Taping 粘胶带Back Grinding 磨片De-Taping 去胶带将从晶圆厂出来
去除粘胶带残留的五种方法
![去除粘胶带残留的五种方法](https://img.taocdn.com/s3/m/0b7e93dac9d376eeaeaad1f34693daef5ef71323.png)
去除粘胶带残留的五种方法去除粘胶带残留的五种方法去除方法:1、酒精去除法。
用软布之类蘸取酒精,然后轻轻擦拭不干胶处,不干胶就会轻易的变软脱离,同时酒精一般也不会对塑料件或者车漆表面有什么损害。
如果发现酒精不是很有效,可以用软布蘸取少许汽油轻擦不干胶处。
注意,因为汽油对某种塑料或油漆有“溶解”作用,所以一定要小心使用:可以先在不重要的地方轻擦观察一下,如果没事就使用,但一定要注意不要使用汽油太多,同时擦拭时间尽量要短。
2、使用汽油或煤油抹去胶纸,也可以买1200号水砂纸喷水抹去痕迹,在买一罐透明清漆,用香蕉油调稀,用排笔刷一次即回复光亮。
但切勿用去指甲油抹刷。
3m胶操作方法:1、先对粘着表面必进行清洗干燥,一般建议以布沾取1:1ipa(异丙醇)与水的混合液进行表面擦试清洁后,待表面完全干燥。
2、待清洁溶剂干燥后,将胶带贴合于粘着表面,以滚筒或其他方式施以约15psi(1.05公斤/平方厘米)之压力,使其有效粘合。
3、将胶带离型纸撕除,然后将需贴合材料贴上,同样施以15psi压力,使其有效贴合。
如需去除气泡,应增加压力,以物品能承受限度为上限。
1.用风油精去除胶带痕迹的方法:将胶带粘的地方用风油精完全浸湿,15分钟后用干抹布擦掉。
2、吹风机加热胶印:将吹风机开到最大热度,对着胶带痕迹吹一会儿,让它慢慢变软,然后用硬一点的橡皮擦或者柔软的抹布就可轻而易举地擦掉胶印。
3、食醋货白醋去除胶印方法:用干燥的洗碗布沾取白醋或食醋,浸渍15-20分钟后,用洗碗布沿胶印标签边缘逐渐擦除。
4、柠檬汁去除胶印法:将柠檬汁挤在沾有胶印污垢的手上反复揉搓,即可去除胶印。
5.医用酒精浸泡胶印:在有胶印痕迹的表面滴一些医用香精,浸泡一会儿,再用软布或纸巾擦掉。
胶带是由基材和胶黏剂两部分组成,通过粘接使两个或多个不相连的物体连接在一起。
其表面上涂有一层粘着剂。
最早的粘着剂来自动物和植物,在十九世纪,橡胶是粘着剂的主要成份;而现代则广泛应用各种聚合物。
IC 芯片封装流程
![IC 芯片封装流程](https://img.taocdn.com/s3/m/163f7a1a2af90242a895e56c.png)
FOL– Wire Bonding 引线焊接
陶瓷的Capillary
内穿金线,并且在EFO的 作用下,高温烧球;
金线在Cap施加的一定 压力和超声的作用下, 形成Bond Ball;
金线在Cap施加的一 定压力作用下,形成 Wedge;
FOL– Wire Bonding 引线焊接
※利用高纯度的金线(Au) 、铜线(Cu)或铝线(Al)把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点,Lead是 Lead Frame上的 连接点。 W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。
FOL– Wire Bonding 引线焊接
※利用高纯度的金线(Au) 、铜线(Cu)或铝线(Al)把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点,Lead是 Lead Frame上的 连接点。 W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。
FOL– Wire Bonding 引线焊接
FOL– Die Attach 芯片粘接
Epoxy Write: Coverage >75%;
Die Attach: Placement<0.05mm;
FOL– Epoxy Cure 银浆固化
银浆固化:
175°C,1个小时; N2环境,防止氧化:
Die Attach质量检查: Die Shear(芯片剪切力)
Size
FOL– 3rd Optical Inspection三 光检查
检查Die Attach和Wire Bond之后有无各种废品
EOL– End of Line后段工艺
EOL
Annealing 电镀退火
Trim/Form 切筋/成型
韦尔半导体封装工艺介绍
![韦尔半导体封装工艺介绍](https://img.taocdn.com/s3/m/5025c5ffa45177232f60a2a0.png)
Raw Material in Assembly(封装 原材料)
【Epoxy】银浆
➢成分为环氧树脂填充金属粉末(Ag);
➢有三个作用:将Die固定在Die Pad上; 散热作用,导电作用;
➢-50°以下存放,使用之前回温24小时;
Typical Assembly Process Flow
BGA采用的是Substrate;
Raw Material in Assembly(封装 原材料)
【Gold Wire】焊接金线
➢实现芯片和外部引线框架的电性和物 理连接;
➢金线采用的是99.99%的高纯度金; ➢同时,出于成本考虑,目前有采用铜
