:x = 。
2 q E dS E dS E dS E 4r
S S S
源自文库
0
(4 分) (3 分) (3 分)
(1) R1 r R2
E1 E1
q1 4 0 r 2 q1 q 2 4 0 r 2
r R3
2、解:在 AB 上选微元 dx ,距长直导线为 x ,则其所在处的磁感应强度为 B 为:
B
0 I 2x
(2 分) (4 分)
微元运动产生的电动势为: d Bvdx
由于各微元运动产生的电动势相串联,则 AB 棒运动产生的电动势为:
d
d l
d
Bvdx 1.75 10 5 V
(4 分)
3、解: (10 分)在某一瞬时,距直导线为 x 处的磁感应强度由安培环路定理可以 求得为: B
S
6、如右图在磁感应强度为 B 的均匀磁场中作一半径为 r 的半 球面 S , S 边线所在平面的法线方向单位矢量 n 与 B 的夹角
n
B
为 ,则通过半球面 S 的磁通量为 A. r B ; B. 2 r B ;
2 2

2

C. r B sin ;
D. r B cos 。
(C) 使两缝的间距变小。 (D) 用波长较小的单色光源。 ]
[
6、 一束光强为 I 0 的自然光垂直穿过两个偏振片,且此两偏振片的偏振化 方向成 45 度角,则穿过两个偏振片后的光强 I 为: (A)
2 I0 4
(B)
1 I0 4
(C)
1 I0 2
[ ]
(D)
2 I0 2
7、线圈 1、2 的互感系数分别为 M12、M21,若它们分别流过 I1 、 I 2 的 变化电流。 并且
(D) M12 M 21
2
7、如右图所示,两根直导线 ab 和 cd 沿半径方向被接到一个截 面处处相等的铁环上,稳恒电流 I 从 a 端流入而从 d 端流出,则 磁感应强度 B 沿图中闭合路径 L 的积分等于 A. ( )
I
a
b
L
120
0 I ;
1 B. 0 I ; 3
1 C. 0 I ; 4
2 D. 0 I 3
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