线和铝线工艺的。优点是成本降低, 同时工艺难度加大,良率降低; ➢线径范围;0.6mil ~2.0mil;
W/B四要素:压力(Force)、超声(USG Power)、时间(Time)、 温度(Temperature);
FOL– Wire Bonding 引线焊接
陶瓷的Capillary
内穿金线,并且在EFO的 作用下,高温烧球;
金线在Cap施加的一定 压力和超声的作用下, 形成Bond Ball;
金线在Cap施加的一 定压力作用下,形成 Wedge;
※利用高纯度的金线(Au) 、铜线(Cu)或铝线(Al)把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点,Lead是 Lead Frame上的 连接点。 W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。
FOL– Wire Bonding 引线焊接
Key Words:
Capillary:陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个Bonding Tool,内部为 空心,中间穿上金线,并分别在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形成 第一和第二焊点;
塑封工序中英文名称对照
![塑封工序中英文名称对照](https://img.taocdn.com/s3/m/1d3d40036ad97f192279168884868762caaebb1c.png)
进料检验 Incoming QC Inspection (IQC) IQI磨片 Wafer Grind Back Grind贴片 Wafer Mount甩干 Spinning划片 Wafer Saw装片 Die Attach (D/A)焊丝球焊,打金丝,打线,焊线 Wire Bond (W/B)倒装芯片 Flip Chip (FC)热压焊 Thermal Compression Bond (TCB)烘烤烘箱 Baking Curing全检三号目检 3rd Optical Inspection (3rd Opt.)包封塑封 Molding Encapsulation冲塑冲胶 Degate后固化 Post Mold Cure (PMC)切筋冲筋,切中筋 Damcar Cut Trim去飞边 Deflash打印 Marking激光打印 Laser marking油墨打印 Ink UV marking电镀 Plating锡铅电镀铅锡电镀 Tin Lead Plating无铅电镀纯锡电镀 Lead Free Plating Pure Tin Plating成型 Forming分离 Singulation外观检产品出厂检 Out Going Inspection (OGI) 4th Optical Inspection测试 Test分选编带 Tape & Rail包装 Packing出货 Shipping组装 Front OF Line (FOL)芯片 Die色点芯片 Ink Die引线框 Lead Frame助焊剂 Flux导电胶 Epoxy蓝膜 Blue Tape / Mounting tape 圆片 Wafer金丝 Gold wire推晶 Die shear弧高 Loop Height弧度 Wire Loop布线图 Bond diagram布线错误 Wrong Bonding焊丝拉力测克,拉丝 Wire Pull 推球金球剥离 Ball shear细刀 Capillary扭曲 Bending翘曲 Bow / Warpage硅屑 Silicon Dust沾污 Contaminate压伤 Dented变形 Distort缺角 Chip Die锡膏回流 Solder Reflow银厚度 Silver Thickness毛刺针刺 Burr塌丝 Depress Wire超波膜 UV Tape火山口 Crater Ring断丝 Broken Wire昂球 Lifted Bond飞球 Sky Ball金属剥落 Lifted Metal昂楔 Lifted Wedge高尔夫球 Golf Ball扁球 Flat Ball半球 Insufficient Ball Size 不粘 Non-Stick芯片裂缝 Crack Die 错方向 Wrong Orientation焊不牢 Incomplete Bond无焊 No Bonding翘芯片 Lifted Die误置芯片 Misplaced Die芯片装斜 Tilted Die芯面粘胶 Epoxy On Die导电胶不足 Insufficient Epoxy多胶 Excess Epoxy导电胶气孔 Epoxy Void镀层气孔 Solder Void导电胶裂缝 Epoxy Crack金属划伤 Saw Into Metal擦痕 Scratches墨溅 Ink Splash薄膜气泡 Tape Bubbles边沿芯片 Edge Die镜子芯片 Mirror Die飞片 Fly Die封装 End Of Line (EOL)排气 Air vent托块 Insert刀片 Punch型腔 Cavity料饼塑料,树脂,环氧 Mold Compound Mold pallet基岛 Paddle (PAD) DAP共面性 Coplanity点温计 Digimite空封 Dummy Molded Strip废胶跑料,废料 Mold Flash小脚 Gate Remain脚间距开档,总宽,跨度 Lead Tip to Tip Total Width, Lead Distance.包封偏差 Molding Mismatch包封模具 Mold Chase冲切,成型模具 Dieset清模 Mold Cleaning多肉 Package Bump引线条 Molded Strip溢胶 Mold Bleed包反 Wrong Orientation Molding印偏 Offset Marking焊丝冲弯 Wire Sweep错位 Molding Mismatch偏心 Molding Offset气孔空洞,气泡 Void排气不畅 Air Vent Clog偏脚 Offset Punch注浇口,进浇口 Injection Gate 1st Gate上料框 Frame Loader冲圆 Fan Out模温 Mold Temperature表面粗糙 Rough Surface未填充 Incomplete Mold料饼醒料 Compound Aging顶针 Ejector Pin顶孔顶料孔 Ejector Pin hole定位块 Locator Block粘模 Sticky Mold烘箱 Oven麻点镀层起毛 Solder Blister锡桥搭锡 Solder Bridge镀层起泡拉尖 Solder Bump镀层剥落 Solder Peel Off锡丝 Solder Flick露铜露底材 Expose Copper细脚小脚 Narrow Lead镀层厚度 Plating Thickness变色 (发黄,发黑,发花,水渍,酸斑) Discolor (Yellowish, Blacken, WaterMark)锡球 Solder Pad镀层偏厚或偏薄 Thick or Thin Plating易焊性 Solderability退锡 Solder Remove站立高度 Stand Off切中筋凸出或凹陷 Dambar Protrusion or Intrusion连筋 Uncut Dambar脚长 Lead Length管脚刮伤 Lead Scratches管脚反翘 Lead Tip Bend反切 Wrong Orientation Forming.缺脚缺管,断脚 Missing Lead Broken Lead裂缝胶体破裂 Crack Package微裂缝 Micro Crack崩角缺角,缺损 Chip Package Chip Off成型角度 Foot angle共面性 Coplanarity倒角 Touch Up印章印记 Marking Layout断字 Broken character印记磨糊褪色 Fad Mark打印不良 Illegible Marking打印字间距 Mark Character Distance印记倾斜 Slant Marking漏打 No marking缺字 Missing Character错字 Wrong Marking弄脏 Smear定位针 Location Pin烧氢 Hydrogen Frame扫描打印 Writing laser模板激光 Mask Laser常用的术语集成电路 Integrated Circuit (IC)塞头 Plug托盘 Tray编带, 带盖 Rail, Rail Cover料管 Tube静电袋 Anti Static Bag支持棒 Suspension Bar Fishtail, tie bar 随件单 Traveling Card Run Card去离子水 D.I. Water散热片 Heat Sink品管 Quality Control (QC)品保 Quality Assurance (QA)关卡 QC Gate校验 Calibrate照明放大镜 Dazor Light Ring Light显微镜 Microscope返工 Rework质量标准 Criteria扩散批 Wafer Lot Mother Lot批 Lot抽样 Sample Size (SS)良品 Accept Unit (Acc)不良品 Reject Unit (Rj)良率 Yield次品率不良率 Yield Lost外次率 O.G.I. YieldX管率 X-ray Yield目检 Visual Inspection正面 Top Surface反面 Bottom surface冷藏库料饼存放库 Cold Room Compound storage 表面贴装式 Surface Mount Technology (SMT)报废 Scrap开短路 Open short调机 Machine Buy Off单列直插式 Single Side Lead Insert双列直插式 Dual Side Lead Insert Type 内控 Internal / In-house Control在制品 Work In Progress (WIP)。
taped 翻译
![taped 翻译](https://img.taocdn.com/s3/m/10dba093f71fb7360b4c2e3f5727a5e9856a27d2.png)
taped 翻译基本解释●taped:用胶带粘贴的,录音的●/teɪpt/●adj. 用胶带粘贴的●v. 录音的变化形式●v. 第三人称单数:tapes●过去式:taped●过去分词:taped●现在分词:taping具体用法●●adj.:o用胶带粘贴的o同义词:stuck, glued, fastened, attached, securedo反义词:loose, detached, unfastened, free, unbound o例句:●The poster was taped to the wall so securely that it didn't falleven during the storm. (海报被牢牢地用胶带粘在墙上,即使在暴风雨中也没有掉下来。
)●She found her old photographs taped inside the album,preserving them for years. (她发现她的旧照片被粘在相册里,保存了多年。
)●The broken window was temporarily taped up until it couldbe properly repaired. (破碎的窗户被临时用胶带粘住,直到可以进行适当的修理。
)●The cables were neatly taped together to prevent them fromtangling. (电缆被整齐地粘在一起,以防止它们缠绕。
)●He taped the edges of the package to ensure it wouldn't openduring transit. (他用胶带粘住包裹的边缘,以确保它在运输过程中不会打开。
)●The artist taped the canvas to the easel to keep it steady whilepainting. (艺术家将画布粘在画架上,以保持其在绘画时的稳定。
芯片封装工艺详细讲解
![芯片封装工艺详细讲解](https://img.taocdn.com/s3/m/5b1c5f7290c69ec3d4bb751c.png)
TOP VIEW SIDE VIEW
Lead Frame 引线框架
Die Pad 芯片焊盘 Gold Wire
金线
Epoxy 银浆
Mold Compound 环氧树脂
Company Logo
【Wafer】晶圆
……
Company Logo
封装形式和工艺逐步高级和复杂
• 决定封装形式的两个关键因素: 封装效率。芯片面积/封装面积,尽量接近1:1; 引脚数。引脚数越多,越高级,但是工艺难度也相应增加;
其中,CSP由于采用了Flip Chip技术和裸片封装,达到了 芯片面积/封装面积=1:1,为目前最高级的技术;
Company Logo
Package--封装体:
指芯片(Die)和不同类型的框架(L/F)和塑封料(EMC) 形成的不同外形的封装体。
IC Package种类很多,可以按以下标准分类:
• 按封装材料划分为: 金属封装、陶瓷封装、塑料封装
• 按照和PCB板连接方式分为: PTH封装和SMT封装
• 按照封装外型可分为: SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等;
Wafer Wash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘,清洁Wafer;
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Wafer Saw Machine
Saw Blade(切割刀片): Life Time:900~1500M; Spindlier Speed:30~50K rpm: Feed Speed:30~50/s;
Wire Bond 引线焊接
3rd Optical 第三道光检
Company Logo
Taping 粘胶带
半导体相关技术及流程
![半导体相关技术及流程](https://img.taocdn.com/s3/m/eff5a7784a7302768e993972.png)
等级概念:如1000级,每立方英尺内,大于等于
0.5的灰尘颗粒不能超过1000颗
芯片制作完整过程包括 :芯片设计、晶圆制造
、芯片生产(封装、测试)等几个环节。
芯片设计
晶圆制造,FAB晶圆厂。 芯片封装
设计
芯片测试
封装测试厂晶圆制造芯片封测IC Design IC设计
Wafer Fab 晶圆制造
洁净度级别
粒 径 (um)
0.1 0.2 0.3 0.5 5.0
1 35 7.5 3
1
NA
10 350 75 30 10
NA
100 NA 750 300 100 NA
1000 NA NA
NA 1000 7
10000 NA NA
NA 10000 70
100000 NA NA
NA 100000 700
外观测试:它通过IC的图像二元化分析与测试。检查IC的管脚(
如管脚形状、间距、平坦度、管脚间异物等)、树脂(异物附着 、树脂欠缺)、打印(打印偏移、欠缺)、IC方向等项目,并分 拣出外观不合格品。
包装的主要目的是保证运输过程中的产品安全 ,及长期存放时的产品可靠性。因此对包装材 料的强度、重量、温湿度特性、抗静电性能都 有一定的要求。
陈灿文 2012.3.26
1.半导体相关知识介绍 2.半导体产业介绍 3.半导体晶圆制造 4.半导体封装测试 5.封装形式介绍 6.封装测试厂流程细则 7.半导体中国产业分布,著名半导体厂
晶圆制造工艺的微米是指IC内电路与电路之间的距离。制造工艺的趋势是向 密集度愈高的方向发展,。密度愈高的IC电路设计,意味着在同样大小面积 的IC中,可以拥有密度更高、功能更复杂的电路设计。微电子技术的发展与 进步,主要是靠工艺技术的不断改进,使得器件的特征尺寸不断缩小,从而
半导体行业特点简介v1.0
![半导体行业特点简介v1.0](https://img.taocdn.com/s3/m/0aee4590ab00b52acfc789eb172ded630b1c9828.png)
Device-产品组成 晶片托盘(DIE PAD)
L/F 內引脚 (INNER LEAD)
晶片(CHIP)
Wafer
热固性环氧树脂 (EMC)
Chip/Die
L/F 外引脚 (OUTER LEAD) 金丝(WIRE)
Device-产品组成
晶片托盘(DIE PAD)
L/F 內引脚 (INNER LEAD)
• 按封装材料:金属封装、陶瓷封装、塑料封装 • 按和PCB板的连接方式:PTH(通孔式)、SMT(贴片式) • 按封装外形:SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等…
Package-封装形式
• 按封装材料划分为:
塑料封装
陶瓷封装 金属封装
Package-封装形式
• 按与PCB板的连接方式划分为:
Marking等子系统功能; ➢ 单一TC系统达到多系
2nd Optical Die Attach/芯片粘贴 Epoxy Cure/银浆固化 Wire Bond/引线焊接
3rd Optical
➢ 利用高纯度金线、铜线、铝线把Pad和Lead通过焊接的方法连接起来; W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺
EOL-后道
Molding/注塑 Laser Mark/激光打字
洁Wafer
FOL-前道
Back Grinding/磨片 Wafer Mount/晶圆安装 Wafer Saw/晶圆切割 Wafer Wash/晶圆清洗
2nd Optical Die Attach/芯片粘贴 Epoxy Cure/银浆固化 Wire Bond/引线焊接
3rd Optical
主要针对Wafer Saw之后进行 Wafer的外观检查,检查是否 有废品出现。
电子封装简介
![电子封装简介](https://img.taocdn.com/s3/m/a2d232e55ef7ba0d4a733b49.png)
•
引线框架(Lead Frame)
主要材料为铜,表面镀Ag、Ni、Pd
Au等材料; 对电路连接和Die起固定作用; L/F的制程有Etch和Stamp两种;
易氧化,存放于氮气柜中,湿度小 于40%RH;
除了BGA和CSP外,其他Package都会采用Lead Frame, BGA采用的是Substrate;
35
二道光检 2nd Optical Inspection
主要是针对Wafer Saw之后在显微镜下进行Wafer的外观检查,是否有出现废品。
Chipping Die 崩边
36
芯片粘贴 Die Attach(换图片胶)
Write Epoxy 点银浆
Die Attach 芯片粘接 Epoxy Cure 银浆固化
按照封装外型可分为:
SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFN、QFP、BGA、CSP等;
30
IC结构图
Lead Frame 引线框架 Die Pad 芯片焊盘 Gold Wire 金线
Epoxy 银浆
Top view
Mold Compound
Side view
31
封装原材料
• 晶圆(wafer)
33
晶圆减薄
Taping 粘胶带 Back Grinding 磨片 De-Taping 去胶带
将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨,来减薄晶圆达到 封装需要的厚度(8mils~10mils); 磨片时,需要在正面(Active Area)贴胶带保护电路区域 同时研磨背面。研磨之后,去除胶带,测量厚度;
EOL Annealing 电镀退火
Trim/Form 切筋/成型
Molding 注塑
半导体封装工艺介绍
![半导体封装工艺介绍](https://img.taocdn.com/s3/m/9d255ed1e53a580216fcfe8c.png)
Lead Frame 引线框架
Die Pad 芯片焊盘 Gold Wire
金线
Epoxy 银浆
Mold Compound 环氧树脂
Sino-i Technology Ltd.
ITSM / ITIL
Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Wafer】晶圆
……
Copyright © Sino-i Technology Limited All rights reserved
Sino-i Technology Ltd.
ITSM / ITIL
FOL– Front of Line前段工艺
Wafer
2nd Optical 第二道光检
Die Attach 芯片粘接
Back
Grinding 磨片
Wafer Wash 晶圆清洗
Epoxy Cure 银浆固化
EOL
Wafer Mount 晶圆安装
【Gold Wire】焊接金线
➢实现芯片和外部引线框架的电性和物 理连接;
➢金线采用的是99.99%的高纯度金; ➢同时,出于成本考虑,目前有采用铜
线和铝线工艺的。优点是成本降低, 同时工艺难度加大,良率降低; ➢线径决定可传导的电流;0.8mil, 1.0mil,1.3mils,1.5mils和2.0mils ;
Copyright © Sino-i Technology Limited All rights reserved
陶瓷封 装
金属封 装
Sino-i Technology Ltd.
ITSM / ITIL
IC Package (IC的封装形式)
• 按与PCB板的连接方式划分为:
BGA 封装工艺简介1
![BGA 封装工艺简介1](https://img.taocdn.com/s3/m/31b21e8283d049649b6658ae.png)
4.
5. 6.
金線歪斜 ( Wire Sweep )
晶片座偏移 ( Pad Shift ) 表面針孔 ( Rough Surface in Pin Hole)
7.
8.
流痕 ( Flow Mark )
溢膠 ( Resin Bleed )
EOL– Post Mold Cure(模后固化)
ESPEC Oven
FOL– Wire Bonding 引线焊接
Key Words:
Capillary:陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个Bonding Tool,内部为 空心,中间穿上金线,并分别在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形 成第一和第二焊点;
EFO:打火杆。用于在形成第一焊点时的烧球。打火杆打火形成高温, 将外露于Capillary前端的金线高温熔化成球形,以便在Pad上形成第一 焊点(Bond Ball); Bond Ball:第一焊点。指金线在Cap的作用下,在Pad上形成的焊接点 ,一般为一个球形;
Capillary Mark
Missing Weld
Wire Broken
2nd Bond Fail ( II )
縫點脫落
Looping Fail(Wire Short I)
Wire Short
Looping Fail(Wire Short II)
Loop Base Bend
Wire Short
Saw Spindle
EOL– Singulation
:將整條CLAER 完畢之SUBSTRATE產品,切割成單 顆的正式 BGA 產品
FOL– Die Attach 芯片粘接
Epoxy Write: Coverage >75%;
半导体封装流程讲课文档
![半导体封装流程讲课文档](https://img.taocdn.com/s3/m/53c0ac6d5bcfa1c7aa00b52acfc789eb172d9ef0.png)
IC Package (IC的封装形式)
• 按与PCB板的连接方式划分为:
PTH
PTH-Pin Through Hole, 通孔式;
SMT-Surface Mount Technology,表 面贴装式。 目前市面上大部分IC均采为SMT式的
SMT SMT
第八页,共四十五页。
IC Package (IC的封装形式)
切断,形成鱼尾
作
第三十页,共四十五页。
FOL– Wire Bonding 引线焊接
Wire Bond的质量控制:
Wire Pull、Stitch Pull(金线颈部和尾部拉力) Ball Shear(金球推力)
Wire Loop(金线弧高)
Ball Thickness(金球厚度) Crater Test(弹坑测试) Intermetallic(金属间化合物测试)
Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Wafer】晶圆
➢ 晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶
圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC 产品。
第十二页,共四十五页。
Raw Material in Assembly(封装原材料)
Back
Grinding
磨片
De-Taping
去胶带
➢将从晶圆厂出来的Wafer晶圆进行背面研磨,来减薄晶圆 达到 封装
需要的厚度(8mils~10mils); ➢磨片时,需要在正面(Active Area)贴胶带保护电路区域
同时研磨背面。研磨之后,去除胶带,测量厚度;
第十九页,共四十五页。
FOL– Wafer Saw晶圆切割
芯片封装详细图解
![芯片封装详细图解](https://img.taocdn.com/s3/m/0ae103f2e2bd960590c677e9.png)
22
Logo
FOL– Epoxy Cure 银浆固化
银浆固化: 175°C,1个小时; N2环境,防止氧化:
Die Attach质量检查: Die Shear(芯片剪切力)
23
Logo
FOL– Wire Bonding 引线焊接
※利用高纯度的金线(Au) 、铜线(Cu)或铝线(Al)把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点,Lead是 Lea现方式做保护处理对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑并不能对任何下载内容负责
Logo 艾
Introduction of IC Assembly Process IC封装工艺简介
1
Logo
IC Process Flow
Customer 客户
IC Design IC设计
18
Logo
FOL– 2nd Optical Inspection二光检查
主要是针对Wafer Saw之后在显微镜下进行Wafer的外观检查,是否有 出现废品。
Chipping Die 崩边
19
Logo
FOL– Die Attach 芯片粘接
Write Epoxy 点银浆
12
Logo
Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Epoxy】银浆
➢成分为环氧树脂填充金属粉末(Ag);
➢有三个作用:将Die固定在Die Pad上; 散热作用,导电作用;
➢-50°以下存放,使用之前回温24小时;
13
Logo
Typical Assembly Process Flow
EFO:打火杆。用于在形成第一焊点时的烧球。打火杆打火形成高温, 将外露于Capillary前端的金线高温熔化成球形,以便在Pad上形成第一 焊点(Bond Ball);
芯片封装测试流程
![芯片封装测试流程](https://img.taocdn.com/s3/m/80085703abea998fcc22bcd126fff705cc175ca4.png)
Excellent handout training template
C
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IC Process Flow
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L
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Customer
o
客户
IC Design IC设计
SMT IC组装
Wafer Fab 晶圆制造
Wafer Probe 晶圆测试
Assembly& Test IC 封装测试
• QFP—Quad Flat Package 四方引脚扁平式封装
• BGA—Ball Grid Array Package 球栅阵列式封装
• CSP—Chip Scale Package 芯片尺寸级封装
C
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IC Package StructureIC结构图
y
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TOP VIEW SIDE VIEW
C
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m
p a n
FOL– Die Attach 芯片粘接
y
L
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g
o
芯片拾取过程: 1、Ejector Pin从wafer下方的Mylar顶起芯片使之便于
脱离蓝膜; 2、Collect/Pick up head从上方吸起芯片完成从Wafer
到L/F的运输过程; 3、Collect以一定的力将芯片Bond在点有银浆的L/F
• 按照封装外型可分为: SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等;
C
o
m
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a n
IC Package IC的封装形式
y
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o g
• 按封装材料划分为:
半导体封装知识__For 培训ppt课件
![半导体封装知识__For 培训ppt课件](https://img.taocdn.com/s3/m/fe13f0aefe4733687e21aae8.png)
➢通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice,方便后面的 Die Attach等工序;
➢Wafer Wash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘,清洁Wafer;
整理版课件
14
DIE Saw晶圆切割
Wafer Saw Machine
Saw Blade(切割刀片):
Life Time:900~1500M; Spindlier Speed:30~50K rpm: Feed Speed:30~50/s;
4、Bond Head Resolution:
X-0.2um;Y-0.5um;Z-1.25um;
5、Bond Head Speed:1.3m/s;
整理版课件
17
FOL– Die Attach 芯片粘接
Epoxy Write: Coverage >75%;
Die Attach: Placement<0.05mm;
整理版课件
18
Epoxy Cure 银浆固化
银浆固化:
175°C,1个小时; N2环境,防止氧化:
Die Attach质量检查: Die Shear(芯片剪切力)
整理版课件
19
Wire Bonding 引线焊接
※利用高纯度的金线(Au) 、铜线(Cu)或铝线(Al)把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点,Lead是 Lead Frame上的 连接点。
W/B是封装工艺中最为关键整的理版一课部件工艺。
20
Wire Bonding 引线焊接
Key Words:
Capillary:陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个Bonding Tool,内部为 空心,中间穿上金线,并分别在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形成 第一和第二焊点;
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Wire Bonding 引线焊接
※利用高纯度的金线(Au) 、铜线(Cu)或铝线(Al)把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点,Lead是 Lead Frame上的 连接点。 W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。
Wire Bonding 引线焊接
Key Words:
Capillary:陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个Bonding Tool,内部为 空心,中间穿上金线,并分别在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形 成第一和第二焊点;
EFO:打火杆。用于在形成第一焊点时的烧球。打火杆打火形成高温, 将外露于Capillary前端的金线高温熔化成球形,以便在Pad上形成第一 焊点(Bond Ball); Bond Ball:第一焊点。指金线在Cap的作用下,在Pad上形成的焊接点 ,一般为一个球形;
半导体封装知识培训
生产部 2011-09-06
IC Process Flow
Customer 客 户
IC Design IC设计 SMT IC组装
Wafer Fab 晶圆制造
Wafer Probe 晶圆测试
Assembly& Test IC 封装测试
什么是封装
封装,就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到 外部接头处,以便与其它器件连接。 可以这么理解: 芯片(Die)和不同类型的框架(L/F)和塑封料 (EMC)形成的不同外形的封装体。
DIE Saw晶圆切割
Saw Blade(切割刀片): Wafer Saw Machine Life Time:900~1500M; Spindlier Speed:30~50K rpm: Feed Speed:30~50/s;
Die Attach 芯片粘接
Write Epoxy 点银浆 Die Attach 芯片粘接 Epoxy Cure 银浆固化
Wire Bonding 引线焊接Biblioteka EFO打火杆在 磁嘴前烧球
Cap下降到芯片的Pad 上,加Force和Power 形成第一焊点
Cap牵引金 线上升
Forming
Back Grinding背面减薄
Taping 粘胶带 Back Grinding 磨片 De-Taping 去胶带
高速旋转的砂轮
真空吸盘工作台
将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨,来减薄晶圆达到 封装需要的厚度(8mils~10mils); 磨片时,需要在正面(Active Area)贴胶带保护电路区域 同时研磨背面。研磨之后,去除胶带,测量厚度;
Epoxy Storage: 零下50度存放;
Epoxy Aging: 使用之前回温,除 去气泡;
Epoxy Writing: 点银浆于L/F的Pad 上,Pattern可选;
Die Attach 芯片粘接
芯片拾取过程: 1、Ejector Pin从wafer下方的Mylar顶起芯片,使之便于 脱离蓝膜; 2、Collect/Pick up head从上方吸起芯片,完成从Wafer 到L/F的运输过程; 3、Collect以一定的力将芯片Bond在点有银浆的L/F 的Pad上,具体位置可控; 4、Bond Head Resolution: X-0.2um;Y-0.5um;Z-1.25um; 5、Bond Head Speed:1.3m/s;
DIE Saw晶圆切割
Wafer Mount 晶圆安装 Wafer Saw 晶圆切割 Wafer Wash 清洗
将晶圆粘贴在蓝膜(Mylar)上,使得即使被切割开后,不会散落; 通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice,方便后面的 Die Attach等工序; Wafer Wash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘,清洁Wafer;
封装功用
• • • • 电力和电子讯号的传输。 散热。 保护电路。 方便运输。
封装分类
• 按封装材料划分为:
塑料封装
陶瓷封装
金属封装主要用于军工或航天技术,无 商业化产品; 陶瓷封装优于金属封装,也用于军事产 品,占少量商业化市场; 塑料封装用于消费电子,因为其成本低 ,工艺简单,可靠性高而占有绝大部分 的市场份额;
金属封装
封装分类
• 按与PCB板的连接方式划分为:
PTH
PTH-Pin Through Hole, 通孔式; SMT-Surface Mount Technology,表面贴装式。 目前市面上大部分IC均采为SMT式的
Package Lead PCB
SMT
封装分类
• 按封装外型可分为: SOT 、QFN 、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等; • 决定封装形式的两个关键因素: 封装效率。芯片面积/封装面积,尽量接近1:1; 引脚数。引脚数越多,越高级,但是工艺难度也相应增加;
FOL– Die Attach 芯片粘接
Epoxy Write: Coverage >75%;
Die Attach: Placement<0.05mm;
Epoxy Cure 银浆固化
Die Attach质量检查: 银浆固化: 175°C,1个小时; N2环境,防止氧化: Die Shear(芯片剪切力)
Wedge:第二焊点。指金线在Cap的作用下,在Lead Frame上形成的 焊接点,一般为月牙形(或者鱼尾形);
W/B四要素:压力(Force)、超声(USG Power)、时间(Time)、 温度(Temperature);
Wire Bonding 引线焊接
内穿金线,并且在EFO的 作用下,高温烧球; 金线在Cap施加的一定 压力和超声的作用下, 形成Bond Ball; 陶瓷的Capillary 金线在Cap施加的一 定压力作用下,形成 Wedge;
封装流程
封装流程
Wafer back-side grinding
Molding
Die sawing
Wire bonding
Epoxy paste
Die attach
Trimming
Back-side Marking (Laser/ink)
SE8117T33 1101-LF
Solder plating